電気光学装置、その駆動方法、および電子機器
【課題】電気光学素子の階調の変化を抑制する。
【解決手段】単位回路Ｕは、ゲートＧ0の電圧に応じた駆動電流Ｉdrを生成する駆動トラ
ンジスタＴdrと、駆動電流Ｉdrに応じた階調となる電気光学素子１１と、電極Ｅ1と電極
Ｅ2とを有する容量素子Ｃ1と、ゲートＧ0と電極Ｅ1との電気的な接続を制御するトランジ
スタＴ1とを含む。書込期間Ｐwrtにおいては電極Ｅ2に対するデータ信号Ｓ[j]の供給によ
ってゲートＧ0の電圧がデータ電圧Ｖdataに応じて設定される。駆動期間Ｐdrvにおいては
、ゲートＧ0に書込期間Ｐwrtにて設定された電圧に応じた駆動電流Ｉdrの供給によって電
気光学素子１１が駆動されるとともに、トランジスタＴ1がオフ状態とされてゲートＧ0と
容量素子Ｃ1とが電気的に切り離される。
【解決手段】単位回路Ｕは、ゲートＧ0の電圧に応じた駆動電流Ｉdrを生成する駆動トラ
ンジスタＴdrと、駆動電流Ｉdrに応じた階調となる電気光学素子１１と、電極Ｅ1と電極
Ｅ2とを有する容量素子Ｃ1と、ゲートＧ0と電極Ｅ1との電気的な接続を制御するトランジ
スタＴ1とを含む。書込期間Ｐwrtにおいては電極Ｅ2に対するデータ信号Ｓ[j]の供給によ
ってゲートＧ0の電圧がデータ電圧Ｖdataに応じて設定される。駆動期間Ｐdrvにおいては
、ゲートＧ0に書込期間Ｐwrtにて設定された電圧に応じた駆動電流Ｉdrの供給によって電
気光学素子１１が駆動されるとともに、トランジスタＴ1がオフ状態とされてゲートＧ0と
容量素子Ｃ1とが電気的に切り離される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード（以下「ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）」
という）素子などの電気光学素子を制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ（以下「駆動トランジスタ」という）のゲートの電圧に応じて電気光学素
子を駆動する構成が従来から提案されている。例えば、ＯＬＥＤ素子を利用した発光装置
においては、各ＯＬＥＤ素子に供給される電流の電流値が駆動トランジスタのゲートの電
圧に応じて制御される。
【０００３】
特許文献１には、容量カップリングを利用して駆動トランジスタのゲートの電圧を所期
値に設定する画素回路が開示されている。この画素回路においては、容量素子の第１電極
が駆動トランジスタのゲートに接続され、容量素子の第２電極に対するデータ電圧（例え
ば電気光学素子に指定された階調に応じた電圧）の供給によって第１電極の電圧を変動さ
せることで駆動トランジスタのゲートの電圧を設定する。
【特許文献１】特開２００４−２４５９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の構成においては、第２電極の電圧に連動して駆動トランジスタのゲートの
電圧が変化する。したがって、電気光学素子の駆動時に第２電極の電圧がノイズ等を原因
として変動すると、電気光学素子の状態（例えば階調）がデータ電圧に応じた所期の状態
から変化するという問題がある。
【０００５】
例えば、複数の画素回路のデータ電圧が時分割でデータ線に供給される構成においては
、ひとつの画素回路の電気光学素子が実際に駆動されている期間内にデータ線の電圧（各
画素回路のデータ電圧）が順次に変化する。したがって、第２電極とデータ線とが容量的
に結合する場合（両者間に容量が寄生する場合）には、データ線の電圧の変動に起因した
ノイズによって第２電極の電圧が変動し、この結果として電気光学素子が所期の状態から
変化してしまう。また、電源線から供給される電流によって電気光学素子が駆動される構
成においては、各電気光学素子に対する電流の供給によって電源線の電圧が変動する。し
たがって、第２電極と電源線とが容量的に結合する場合にも電気光学素子が所期の状態か
ら変化する。以上のような事情を背景として、本発明は、駆動トランジスタのゲートの電
圧の変動（さらには電気光学素子の状態の変化）を抑制するという課題の解決を目的とし
ている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、ゲート（例えば図２のゲ
ートＧ0）の電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタ（例えば図２の駆動トランジ
スタＴdr）と、駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子（例えば図
２の電気光学素子１１）と、第１電極（例えば図２の電極Ｅ1）と第２電極（例えば図２
の電極Ｅ2）とを有する容量素子（例えば図２の容量素子Ｃ1）と、ゲートと第１電極との
間に設けられた第１スイッチング素子（例えば図２のトランジスタＴ1）とを具備する。
この構成においては、ゲートと第１電極との電気的な接続（典型的には導通／非導通）が
第１スイッチング素子によって制御されるから、第１スイッチング素子をオフ状態（高抵
抗状態）とすることで、第２電極の電圧の変動が駆動トランジスタのゲートに与える影響
を低減することができる。
【０００７】
なお、電気光学素子とは、電気的な作用および光学的な作用の一方を他方に変換する要
素であり、典型的には電気エネルギの供給（電流の供給や電圧の印加）によって輝度や透
過率といった光学的な性状が変化する素子である。例えば、電流の供給によって輝度が変
化する電流駆動型の発光素子（例えばＯＬＥＤ素子）など様々な素子が本発明の電気光学
素子として採用される。すなわち、本発明に係る電気光学装置のひとつの形態は、電気光
学素子として発光素子を利用した発光装置である。
【０００８】
電気光学素子の状態が電流（駆動電流）に応じて制御される場合、例えば駆動電流の経
路上に駆動トランジスタを配置した構成が採用される。この構成においては、駆動トラン
ジスタのゲートの電圧に応じて駆動電流の電流値が制御される。ただし、駆動トランジス
タの配置の態様は任意である。例えば、駆動電流の経路から分岐した経路上に駆動トラン
ジスタが電気光学素子と並列に配置された構成としてもよい。この構成においては、電気
光学素子に流れる駆動電流と駆動トランジスタに流れる電流との比率が駆動トランジスタ
のゲートの電圧に応じて変化するから、駆動トランジスタの導通状態に応じて電気光学素
子を駆動することが可能である。また、以上においては電流駆動型の電気光学素子を想定
したが、駆動トランジスタの導通状態に応じた電圧の印加によって駆動される電圧駆動型
の電気光学素子（例えば液晶素子）にも本発明は適用される。
【０００９】
本発明の好適な態様においては、書込期間（例えば図３の書込期間Ｐwrt）にて第２電
極にデータ電圧を供給するデータ供給手段（例えば図１のデータ線駆動回路２５）と、第
１スイッチング素子を制御する制御手段（例えば図１の走査線駆動回路２３）とが設けら
れる。制御手段は、書込期間にて第１スイッチング素子をオン状態に制御する一方、第２
電極に対するデータ電圧の供給によって設定されたゲートの電圧（例えば図７の電圧「Ｖ
EL−Ｖth−ｋ・ΔＶ」）に応じて電気光学素子が駆動される駆動期間（例えば図３の駆動
期間Ｐdrv）にて第１スイッチング素子をオフ状態に制御する。この態様によれば、駆動
期間において第１スイッチング素子がオフ状態に制御されるから、駆動期間にて実際に駆
動されている電気光学素子の状態の変化を有効に抑制することが可能である。
【００１０】
さらに好適な態様においては、第２電極とデータ供給手段がデータ電圧を供給するデー
タ線との間に設けられた第２スイッチング素子（例えば図２のトランジスタＴ2）が設け
られ、制御手段は、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を、各々に対する
共通の信号の供給によって制御する。この態様によれば、第１スイッチング素子の制御と
第２スイッチング素子の制御とにひとつの配線が兼用される。したがって、各々の制御の
ために別個の配線が形成された構成と比較して、電気光学装置の構成が簡素化される。
【００１１】
その他の態様においては、駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に設けられた第
３スイッチング素子（例えば図２のトランジスタＴ3）が設けられ、制御手段は、書込期
間の開始前の補償期間にて第３スイッチング素子をオン状態に制御し、書込期間および駆
動期間にて第３スイッチング素子をオフ状態に制御する。この態様においては、補償期間
にて第３スイッチング素子がオン状態に変化することで駆動トランジスタのゲートとドレ
インとが接続（ダイオード接続）される。これによって駆動トランジスタのゲートは自身
の閾値電圧に応じた電圧（例えば図５の補償電圧「ＶEL−Ｖth」）に設定される。書込期
間においては、この閾値電圧に応じた電圧を起点として駆動トランジスタのゲートの電圧
がデータ電圧に応じて変化する。したがって、駆動トランジスタの閾値電圧の誤差（バラ
ツキ）が電気光学素子の状態に与える影響が抑制（理想的には閾値電圧の誤差が補償）さ
れる。
【００１２】
ところで、本発明における第３スイッチング素子のうちゲート側の端子は、第１スイッ
チング素子の何れの端子に接続されてもよい。ただし、第３スイッチング素子が第１電極
（第１スイッチング素子のうちゲート側の端子）に接続された構成においては、第３スイ
ッチング素子がオン状態に変化しても第１スイッチング素子が完全にオン状態に遷移しな
ければ、駆動トランジスタは実際にはダイオード接続されない。すなわち、駆動トランジ
スタをダイオード接続する時機が第１スイッチング素子の時定数（例えばスイッチングの
遅延）に影響される場合がある。したがって、第１スイッチング素子の一方の端子と第３
スイッチング素子の一方の端子とをゲートに接続した態様（すなわち、第３スイッチング
素子のうちゲート側の端子を、第１スイッチング素子におけるゲート側の端子に接続した
態様）が好適である。この態様によれば、駆動トランジスタをダイオード接続させる動作
が第１スイッチング素子の時定数に影響されないという利点がある。なお、スイッチング
素子の端子とは、当該スイッチング素子の動作によって電気的な接続（導通／非導通）が
制御される対象となる部分を意味し、形状のうえで配線の端部（末端部）である必要は必
ずしもない。
【００１３】
より好適な態様において、制御手段は、補償期間の開始前の初期化期間（例えば図３の
初期化期間Ｐres）において、第１スイッチング素子および第３スイッチング素子をオン
状態に制御することでゲートの電圧を初期化する一方、補償期間において第１スイッチン
グ素子をオン状態に制御する。この態様によれば、初期化期間と補償期間と書込期間とに
わたって連続して第１スイッチング素子がオン状態に制御されるから、補償期間にて第１
スイッチング素子がオフ状態に制御される構成と比較して、第１スイッチング素子のスイ
ッチングの回数が削減される。なお、この態様の具体例は、例えば第１・第３および第４
実施形態として後述される。
【００１４】
本発明の好適な態様においては、電気光学素子に供給される駆動電流の経路と所定の電
圧が供給される給電線（例えば図１２の給電線１７）との間に設けられた第４スイッチン
グ素子（例えば図１２のトランジスタＴ4）が設けられ、駆動トランジスタは、ゲートの
電圧に応じて駆動電流を制御し、制御手段は、補償期間の開始前の初期化期間において、
第３スイッチング素子および第４スイッチング素子をオン状態に制御する。なお、この態
様の具体例は第３実施形態として後述される。
この態様によれば、初期化期間において第３スイッチング素子と第４スイッチング素子
とがオン状態に制御されるから、補償期間や書込期間に先立って駆動トランジスタのゲー
トが所定の電圧に初期化される。特に、駆動トランジスタに流れる電流は初期化期間にて
第４スイッチング素子を経由して給電線に至る。したがって、初期化期間において電気光
学素子に電流が供給される構成（すなわち第４スイッチング素子を持たない構成）と比較
して、電気光学素子の状態を精緻に規定できるという利点がある。例えば、駆動電流の電
流値に応じた輝度で発光する発光素子を電気光学素子として利用した電気光学装置におい
ては、初期化期間において電気光学素子が確実に非点灯とされるから、電気光学素子のコ
ントラストを向上させることができる。
【００１５】
なお、以上の各態様のように補償期間に先立って駆動トランジスタのゲートの電圧が初
期化される構成によれば、ノイズなどに起因して駆動トランジスタのゲート電圧が不適当
な電圧（例えばその後の補償動作を阻害するような電圧）に設定された場合であっても、
第１電極を所定の電圧に初期化して確実に補償動作を実行させることが可能となる。初期
化後のゲート電圧の電圧値は任意であるが、補償動作を確実に実行するという観点からす
れば、補償期間の終了時に設定されるべきゲート電圧（例えば図５の補償電圧「ＶEL−Ｖ
th」）よりも低電位であることが望ましい。
【００１６】
さらに好適な態様においては、第２電極と所定の電圧が供給される給電線（例えば図１
４の給電線１７）との間に設けられた第５スイッチング素子（例えば図１５のトランジス
タＴ5）が設けられ、制御手段は、補償期間において第５スイッチング素子をオン状態に
制御する。この態様の具体例は第４実施形態として後述される。この態様によれば、補償
期間にて第５スイッチング素子がオン状態に遷移することで第２電極には所定の電圧が供
給されるから、駆動トランジスタのゲートをその閾値電圧に応じた電圧に安定的に設定す
ることが可能である。
また、制御手段が、補償期間および駆動期間において第５スイッチング素子をオン状態
に制御する構成も採用される。この態様によれば、駆動期間においても第５スイッチング
素子がオン状態に制御されて第２電極には所定の電圧が供給される。本発明においては、
第１スイッチング素子をオフ状態とすることで、第２電極の電圧の変動に起因したゲート
電圧の変化が低減される。この作用に加えて第２電極の電圧の変動が第５スイッチング素
子によって低減される本態様によれば、駆動トランジスタのゲート電圧の変動をさらに確
実に抑制できる。
【００１７】
本発明において、駆動トランジスタと電気光学素子と容量素子と第１スイッチング素子
とを含む回路（単位回路）の個数や各々の配置の態様は任意である。ただし、例えば表示
装置として利用される電気光学装置においては、ひとつのデータ線に複数の単位回路が接
続された構成（より詳細には複数のデータ線の各々に複数の単位回路が接続されてマトリ
クス状に配列する構成）が好適に採用される。すなわち、本発明の好適な態様に係る電気
光学装置は、データ線に接続された複数の単位回路（例えば図１の単位回路Ｕ）と、複数
の単位回路の各々を書込期間ごとに順番に選択する制御手段と、各単位回路が選択される
書込期間にて当該単位回路のデータ電圧をデータ線に供給するデータ供給手段とを具備し
、複数の単位回路の各々は、ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、
駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、第１電極と第２電極と
を有する容量素子と、ゲートと第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と、第
２電極とデータ線との間に設けられた第２スイッチング素子とを含み、制御手段は、各単
位回路を選択する書込期間において、当該単位回路の第１スイッチング素子および第２ス
イッチング素子をオン状態に制御し、第２電極に対するデータ電圧の供給によって設定さ
れたゲートの電圧に応じて当該単位回路の電気光学素子が駆動される駆動期間において、
当該単位回路の第１スイッチング素子をオフ状態に制御する。
【００１８】
さらに好適な態様において、各単位回路は、駆動トランジスタのゲートとドレインとの
間に設けられた第３スイッチング素子を具備し、制御手段は、複数の単位回路の各々につ
いて、当該単位回路を選択する書込期間の開始前であって他の単位回路が選択される書込
期間を含む補償期間（例えば図９の補償期間Ｐcps）において、第２スイッチング素子を
オフ状態に制御するとともに第３スイッチング素子をオン状態に制御する。この態様の具
体例は第２実施形態として後述される。
この態様によれば、補償期間において第２スイッチング素子がオフ状態に制御されるか
ら、ひとつの単位回路の補償期間においては、データ線に他の単位回路のデータ電圧を供
給することができる。すなわち、他の単位回路が選択される書込期間を含む期間がひとつ
の単位回路の補償期間とされる。したがって、各単位回路について補償期間の時間長を充
分に確保できる。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、
電気光学装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソ
ナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途
は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体
に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）、液晶装置の背面側に配置されてこれを
照明する装置（バックライト）、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原
稿を照明する装置など各種の照明装置など、多様な用途に本発明の電気光学装置を適用す
ることができる。また、光学的な作用を電気的な作用に変換する素子（例えば受光量に応
じて抵抗値が変化する受光素子）を電気光学素子として利用した電気光学装置は、スキャ
ナなどの画像読取装置において原稿を読み取るイメージセンサとして利用される。
【００２０】
本発明は、電気光学装置を駆動する方法としても特定される。本発明の駆動方法は、ゲ
ートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、駆動トランジスタの導通状態に
応じて駆動される電気光学素子と、第１電極と第２電極とを有する容量素子とを具備する
電気光学装置を制御する方法であって、書込期間において、前記ゲートと前記第１電極と
を電気的に接続するとともに前記第２電極にデータ電圧を供給し、前記第２電極に対する
データ電圧の供給によって設定された前記ゲートの電圧に応じて前記電気光学素子が駆動
される駆動期間において、前記ゲートと前記第１電極とを電気的に切り離すことを特徴と
している。この駆動方法によれば、駆動トランジスタのゲートと第１電極とが駆動期間に
て電気的に切り離されるから、本発明の電気光学装置と同様の効果が奏される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜Ａ−１：電気光学装置の構成＞
図１は本発明のひとつの形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。同図
に例示された電気光学装置Ｄは、画像を表示する手段として各種の電子機器に利用される
装置であり、複数の単位回路（画素回路）Ｕが面状に配列された素子アレイ部１０と、各
単位回路Ｕを駆動するための走査線駆動回路２３およびデータ線駆動回路２５とを含む。
なお、走査線駆動回路２３およびデータ線駆動回路２５は、素子アレイ部１０とともに基
板上に形成された薄膜トランジスタによって構成されてもよいしＩＣチップの形態で実装
されてもよい。
【００２２】
図１に示すように、素子アレイ部１０には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線１３と、Ｘ
方向に直交するＹ方向に延在するｎ本のデータ線１５とが形成される（ｍおよびｎの各々
は２以上の自然数）。各単位回路Ｕは、走査線１３とデータ線１５との交差に対応する各
位置に配置される。したがって、素子アレイ部１０には縦ｍ行×横ｎ列のマトリクス状に
単位回路Ｕが配列する。各単位回路Ｕには、電源回路（図示略）から電源電位ＶELと接地
電位Ｇndとが供給される。
【００２３】
走査線駆動回路２３は、素子アレイ部１０の各行（Ｘ方向に配列するｎ個の単位回路Ｕ
の集合）を選択するための手段である。データ線駆動回路２５は、各単位回路Ｕの階調デ
ータに基づいてデータ信号Ｓ[1]〜Ｓ[n]を生成する手段である。データ信号Ｓ[j]は第ｊ
列目のデータ線１５に出力される（ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数）。階調データは、電気
光学装置Ｄが搭載される電子機器のＣＰＵなど各種の外部装置から単位回路Ｕごとに供給
される。
【００２４】
＜Ａ−２：単位回路Ｕの構成＞
図２は、各単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図においては、第ｉ行の第ｊ列目
に位置するひとつの単位回路Ｕのみが図示されているが、これ以外の単位回路Ｕも同様の
構成である。
【００２５】
図２に示すように、単位回路Ｕは、電源線（電源電位ＶEL）と接地線（接地電位Ｇnd）
との間に介在する電気光学素子１１を含む。電気光学素子１１は、駆動電流Ｉdrに応じた
状態に駆動される要素である。本実施形態の電気光学素子１１は、有機ＥＬ（ElectroLum
inescence）材料からなる発光層を陽極と陰極との間に介在させたＯＬＥＤ素子（発光素
子）であり、発光層に供給される駆動電流Ｉdrの電流値に応じた輝度（階調）で発光する
。電気光学素子１１の陰極は接地（Ｇnd）される。
【００２６】
図２に示すように、図１において便宜的に１本の配線として図示された走査線１３は、
実際には３本の配線（第１制御線１３１・第２制御線１３２・第３制御線１３３）を含む
。各配線には走査線駆動回路２３から所定の信号が供給される。より具体的には、第ｉ行
目の走査線１３を構成する第１制御線１３１には第１制御信号Ｇa[i]が供給される。同様
に、第２制御線１３２には第２制御信号Ｇb[i]が供給され、第３制御線１３３には第３制
御信号Ｇc[i]が供給される。なお、各信号の具体的な波形やこれに応じた単位回路Ｕの動
作については後述する。
【００２７】
図２に示すように、電源線から電気光学素子１１の陽極に至る経路上にはｐチャネル型
の駆動トランジスタＴdrが配置される。駆動トランジスタＴdrのソース（Ｓ）は電源線に
接続される。この駆動トランジスタＴdrは、ソースとドレイン（Ｄ）との導通状態（ソー
ス−ドレイン間の抵抗値）がゲートＧ0の電圧（以下「ゲート電圧」という）Ｖgに応じて
変化することで当該ゲート電圧Ｖgに応じた駆動電流Ｉdrを生成する。したがって、電気
光学素子１１は駆動トランジスタＴdrの導通状態に応じた階調に駆動される。
【００２８】
駆動トランジスタＴdrのドレインと電気光学素子１１の陽極との間（すなわち駆動電流
Ｉdrの経路上）には両者の電気的な接続を制御するｎチャネル型のトランジスタ（以下「
発光制御トランジスタ」という）Ｔelが配置される。発光制御トランジスタＴelのゲート
は第３制御線１３３に接続される。したがって、第３制御信号Ｇc[i]がハイレベルに遷移
すると発光制御トランジスタＴelがオン状態に変化して電気光学素子１１に対する電流の
供給が可能となる。これに対し、第３制御信号Ｇc[i]がローレベルである場合には発光制
御トランジスタＴelがオフ状態を維持するから、電気光学素子１１に対する電流の経路が
遮断されて電気光学素子１１は消灯する。
【００２９】
図２に示すように、単位回路Ｕは、２個の容量素子（Ｃ1・Ｃ2）とｎチャネル型の３個
のトランジスタ（Ｔ1・Ｔ2・Ｔ3）とを含む。単位回路Ｕを構成する各トランジスタ（Ｔd
r・Ｔel・Ｔ1〜Ｔ3）としては例えば薄膜トランジスタが好適に採用される。容量素子Ｃ1
は、電極Ｅ1と電極Ｅ2との間隙に誘電体が介挿された素子である。容量素子Ｃ2は、ゲー
トＧ0と電源線（駆動トランジスタＴdrのドレイン）との間に介挿される。
【００３０】
トランジスタＴ1は、ゲートＧ0と電極Ｅ1との間に介在して両者の電気的な接続（導通
／非導通）を制御するスイッチング素子である。トランジスタＴ2は、電極Ｅ2とデータ線
１５との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジ
スタＴ1およびトランジスタＴ2の各々のゲートは第１制御線１３１に対して共通に接続さ
れる。したがって、トランジスタＴ1およびトランジスタＴ2は第１制御信号Ｇa[i]に応じ
て同じ状態に制御される。この構成によれば、トランジスタＴ1を制御する配線とトラン
ジスタＴ2を制御する配線とが別個に形成された構成と比較して、素子アレイ部１０内の
配線数の削減やこれによる開口率（素子アレイ部１０のうち各電気光学素子１１からの放
射光が実際に出射する面積の割合）の向上が実現されるという利点がある。ただし、トラ
ンジスタＴ1とトランジスタＴ2とが別個の配線に接続されて各々が独立に制御される構成
としてもよい。この構成によれば、各トランジスタのオン・オフの切換えを時間的に精密
に制御できるといった利点がある。
【００３１】
トランジスタＴ3は、駆動トランジスタＴdrのゲートＧ0とそのドレインとの間に介在し
て両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジスタＴ3のうちゲー
トＧ0側の端子は、当該ゲートＧ0（トランジスタＴ1のうち駆動トランジスタＴdr側の端
子）に対して直接に接続される。トランジスタＴ3のゲートは第２制御線１３２に接続さ
れる。トランジスタＴ3がオン状態に遷移すると駆動トランジスタＴdrはダイオード接続
される。
【００３２】
次に、図３を参照して、電気光学装置Ｄにて利用される各信号の具体的な波形を説明す
る。同図に示すように、第１制御信号Ｇa[1]〜Ｇa[m]は、各フレーム期間Ｆ内の所定の期
間（以下「単位期間」という）Ｈごとに順番にハイレベルとなる信号である。すなわち、
第１制御信号Ｇa[i]は、ひとつのフレーム期間Ｆのうち第ｉ番目の単位期間Ｈにてハイレ
ベルを維持するとともにそれ以外の期間（以下「駆動期間」という）Ｐdrvにてローレベ
ルを維持する。
【００３３】
単位期間Ｈは、初期化期間Ｐresと補償期間Ｐcpsと書込期間Ｐwrtとに区分される。図
３に示すように、第２制御信号Ｇb[i]は、第１制御信号Ｇa[i]がハイレベルとなる単位期
間Ｈのうちの初期化期間Ｐresと補償期間Ｐcpsとにおいてハイレベルとなり、それ以外の
期間（書込期間Ｐwrt・駆動期間Ｐdrv）にてローレベルを維持する。第３制御信号Ｇc[i]
は、第１制御信号Ｇa[i]がハイレベルとなる単位期間Ｈのうちの補償期間Ｐcpsと書込期
間Ｐwrtとにおいてローレベルとなり、それ以外の期間（初期化期間Ｐres・駆動期間Ｐdr
v）にてハイレベルを維持する信号である。
【００３４】
データ信号Ｓ[j]は、第１制御信号Ｇa[i]がハイレベルとなる単位期間Ｈのうちの書込
期間Ｐwrtにおいて、第ｉ行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕの階調データ（電気光学素子
１１の階調を指定するデータ）に応じたデータ電圧Ｖdataに設定され、各単位期間Ｈの初
期化期間Ｐresおよび補償期間Ｐcpsにて所定の電圧（以下「リセット電圧」という）Ｖre
fを維持する。リセット電圧Ｖrefは、データ電圧Ｖdataの最大値以上の電圧値に設定され
る。
【００３５】
＜Ａ−３：電気光学装置Ｄの動作＞
図４ないし図７は、以上の各期間における単位回路Ｕの様子を模式的に示す回路図であ
る。以下では図４から図７を参照しながら、第ｉ行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕの動作
を、初期化期間Ｐres（図４）と補償期間Ｐcps（図５）と書込期間Ｐwrt（図６）と駆動
期間Ｐdrv（図７）とに区分して説明する。
【００３６】
(a) 初期化期間Ｐres（図４）
初期化期間Ｐresは、ゲートＧ0や容量素子Ｃ1の電圧を初期化するための期間である。
初期化期間Ｐresにおいてデータ信号Ｓ[j]はリセット電圧Ｖrefに維持される。また、第
１制御信号Ｇa[i]・第２制御信号Ｇb[i]および第３制御信号Ｇc[i]は何れもハイレベルを
維持するから、図４に示すように発光制御トランジスタＴelとトランジスタＴ1〜Ｔ3とは
オン状態となる。したがって、電極Ｅ2にはリセット電圧Ｖrefが供給される。一方、発光
制御トランジスタＴelがオン状態に変化することで電気光学素子１１には電流が流れる。
このときにトランジスタＴ3はオン状態となっているから、ゲート電圧Ｖgは電気光学素子
１１の特性に応じた電圧Ｖ0に初期化される。電圧Ｖ0は、接地電位Ｇndよりも電気光学素
子１１の閾値電圧だけ高い電圧であって、補償期間Ｐcpsの終点におけるゲート電圧Ｖg（
ＶEL−Ｖth）よりも低い電圧である。
【００３７】
(b) 補償期間Ｐcps（図５）
補償期間Ｐcpsは、ゲート電圧Ｖgを、駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthの誤差を補
償するための電圧（以下「補償電圧」という）に設定する期間である。補償期間Ｐcpsに
おいては、第３制御信号Ｇc[i]がローレベルに遷移する一方、その他の信号（第１制御信
号Ｇa[i]・第２制御信号Ｇb[i]・データ信号Ｓ[j]）は初期化期間Ｐresと同じレベルを維
持する。したがって、図５に示すように、リセット期間Ｐresにおける状況から発光制御
トランジスタＴelがオフ状態に変化して電気光学素子１１に対する電流の供給が停止する
。これによってゲート電圧Ｖgは初期化期間Ｐresで設定された電圧Ｖ0から徐々に上昇し
ていき、最終的には電源電位ＶELと駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthとの差分値に相
当する補償電圧「ＶEL−Ｖth」に収束する。
【００３８】
ところで、ノイズなど様々な原因によって補償期間Ｐcpsの開始前にゲート電圧Ｖgが補
償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも高位となる場合がある。この状態ではトランジスタＴ3をオ
ン状態に変化させたとしても駆動トランジスタＴdrに電流が流れないから、ゲート電位Ｖ
gを補償電圧「ＶEL−Ｖth」に設定することはできない。これに対し、本実施形態におい
ては初期化期間Ｐresにてゲート電圧Ｖgが補償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも低い電圧Ｖ0ま
で低下するから、電源線から駆動トランジスタＴdrとトランジスタＴ3とを経由してゲー
トＧ0に至る電流が補償期間Ｐcpsにて確実に発生する。したがって、ノイズなどに起因し
た単位回路Ｕの誤動作が有効に防止される。
【００３９】
(c) 書込期間Ｐwrt（図６）
書込期間Ｐwrtは、データ電圧Ｖdataに応じてゲート電圧Ｖgを設定するための期間であ
る。書込期間Ｐwrtにおいては、第２制御信号Ｇb[i]がローレベルに遷移するから、トラ
ンジスタＴ3がオフ状態に変化して駆動トランジスタＴdrのダイオード接続が解除される
。また、書込期間Ｐwrtが開始するとデータ信号Ｓ[j]はデータ電圧Ｖdataに変化する。ト
ランジスタＴ2はハイレベルの第１制御信号Ｇa[i]によってオン状態に維持されるから、
電極Ｅ2の電圧は、図６に示すように、リセット期間Ｐresおよび補償期間Ｐcpsにて設定
されたリセット電圧Ｖrefから階調データに応じたデータ電圧Ｖdataに変化（低下）する
。
【００４０】
駆動トランジスタＴdrのゲートＧ0のインピーダンスは充分に高いから、トランジスタ
Ｔ3がオフ状態に変化すると電極Ｅ1（ゲートＧ0）は電気的なフローティング状態となる
。したがって、電極Ｅ2の電圧がリセット電圧Ｖrefからデータ電圧Ｖdataまで変化量ΔＶ
（＝Ｖref−Ｖdata）だけ変化すると、電極Ｅ1の電圧（ゲート電圧Ｖg）は容量素子Ｃ1に
おける容量カップリングによってその直前の電圧（補償電圧「ＶEL−Ｖth」）から変動す
る。このときのゲート電圧Ｖgの変化量は、容量素子Ｃ1の容量値ｃ1と容量素子Ｃ2の容量
値ｃ2とを用いて「ΔＶ・ｃ1／（ｃ1＋ｃ2）」と表現される。したがって、図６に示すよ
うに、書込期間Ｐwrtにおいてゲート電圧Ｖgは以下の式(1)の電圧値に安定する。なお、
容量素子Ｃ2のほかに駆動トランジスタＴdrのゲート容量やその他の配線に寄生する容量
を考慮する場合、容量値ｃ2は、容量素子Ｃ2とこれらの容量とを合成した数値となる。
Ｖg＝ＶEL−Ｖth−ｋ・ΔＶ ……(1)
ただし、ｋ＝ｃ1／（ｃ1＋ｃ2）
【００４１】
(d) 駆動期間Ｐdrv（図７）
駆動期間Ｐdrvは、電気光学素子１１がデータ電圧Ｖdataに応じた階調に実際に駆動さ
れる期間である。駆動期間Ｐdrvにおいては第１制御信号Ｇa[i]がローレベルに遷移する
から、図７に示すようにトランジスタＴ1はオフ状態に変化する。したがって、ゲートＧ0
は容量素子Ｃ1（電極Ｅ1）から電気的に切り離された状態となる。また、ローレベルの第
１制御信号Ｇa[i]によってトランジスタＴ2もオフ状態となる。
【００４２】
一方、第３制御信号Ｇc[i]は駆動期間Ｐdrvにてハイレベルに遷移するから、発光制御
トランジスタＴelがオン状態に変化して駆動電流Ｉdrの経路が形成される。したがって、
書込期間Ｐwrtにて設定されたゲート電圧Ｖgに応じた電流値の駆動電流Ｉdrが電源線から
駆動トランジスタＴdrおよび発光制御トランジスタＴelを経由して電気光学素子１１に供
給される。電気光学素子１１は駆動電流Ｉdrに応じた輝度に発光する。
【００４３】
駆動期間Ｐdrvにおいて駆動トランジスタＴdrは飽和領域で動作する。したがって、駆
動電流Ｉdrは以下の式(2)で表現される電流値となる。なお、式(2)における「β」は駆動
トランジスタＴdrの利得係数であり、「Ｖgs」は駆動トランジスタＴdrのゲート−ソース
間の電圧である。
Ｉdr＝（β／２）（Ｖgs−Ｖth）2
＝（β／２）（Ｖg−ＶEL−Ｖth）2 ……(2)
式(1)の代入によって式(2)は以下のように変形される。
Ｉdr＝（β／２）｛（ＶEL−Ｖth−ｋ・ΔＶ）−ＶEL−Ｖth｝2
＝（β／２）（ｋ・ΔＶ）2
以上のように、駆動電流Ｉdrはデータ電圧Ｖdataとリセット電圧Ｖrefとの差分値ΔＶ
（＝Ｖref−Ｖdata）によって決定され、閾値電圧Ｖthには依存しない。したがって、各
駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthの誤差に起因した電気光学素子１１の輝度のバラツ
キは抑制される。
【００４４】
ところで、各行の単位回路Ｕの電気光学素子１１が駆動される駆動期間Ｐdrv内にて各
データ線１５の電圧は随時に変化する。例えば図３に示すように、データ信号Ｓ[j]の電
圧は、第ｉ行目の各単位回路Ｕの駆動期間Ｐdrvのうち、次行の単位回路Ｕの書込期間Ｐw
rt（第１制御信号Ｇa[i+1]がハイレベルとなる単位期間Ｈの書込期間Ｐwrt）にてリセッ
ト電圧Ｖrefからデータ電圧Ｖdata（第(i+1)行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕの階調に応
じた電圧）に変化する。電極Ｅ2とデータ線１５とが容量的に結合する（両者間に容量が
寄生する）とすれば、電極Ｅ2の電圧はデータ線１５の電圧の変化量に応じて変動する。
【００４５】
駆動期間Ｐdrvにおいて電極Ｅ1とゲートＧ0との電気的な接続が維持される構成におい
ては、ゲートＧ0が電気的なフローティング状態に維持された状態で電極Ｅ2と容量的に結
合する。したがって、駆動トランジスタＴdrのゲート電圧Ｖgは駆動期間Ｐdrvにてデータ
線１５の電圧の変化に応じて式(1)の電圧値から変動し、これを原因とする電気光学素子
１１の階調の変動が利用者によってクロストークや画像のチラツキとして知覚されるとい
う問題がある。
【００４６】
これに対し、本実施形態においては、駆動期間ＰdrvにてトランジスタＴ1がオフ状態に
維持されることでゲートＧ0が容量素子Ｃ1（電極Ｅ1）から電気的に切り離される。した
がって、電極Ｅ2の電圧の変動の影響は電極Ｅ1の電圧の変動にとどまってゲート電圧Ｖg
には及ばない。したがって、本実施形態によれば、駆動期間Ｐdrvにおけるゲート電圧Ｖg
の変動を抑制し、これによって電気光学素子１１を所期の階調に安定させることができる
。
【００４７】
なお、本実施形態においては補償期間ＰcpsにてトランジスタＴ1がオン状態となる。し
たがって、トランジスタＴ3のひとつの端子が電極Ｅ1に接続された構成（駆動トランジス
タＴdrのドレインと電極Ｅ1との間にトランジスタＴ3が介在する構成）によっても、補償
期間Ｐcpsにて駆動トランジスタをダイオード接続するという作用は得られる。ただし、
この構成においては、駆動トランジスタＴdrのダイオード接続される時機がトランジスタ
Ｔ1の時定数に影響される場合がある。例えば、補償期間Ｐcpsの始点にてトランジスタＴ
3がオン状態に変化しても、トランジスタＴ1のスイッチングが時定数の影響で遅延すれば
駆動トランジスタＴdrはダイオード接続されない。これに対し、本実施形態においてはト
ランジスタＴ3の端子がゲートＧ0に対して直接に（すなわち両者間にトランジスタＴ1が
介在することなく）接続される。したがって、駆動トランジスタＴdrをダイオード接続さ
せる時機がトランジスタＴ1の時定数に影響されないという利点がある。
【００４８】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、以下に列挙する各形態において
は、第１実施形態と作用や機能が共通する要素について図１や図２と同一の符号を使用し
、各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００４９】
図８は、本実施形態における単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図に示すように
、本実施形態の単位回路Ｕは、第１実施形態の単位回路Ｕ（図２）に容量素子Ｃ3が追加
された構成となっている。容量素子Ｃ3は容量素子Ｃ1の電極Ｅ2と電源線（駆動トランジ
スタＴdrのソース）との間に介挿された容量であり、初期化期間Ｐresにてデータ線１５
から供給されるリセット電圧Ｖrefを保持する手段として機能する。
【００５０】
次に、図９は、本実施形態における各信号の波形を示すタイミングチャートである。第
１実施形態においてはひとつの単位期間Ｈが初期化期間Ｐresと補償期間Ｐcpsと書込期間
Ｐwrtとに区分される場合を例示した。これに対し、本実施形態においては、相連続する
３個の単位期間Ｈを単位として１行の単位回路Ｕの初期化期間Ｐresと補償期間Ｐcpsと書
込期間Ｐwrtとが規定される。
【００５１】
例えば、第ｉ行目の単位回路Ｕについては、フレーム期間Ｆのうち第ｉ番目の単位期間
Ｈ[i]における後半の期間が書込期間Ｐwrtである。さらに、単位期間Ｈ[i]からみて２個
前の単位期間Ｈ[i-2]における前半の期間が第ｉ行目の単位回路Ｕの初期化期間Ｐresとさ
れ、この初期化期間Ｐresの経過後から書込期間Ｐwrtの開始前までの期間（単位期間Ｈ[i
-1]を包含する期間）が補償期間Ｐcpsとされる。書込期間Ｐwrtの経過後（単位期間Ｈ[i+
1]の始点）から次回の初期化期間Ｐresの開始前（単位期間Ｈ[i-2]の始点）までの期間は
、第ｉ行目の電気光学素子１１が駆動される駆動期間Ｐdrvである。
【００５２】
第１制御信号Ｇa[i]は、第ｉ行目の単位回路Ｕの書込期間（単位期間Ｈ[i]の後半）お
よび初期化期間Ｐres（単位期間Ｈ[i-2]の前半）にてハイレベルとなり、それ以外の期間
でローレベルを維持する。第２制御信号Ｇb[i]は、第ｉ行目の単位回路Ｕの初期化期間Ｐ
resおよび補償期間Ｐcpsにてハイレベルとなり、それ以外の期間にてローレベルを維持す
る。また、第３制御信号Ｇc[i]は、第ｉ行目の単位回路Ｕの補償期間Ｐcpsと書込期間Ｐw
rtとにわたってローレベルとなり、それ以外の期間にはハイレベルを維持する。一方、デ
ータ信号Ｓ[j]は、各単位期間Ｈ[i]内の書込期間Ｐwrt（第ｉ行目の単位回路Ｕの書込期
間Ｐwrt）において、第ｉ行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕの階調データに応じたデータ
電圧Ｖdataとなり、それ以外の期間（単位期間Ｈ[1]からＨ[m]の各々における前半の期間
）にてリセット電圧Ｖrefを維持する。
【００５３】
次に、第ｉ行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕに着目して初期化期間Ｐres（図１０）と
補償期間Ｐcps（図１１）とにおける動作を説明する。まず、初期化期間Ｐresにおいては
、第１実施形態と同様に、発光制御トランジスタＴelとトランジスタＴ1〜Ｔ3とがオン状
態に変化する。したがって、ゲート電圧Ｖgは電圧Ｖ0に初期化される。また、図１０に示
すように、データ線１５からトランジスタＴ2を介して単位回路Ｕに供給されるリセット
電圧Ｖrefは容量素子Ｃ3に保持される。
【００５４】
補償期間Ｐcpsにおいては、発光制御トランジスタＴelがオフ状態に遷移することによ
ってゲート電圧Ｖgは補償電圧「ＶEL−Ｖth」に収束する。また、図１１に示すように、
第１制御信号Ｇa[i]がローレベルに遷移することによってトランジスタＴ2（およびトラ
ンジスタＴ1）がオフ状態に変化する。これによって電極Ｅ2はデータ線１５から電気的に
切り離されるから、電極Ｅ2の電圧は初期化期間Ｐresにて容量素子Ｃ3に保持されたリセ
ット電圧Ｖrefに維持される。
【００５５】
書込期間Ｐwrtや駆動期間Ｐdrvにおける動作は第１実施形態と同様である。すなわち、
書込期間Ｐwrtにおいては電極Ｅ2の電圧がリセット電圧Ｖrefからデータ電圧Ｖdataに変
化することでゲート電圧Ｖgが式(1)の電圧値に設定され、駆動期間Ｐdrvにおいてはトラ
ンジスタＴ1がオフ状態とされたうえで電気光学素子１１がゲート電圧Ｖgに応じた階調に
駆動される。このように本実施形態においても駆動期間ＰdrvにてゲートＧ0が容量素子Ｃ
1から電気的に切り離されるから、第１実施形態と同様の効果が奏される。
【００５６】
また、図１１に示すように、補償期間Ｐcpsにおいては容量素子Ｃ1（電極Ｅ2）とデー
タ線１５とが電気的に切り離されるから、各行の単位回路Ｕの補償期間Ｐcps内に、他の
単位回路Ｕにデータ線１５を介してデータ電圧Ｖdataを供給することが可能である。例え
ば、図９に示すように、第ｉ行目の単位回路Ｕの補償期間Ｐcps内に、データ線１５には
第(i-2)行目および第(i-1)行目の各単位回路Ｕのデータ電圧Ｖdataが供給される。この構
成によれば、データ電圧Ｖdataがデータ線１５に供給される周期（単位期間Ｈ）とは無関
係に補償期間Ｐcpsを設定することが可能である。より具体的には、図９に示すように複
数の単位期間Ｈにわたる期間（単位期間Ｈ[i-2]の途中から単位期間Ｈ[i]の途中までの期
間）を補償期間Ｐcpsとして確保することができる。したがって、ゲート電圧Ｖgが補償電
圧「ＶEL−Ｖth」に収束するのに充分な時間長を容易に確保できるという利点がある。
【００５７】
＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１２は、本実施形態における単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図に示すよう
に、本実施形態の素子アレイ部１０には給電線１７と第４制御線１３４とが形成される。
給電線１７には、電源回路（図示略）から所定の電圧ＶSTが供給される。電圧ＶSTは、補
償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも低い電圧値に設定される。第４制御線１３４には走査線駆動
回路２３から第４制御信号Ｇd[i]が供給される。
【００５８】
また、本実施形態の単位回路Ｕは、第１実施形態の単位回路Ｕ（図２）にトランジスタ
Ｔ4が追加された構成となっている。トランジスタＴ4は、駆動トランジスタＴdrのドレイ
ンと給電線１７との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である
。トランジスタＴ4のゲートは第４制御線１３４に接続される。
【００５９】
図１３は、初期化期間Ｐresにおける単位回路Ｕの様子を示す回路図である。同図に示
すように、第３制御信号Ｇc[i]は初期化期間Ｐresにてローレベルを維持する。したがっ
て、発光制御トランジスタＴelはオフ状態となって電気光学素子１１に対する電流の経路
は遮断される。また、初期化期間Ｐresにおいては第４制御信号Ｇd[i]がハイレベルに遷
移することでトランジスタＴ4はオン状態に変化する。これによってゲートＧ0はトランジ
スタＴ3とトランジスタＴ4とを介して給電線１７に接続されるから、ゲート電圧Ｖgは電
圧ＶSTに初期化される。そして、補償期間Ｐcpsが開始すると、ゲート電圧Ｖgは初期化期
間Ｐresにて設定された電圧ＶSTから上昇して補償電圧「ＶEL−Ｖth」に収束する。電圧
ＶSTは補償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも低電位に設定されているから、第１実施形態と同様
に、ゲート電圧Ｖgを補償期間Ｐcpsにて確実に補償電圧「ＶEL−Ｖth」に収束させること
ができる。
【００６０】
補償期間Ｐcpsと書込期間Ｐwrtと駆動期間Ｐdrvとにおいては第４制御信号Ｇd[i]がロ
ーレベルを維持することでトランジスタＴ4はオフ状態となる。これらの期間における単
位回路Ｕの動作は第１実施形態と同様である。本実施形態によっても第１実施形態と同様
の効果が奏される。なお、以上においては第１実施形態を変形した形態として本実施形態
を説明したが、第２実施形態にも本実施形態と同様の構成が採用される。
【００６１】
図２や図８の構成においては初期化期間Ｐresにおける電流の供給によって電気光学素
子１１は僅かに発光する。これに対し、本実施形態においてはゲート電圧Ｖgの初期化に
際して電気光学素子１１に電流が供給されないから、初期化期間Ｐresにおいては電気光
学素子１１の発光が完全に停止される。したがって、図２や図８のように初期化期間Ｐre
sにて電気光学素子１１が発光する構成と比較して、素子アレイ部１０に表示される画像
のコントラストが向上するという利点がある。
【００６２】
＜Ｄ：第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１４は、本実施形態に係る単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図に示すように
、本実施形態の単位回路Ｕは、第３実施形態の単位回路Ｕ（図１２）にトランジスタＴ5
が追加された構成となっている。トランジスタＴ5は、電極Ｅ2と給電線１７との間に介在
して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジスタＴ5のゲート
は第５制御線１３５に接続される。第５制御線１３５には走査線駆動回路２３から第５制
御信号Ｇe[i]が供給される。
【００６３】
単位回路Ｕの動作は、第１実施形態と同様に、初期化期間Ｐres（図１５）・補償期間
Ｐcps（図１６）・書込期間Ｐwrtおよび駆動期間Ｐdrv（図１７）に区分される。第５制
御信号Ｇe[i]は、初期化期間Ｐresと補償期間cpsと駆動期間Ｐdrvとにおいてハイレベル
を維持し、書込期間Ｐwrtにてローレベルとなる。
【００６４】
初期化期間Ｐresにおいては、図１５に示すように、トランジスタＴ5がオン状態に変化
して電極Ｅ2と給電線１７とは電気的に接続される。これによって電極Ｅ2の電圧は電圧Ｖ
STに初期化される。なお、トランジスタＴ4がオン状態に変化することでゲート電圧Ｖgが
電圧ＶSTに設定される動作は第３実施形態と同様である。なお、データ信号Ｓ[j]は初期
化期間Ｐresにて電圧ＶSTを維持する。
【００６５】
図１６に示すように、補償期間ＰcpsにおいてもトランジスタＴ5はオン状態を維持する
。したがって、ゲート電圧Ｖgが補償電圧「ＶEL−Ｖth」に向かって上昇しているときに
電極Ｅ2の電圧は電圧ＶSTに固定される。また、書込期間Ｐwrtにおいては、トランジスタ
Ｔ5がオフ状態とされて電極Ｅ2に対する電圧ＶSTの供給が停止されたうえで、データ信号
Ｓ[j]の供給によって電極Ｅ2の電圧（電圧ＶST）がデータ電圧Ｖdataに変化する。これに
よってゲート電圧Ｖgは閾値電圧Ｖthとデータ電圧Ｖdataとに応じた電圧値（式(1)）に設
定される。
【００６６】
そして、駆動期間Ｐdrvにおいては、図１７に示すように第５制御信号Ｇe[i]がハイレ
ベルに遷移することでトランジスタＴ5はオン状態に変化する。したがって、電気光学素
子１１がゲート電圧Ｖgに応じた輝度に駆動されているときに電極Ｅ2は電圧ＶSTに固定さ
れる。なお、トランジスタＴ1は第１実施形態と同様に駆動期間Ｐdrvにてオフ状態を維持
する。したがって、本実施形態においても第１実施形態と同様の効果が奏される。なお、
以上においては第１実施形態を変形した形態として本実施形態を説明したが、第２実施形
態にも本実施形態と同様の構成が採用される。
【００６７】
ところで、第１実施形態から第３実施形態においてはトランジスタＴ1が駆動期間Ｐdrv
にてオフ状態となるから、電極Ｅ2の電圧の変動がゲート電圧Ｖgに与える影響は基本的に
は排除される。しかしながら、単位回路Ｕの構成（特に各要素のレイアウト）によっては
、ゲートＧ0と電極Ｅ2とが容量的に結合する場合も考えられる。この場合には、駆動期間
ＰdrvにてトランジスタＴ1がオフ状態に維持されるとしても、電極Ｅ2の電圧の変動に応
じてゲート電圧Ｖgが変化する可能性がある。これに対し、本実施形態においては、駆動
期間Ｐdrvにて電極Ｅ2の電圧が電圧ＶSTに固定される。したがって、ゲートＧ0と電極Ｅ2
との間に容量が寄生する構成においても、駆動期間Ｐdrvにおけるゲート電圧Ｖgの変動（
さらに電気光学素子１１の階調の変動）が確実に抑制されるという利点がある。また、電
極Ｅ2の電圧は補償期間Ｐcpsにおいても電圧ＶSTに固定されるから、補償期間Ｐcpsにお
いてゲート電圧Ｖgを高い精度で補償電圧「ＶEL−Ｖth」に設定できるという効果もある
。
【００６８】
＜Ｅ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００６９】
（１）変形例１
単位回路Ｕの具体的な構成は以上の例示に限定されない。例えば、図２の形態において
は、Ｙ方向に配列するｍ個の単位回路Ｕの各々に対して１本のデータ線１５を介して時分
割でデータ電圧Ｖdataが供給される構成を例示した。この構成においては、データ電圧Ｖ
dataの出力先となる単位回路Ｕを順次に変更するために、各単位回路Ｕとデータ線１５と
の電気的な接続を制御するトランジスタＴ2が必要となる。しかしながら、例えば単位回
路Ｕごとにデータ線１５が形成された構成においては、各単位回路Ｕとデータ線１５との
電気的な接続を制御する必要はないから、トランジスタＴ2は適宜に省略される。より具
体的には、画像形成装置に利用されて感光体ドラムを露光する露光装置（光ヘッド）にお
いては、単位回路Ｕがひとつの方向のみに配列され、各単位回路Ｕが独立のデータ線１５
を介してデータ線駆動回路２５に接続された構成が採用される。この構成においては、図
２のトランジスタＴ2が省略され、容量素子Ｃ1の電極Ｅ2がデータ線１５に対して直接に
接続される。
【００７０】
また、単位回路Ｕを構成する各トランジスタの導電型は適宜に変更される。例えば、駆
動トランジスタＴdrはｎチャネル型であってもよい。また、発光制御トランジスタＴelは
適宜に省略される。例えば、初期化期間Ｐresや補償期間Ｐcpsや書込期間Ｐwrtの時間長
が充分に短い場合には、これらの期間にて電気光学素子１１が発光したとしても画質には
殆ど影響がない。このような場合には発光制御トランジスタＴelを省略した構成（駆動ト
ランジスタＴdrのドレインが電気光学素子１１の陽極に対して直接に接続された構成）も
採用される。また、以上の各形態においてはゲート電圧Ｖgの保持のために容量素子Ｃ2を
配置した構成を例示したが、例えば書込期間Ｐwrtにて設定されたゲート電圧Ｖgを駆動期
間Ｐdrvにて保持するのに充分な容量を容量素子Ｃ1（あるいは駆動トランジスタＴdrのゲ
ート容量やその他の寄生容量）にいよって確保できる場合には、容量素子Ｃ2を省略して
もよい。
【００７１】
（２）変形例２
以上の各形態においては単位回路Ｕの各トランジスタ（Ｔel・Ｔ1〜Ｔ5）がひとつの走
査線駆動回路２３によって制御される構成を例示したが、単位回路Ｕを駆動する回路（本
発明における制御手段）の態様は任意に変更される。例えば、トランジスタＴ1〜Ｔ5を制
御する回路と発光制御トランジスタＴelを制御する回路とが個別に配置された構成や、ト
ランジスタＴ1〜Ｔ5の各々を駆動する回路が別個に配置された構成も採用される。
【００７２】
（３）変形例３
以上の各形態においては補償期間Ｐcpsに先立ってゲート電圧Ｖgが初期化される構成を
例示した。しかしながら、例えば、以上に例示した方法以外の方法によって補償期間Ｐcp
sの始点におけるゲート電圧Ｖgが補償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも低電位であることが担保
される場合には、初期化期間Ｐresを省略することも可能である。また、以上の各形態に
おいては駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthの誤差が補償される構成を例示したが、閾
値電圧Ｖthの誤差が問題とならない場合や以上に例示した方法以外の方法によって閾値電
圧Ｖthが補償される場合には、各形態における補償期間Ｐcpsを省略してもよい。
【００７３】
（４）変形例４
本発明における電気光学素子とは、電気的な作用および光学的な作用の一方を他方に変
換する要素である。電気エネルギの付与によって光度や透過率といった光学的な特性が制
御（駆動）される素子は本発明の電気光学素子として特に好適に採用される。この種の電
気光学素子については、自身が光を放射する自発光型の素子と透過率に応じて外光を変調
する非発光型の素子との区別や、電流の供給によって駆動される電流駆動型の素子と電圧
の印加によって駆動される電圧駆動型の素子との区別を問わず本発明に適用される。例え
ば、以上の各形態にて例示したＯＬＥＤ素子に代えて、無機ＥＬ素子やフィールド・エミ
ッション（ＦＥ）素子、表面導電型エミッション（ＳＥ：Surface-conduction Electron
-emitter）素子、弾道電子放出（ＢＳ：Ballistic electron Surface emitting）素子
、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロクロミ
ック素子など様々な電気光学素子を本発明に利用することができる。
【００７４】
＜Ｆ：応用例＞
次に、本発明に係る電気光学装置を利用した電子機器について説明する。図１８ないし
図２０には、以上に説明した何れかの形態に係る電気光学装置Ｄを表示装置として採用し
た電子機器の形態が図示されている。
【００７５】
図１８は、電気光学装置Ｄを採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示
す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する電気光学装
置Ｄと、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具
備する。電気光学装置ＤはＯＬＥＤ素子を電気光学素子１１として使用しているので、視
野角が広く見易い画面を表示できる。
【００７６】
図１９は、電気光学装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話
機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画
像を表示する電気光学装置Ｄとを備える。スクロールボタン３００２を操作することによ
って、電気光学装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００７７】
図２０は、電気光学装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Ass
istants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４０
０１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する電気光学装置Ｄとを備える。
電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が電気
光学装置Ｄに表示される。
【００７８】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１８から図２０に
示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパ
ネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の
表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置
においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する光ヘッド
（書込ヘッド）が使用されるが、この種の光ヘッドとしても本発明の電気光学装置は利用
される。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】ひとつの単位回路の構成を示す回路図である。
【図３】単位回路の駆動に関わる信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図４】初期化期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図５】補償期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図６】書込期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図７】駆動期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図８】第２実施形態に係る単位回路の構成を示す回路図である。
【図９】単位回路の駆動に関わる信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図１０】初期化期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１１】補償期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１２】第３実施形態に係る単位回路の構成を示す回路図である。
【図１３】初期化期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１４】第４実施形態に係る単位回路の様子を示す回路図である。
【図１５】初期化期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１６】補償期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１７】駆動期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１８】本発明に係る電子機器の形態（パーソナルコンピュータ）を示す斜視図である。
【図１９】本発明に係る電子機器の形態（携帯電話機）を示す斜視図である。
【図２０】本発明に係る電子機器の形態（携帯情報端末）を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
Ｄ……電気光学装置、Ｕ……単位回路、１０……素子アレイ部、１１……電気光学素子、
１３……走査線、１３１〜１３５……第１制御線〜第５制御線、１５……データ線、１７
……給電線、Ｔdr……駆動トランジスタ、Ｔ1〜Ｔ5……トランジスタ、Ｃ1〜Ｃ3……容量
素子、Ｐres……初期化期間、Ｐcps……補償期間、Ｐwrt……書込期間、Ｐdrv……駆動期
間、Ｇa[i]，Ｇb[i]，Ｇc[i]，Ｇd[i]，Ｇe[i]……第１制御信号〜第５制御信号、Ｓ[j]
……データ信号。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード（以下「ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）」
という）素子などの電気光学素子を制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ（以下「駆動トランジスタ」という）のゲートの電圧に応じて電気光学素
子を駆動する構成が従来から提案されている。例えば、ＯＬＥＤ素子を利用した発光装置
においては、各ＯＬＥＤ素子に供給される電流の電流値が駆動トランジスタのゲートの電
圧に応じて制御される。
【０００３】
特許文献１には、容量カップリングを利用して駆動トランジスタのゲートの電圧を所期
値に設定する画素回路が開示されている。この画素回路においては、容量素子の第１電極
が駆動トランジスタのゲートに接続され、容量素子の第２電極に対するデータ電圧（例え
ば電気光学素子に指定された階調に応じた電圧）の供給によって第１電極の電圧を変動さ
せることで駆動トランジスタのゲートの電圧を設定する。
【特許文献１】特開２００４−２４５９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の構成においては、第２電極の電圧に連動して駆動トランジスタのゲートの
電圧が変化する。したがって、電気光学素子の駆動時に第２電極の電圧がノイズ等を原因
として変動すると、電気光学素子の状態（例えば階調）がデータ電圧に応じた所期の状態
から変化するという問題がある。
【０００５】
例えば、複数の画素回路のデータ電圧が時分割でデータ線に供給される構成においては
、ひとつの画素回路の電気光学素子が実際に駆動されている期間内にデータ線の電圧（各
画素回路のデータ電圧）が順次に変化する。したがって、第２電極とデータ線とが容量的
に結合する場合（両者間に容量が寄生する場合）には、データ線の電圧の変動に起因した
ノイズによって第２電極の電圧が変動し、この結果として電気光学素子が所期の状態から
変化してしまう。また、電源線から供給される電流によって電気光学素子が駆動される構
成においては、各電気光学素子に対する電流の供給によって電源線の電圧が変動する。し
たがって、第２電極と電源線とが容量的に結合する場合にも電気光学素子が所期の状態か
ら変化する。以上のような事情を背景として、本発明は、駆動トランジスタのゲートの電
圧の変動（さらには電気光学素子の状態の変化）を抑制するという課題の解決を目的とし
ている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、ゲート（例えば図２のゲ
ートＧ0）の電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタ（例えば図２の駆動トランジ
スタＴdr）と、駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子（例えば図
２の電気光学素子１１）と、第１電極（例えば図２の電極Ｅ1）と第２電極（例えば図２
の電極Ｅ2）とを有する容量素子（例えば図２の容量素子Ｃ1）と、ゲートと第１電極との
間に設けられた第１スイッチング素子（例えば図２のトランジスタＴ1）とを具備する。
この構成においては、ゲートと第１電極との電気的な接続（典型的には導通／非導通）が
第１スイッチング素子によって制御されるから、第１スイッチング素子をオフ状態（高抵
抗状態）とすることで、第２電極の電圧の変動が駆動トランジスタのゲートに与える影響
を低減することができる。
【０００７】
なお、電気光学素子とは、電気的な作用および光学的な作用の一方を他方に変換する要
素であり、典型的には電気エネルギの供給（電流の供給や電圧の印加）によって輝度や透
過率といった光学的な性状が変化する素子である。例えば、電流の供給によって輝度が変
化する電流駆動型の発光素子（例えばＯＬＥＤ素子）など様々な素子が本発明の電気光学
素子として採用される。すなわち、本発明に係る電気光学装置のひとつの形態は、電気光
学素子として発光素子を利用した発光装置である。
【０００８】
電気光学素子の状態が電流（駆動電流）に応じて制御される場合、例えば駆動電流の経
路上に駆動トランジスタを配置した構成が採用される。この構成においては、駆動トラン
ジスタのゲートの電圧に応じて駆動電流の電流値が制御される。ただし、駆動トランジス
タの配置の態様は任意である。例えば、駆動電流の経路から分岐した経路上に駆動トラン
ジスタが電気光学素子と並列に配置された構成としてもよい。この構成においては、電気
光学素子に流れる駆動電流と駆動トランジスタに流れる電流との比率が駆動トランジスタ
のゲートの電圧に応じて変化するから、駆動トランジスタの導通状態に応じて電気光学素
子を駆動することが可能である。また、以上においては電流駆動型の電気光学素子を想定
したが、駆動トランジスタの導通状態に応じた電圧の印加によって駆動される電圧駆動型
の電気光学素子（例えば液晶素子）にも本発明は適用される。
【０００９】
本発明の好適な態様においては、書込期間（例えば図３の書込期間Ｐwrt）にて第２電
極にデータ電圧を供給するデータ供給手段（例えば図１のデータ線駆動回路２５）と、第
１スイッチング素子を制御する制御手段（例えば図１の走査線駆動回路２３）とが設けら
れる。制御手段は、書込期間にて第１スイッチング素子をオン状態に制御する一方、第２
電極に対するデータ電圧の供給によって設定されたゲートの電圧（例えば図７の電圧「Ｖ
EL−Ｖth−ｋ・ΔＶ」）に応じて電気光学素子が駆動される駆動期間（例えば図３の駆動
期間Ｐdrv）にて第１スイッチング素子をオフ状態に制御する。この態様によれば、駆動
期間において第１スイッチング素子がオフ状態に制御されるから、駆動期間にて実際に駆
動されている電気光学素子の状態の変化を有効に抑制することが可能である。
【００１０】
さらに好適な態様においては、第２電極とデータ供給手段がデータ電圧を供給するデー
タ線との間に設けられた第２スイッチング素子（例えば図２のトランジスタＴ2）が設け
られ、制御手段は、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子を、各々に対する
共通の信号の供給によって制御する。この態様によれば、第１スイッチング素子の制御と
第２スイッチング素子の制御とにひとつの配線が兼用される。したがって、各々の制御の
ために別個の配線が形成された構成と比較して、電気光学装置の構成が簡素化される。
【００１１】
その他の態様においては、駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に設けられた第
３スイッチング素子（例えば図２のトランジスタＴ3）が設けられ、制御手段は、書込期
間の開始前の補償期間にて第３スイッチング素子をオン状態に制御し、書込期間および駆
動期間にて第３スイッチング素子をオフ状態に制御する。この態様においては、補償期間
にて第３スイッチング素子がオン状態に変化することで駆動トランジスタのゲートとドレ
インとが接続（ダイオード接続）される。これによって駆動トランジスタのゲートは自身
の閾値電圧に応じた電圧（例えば図５の補償電圧「ＶEL−Ｖth」）に設定される。書込期
間においては、この閾値電圧に応じた電圧を起点として駆動トランジスタのゲートの電圧
がデータ電圧に応じて変化する。したがって、駆動トランジスタの閾値電圧の誤差（バラ
ツキ）が電気光学素子の状態に与える影響が抑制（理想的には閾値電圧の誤差が補償）さ
れる。
【００１２】
ところで、本発明における第３スイッチング素子のうちゲート側の端子は、第１スイッ
チング素子の何れの端子に接続されてもよい。ただし、第３スイッチング素子が第１電極
（第１スイッチング素子のうちゲート側の端子）に接続された構成においては、第３スイ
ッチング素子がオン状態に変化しても第１スイッチング素子が完全にオン状態に遷移しな
ければ、駆動トランジスタは実際にはダイオード接続されない。すなわち、駆動トランジ
スタをダイオード接続する時機が第１スイッチング素子の時定数（例えばスイッチングの
遅延）に影響される場合がある。したがって、第１スイッチング素子の一方の端子と第３
スイッチング素子の一方の端子とをゲートに接続した態様（すなわち、第３スイッチング
素子のうちゲート側の端子を、第１スイッチング素子におけるゲート側の端子に接続した
態様）が好適である。この態様によれば、駆動トランジスタをダイオード接続させる動作
が第１スイッチング素子の時定数に影響されないという利点がある。なお、スイッチング
素子の端子とは、当該スイッチング素子の動作によって電気的な接続（導通／非導通）が
制御される対象となる部分を意味し、形状のうえで配線の端部（末端部）である必要は必
ずしもない。
【００１３】
より好適な態様において、制御手段は、補償期間の開始前の初期化期間（例えば図３の
初期化期間Ｐres）において、第１スイッチング素子および第３スイッチング素子をオン
状態に制御することでゲートの電圧を初期化する一方、補償期間において第１スイッチン
グ素子をオン状態に制御する。この態様によれば、初期化期間と補償期間と書込期間とに
わたって連続して第１スイッチング素子がオン状態に制御されるから、補償期間にて第１
スイッチング素子がオフ状態に制御される構成と比較して、第１スイッチング素子のスイ
ッチングの回数が削減される。なお、この態様の具体例は、例えば第１・第３および第４
実施形態として後述される。
【００１４】
本発明の好適な態様においては、電気光学素子に供給される駆動電流の経路と所定の電
圧が供給される給電線（例えば図１２の給電線１７）との間に設けられた第４スイッチン
グ素子（例えば図１２のトランジスタＴ4）が設けられ、駆動トランジスタは、ゲートの
電圧に応じて駆動電流を制御し、制御手段は、補償期間の開始前の初期化期間において、
第３スイッチング素子および第４スイッチング素子をオン状態に制御する。なお、この態
様の具体例は第３実施形態として後述される。
この態様によれば、初期化期間において第３スイッチング素子と第４スイッチング素子
とがオン状態に制御されるから、補償期間や書込期間に先立って駆動トランジスタのゲー
トが所定の電圧に初期化される。特に、駆動トランジスタに流れる電流は初期化期間にて
第４スイッチング素子を経由して給電線に至る。したがって、初期化期間において電気光
学素子に電流が供給される構成（すなわち第４スイッチング素子を持たない構成）と比較
して、電気光学素子の状態を精緻に規定できるという利点がある。例えば、駆動電流の電
流値に応じた輝度で発光する発光素子を電気光学素子として利用した電気光学装置におい
ては、初期化期間において電気光学素子が確実に非点灯とされるから、電気光学素子のコ
ントラストを向上させることができる。
【００１５】
なお、以上の各態様のように補償期間に先立って駆動トランジスタのゲートの電圧が初
期化される構成によれば、ノイズなどに起因して駆動トランジスタのゲート電圧が不適当
な電圧（例えばその後の補償動作を阻害するような電圧）に設定された場合であっても、
第１電極を所定の電圧に初期化して確実に補償動作を実行させることが可能となる。初期
化後のゲート電圧の電圧値は任意であるが、補償動作を確実に実行するという観点からす
れば、補償期間の終了時に設定されるべきゲート電圧（例えば図５の補償電圧「ＶEL−Ｖ
th」）よりも低電位であることが望ましい。
【００１６】
さらに好適な態様においては、第２電極と所定の電圧が供給される給電線（例えば図１
４の給電線１７）との間に設けられた第５スイッチング素子（例えば図１５のトランジス
タＴ5）が設けられ、制御手段は、補償期間において第５スイッチング素子をオン状態に
制御する。この態様の具体例は第４実施形態として後述される。この態様によれば、補償
期間にて第５スイッチング素子がオン状態に遷移することで第２電極には所定の電圧が供
給されるから、駆動トランジスタのゲートをその閾値電圧に応じた電圧に安定的に設定す
ることが可能である。
また、制御手段が、補償期間および駆動期間において第５スイッチング素子をオン状態
に制御する構成も採用される。この態様によれば、駆動期間においても第５スイッチング
素子がオン状態に制御されて第２電極には所定の電圧が供給される。本発明においては、
第１スイッチング素子をオフ状態とすることで、第２電極の電圧の変動に起因したゲート
電圧の変化が低減される。この作用に加えて第２電極の電圧の変動が第５スイッチング素
子によって低減される本態様によれば、駆動トランジスタのゲート電圧の変動をさらに確
実に抑制できる。
【００１７】
本発明において、駆動トランジスタと電気光学素子と容量素子と第１スイッチング素子
とを含む回路（単位回路）の個数や各々の配置の態様は任意である。ただし、例えば表示
装置として利用される電気光学装置においては、ひとつのデータ線に複数の単位回路が接
続された構成（より詳細には複数のデータ線の各々に複数の単位回路が接続されてマトリ
クス状に配列する構成）が好適に採用される。すなわち、本発明の好適な態様に係る電気
光学装置は、データ線に接続された複数の単位回路（例えば図１の単位回路Ｕ）と、複数
の単位回路の各々を書込期間ごとに順番に選択する制御手段と、各単位回路が選択される
書込期間にて当該単位回路のデータ電圧をデータ線に供給するデータ供給手段とを具備し
、複数の単位回路の各々は、ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、
駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、第１電極と第２電極と
を有する容量素子と、ゲートと第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と、第
２電極とデータ線との間に設けられた第２スイッチング素子とを含み、制御手段は、各単
位回路を選択する書込期間において、当該単位回路の第１スイッチング素子および第２ス
イッチング素子をオン状態に制御し、第２電極に対するデータ電圧の供給によって設定さ
れたゲートの電圧に応じて当該単位回路の電気光学素子が駆動される駆動期間において、
当該単位回路の第１スイッチング素子をオフ状態に制御する。
【００１８】
さらに好適な態様において、各単位回路は、駆動トランジスタのゲートとドレインとの
間に設けられた第３スイッチング素子を具備し、制御手段は、複数の単位回路の各々につ
いて、当該単位回路を選択する書込期間の開始前であって他の単位回路が選択される書込
期間を含む補償期間（例えば図９の補償期間Ｐcps）において、第２スイッチング素子を
オフ状態に制御するとともに第３スイッチング素子をオン状態に制御する。この態様の具
体例は第２実施形態として後述される。
この態様によれば、補償期間において第２スイッチング素子がオフ状態に制御されるか
ら、ひとつの単位回路の補償期間においては、データ線に他の単位回路のデータ電圧を供
給することができる。すなわち、他の単位回路が選択される書込期間を含む期間がひとつ
の単位回路の補償期間とされる。したがって、各単位回路について補償期間の時間長を充
分に確保できる。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、
電気光学装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソ
ナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途
は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体
に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）、液晶装置の背面側に配置されてこれを
照明する装置（バックライト）、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原
稿を照明する装置など各種の照明装置など、多様な用途に本発明の電気光学装置を適用す
ることができる。また、光学的な作用を電気的な作用に変換する素子（例えば受光量に応
じて抵抗値が変化する受光素子）を電気光学素子として利用した電気光学装置は、スキャ
ナなどの画像読取装置において原稿を読み取るイメージセンサとして利用される。
【００２０】
本発明は、電気光学装置を駆動する方法としても特定される。本発明の駆動方法は、ゲ
ートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、駆動トランジスタの導通状態に
応じて駆動される電気光学素子と、第１電極と第２電極とを有する容量素子とを具備する
電気光学装置を制御する方法であって、書込期間において、前記ゲートと前記第１電極と
を電気的に接続するとともに前記第２電極にデータ電圧を供給し、前記第２電極に対する
データ電圧の供給によって設定された前記ゲートの電圧に応じて前記電気光学素子が駆動
される駆動期間において、前記ゲートと前記第１電極とを電気的に切り離すことを特徴と
している。この駆動方法によれば、駆動トランジスタのゲートと第１電極とが駆動期間に
て電気的に切り離されるから、本発明の電気光学装置と同様の効果が奏される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜Ａ−１：電気光学装置の構成＞
図１は本発明のひとつの形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。同図
に例示された電気光学装置Ｄは、画像を表示する手段として各種の電子機器に利用される
装置であり、複数の単位回路（画素回路）Ｕが面状に配列された素子アレイ部１０と、各
単位回路Ｕを駆動するための走査線駆動回路２３およびデータ線駆動回路２５とを含む。
なお、走査線駆動回路２３およびデータ線駆動回路２５は、素子アレイ部１０とともに基
板上に形成された薄膜トランジスタによって構成されてもよいしＩＣチップの形態で実装
されてもよい。
【００２２】
図１に示すように、素子アレイ部１０には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線１３と、Ｘ
方向に直交するＹ方向に延在するｎ本のデータ線１５とが形成される（ｍおよびｎの各々
は２以上の自然数）。各単位回路Ｕは、走査線１３とデータ線１５との交差に対応する各
位置に配置される。したがって、素子アレイ部１０には縦ｍ行×横ｎ列のマトリクス状に
単位回路Ｕが配列する。各単位回路Ｕには、電源回路（図示略）から電源電位ＶELと接地
電位Ｇndとが供給される。
【００２３】
走査線駆動回路２３は、素子アレイ部１０の各行（Ｘ方向に配列するｎ個の単位回路Ｕ
の集合）を選択するための手段である。データ線駆動回路２５は、各単位回路Ｕの階調デ
ータに基づいてデータ信号Ｓ[1]〜Ｓ[n]を生成する手段である。データ信号Ｓ[j]は第ｊ
列目のデータ線１５に出力される（ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数）。階調データは、電気
光学装置Ｄが搭載される電子機器のＣＰＵなど各種の外部装置から単位回路Ｕごとに供給
される。
【００２４】
＜Ａ−２：単位回路Ｕの構成＞
図２は、各単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図においては、第ｉ行の第ｊ列目
に位置するひとつの単位回路Ｕのみが図示されているが、これ以外の単位回路Ｕも同様の
構成である。
【００２５】
図２に示すように、単位回路Ｕは、電源線（電源電位ＶEL）と接地線（接地電位Ｇnd）
との間に介在する電気光学素子１１を含む。電気光学素子１１は、駆動電流Ｉdrに応じた
状態に駆動される要素である。本実施形態の電気光学素子１１は、有機ＥＬ（ElectroLum
inescence）材料からなる発光層を陽極と陰極との間に介在させたＯＬＥＤ素子（発光素
子）であり、発光層に供給される駆動電流Ｉdrの電流値に応じた輝度（階調）で発光する
。電気光学素子１１の陰極は接地（Ｇnd）される。
【００２６】
図２に示すように、図１において便宜的に１本の配線として図示された走査線１３は、
実際には３本の配線（第１制御線１３１・第２制御線１３２・第３制御線１３３）を含む
。各配線には走査線駆動回路２３から所定の信号が供給される。より具体的には、第ｉ行
目の走査線１３を構成する第１制御線１３１には第１制御信号Ｇa[i]が供給される。同様
に、第２制御線１３２には第２制御信号Ｇb[i]が供給され、第３制御線１３３には第３制
御信号Ｇc[i]が供給される。なお、各信号の具体的な波形やこれに応じた単位回路Ｕの動
作については後述する。
【００２７】
図２に示すように、電源線から電気光学素子１１の陽極に至る経路上にはｐチャネル型
の駆動トランジスタＴdrが配置される。駆動トランジスタＴdrのソース（Ｓ）は電源線に
接続される。この駆動トランジスタＴdrは、ソースとドレイン（Ｄ）との導通状態（ソー
ス−ドレイン間の抵抗値）がゲートＧ0の電圧（以下「ゲート電圧」という）Ｖgに応じて
変化することで当該ゲート電圧Ｖgに応じた駆動電流Ｉdrを生成する。したがって、電気
光学素子１１は駆動トランジスタＴdrの導通状態に応じた階調に駆動される。
【００２８】
駆動トランジスタＴdrのドレインと電気光学素子１１の陽極との間（すなわち駆動電流
Ｉdrの経路上）には両者の電気的な接続を制御するｎチャネル型のトランジスタ（以下「
発光制御トランジスタ」という）Ｔelが配置される。発光制御トランジスタＴelのゲート
は第３制御線１３３に接続される。したがって、第３制御信号Ｇc[i]がハイレベルに遷移
すると発光制御トランジスタＴelがオン状態に変化して電気光学素子１１に対する電流の
供給が可能となる。これに対し、第３制御信号Ｇc[i]がローレベルである場合には発光制
御トランジスタＴelがオフ状態を維持するから、電気光学素子１１に対する電流の経路が
遮断されて電気光学素子１１は消灯する。
【００２９】
図２に示すように、単位回路Ｕは、２個の容量素子（Ｃ1・Ｃ2）とｎチャネル型の３個
のトランジスタ（Ｔ1・Ｔ2・Ｔ3）とを含む。単位回路Ｕを構成する各トランジスタ（Ｔd
r・Ｔel・Ｔ1〜Ｔ3）としては例えば薄膜トランジスタが好適に採用される。容量素子Ｃ1
は、電極Ｅ1と電極Ｅ2との間隙に誘電体が介挿された素子である。容量素子Ｃ2は、ゲー
トＧ0と電源線（駆動トランジスタＴdrのドレイン）との間に介挿される。
【００３０】
トランジスタＴ1は、ゲートＧ0と電極Ｅ1との間に介在して両者の電気的な接続（導通
／非導通）を制御するスイッチング素子である。トランジスタＴ2は、電極Ｅ2とデータ線
１５との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジ
スタＴ1およびトランジスタＴ2の各々のゲートは第１制御線１３１に対して共通に接続さ
れる。したがって、トランジスタＴ1およびトランジスタＴ2は第１制御信号Ｇa[i]に応じ
て同じ状態に制御される。この構成によれば、トランジスタＴ1を制御する配線とトラン
ジスタＴ2を制御する配線とが別個に形成された構成と比較して、素子アレイ部１０内の
配線数の削減やこれによる開口率（素子アレイ部１０のうち各電気光学素子１１からの放
射光が実際に出射する面積の割合）の向上が実現されるという利点がある。ただし、トラ
ンジスタＴ1とトランジスタＴ2とが別個の配線に接続されて各々が独立に制御される構成
としてもよい。この構成によれば、各トランジスタのオン・オフの切換えを時間的に精密
に制御できるといった利点がある。
【００３１】
トランジスタＴ3は、駆動トランジスタＴdrのゲートＧ0とそのドレインとの間に介在し
て両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジスタＴ3のうちゲー
トＧ0側の端子は、当該ゲートＧ0（トランジスタＴ1のうち駆動トランジスタＴdr側の端
子）に対して直接に接続される。トランジスタＴ3のゲートは第２制御線１３２に接続さ
れる。トランジスタＴ3がオン状態に遷移すると駆動トランジスタＴdrはダイオード接続
される。
【００３２】
次に、図３を参照して、電気光学装置Ｄにて利用される各信号の具体的な波形を説明す
る。同図に示すように、第１制御信号Ｇa[1]〜Ｇa[m]は、各フレーム期間Ｆ内の所定の期
間（以下「単位期間」という）Ｈごとに順番にハイレベルとなる信号である。すなわち、
第１制御信号Ｇa[i]は、ひとつのフレーム期間Ｆのうち第ｉ番目の単位期間Ｈにてハイレ
ベルを維持するとともにそれ以外の期間（以下「駆動期間」という）Ｐdrvにてローレベ
ルを維持する。
【００３３】
単位期間Ｈは、初期化期間Ｐresと補償期間Ｐcpsと書込期間Ｐwrtとに区分される。図
３に示すように、第２制御信号Ｇb[i]は、第１制御信号Ｇa[i]がハイレベルとなる単位期
間Ｈのうちの初期化期間Ｐresと補償期間Ｐcpsとにおいてハイレベルとなり、それ以外の
期間（書込期間Ｐwrt・駆動期間Ｐdrv）にてローレベルを維持する。第３制御信号Ｇc[i]
は、第１制御信号Ｇa[i]がハイレベルとなる単位期間Ｈのうちの補償期間Ｐcpsと書込期
間Ｐwrtとにおいてローレベルとなり、それ以外の期間（初期化期間Ｐres・駆動期間Ｐdr
v）にてハイレベルを維持する信号である。
【００３４】
データ信号Ｓ[j]は、第１制御信号Ｇa[i]がハイレベルとなる単位期間Ｈのうちの書込
期間Ｐwrtにおいて、第ｉ行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕの階調データ（電気光学素子
１１の階調を指定するデータ）に応じたデータ電圧Ｖdataに設定され、各単位期間Ｈの初
期化期間Ｐresおよび補償期間Ｐcpsにて所定の電圧（以下「リセット電圧」という）Ｖre
fを維持する。リセット電圧Ｖrefは、データ電圧Ｖdataの最大値以上の電圧値に設定され
る。
【００３５】
＜Ａ−３：電気光学装置Ｄの動作＞
図４ないし図７は、以上の各期間における単位回路Ｕの様子を模式的に示す回路図であ
る。以下では図４から図７を参照しながら、第ｉ行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕの動作
を、初期化期間Ｐres（図４）と補償期間Ｐcps（図５）と書込期間Ｐwrt（図６）と駆動
期間Ｐdrv（図７）とに区分して説明する。
【００３６】
(a) 初期化期間Ｐres（図４）
初期化期間Ｐresは、ゲートＧ0や容量素子Ｃ1の電圧を初期化するための期間である。
初期化期間Ｐresにおいてデータ信号Ｓ[j]はリセット電圧Ｖrefに維持される。また、第
１制御信号Ｇa[i]・第２制御信号Ｇb[i]および第３制御信号Ｇc[i]は何れもハイレベルを
維持するから、図４に示すように発光制御トランジスタＴelとトランジスタＴ1〜Ｔ3とは
オン状態となる。したがって、電極Ｅ2にはリセット電圧Ｖrefが供給される。一方、発光
制御トランジスタＴelがオン状態に変化することで電気光学素子１１には電流が流れる。
このときにトランジスタＴ3はオン状態となっているから、ゲート電圧Ｖgは電気光学素子
１１の特性に応じた電圧Ｖ0に初期化される。電圧Ｖ0は、接地電位Ｇndよりも電気光学素
子１１の閾値電圧だけ高い電圧であって、補償期間Ｐcpsの終点におけるゲート電圧Ｖg（
ＶEL−Ｖth）よりも低い電圧である。
【００３７】
(b) 補償期間Ｐcps（図５）
補償期間Ｐcpsは、ゲート電圧Ｖgを、駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthの誤差を補
償するための電圧（以下「補償電圧」という）に設定する期間である。補償期間Ｐcpsに
おいては、第３制御信号Ｇc[i]がローレベルに遷移する一方、その他の信号（第１制御信
号Ｇa[i]・第２制御信号Ｇb[i]・データ信号Ｓ[j]）は初期化期間Ｐresと同じレベルを維
持する。したがって、図５に示すように、リセット期間Ｐresにおける状況から発光制御
トランジスタＴelがオフ状態に変化して電気光学素子１１に対する電流の供給が停止する
。これによってゲート電圧Ｖgは初期化期間Ｐresで設定された電圧Ｖ0から徐々に上昇し
ていき、最終的には電源電位ＶELと駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthとの差分値に相
当する補償電圧「ＶEL−Ｖth」に収束する。
【００３８】
ところで、ノイズなど様々な原因によって補償期間Ｐcpsの開始前にゲート電圧Ｖgが補
償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも高位となる場合がある。この状態ではトランジスタＴ3をオ
ン状態に変化させたとしても駆動トランジスタＴdrに電流が流れないから、ゲート電位Ｖ
gを補償電圧「ＶEL−Ｖth」に設定することはできない。これに対し、本実施形態におい
ては初期化期間Ｐresにてゲート電圧Ｖgが補償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも低い電圧Ｖ0ま
で低下するから、電源線から駆動トランジスタＴdrとトランジスタＴ3とを経由してゲー
トＧ0に至る電流が補償期間Ｐcpsにて確実に発生する。したがって、ノイズなどに起因し
た単位回路Ｕの誤動作が有効に防止される。
【００３９】
(c) 書込期間Ｐwrt（図６）
書込期間Ｐwrtは、データ電圧Ｖdataに応じてゲート電圧Ｖgを設定するための期間であ
る。書込期間Ｐwrtにおいては、第２制御信号Ｇb[i]がローレベルに遷移するから、トラ
ンジスタＴ3がオフ状態に変化して駆動トランジスタＴdrのダイオード接続が解除される
。また、書込期間Ｐwrtが開始するとデータ信号Ｓ[j]はデータ電圧Ｖdataに変化する。ト
ランジスタＴ2はハイレベルの第１制御信号Ｇa[i]によってオン状態に維持されるから、
電極Ｅ2の電圧は、図６に示すように、リセット期間Ｐresおよび補償期間Ｐcpsにて設定
されたリセット電圧Ｖrefから階調データに応じたデータ電圧Ｖdataに変化（低下）する
。
【００４０】
駆動トランジスタＴdrのゲートＧ0のインピーダンスは充分に高いから、トランジスタ
Ｔ3がオフ状態に変化すると電極Ｅ1（ゲートＧ0）は電気的なフローティング状態となる
。したがって、電極Ｅ2の電圧がリセット電圧Ｖrefからデータ電圧Ｖdataまで変化量ΔＶ
（＝Ｖref−Ｖdata）だけ変化すると、電極Ｅ1の電圧（ゲート電圧Ｖg）は容量素子Ｃ1に
おける容量カップリングによってその直前の電圧（補償電圧「ＶEL−Ｖth」）から変動す
る。このときのゲート電圧Ｖgの変化量は、容量素子Ｃ1の容量値ｃ1と容量素子Ｃ2の容量
値ｃ2とを用いて「ΔＶ・ｃ1／（ｃ1＋ｃ2）」と表現される。したがって、図６に示すよ
うに、書込期間Ｐwrtにおいてゲート電圧Ｖgは以下の式(1)の電圧値に安定する。なお、
容量素子Ｃ2のほかに駆動トランジスタＴdrのゲート容量やその他の配線に寄生する容量
を考慮する場合、容量値ｃ2は、容量素子Ｃ2とこれらの容量とを合成した数値となる。
Ｖg＝ＶEL−Ｖth−ｋ・ΔＶ ……(1)
ただし、ｋ＝ｃ1／（ｃ1＋ｃ2）
【００４１】
(d) 駆動期間Ｐdrv（図７）
駆動期間Ｐdrvは、電気光学素子１１がデータ電圧Ｖdataに応じた階調に実際に駆動さ
れる期間である。駆動期間Ｐdrvにおいては第１制御信号Ｇa[i]がローレベルに遷移する
から、図７に示すようにトランジスタＴ1はオフ状態に変化する。したがって、ゲートＧ0
は容量素子Ｃ1（電極Ｅ1）から電気的に切り離された状態となる。また、ローレベルの第
１制御信号Ｇa[i]によってトランジスタＴ2もオフ状態となる。
【００４２】
一方、第３制御信号Ｇc[i]は駆動期間Ｐdrvにてハイレベルに遷移するから、発光制御
トランジスタＴelがオン状態に変化して駆動電流Ｉdrの経路が形成される。したがって、
書込期間Ｐwrtにて設定されたゲート電圧Ｖgに応じた電流値の駆動電流Ｉdrが電源線から
駆動トランジスタＴdrおよび発光制御トランジスタＴelを経由して電気光学素子１１に供
給される。電気光学素子１１は駆動電流Ｉdrに応じた輝度に発光する。
【００４３】
駆動期間Ｐdrvにおいて駆動トランジスタＴdrは飽和領域で動作する。したがって、駆
動電流Ｉdrは以下の式(2)で表現される電流値となる。なお、式(2)における「β」は駆動
トランジスタＴdrの利得係数であり、「Ｖgs」は駆動トランジスタＴdrのゲート−ソース
間の電圧である。
Ｉdr＝（β／２）（Ｖgs−Ｖth）2
＝（β／２）（Ｖg−ＶEL−Ｖth）2 ……(2)
式(1)の代入によって式(2)は以下のように変形される。
Ｉdr＝（β／２）｛（ＶEL−Ｖth−ｋ・ΔＶ）−ＶEL−Ｖth｝2
＝（β／２）（ｋ・ΔＶ）2
以上のように、駆動電流Ｉdrはデータ電圧Ｖdataとリセット電圧Ｖrefとの差分値ΔＶ
（＝Ｖref−Ｖdata）によって決定され、閾値電圧Ｖthには依存しない。したがって、各
駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthの誤差に起因した電気光学素子１１の輝度のバラツ
キは抑制される。
【００４４】
ところで、各行の単位回路Ｕの電気光学素子１１が駆動される駆動期間Ｐdrv内にて各
データ線１５の電圧は随時に変化する。例えば図３に示すように、データ信号Ｓ[j]の電
圧は、第ｉ行目の各単位回路Ｕの駆動期間Ｐdrvのうち、次行の単位回路Ｕの書込期間Ｐw
rt（第１制御信号Ｇa[i+1]がハイレベルとなる単位期間Ｈの書込期間Ｐwrt）にてリセッ
ト電圧Ｖrefからデータ電圧Ｖdata（第(i+1)行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕの階調に応
じた電圧）に変化する。電極Ｅ2とデータ線１５とが容量的に結合する（両者間に容量が
寄生する）とすれば、電極Ｅ2の電圧はデータ線１５の電圧の変化量に応じて変動する。
【００４５】
駆動期間Ｐdrvにおいて電極Ｅ1とゲートＧ0との電気的な接続が維持される構成におい
ては、ゲートＧ0が電気的なフローティング状態に維持された状態で電極Ｅ2と容量的に結
合する。したがって、駆動トランジスタＴdrのゲート電圧Ｖgは駆動期間Ｐdrvにてデータ
線１５の電圧の変化に応じて式(1)の電圧値から変動し、これを原因とする電気光学素子
１１の階調の変動が利用者によってクロストークや画像のチラツキとして知覚されるとい
う問題がある。
【００４６】
これに対し、本実施形態においては、駆動期間ＰdrvにてトランジスタＴ1がオフ状態に
維持されることでゲートＧ0が容量素子Ｃ1（電極Ｅ1）から電気的に切り離される。した
がって、電極Ｅ2の電圧の変動の影響は電極Ｅ1の電圧の変動にとどまってゲート電圧Ｖg
には及ばない。したがって、本実施形態によれば、駆動期間Ｐdrvにおけるゲート電圧Ｖg
の変動を抑制し、これによって電気光学素子１１を所期の階調に安定させることができる
。
【００４７】
なお、本実施形態においては補償期間ＰcpsにてトランジスタＴ1がオン状態となる。し
たがって、トランジスタＴ3のひとつの端子が電極Ｅ1に接続された構成（駆動トランジス
タＴdrのドレインと電極Ｅ1との間にトランジスタＴ3が介在する構成）によっても、補償
期間Ｐcpsにて駆動トランジスタをダイオード接続するという作用は得られる。ただし、
この構成においては、駆動トランジスタＴdrのダイオード接続される時機がトランジスタ
Ｔ1の時定数に影響される場合がある。例えば、補償期間Ｐcpsの始点にてトランジスタＴ
3がオン状態に変化しても、トランジスタＴ1のスイッチングが時定数の影響で遅延すれば
駆動トランジスタＴdrはダイオード接続されない。これに対し、本実施形態においてはト
ランジスタＴ3の端子がゲートＧ0に対して直接に（すなわち両者間にトランジスタＴ1が
介在することなく）接続される。したがって、駆動トランジスタＴdrをダイオード接続さ
せる時機がトランジスタＴ1の時定数に影響されないという利点がある。
【００４８】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、以下に列挙する各形態において
は、第１実施形態と作用や機能が共通する要素について図１や図２と同一の符号を使用し
、各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００４９】
図８は、本実施形態における単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図に示すように
、本実施形態の単位回路Ｕは、第１実施形態の単位回路Ｕ（図２）に容量素子Ｃ3が追加
された構成となっている。容量素子Ｃ3は容量素子Ｃ1の電極Ｅ2と電源線（駆動トランジ
スタＴdrのソース）との間に介挿された容量であり、初期化期間Ｐresにてデータ線１５
から供給されるリセット電圧Ｖrefを保持する手段として機能する。
【００５０】
次に、図９は、本実施形態における各信号の波形を示すタイミングチャートである。第
１実施形態においてはひとつの単位期間Ｈが初期化期間Ｐresと補償期間Ｐcpsと書込期間
Ｐwrtとに区分される場合を例示した。これに対し、本実施形態においては、相連続する
３個の単位期間Ｈを単位として１行の単位回路Ｕの初期化期間Ｐresと補償期間Ｐcpsと書
込期間Ｐwrtとが規定される。
【００５１】
例えば、第ｉ行目の単位回路Ｕについては、フレーム期間Ｆのうち第ｉ番目の単位期間
Ｈ[i]における後半の期間が書込期間Ｐwrtである。さらに、単位期間Ｈ[i]からみて２個
前の単位期間Ｈ[i-2]における前半の期間が第ｉ行目の単位回路Ｕの初期化期間Ｐresとさ
れ、この初期化期間Ｐresの経過後から書込期間Ｐwrtの開始前までの期間（単位期間Ｈ[i
-1]を包含する期間）が補償期間Ｐcpsとされる。書込期間Ｐwrtの経過後（単位期間Ｈ[i+
1]の始点）から次回の初期化期間Ｐresの開始前（単位期間Ｈ[i-2]の始点）までの期間は
、第ｉ行目の電気光学素子１１が駆動される駆動期間Ｐdrvである。
【００５２】
第１制御信号Ｇa[i]は、第ｉ行目の単位回路Ｕの書込期間（単位期間Ｈ[i]の後半）お
よび初期化期間Ｐres（単位期間Ｈ[i-2]の前半）にてハイレベルとなり、それ以外の期間
でローレベルを維持する。第２制御信号Ｇb[i]は、第ｉ行目の単位回路Ｕの初期化期間Ｐ
resおよび補償期間Ｐcpsにてハイレベルとなり、それ以外の期間にてローレベルを維持す
る。また、第３制御信号Ｇc[i]は、第ｉ行目の単位回路Ｕの補償期間Ｐcpsと書込期間Ｐw
rtとにわたってローレベルとなり、それ以外の期間にはハイレベルを維持する。一方、デ
ータ信号Ｓ[j]は、各単位期間Ｈ[i]内の書込期間Ｐwrt（第ｉ行目の単位回路Ｕの書込期
間Ｐwrt）において、第ｉ行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕの階調データに応じたデータ
電圧Ｖdataとなり、それ以外の期間（単位期間Ｈ[1]からＨ[m]の各々における前半の期間
）にてリセット電圧Ｖrefを維持する。
【００５３】
次に、第ｉ行に属する第ｊ列目の単位回路Ｕに着目して初期化期間Ｐres（図１０）と
補償期間Ｐcps（図１１）とにおける動作を説明する。まず、初期化期間Ｐresにおいては
、第１実施形態と同様に、発光制御トランジスタＴelとトランジスタＴ1〜Ｔ3とがオン状
態に変化する。したがって、ゲート電圧Ｖgは電圧Ｖ0に初期化される。また、図１０に示
すように、データ線１５からトランジスタＴ2を介して単位回路Ｕに供給されるリセット
電圧Ｖrefは容量素子Ｃ3に保持される。
【００５４】
補償期間Ｐcpsにおいては、発光制御トランジスタＴelがオフ状態に遷移することによ
ってゲート電圧Ｖgは補償電圧「ＶEL−Ｖth」に収束する。また、図１１に示すように、
第１制御信号Ｇa[i]がローレベルに遷移することによってトランジスタＴ2（およびトラ
ンジスタＴ1）がオフ状態に変化する。これによって電極Ｅ2はデータ線１５から電気的に
切り離されるから、電極Ｅ2の電圧は初期化期間Ｐresにて容量素子Ｃ3に保持されたリセ
ット電圧Ｖrefに維持される。
【００５５】
書込期間Ｐwrtや駆動期間Ｐdrvにおける動作は第１実施形態と同様である。すなわち、
書込期間Ｐwrtにおいては電極Ｅ2の電圧がリセット電圧Ｖrefからデータ電圧Ｖdataに変
化することでゲート電圧Ｖgが式(1)の電圧値に設定され、駆動期間Ｐdrvにおいてはトラ
ンジスタＴ1がオフ状態とされたうえで電気光学素子１１がゲート電圧Ｖgに応じた階調に
駆動される。このように本実施形態においても駆動期間ＰdrvにてゲートＧ0が容量素子Ｃ
1から電気的に切り離されるから、第１実施形態と同様の効果が奏される。
【００５６】
また、図１１に示すように、補償期間Ｐcpsにおいては容量素子Ｃ1（電極Ｅ2）とデー
タ線１５とが電気的に切り離されるから、各行の単位回路Ｕの補償期間Ｐcps内に、他の
単位回路Ｕにデータ線１５を介してデータ電圧Ｖdataを供給することが可能である。例え
ば、図９に示すように、第ｉ行目の単位回路Ｕの補償期間Ｐcps内に、データ線１５には
第(i-2)行目および第(i-1)行目の各単位回路Ｕのデータ電圧Ｖdataが供給される。この構
成によれば、データ電圧Ｖdataがデータ線１５に供給される周期（単位期間Ｈ）とは無関
係に補償期間Ｐcpsを設定することが可能である。より具体的には、図９に示すように複
数の単位期間Ｈにわたる期間（単位期間Ｈ[i-2]の途中から単位期間Ｈ[i]の途中までの期
間）を補償期間Ｐcpsとして確保することができる。したがって、ゲート電圧Ｖgが補償電
圧「ＶEL−Ｖth」に収束するのに充分な時間長を容易に確保できるという利点がある。
【００５７】
＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１２は、本実施形態における単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図に示すよう
に、本実施形態の素子アレイ部１０には給電線１７と第４制御線１３４とが形成される。
給電線１７には、電源回路（図示略）から所定の電圧ＶSTが供給される。電圧ＶSTは、補
償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも低い電圧値に設定される。第４制御線１３４には走査線駆動
回路２３から第４制御信号Ｇd[i]が供給される。
【００５８】
また、本実施形態の単位回路Ｕは、第１実施形態の単位回路Ｕ（図２）にトランジスタ
Ｔ4が追加された構成となっている。トランジスタＴ4は、駆動トランジスタＴdrのドレイ
ンと給電線１７との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である
。トランジスタＴ4のゲートは第４制御線１３４に接続される。
【００５９】
図１３は、初期化期間Ｐresにおける単位回路Ｕの様子を示す回路図である。同図に示
すように、第３制御信号Ｇc[i]は初期化期間Ｐresにてローレベルを維持する。したがっ
て、発光制御トランジスタＴelはオフ状態となって電気光学素子１１に対する電流の経路
は遮断される。また、初期化期間Ｐresにおいては第４制御信号Ｇd[i]がハイレベルに遷
移することでトランジスタＴ4はオン状態に変化する。これによってゲートＧ0はトランジ
スタＴ3とトランジスタＴ4とを介して給電線１７に接続されるから、ゲート電圧Ｖgは電
圧ＶSTに初期化される。そして、補償期間Ｐcpsが開始すると、ゲート電圧Ｖgは初期化期
間Ｐresにて設定された電圧ＶSTから上昇して補償電圧「ＶEL−Ｖth」に収束する。電圧
ＶSTは補償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも低電位に設定されているから、第１実施形態と同様
に、ゲート電圧Ｖgを補償期間Ｐcpsにて確実に補償電圧「ＶEL−Ｖth」に収束させること
ができる。
【００６０】
補償期間Ｐcpsと書込期間Ｐwrtと駆動期間Ｐdrvとにおいては第４制御信号Ｇd[i]がロ
ーレベルを維持することでトランジスタＴ4はオフ状態となる。これらの期間における単
位回路Ｕの動作は第１実施形態と同様である。本実施形態によっても第１実施形態と同様
の効果が奏される。なお、以上においては第１実施形態を変形した形態として本実施形態
を説明したが、第２実施形態にも本実施形態と同様の構成が採用される。
【００６１】
図２や図８の構成においては初期化期間Ｐresにおける電流の供給によって電気光学素
子１１は僅かに発光する。これに対し、本実施形態においてはゲート電圧Ｖgの初期化に
際して電気光学素子１１に電流が供給されないから、初期化期間Ｐresにおいては電気光
学素子１１の発光が完全に停止される。したがって、図２や図８のように初期化期間Ｐre
sにて電気光学素子１１が発光する構成と比較して、素子アレイ部１０に表示される画像
のコントラストが向上するという利点がある。
【００６２】
＜Ｄ：第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１４は、本実施形態に係る単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図に示すように
、本実施形態の単位回路Ｕは、第３実施形態の単位回路Ｕ（図１２）にトランジスタＴ5
が追加された構成となっている。トランジスタＴ5は、電極Ｅ2と給電線１７との間に介在
して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジスタＴ5のゲート
は第５制御線１３５に接続される。第５制御線１３５には走査線駆動回路２３から第５制
御信号Ｇe[i]が供給される。
【００６３】
単位回路Ｕの動作は、第１実施形態と同様に、初期化期間Ｐres（図１５）・補償期間
Ｐcps（図１６）・書込期間Ｐwrtおよび駆動期間Ｐdrv（図１７）に区分される。第５制
御信号Ｇe[i]は、初期化期間Ｐresと補償期間cpsと駆動期間Ｐdrvとにおいてハイレベル
を維持し、書込期間Ｐwrtにてローレベルとなる。
【００６４】
初期化期間Ｐresにおいては、図１５に示すように、トランジスタＴ5がオン状態に変化
して電極Ｅ2と給電線１７とは電気的に接続される。これによって電極Ｅ2の電圧は電圧Ｖ
STに初期化される。なお、トランジスタＴ4がオン状態に変化することでゲート電圧Ｖgが
電圧ＶSTに設定される動作は第３実施形態と同様である。なお、データ信号Ｓ[j]は初期
化期間Ｐresにて電圧ＶSTを維持する。
【００６５】
図１６に示すように、補償期間ＰcpsにおいてもトランジスタＴ5はオン状態を維持する
。したがって、ゲート電圧Ｖgが補償電圧「ＶEL−Ｖth」に向かって上昇しているときに
電極Ｅ2の電圧は電圧ＶSTに固定される。また、書込期間Ｐwrtにおいては、トランジスタ
Ｔ5がオフ状態とされて電極Ｅ2に対する電圧ＶSTの供給が停止されたうえで、データ信号
Ｓ[j]の供給によって電極Ｅ2の電圧（電圧ＶST）がデータ電圧Ｖdataに変化する。これに
よってゲート電圧Ｖgは閾値電圧Ｖthとデータ電圧Ｖdataとに応じた電圧値（式(1)）に設
定される。
【００６６】
そして、駆動期間Ｐdrvにおいては、図１７に示すように第５制御信号Ｇe[i]がハイレ
ベルに遷移することでトランジスタＴ5はオン状態に変化する。したがって、電気光学素
子１１がゲート電圧Ｖgに応じた輝度に駆動されているときに電極Ｅ2は電圧ＶSTに固定さ
れる。なお、トランジスタＴ1は第１実施形態と同様に駆動期間Ｐdrvにてオフ状態を維持
する。したがって、本実施形態においても第１実施形態と同様の効果が奏される。なお、
以上においては第１実施形態を変形した形態として本実施形態を説明したが、第２実施形
態にも本実施形態と同様の構成が採用される。
【００６７】
ところで、第１実施形態から第３実施形態においてはトランジスタＴ1が駆動期間Ｐdrv
にてオフ状態となるから、電極Ｅ2の電圧の変動がゲート電圧Ｖgに与える影響は基本的に
は排除される。しかしながら、単位回路Ｕの構成（特に各要素のレイアウト）によっては
、ゲートＧ0と電極Ｅ2とが容量的に結合する場合も考えられる。この場合には、駆動期間
ＰdrvにてトランジスタＴ1がオフ状態に維持されるとしても、電極Ｅ2の電圧の変動に応
じてゲート電圧Ｖgが変化する可能性がある。これに対し、本実施形態においては、駆動
期間Ｐdrvにて電極Ｅ2の電圧が電圧ＶSTに固定される。したがって、ゲートＧ0と電極Ｅ2
との間に容量が寄生する構成においても、駆動期間Ｐdrvにおけるゲート電圧Ｖgの変動（
さらに電気光学素子１１の階調の変動）が確実に抑制されるという利点がある。また、電
極Ｅ2の電圧は補償期間Ｐcpsにおいても電圧ＶSTに固定されるから、補償期間Ｐcpsにお
いてゲート電圧Ｖgを高い精度で補償電圧「ＶEL−Ｖth」に設定できるという効果もある
。
【００６８】
＜Ｅ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００６９】
（１）変形例１
単位回路Ｕの具体的な構成は以上の例示に限定されない。例えば、図２の形態において
は、Ｙ方向に配列するｍ個の単位回路Ｕの各々に対して１本のデータ線１５を介して時分
割でデータ電圧Ｖdataが供給される構成を例示した。この構成においては、データ電圧Ｖ
dataの出力先となる単位回路Ｕを順次に変更するために、各単位回路Ｕとデータ線１５と
の電気的な接続を制御するトランジスタＴ2が必要となる。しかしながら、例えば単位回
路Ｕごとにデータ線１５が形成された構成においては、各単位回路Ｕとデータ線１５との
電気的な接続を制御する必要はないから、トランジスタＴ2は適宜に省略される。より具
体的には、画像形成装置に利用されて感光体ドラムを露光する露光装置（光ヘッド）にお
いては、単位回路Ｕがひとつの方向のみに配列され、各単位回路Ｕが独立のデータ線１５
を介してデータ線駆動回路２５に接続された構成が採用される。この構成においては、図
２のトランジスタＴ2が省略され、容量素子Ｃ1の電極Ｅ2がデータ線１５に対して直接に
接続される。
【００７０】
また、単位回路Ｕを構成する各トランジスタの導電型は適宜に変更される。例えば、駆
動トランジスタＴdrはｎチャネル型であってもよい。また、発光制御トランジスタＴelは
適宜に省略される。例えば、初期化期間Ｐresや補償期間Ｐcpsや書込期間Ｐwrtの時間長
が充分に短い場合には、これらの期間にて電気光学素子１１が発光したとしても画質には
殆ど影響がない。このような場合には発光制御トランジスタＴelを省略した構成（駆動ト
ランジスタＴdrのドレインが電気光学素子１１の陽極に対して直接に接続された構成）も
採用される。また、以上の各形態においてはゲート電圧Ｖgの保持のために容量素子Ｃ2を
配置した構成を例示したが、例えば書込期間Ｐwrtにて設定されたゲート電圧Ｖgを駆動期
間Ｐdrvにて保持するのに充分な容量を容量素子Ｃ1（あるいは駆動トランジスタＴdrのゲ
ート容量やその他の寄生容量）にいよって確保できる場合には、容量素子Ｃ2を省略して
もよい。
【００７１】
（２）変形例２
以上の各形態においては単位回路Ｕの各トランジスタ（Ｔel・Ｔ1〜Ｔ5）がひとつの走
査線駆動回路２３によって制御される構成を例示したが、単位回路Ｕを駆動する回路（本
発明における制御手段）の態様は任意に変更される。例えば、トランジスタＴ1〜Ｔ5を制
御する回路と発光制御トランジスタＴelを制御する回路とが個別に配置された構成や、ト
ランジスタＴ1〜Ｔ5の各々を駆動する回路が別個に配置された構成も採用される。
【００７２】
（３）変形例３
以上の各形態においては補償期間Ｐcpsに先立ってゲート電圧Ｖgが初期化される構成を
例示した。しかしながら、例えば、以上に例示した方法以外の方法によって補償期間Ｐcp
sの始点におけるゲート電圧Ｖgが補償電圧「ＶEL−Ｖth」よりも低電位であることが担保
される場合には、初期化期間Ｐresを省略することも可能である。また、以上の各形態に
おいては駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthの誤差が補償される構成を例示したが、閾
値電圧Ｖthの誤差が問題とならない場合や以上に例示した方法以外の方法によって閾値電
圧Ｖthが補償される場合には、各形態における補償期間Ｐcpsを省略してもよい。
【００７３】
（４）変形例４
本発明における電気光学素子とは、電気的な作用および光学的な作用の一方を他方に変
換する要素である。電気エネルギの付与によって光度や透過率といった光学的な特性が制
御（駆動）される素子は本発明の電気光学素子として特に好適に採用される。この種の電
気光学素子については、自身が光を放射する自発光型の素子と透過率に応じて外光を変調
する非発光型の素子との区別や、電流の供給によって駆動される電流駆動型の素子と電圧
の印加によって駆動される電圧駆動型の素子との区別を問わず本発明に適用される。例え
ば、以上の各形態にて例示したＯＬＥＤ素子に代えて、無機ＥＬ素子やフィールド・エミ
ッション（ＦＥ）素子、表面導電型エミッション（ＳＥ：Surface-conduction Electron
-emitter）素子、弾道電子放出（ＢＳ：Ballistic electron Surface emitting）素子
、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロクロミ
ック素子など様々な電気光学素子を本発明に利用することができる。
【００７４】
＜Ｆ：応用例＞
次に、本発明に係る電気光学装置を利用した電子機器について説明する。図１８ないし
図２０には、以上に説明した何れかの形態に係る電気光学装置Ｄを表示装置として採用し
た電子機器の形態が図示されている。
【００７５】
図１８は、電気光学装置Ｄを採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示
す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する電気光学装
置Ｄと、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具
備する。電気光学装置ＤはＯＬＥＤ素子を電気光学素子１１として使用しているので、視
野角が広く見易い画面を表示できる。
【００７６】
図１９は、電気光学装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話
機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画
像を表示する電気光学装置Ｄとを備える。スクロールボタン３００２を操作することによ
って、電気光学装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００７７】
図２０は、電気光学装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Ass
istants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４０
０１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する電気光学装置Ｄとを備える。
電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が電気
光学装置Ｄに表示される。
【００７８】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１８から図２０に
示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパ
ネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の
表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置
においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する光ヘッド
（書込ヘッド）が使用されるが、この種の光ヘッドとしても本発明の電気光学装置は利用
される。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】ひとつの単位回路の構成を示す回路図である。
【図３】単位回路の駆動に関わる信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図４】初期化期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図５】補償期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図６】書込期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図７】駆動期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図８】第２実施形態に係る単位回路の構成を示す回路図である。
【図９】単位回路の駆動に関わる信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図１０】初期化期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１１】補償期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１２】第３実施形態に係る単位回路の構成を示す回路図である。
【図１３】初期化期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１４】第４実施形態に係る単位回路の様子を示す回路図である。
【図１５】初期化期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１６】補償期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１７】駆動期間における単位回路の様子を示す回路図である。
【図１８】本発明に係る電子機器の形態（パーソナルコンピュータ）を示す斜視図である。
【図１９】本発明に係る電子機器の形態（携帯電話機）を示す斜視図である。
【図２０】本発明に係る電子機器の形態（携帯情報端末）を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
Ｄ……電気光学装置、Ｕ……単位回路、１０……素子アレイ部、１１……電気光学素子、
１３……走査線、１３１〜１３５……第１制御線〜第５制御線、１５……データ線、１７
……給電線、Ｔdr……駆動トランジスタ、Ｔ1〜Ｔ5……トランジスタ、Ｃ1〜Ｃ3……容量
素子、Ｐres……初期化期間、Ｐcps……補償期間、Ｐwrt……書込期間、Ｐdrv……駆動期
間、Ｇa[i]，Ｇb[i]，Ｇc[i]，Ｇd[i]，Ｇe[i]……第１制御信号〜第５制御信号、Ｓ[j]
……データ信号。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、
第１電極と第２電極とを有する容量素子と、
前記ゲートと前記第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と、
書込期間において前記第２電極にデータ電圧を供給するデータ供給手段と、
前記書込期間にて前記第１スイッチング素子をオン状態に制御する一方、前記第２電極
に対するデータ電圧の供給によって設定された前記ゲートの電圧に応じて前記電気光学素
子が駆動される駆動期間において、前記第１スイッチング素子をオフ状態に制御する制御
手段と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２電極と前記データ供給手段がデータ電圧を供給するデータ線との間に設けられ
た第２スイッチング素子を具備し、
前記制御手段は、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を、各々
に対する共通の信号の供給によって制御する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に設けられた第３スイッチング素子を
具備し、
前記制御手段は、前記書込期間の開始前の補償期間にて前記第３スイッチング素子をオ
ン状態に制御し、前記書込期間および前記駆動期間にて前記第３スイッチング素子をオフ
状態に制御する
請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１スイッチング素子の一方の端子および前記第３スイッチング素子の一方の端子
は前記ゲートに接続されている
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記補償期間の開始前の初期化期間において、前記第１スイッチング
素子および前記第３スイッチング素子をオン状態に制御することで前記ゲートの電圧を初
期化する一方、前記補償期間において前記第１スイッチング素子をオン状態に制御する
請求項３または請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記電気光学素子に供給される駆動電流の経路と所定の電圧が供給される給電線との間
に設けられた第４スイッチング素子を具備し、
前記駆動トランジスタは、前記ゲートの電圧に応じて駆動電流を制御し、
前記制御手段は、前記補償期間の開始前の初期化期間において、前記第３スイッチング
素子および前記第４スイッチング素子をオン状態に制御する
請求項３から請求項５の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２電極と所定の電圧が供給される給電線との間に設けられた第５スイッチング素
子を具備し、
前記制御手段は、前記補償期間において前記第５スイッチング素子をオン状態に制御す
る
請求項３から請求項６の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記補償期間および前記駆動期間において前記第５スイッチング素子
をオン状態に制御する
請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
データ線に接続された複数の単位回路と、
前記複数の単位回路の各々を書込期間ごとに順番に選択する制御手段と、
各単位回路が選択される書込期間にて当該単位回路のデータ電圧を前記データ線に供給
するデータ供給手段とを具備する電気光学装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、
第１電極と第２電極とを有する容量素子と、
前記ゲートと前記第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と、
前記第２電極と前記データ線との間に設けられた第２スイッチング素子とを含み、
前記制御手段は、前記各単位回路を選択する書込期間において、当該単位回路の前記第
１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子をオン状態に制御し、前記第２電極
に対するデータ電圧の供給によって設定された前記ゲートの電圧に応じて当該単位回路の
前記電気光学素子が駆動される駆動期間において、当該単位回路の前記第１スイッチング
素子をオフ状態に制御する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
前記各単位回路は、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に設けられた第３
スイッチング素子を具備し、
前記制御手段は、前記複数の単位回路の各々について、当該単位回路を選択する書込期
間の開始前であって他の単位回路が選択される書込期間を含む補償期間において、前記第
２スイッチング素子をオフ状態に制御するとともに前記第３スイッチング素子をオン状態
に制御する
請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、
第１電極と第２電極とを有する容量素子と、
前記ゲートと前記第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と
を具備する電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。
【請求項１３】
ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの導
通状態に応じて駆動される電気光学素子と、第１電極と第２電極とを有する容量素子とを
具備する電気光学装置を制御する方法であって、
書込期間において、前記ゲートと前記第１電極とを電気的に接続するとともに前記第２
電極にデータ電圧を供給し、
前記第２電極に対するデータ電圧の供給によって設定された前記ゲートの電圧に応じて
前記電気光学素子が駆動される駆動期間において、前記ゲートと前記第１電極とを電気的
に切り離す
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１】
ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、
第１電極と第２電極とを有する容量素子と、
前記ゲートと前記第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と、
書込期間において前記第２電極にデータ電圧を供給するデータ供給手段と、
前記書込期間にて前記第１スイッチング素子をオン状態に制御する一方、前記第２電極
に対するデータ電圧の供給によって設定された前記ゲートの電圧に応じて前記電気光学素
子が駆動される駆動期間において、前記第１スイッチング素子をオフ状態に制御する制御
手段と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２電極と前記データ供給手段がデータ電圧を供給するデータ線との間に設けられ
た第２スイッチング素子を具備し、
前記制御手段は、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を、各々
に対する共通の信号の供給によって制御する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に設けられた第３スイッチング素子を
具備し、
前記制御手段は、前記書込期間の開始前の補償期間にて前記第３スイッチング素子をオ
ン状態に制御し、前記書込期間および前記駆動期間にて前記第３スイッチング素子をオフ
状態に制御する
請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１スイッチング素子の一方の端子および前記第３スイッチング素子の一方の端子
は前記ゲートに接続されている
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記補償期間の開始前の初期化期間において、前記第１スイッチング
素子および前記第３スイッチング素子をオン状態に制御することで前記ゲートの電圧を初
期化する一方、前記補償期間において前記第１スイッチング素子をオン状態に制御する
請求項３または請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記電気光学素子に供給される駆動電流の経路と所定の電圧が供給される給電線との間
に設けられた第４スイッチング素子を具備し、
前記駆動トランジスタは、前記ゲートの電圧に応じて駆動電流を制御し、
前記制御手段は、前記補償期間の開始前の初期化期間において、前記第３スイッチング
素子および前記第４スイッチング素子をオン状態に制御する
請求項３から請求項５の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２電極と所定の電圧が供給される給電線との間に設けられた第５スイッチング素
子を具備し、
前記制御手段は、前記補償期間において前記第５スイッチング素子をオン状態に制御す
る
請求項３から請求項６の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記補償期間および前記駆動期間において前記第５スイッチング素子
をオン状態に制御する
請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
データ線に接続された複数の単位回路と、
前記複数の単位回路の各々を書込期間ごとに順番に選択する制御手段と、
各単位回路が選択される書込期間にて当該単位回路のデータ電圧を前記データ線に供給
するデータ供給手段とを具備する電気光学装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、
第１電極と第２電極とを有する容量素子と、
前記ゲートと前記第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と、
前記第２電極と前記データ線との間に設けられた第２スイッチング素子とを含み、
前記制御手段は、前記各単位回路を選択する書込期間において、当該単位回路の前記第
１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子をオン状態に制御し、前記第２電極
に対するデータ電圧の供給によって設定された前記ゲートの電圧に応じて当該単位回路の
前記電気光学素子が駆動される駆動期間において、当該単位回路の前記第１スイッチング
素子をオフ状態に制御する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
前記各単位回路は、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に設けられた第３
スイッチング素子を具備し、
前記制御手段は、前記複数の単位回路の各々について、当該単位回路を選択する書込期
間の開始前であって他の単位回路が選択される書込期間を含む補償期間において、前記第
２スイッチング素子をオフ状態に制御するとともに前記第３スイッチング素子をオン状態
に制御する
請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、
第１電極と第２電極とを有する容量素子と、
前記ゲートと前記第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と
を具備する電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。
【請求項１３】
ゲートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの導
通状態に応じて駆動される電気光学素子と、第１電極と第２電極とを有する容量素子とを
具備する電気光学装置を制御する方法であって、
書込期間において、前記ゲートと前記第１電極とを電気的に接続するとともに前記第２
電極にデータ電圧を供給し、
前記第２電極に対するデータ電圧の供給によって設定された前記ゲートの電圧に応じて
前記電気光学素子が駆動される駆動期間において、前記ゲートと前記第１電極とを電気的
に切り離す
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２００７−２２５６５２（Ｐ２００７−２２５６５２Ａ）
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４３４８２（Ｐ２００６−４３４８２）
【出願日】平成１８年２月２１日（２００６．２．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月２１日（２００６．２．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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