電気光学装置及び電子機器
【課題】狭額縁化に適した電気光学装置を提供する。
【解決手段】複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。
【解決手段】複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素電極が形成された基板と共通電極との間に、有機発光材料を用いた発光素子を備えた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置が注目を集めている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、発光素子に電流が供給されることにより発光素子は発光する。その際、発光素子の輝度は基本的に供給される電流の電流量により決定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−３０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、発光素子の輝度は、基本的に供給される電流の電流量により決定されるため、電流量が所望の値となるよう、正確に設定する必要がある。
【０００６】
また、十分な電流量を確保しようとすると、電流を供給するための配線の幅が増大して、額縁領域が大きくなり、種々の電子機器に搭載する際に支障を来すことがある。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、十分な電流量を確保し、あるいは、電源電圧の変動による発光素子の輝度の変動を抑制することが第１の目的である。さらには、上記の要請を満たすとともに、狭額縁化を可能とすることができる発光装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
【０００９】
本発明の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記有効領域の外側において前記接続用配線に接続された電源線と、を含み、前記電極用配線の少なくとも一部分は第１配線層に設けられた第１導電膜からなり、前記電源線の少なくとも一部分は第２配線層に設けられた第２導電膜からなり、前記第１配線層と前記第２配線層とは、層間絶縁膜により互いに隔てられて形成されており、前記第１導電膜の少なくとも一部分と前記第２導電膜の少なくとも一部分とは、重なって配置されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第２導電膜は、前記第１導電膜と前記基板との間に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第２導電膜は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト部を介して前記接続用配線に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記接続用配線は、前記第２配線層に設けられた第３導電膜からなることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記能動素子は、トランジスタであり、前記トランジスタのゲート電極は、前記第１配線層に設けられた導電膜からなり、前記トランジスタのソース又はドレイン電極は、前記第２配線層に設けられた導電膜からなることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記機能層は、有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第１の電気光学装置は、複数の発光用電源配線が基板上の第１の層に配置され、発光用電源配線を対応する電極に接続させる複数の接続用配線が第１の層と電気的に絶縁された第２の層に配置された電気光学装置であって、複数の発光用電源配線のうち、最も外側に位置する発光用電源配線が第１の層及び第２の層の双方に設けられることを特徴とするものである。
【００１６】
最も外側に位置する発光用電源配線は、平面的には接続用配線と重ならないため、第２の層にも設けることができる。これにより、本発明では、第１の層及び第２の層に設けられた発光用電源配線を電気的に接続すれば、一層のみに設けた場合に比較して各層における発光用電源配線の幅を減ずることができる。従って、本発明では、発光用電源配線の幅が減少した分、パネルの額縁を小さくすることが可能になる。
【００１７】
上記の電気光学装置において、複数の発光用電源配線のうち、少なくとも、最も内側に位置する発光用電源配線に接続される接続用配線が第１の層に設けられることが好ましい。
【００１８】
最も内側に位置する発光用電源配線に接続される接続用配線は、この発光用電源配線以外とは重ならないため、第１の層に設けることが可能である。
【００１９】
そのため、本発明では、この接続用配線の幅分、第２の層に設けられた他の接続用配線を太くすることができ、接続用配線の製造を容易化できる。また、最も外側及び内側の発光用電源配線と接続用配線とのコンタクトが不要になり、コンタクト抵抗の依存性を小さくすることができる。
【００２０】
電極上には、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とが設けられる構成を採用可能である。
【００２１】
従って、本発明では、発光用電源配線及び接続用配線を介して電極に駆動電流を印加することにより発光する、小型でコンタクト抵抗依存性が小さいパネルを得ることができる。
【００２２】
本発明の第２の電気光学装置は、第１電極が基板上にマトリックス状に配置された第１電極領域の周囲に、前記第１電極に接続される発光用電源配線と、前記第１電極との間に機能層を挟む第２電極に接続される第２電極用配線とが配置された電気光学装置であって、前記発光用電源配線と前記第２電極用配線とは、平面視したときに少なくとも一部が互いに重なり合って配置されることを特徴とする。
【００２３】
上記の電気光学装置において、前記発光用電源配線と前記第２電極用配線との間には、層間絶縁層が配置されることが好ましい。これにより上記の電気光学装置において、発光用電源配線と第２電極用配線とが平面視で重なり合う分、これらの配線による専有面積を低減することができ、パネルの額縁を狭くすることが可能になる。また、発光用電源配線と第２電極用配線との少なくとも一部が重なることにより静電容量が形成されることになり、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定して行うことができる。
【００２４】
上記の電気光学装置において、発光用電源配線と第２電極用配線との間に層間絶縁層を配置することが好ましい。これにより、発光用電源配線と第２電極用配線とを絶縁することができる。
【００２５】
上記の電気光学装置において、発光用電源配線と第２電極用配線とのいずれか一方を他方が占有する領域内に配置する構成も採用可能である。
【００２６】
これにより、本発明では、発光用電源配線と第２電極用配線とのいずれか一方を配置する領域を、平面視で別途設ける必要がなくなり、狭額縁化に一層寄与できる。
【００２７】
機能層としては、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とが設けられる構成を採用可能である。
【００２８】
従って、本発明では、発光用電源配線を介して第１電極に駆動電流を印加することにより発光する、小型のパネルを得ることができる。
【００２９】
本発明の第３電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記電源線の少なくとも１部は、層間絶縁膜により隔てられた複数の導電膜と前記複数の導電膜を互いに電気的に接続する導電材料とにより形成されていることを特徴とする。
【００３０】
本発明の第４の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記電源線は、前記有効領域の外側に複数設けられており、前記電源線のうち、前記有効領域から最も離れた位置に設けられた電源線の少なくとも１部は、層間絶縁膜により隔てられた複数の導電膜と前記複数の導電膜を互いに電気的に接続する導電材料とにより形成されていることを特徴とする。
【００３１】
上記の電気光学装置のように電源線を多層化することにより、一層当たりの線幅を、電源線を一つの配線層のみで構成したときに比べ、減ずることができる。これにより、十分な電流量を確保しつつ、狭額縁化が可能となる。
【００３２】
本発明の第５の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記電源線は、前記有効領域の外側に複数設けられており、前記電源線のうち、前記有効領域に最も近い位置に設けられた電源線は、一つの配線層のみに設けられた導電膜により形成されていることを特徴とする。
【００３３】
本発明の第６の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極に能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記第１の電極と、前記有効領域に設けられた接続用配線を介して、前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記接続用配線の線幅は、当該接続用配線が接続する前記電源線の幅とは、異なっていることを特徴とする。
【００３４】
有効領域内においては、画素ピッチに応じて前記接続用配線の線幅を狭くする必要となる場合があるが、一方、前記接続用配線を介して画素に供給される電流量を十分に確保する必要がある。そこで、上記の電気光学装置においては、前記電源線の線幅を前記接続用配線の線幅より大とすることにより、画素ピッチに対応し、かつ、電流量の確保するということが可能となる。
【００３５】
本発明の第７の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極に能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記接続用配線の第１の部分の線幅と第２の部分の線幅とは、互いに異なっていることを特徴とする。
【００３６】
上記の電気光学装置において、前記第１の部分とは、例えば、前記接続用配線のうち、前記接続用配線が前記電源線と接続するコンタクト部近傍であり、前記第２の部分とは、例えば、前記第１の部分より前記有効領域に近いか、あるいは前記有効領域にある部分である。この場合、前記第１の部分の線幅は前記第２の部分の線幅より大とすることが好ましい。
このように、前記接続用配線のような同一の配線に線幅が互いに異なる部分を設けることにより、コンタクト部などにおける線幅や材質の差違等に由来する電圧降下や抵抗増加等による供給電流量の変動や不安定化を緩和することができる。
【００３７】
本発明の第８の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極に能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記接続用配線は複数設けられており、前記複数の接続用配線のうち、少なくとも１つは、異なる複数の配線層のそれぞれに設けられた導電膜及び前記導電膜を互いに接続する導電材料により構成されていることを特徴とする。
【００３８】
前記有効領域上では、前記接続用配線は、基本的に全て同一層に設けられていることが好ましい。一方、前記接続用配線の前記電源線とのコンタクト部近傍には、多数のコンタクト部も存在することが多いため、少なくとも前記接続用配線の前記電源線とのコンタクト部近傍では、前記接続用配線の全てを同一層に設けることは、限られた空間を有効利用には不利である。そこで、上記の電気光学装置のように、前記接続用配線のうち少なくとも１つを異なる配線層を利用して構成することにより、上述の２つの要請を満たすことができる。
【００３９】
本発明の第９の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記電極用配線の少なくとも１部分を構成する第１の導電膜と前記基板との間には、前記電源線の少なくとも１部分を構成する第２の導電膜が形成されており、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とは、層間絶縁膜により互いに隔てられて形成されており、前記第１の導電膜の少なくとも１部分と前記第２の導電膜の少なくとも１部分とは、重なって配置されていることを特徴とする。
【００４０】
上記の電気光学装置のように、前記電源線と前記電極用配線とを層間絶縁膜を介して積層することにより、額縁領域を減ずることができる。さらに、前記電源線と前記電極用配線との間に容量を形成することができるので、電圧変動の緩和という効果も奏する。
【００４１】
上記の電気光学装置において、前記第２の導電膜は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト部を介して前記接続用配線に接続されていることが好ましい。
【００４２】
上記の電気光学装置において、前記機能層は、有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていてもよい。
【００４３】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、表示装置の配線構造の平面模式図である。
【図２】第１実施形態の表示装置の平面模式図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ'線視断面図である。
【図４】図３に示した断面図の拡大図である。
【図５】第１実施形態におけるおける電源線及び各電源線に接続される接続用配線の拡大図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】第２実施形態の表示装置の平面模式図である。
【図１１】図１０におけるＡ−Ａ'線視断面図である。
【図１２】第２実施形態におけるおける電源線及び各電源線に接続される接続用配線の拡大図である。
【図１３】有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の一例を示す図であり、（ａ）は携帯電話、（ｂ）は腕時計型電子機器、（ｃ）は携帯型情報処理装置のそれぞれ斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
［第１実施形態］
以下、本発明の電気光学装置及び電子機器の実施形態を図１ないし図１０を参照して説明する。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００４６】
図１に本発明にかかる電気光学装置の配線構造の平面模式図を示す。
図１に示すように、本実施形態の表示装置（電気光学装置）１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数のデータ線１０２と、データ線１０２に並列に延びる複数の接続用配線９９とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及びデータ線１０２の交差部に対応して、画素領域Ａが設けられている。
【００４７】
データ線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路１０５が接続されている。更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介してデータ線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号が電圧としてゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３及び接続用配線９９（９９Ｒ、９９Ｇ、９９Ｂ）を介して電源線（発光用電源配線）１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と共通電極（陰極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と共通電極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００４８】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときのデータ線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３の導通状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から接続用配線９９と薄膜トランジスタ１２３とを介して画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して共通電極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００４９】
図２には本実施形態の電気光学装置の平面模式図を示す。
【００５０】
基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、基板２の中央に位置する表示領域（電極領域）２ａと、基板２の周縁に位置して有効領域２ａの外側に配置された非有効領域２ｂとに区画されている。有効領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子を備えた画素Ｒ、画素Ｇ、及び画素Ｂによって形成される領域であり、表示に実際に寄与する表示領域である。画素Ｒ、画素Ｇ、及び画素Ｂのそれぞれは、赤、緑、及び青の画素に対応している。
【００５１】
共通電極１２に接続される共通電極用配線１２ａは、有効領域２ａの外周をなす４辺のうち３辺を取り囲むようにコの字に形成されている。
【００５２】
電源線１０３は、有効領域２ａと共通電極用配線１２ａとの間に設けられている。電源線１０３Ｒ、電源線１０３Ｇ、及び電源線１０３Ｂはそれぞれ、図１に示した接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂを介して、画素Ｒ、画素Ｇ、及び画素Ｂに電源電圧を供給している。
【００５３】
電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂのうち、有効領域２ａから最も離れた位置にある電源線１０３Ｂは、２重配線構造を有しており、コンタクトホール１０３Ｂ3は、上下導通を行うために設けられている。
【００５４】
有効領域２ａと電源線１０３のうち有効領域２ａと最も近接した電源線１０３Ｒと有効領域２ａとの間には検査回路１０６が設けられている。この検査回路１０６は、製造過程や出荷時において、表示装置の品質、欠陥等の検査を行うために用いられる。
【００５５】
有効領域２ａに対して検査回路１０６の反対側の基板２の辺側には、駆動ＩＣ６を備えたフレキシブル基板５が取り付けられている。上述の共通電極用配線１２ａ及び電源線１０３は、ともに配線５ａを介して駆動ＩＣ６に接続されている。
【００５６】
基板２のフレキシブル基板５の取り付けられた辺側から、基板２の当該辺に対向する方向で、有効領域２ａと電源線１０３Ｒとの間の領域、及び有効領域２ａと電源線１０３Ｇとの間の領域には、それぞれ走査線駆動回路１０５が設けられている。走査線駆動回路１０５に制御信号及び電源電圧を供給するための制御駆動回路用制御信号配線１０５ａ及び駆動回路用電源配線１０５ｂが、走査線駆動回路１０５と電源線１０３Ｒとの間の領域、及び走査線駆動回路１０５と電源線１０３Ｇとの間の領域に設けられている。
【００５７】
図３には、図２におけるＡ−Ａ'断面模式図を示す。図３に示すように、有効領域２ａに対応して設けられた発光素子及びバンク部からなる発光素子部１１と基板２との間には能動素子層１４が備えられ、この能動素子層１４に前述の走査線、データ線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ１１２、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
【００５８】
また、能動素子層１４の非有効領域２ｂに対応して、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。非有効領域２ｂの一部をダミー領域２ｄとして使用している。ダミー領域２ｄは、主にインクジェットプロセスを用いて発光素子１１０を形成するのに先だって、発光素子を形成する材料の吐出量を安定化するために用いられる領域であって、言うなれば、試し打ちするための領域である。
【００５９】
前述の走査側駆動回路１０５、駆動回路用制御信号配線１０５ａ、及び駆動回路用電源配線１０５ｂは、ダミー領域２ｄの下方の能動素子層１４内に設けられている。図３には図示されていないが、検査回路１０６の上方にダミー領域２ｄを設けてもよい。
【００６０】
電源線１０３Ｒは、第１配線層１３５に設けられた導電膜を用いて形成されている。同様に電源線１０３Ｇも、第１配線層１３５に設けられた導電膜を用いて形成されている。それに対して、電源線１０３Ｂは、前述のように２重配線構造を有している。具体的には、第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成されている。上記の２つの導電膜の間には、第１層間絶縁膜１４４ａが設けられているとともに、第１層間絶縁膜１４４ａに設けられたコンタクトホール（図２に示したコンタクトホール１０３Ｂ3に対応）を介して上記の２つの導電膜は電気的に接続される。
【００６１】
共通電極用配線１２ａは、具体的には、第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成されている。
【００６２】
発光素子部１１上には封止部３により覆われている。この封止部３は、能動素子層１４上に設けられた封止樹脂６０３と、封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止樹脂６０３は、基板の外周に沿って配置されており、例えば、マイクロディスペンサ等により形成されたものである。この封止樹脂６０３は、能動素子層１４と封止缶６０４を接合するもので、能動素子層１４と封止基板６０４の間から発光素子部１１とにより形成された空間への水又は酸素の侵入を防いで、共通電極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の劣化を防止する。
【００６３】
封止基板６０４は、例えば、ガラス、プラスチック、金属等からなるもので、その内側には発光素子部１１を収納する凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が配置されており、封止基板６０４と発光素子部１１とにより形成された空間に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
【００６４】
共通電極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。
【００６５】
更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる共通電極１２等を保護するための保護層１５を設けても良い。
【００６６】
保護層１５は共通電極１２を覆うとともに、共通電極用配線１２ａと共通電極１２との接続部を保護している。さらに、保護層１５が封止樹脂６０３の下方まで延在しており、封止樹脂６０３と能動素子層１４との間に介在している構造となっている。
次に図４に、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図４には３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された能動素子層１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次積層されて構成されている。
【００６７】
この表示装置１においては、機能層１１０から基板２側に発した光が、能動素子層１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基板２の反対側に発した光が共通電極１２により反射されて、能動素子層１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。なお、共通電極１２として、透明な材料を用いることにより共通電極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、例えば、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にすることが好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
【００６８】
能動素子層１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ドレイン領域１４１ａ及びソース領域１４１ｂが高濃度Ｂイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｂが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００６９】
更に能動素子層１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
【００７０】
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のドレイン、ソース領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、ドレイン領域１４１ａは、コンタクトホール１４５を介して画素電極１１１に接続されている。また、ソース領域１４１ｂは、コンタクトホール１４６を介して接続用配線９９に接続されている。このようにして、能動素子層１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。尚、能動素子層１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図４ではこれらの図示を省略している。
【００７１】
次に図４に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１上の各々に積層された機能層１１０と、各機能層１１０を区画するバンク部１１２と、機能層１１０上に形成された共通電極１２とを主体として構成されている。これら画素電極１１１、機能層１１０及び共通電極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。バンク部１１２は、基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂとが積層されて構成されている。
【００７２】
無機物バンク層１１２ａ、有機物バンク層１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００７３】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。
【００７４】
この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図４に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図４に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
【００７５】
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料から形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましい。有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、データ線１０２、あるいは走査線１０１など、信号を供給する信号配線と共通電極１２とを十分離間することができるので信号配線と共通電極１２との間に生ずる寄生容量を減ずることができるので、信号の遅延、鈍り等の問題を軽減することができる。
【００７６】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタンを前駆物質とするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。尚、有機物バンク層は、フッ素ポリマーを含有する材料により形成しても良い。
【００７７】
機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。
【００７８】
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、共通電極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
【００７９】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
【００８０】
周縁部１１０ａ2が形成される場合においては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。
【００８１】
周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
【００８２】
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置されている。尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００８３】
次に共通電極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この共通電極１２が陰極である場合は、例えば、カルシウム層やアルミニウム層などの金属層が積層したものであってもよい。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と共通電極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。
【００８４】
尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。尚、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程度がよい。
【００８５】
図５は、有効領域２ａの上側領域における電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ及び各電源線に接続される接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、９９Ｂの拡大図である。接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは、第１配線層１３５及び第２配線層１３６に形成された導電膜を利用して構成されており、本実施形態では、有効領域２ａに最も近い位置にある電源線１０３Ｒに接続された接続用配線９９Ｒは、第１配線層１３５に設けられた導電膜により構成されており、有効領域２ａに最も遠い位置にある電源線１０３Ｂに接続された接続用配線９９Ｂは、第２配線層１３６に設けられた導電膜を利用して形成されている。電源線１０３Ｒと電源線１０３Ｂに挟まれた電源線１０３Ｇに接続された接続用配線９９Ｇは、第１層間絶縁膜１１４ａを貫通するコンタクト１００Ｇで電源線１０３Ｇに接続されている。コンタクト１００Ｇにおいて、第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜との導通が確保されている。
【００８６】
本実施形態では、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂを、第１配線層１３５及び第２配線層１３６を利用して形成しているので、１００Ｇなどのようなコンタクト部を可能な限り設けないようにしている。このように、コンタクト部を少なくすることにより、断線等の不具合を低減することができる。
接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは有効領域２ａに向かって略平行に延在しており、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂのそれぞれの、少なくとも１部分の幅を異ならせている。これは、安定的に電源電圧を供給するため、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂ、電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂの十分な線幅を確保しておくと同時に、有効領域２ａの画素のピッチに適合させて、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂのそれぞれの線幅を狭くしているためである。
【００８７】
なお、図３に示しているように、有効領域２ａ内では、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは基本的に、全て同一の配線層にある導電膜を利用して形成されていることが望ましく、本実施形態では、第２配線層１３６に設けられた導電膜を利用して形成されている。一方、接続用配線９９Ｒは、電源線１０３Ｒとのコンタクト部近傍では、図５に示したように第１配線層１３５を利用して形成されているので、接続用配線９９Ｒは、上記のコンタクト部から有効領域２ａに至る間の領域において、第１配線層１３５に設けられた導電膜から第２配線層１３６に設けられた導電膜への接続を行う必要がある。
【００８８】
次に本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
【００８９】
まず、図６ないし図８を参照して、基板２上に能動素子層１４を形成する方法について説明する。なお、図６ないし図８に示す各断面図は、図２中のＡ−Ａ'線に沿う断面に対応している。なお、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
【００９０】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２上に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層２ｃを形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層５０１とする。
【００９１】
次に図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層５０１をフォトリソグラフィ法によりパターニングして島状のシリコン層２４１，２５１及び２６１を形成し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１４２を形成する。
【００９２】
シリコン層２４１は、有効領域２ａに対応する位置に形成されて画素電極１１１に接続される薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記する場合がある）を構成するものであり、シリコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内のＰチャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する場合がある）をそれぞれ構成するものである。
【００９３】
ゲート絶縁層１４２の形成は、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、各シリコン層２４１、２５１、２６１及び下地保護層２ｃを覆う厚さ約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層１４２を形成する際には、シリコン層２４１，２５１及び２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１，２５１及び２６１は、不純物濃度が約１×１０17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００９４】
次に図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１、２６１の一部にイオン注入選択マスクＭ1を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、イオン注入選択マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入され、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓ及び２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄ及び２６１Ｄが形成される。
【００９５】
次に図６（ｄ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート絶縁層１４２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった厚さ約５００ｎｍ程度の金属膜を第１配線層１３５として形成し、更にこの金属膜をパターニングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２５２、画素用ＴＦＴのゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６２を形成する。また、上記パターニングにより、走査線駆動回路用信号配線１０５ａ、電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ，１０３Ｂ、接続用配線９９Ｒ、共通電極用配線１２ａの一部を同時に形成する。
【００９６】
更に、ゲート電極２４２，２５２及び２６２をマスクとし、シリコン層２４１，２５１及び２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２及び２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂ及び２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ及び２５１Ｄが形成される。
【００９７】
次に図７（ａ）に示すように、ゲート電極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択マスクＭ２を形成する。このイオン注入選択マスクＭ２を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、ゲート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる。
【００９８】
次に図７（ｂ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ２を除去した後に、基板２の全面に第１層間絶縁膜１４４ａを形成し、更にフォトリソグラフィ法により第１層間絶縁膜１４４ａをパターニングして、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに共通電極用配線１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ１を設ける。
【００９９】
次に図７（ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜１４４ａを覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００ｎｍ程度の導電層５０４を形成することにより、先に形成した孔Ｈ１にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホールを形成する。更に導電層５０４上にパターニング用マスクＭ３を形成する。
【０１００】
次に図８（ａ）に示すように、導電層５０４をパターニング用マスクＭ３によってパターニングし、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ドレイン電極２４４及び２５４、電源線１０３Ｂ、接続用配線９９Ｇ、９９Ｂ、走査線回路用電源配線１０５ｂ及び共通電極用配線１２ａを第２配線層１３６として形成する。
【０１０１】
次に図８（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜１４４ａを覆う第２層間絶縁膜１４４ｂを、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形成する。この第２層間絶縁膜１４４ｂは、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。
【０１０２】
次に図８（ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜１４４ｂのうち、画素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ２を形成する。このとき、同時に共通電極用配線１２ａ上の第２層間絶縁膜１４４ｂも除去する。このようにして、基板２上に能動素子層１４が形成される。
【０１０３】
次に、図９を参照して、能動素子層１４上に発光素子部１１を形成することにより表示装置１を得る手順について説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ'線に沿う断面に対応している。
【０１０４】
まず図９（ａ）に示すように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜を形成し、当該薄膜をパターニングすることにより、第２層間絶縁膜１４４ｂに設けた孔Ｈ２を埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに画素電極１１１及びダミー画素電極１１１'を形成する。画素電極１１１は、薄膜トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１'は島状に配置される。
【０１０５】
次に、図９（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１及びダミー画素電極１１１'上に無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１'を完全に覆うように形成する。無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機質膜を形成した後に、当該無機質膜をパターニングすることにより形成する。
【０１０６】
更に図９（ｂ）に示すように、無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａ上に、有機物バンク層１１２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを形成する。有機物バンク層は１１２ｂは、無機物バンク層１１２ａを介して画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂはダミー無機物バンク層２１２ａの一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上にバンク１１２を形成する。
【０１０７】
続いて、バンク１１２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施例においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的に該プラズマ処理工程は、画素電極１１１、無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１１２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも具備している。
【０１０８】
すなわち、バンク１１２を所定温度（例えば７０〜８０℃程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク１１２を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【０１０９】
更に、画素電極１１１上及びダミー無機物バンク層２１２ａ上にそれぞれ、機能層１１０並びにダミー機能層２１０をインクジェット法により形成する。機能層１１０並びにダミー機能層２１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することにより形成される。なお、この機能層１１０及びダミー機能層２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【０１１０】
次に、図９（ｃ）に示すように、バンク１１２及び機能層１１０並びにダミー機能層２１０を覆う共通電極１２を形成する。共通電極１２は、バンク１１２及び機能層１１０並びにダミー機能層２１０上に第１共通電極層１２ｂを形成した後に、第１共通電極層１２ｂを覆って基板２上の共通電極用配線１２ａに接続される第２共通電極層１２ｃを形成することにより得られる。
【０１１１】
最後に、基板２にエポキシ樹脂等の封止樹脂６０３を塗布し、この封止樹脂６０３を介して基板２に封止基板６０４を接合する。このようにして、図１〜図３に示すような表示装置１が得られる。
【０１１２】
このように、有効領域２ａに対して最も外側の電源線１０３Ｂは、他の電源線１０３Ｒ、１０３Ｇに接続する接続用配線９９Ｒ、９９Ｇと平面的に重ならないので、第１配線層１３５及び第２配線層１３６の双方に設けることが可能である。そのため、本実施の形態では、電源線１０３Ｂを第１配線層１３５及び第２配線層１３６のいずれか一方の層に設けた場合に比較して略半分の幅で形成することができ、電源線１０３Ｂの幅が減少した分、パネルの額縁を小さくすることができる。
【０１１３】
また、有効領域２ａに対して最も内側の電源線１０３Ｒに接続する接続用配線９９Ｒは、他の電源線１０３Ｇ、１０３Ｂと平面的に重ならないため、第１配線層１３５に形成することが可能である。そのため、本実施の形態では、接続用配線９９Ｒの幅分、第２配線層１３６に設けた接続用配線９９Ｇ、９９Ｂの幅を太くすることができ、マスクの製作等、表示装置の製造を容易化できる。さらに、本実施の形態では、電源線と接続用配線とを電気的に接続するためのコンタクトが１００Ｇの一カ所だけなので、コンタクト抵抗の依存性を低減することも可能になる。
【０１１４】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態について述べる。図１０に示した第２実施形態にかかる表示装置のレイアウトの、図２に示した第１実施形態のレイアウトとの主な相違点は、共通電極用配線１２ａの少なくとも１部分が、有効領域２ａの周囲に設けられた電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂのうち少なくとも一つの少なくとも１部分と平面視したときに重なる点である。共通電極用配線１２ａは、フレキシブル基板５が取り付けられた辺の側から、当該辺に対向する辺に向かって延在しており、基板２の外周をなす４辺のうち互いに対向する２辺と有効領域２ａとの間に、それぞれ設けられており、一方の共通電極用配線１２ａは、電源線１０３Ｒと重なって配置されており、他方の共通電極用配線１２ａは、１０３Ｇ及び１０３Ｂの少なくとも１部分と重なって配置されている。
【０１１５】
これに対応した断面図を図１１に示す。共通電極用配線１２ａは、第２配線層１３６に設けられた導電膜により構成されており、共通電極１２と接続されている。
【０１１６】
電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、及び１０３Ｂは、第２配線層１３６の下方の第１配線層１３５に設けられた導電膜により形成されている。共通電極用配線１２ａと電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、及び１０３Ｂとは第１層間絶縁層１４４ａにより隔てられており、電気的に絶縁されている。共通電極用配線１２ａと共通電極１２との接続には、例えば、ＩＴＯ等からなる導電層１２ｄが介在している。
【０１１７】
上述のように、共通電極用配線１２ａは電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂの少なくとも１部分が重なるように形成されているが、これにより、共通電極用配線１２ａと電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ及び１０３Ｂとの間に容量が形成され、電源電圧の変動を緩和され、電気光学素子の安定的な駆動が可能となる。
【０１１８】
電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、及び１０３Ｂは、有効領域２ａとフレキシブル基板が取り付けられた辺に対向する辺との間の領域で、図１２に示したように、それぞれ、コンタクト１００Ｒ、１００Ｇ、及び１００Ｂを介して接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂに接続されている。コンタクト１００Ｒ、１００Ｇ、及び１００Ｂにおいて、第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とが接続されている。接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは、第２配線層１３６に設けられた導電膜を用いて構成されている。接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂの線幅は、対応する電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、及び１０３Ｂの線幅よりも小さくなっている。
【０１１９】
なお、前述のように、有効領域２ａ内では、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは基本的に、全て同一の配線層にある導電膜を利用して形成されていることが望ましく、本実施形態では、第２配線層１３６に設けられた導電膜を利用して形成されている。一方、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは、第２配線層１３６に設けられた導電膜を利用して形成されている。したがって、図５に示した場合とは異なり、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは、コンタクト部から有効領域２ａに至る間の領域において、第１配線層１３５に設けられた導電膜から第２配線層１３６に設けられた導電膜への接続を行う必要は特にはない。
【０１２０】
次に、上記実施の形態の表示装置１を備えた電子機器の例について説明する。
【０１２１】
図１３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。
【０１２２】
図１３（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。
【０１２３】
図１３（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１３（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。
【０１２４】
なお、本発明の技術範囲は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【０１２５】
例えば、上記実施の形態では、電源線１０３Ｂを二層構造としたが、有効領域２ａに対して最も外側に配置されている電源線であれば、他の電源線であってもよい。また、第１配線層１３５と第２配線層１３６に設けられる電源線、接続用配線等を逆に配置する構成としてもよい。
【０１２６】
また、上記実施の形態では、発光素子部１１の構成として基板２側から画素電極１１１、正孔注入／輸送層１１０ａ、発光層１１０ｂ、共通電極１２の順序で形成するものとしたが、これに限定されるものではなく、逆の順序で配置する構成も採用可能である。さらに、上記実施の形態では、発光素子部１１の発光が透明基板２を介して外面側に出射される形式の例を用いて説明したが、発光素子部１１の発光が透明基板２と逆側から封止部３を介して出射される形式であっても適用可能である。この場合、上述したように優れた光透過性（透明性）を有する共通電極及び封止層を設ければよい。
【０１２７】
また、上記の実施形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層をストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配置構造を採用しても良い。例えばストライプ配置の他、モザイク配置や、デルタ配置とすることができる。
【０１２８】
以上説明したように、本発明では狭額縁化を実現した小型で、且つ製造が容易で高品質の電気光学装置及び電子機器を得ることができる。
【０１２９】
なお、上述の本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。
【符号の説明】
【０１３０】
１…表示装置（有機ＥＬ表示装置、電気光学装置）、２…基板、２ａ…有効領域（表示領域）、９９Ｒ，９９Ｇ，９９Ｂ…接続用配線、１０３，１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ…電源線（発光用電源配線）、１１０ａ…正孔注入／輸送層、１１０ｂ…発光層、１１１…画素電極（電極）、１３５…第１配線層（第１の層）、１３６…第２配線層（第２の層）、１４４ａ…第１層間絶縁膜（絶縁層）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素電極が形成された基板と共通電極との間に、有機発光材料を用いた発光素子を備えた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置が注目を集めている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、発光素子に電流が供給されることにより発光素子は発光する。その際、発光素子の輝度は基本的に供給される電流の電流量により決定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−３０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、発光素子の輝度は、基本的に供給される電流の電流量により決定されるため、電流量が所望の値となるよう、正確に設定する必要がある。
【０００６】
また、十分な電流量を確保しようとすると、電流を供給するための配線の幅が増大して、額縁領域が大きくなり、種々の電子機器に搭載する際に支障を来すことがある。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、十分な電流量を確保し、あるいは、電源電圧の変動による発光素子の輝度の変動を抑制することが第１の目的である。さらには、上記の要請を満たすとともに、狭額縁化を可能とすることができる発光装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
【０００９】
本発明の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記有効領域の外側において前記接続用配線に接続された電源線と、を含み、前記電極用配線の少なくとも一部分は第１配線層に設けられた第１導電膜からなり、前記電源線の少なくとも一部分は第２配線層に設けられた第２導電膜からなり、前記第１配線層と前記第２配線層とは、層間絶縁膜により互いに隔てられて形成されており、前記第１導電膜の少なくとも一部分と前記第２導電膜の少なくとも一部分とは、重なって配置されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第２導電膜は、前記第１導電膜と前記基板との間に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第２導電膜は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト部を介して前記接続用配線に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記接続用配線は、前記第２配線層に設けられた第３導電膜からなることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記能動素子は、トランジスタであり、前記トランジスタのゲート電極は、前記第１配線層に設けられた導電膜からなり、前記トランジスタのソース又はドレイン電極は、前記第２配線層に設けられた導電膜からなることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記機能層は、有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第１の電気光学装置は、複数の発光用電源配線が基板上の第１の層に配置され、発光用電源配線を対応する電極に接続させる複数の接続用配線が第１の層と電気的に絶縁された第２の層に配置された電気光学装置であって、複数の発光用電源配線のうち、最も外側に位置する発光用電源配線が第１の層及び第２の層の双方に設けられることを特徴とするものである。
【００１６】
最も外側に位置する発光用電源配線は、平面的には接続用配線と重ならないため、第２の層にも設けることができる。これにより、本発明では、第１の層及び第２の層に設けられた発光用電源配線を電気的に接続すれば、一層のみに設けた場合に比較して各層における発光用電源配線の幅を減ずることができる。従って、本発明では、発光用電源配線の幅が減少した分、パネルの額縁を小さくすることが可能になる。
【００１７】
上記の電気光学装置において、複数の発光用電源配線のうち、少なくとも、最も内側に位置する発光用電源配線に接続される接続用配線が第１の層に設けられることが好ましい。
【００１８】
最も内側に位置する発光用電源配線に接続される接続用配線は、この発光用電源配線以外とは重ならないため、第１の層に設けることが可能である。
【００１９】
そのため、本発明では、この接続用配線の幅分、第２の層に設けられた他の接続用配線を太くすることができ、接続用配線の製造を容易化できる。また、最も外側及び内側の発光用電源配線と接続用配線とのコンタクトが不要になり、コンタクト抵抗の依存性を小さくすることができる。
【００２０】
電極上には、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とが設けられる構成を採用可能である。
【００２１】
従って、本発明では、発光用電源配線及び接続用配線を介して電極に駆動電流を印加することにより発光する、小型でコンタクト抵抗依存性が小さいパネルを得ることができる。
【００２２】
本発明の第２の電気光学装置は、第１電極が基板上にマトリックス状に配置された第１電極領域の周囲に、前記第１電極に接続される発光用電源配線と、前記第１電極との間に機能層を挟む第２電極に接続される第２電極用配線とが配置された電気光学装置であって、前記発光用電源配線と前記第２電極用配線とは、平面視したときに少なくとも一部が互いに重なり合って配置されることを特徴とする。
【００２３】
上記の電気光学装置において、前記発光用電源配線と前記第２電極用配線との間には、層間絶縁層が配置されることが好ましい。これにより上記の電気光学装置において、発光用電源配線と第２電極用配線とが平面視で重なり合う分、これらの配線による専有面積を低減することができ、パネルの額縁を狭くすることが可能になる。また、発光用電源配線と第２電極用配線との少なくとも一部が重なることにより静電容量が形成されることになり、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定して行うことができる。
【００２４】
上記の電気光学装置において、発光用電源配線と第２電極用配線との間に層間絶縁層を配置することが好ましい。これにより、発光用電源配線と第２電極用配線とを絶縁することができる。
【００２５】
上記の電気光学装置において、発光用電源配線と第２電極用配線とのいずれか一方を他方が占有する領域内に配置する構成も採用可能である。
【００２６】
これにより、本発明では、発光用電源配線と第２電極用配線とのいずれか一方を配置する領域を、平面視で別途設ける必要がなくなり、狭額縁化に一層寄与できる。
【００２７】
機能層としては、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とが設けられる構成を採用可能である。
【００２８】
従って、本発明では、発光用電源配線を介して第１電極に駆動電流を印加することにより発光する、小型のパネルを得ることができる。
【００２９】
本発明の第３電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記電源線の少なくとも１部は、層間絶縁膜により隔てられた複数の導電膜と前記複数の導電膜を互いに電気的に接続する導電材料とにより形成されていることを特徴とする。
【００３０】
本発明の第４の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記電源線は、前記有効領域の外側に複数設けられており、前記電源線のうち、前記有効領域から最も離れた位置に設けられた電源線の少なくとも１部は、層間絶縁膜により隔てられた複数の導電膜と前記複数の導電膜を互いに電気的に接続する導電材料とにより形成されていることを特徴とする。
【００３１】
上記の電気光学装置のように電源線を多層化することにより、一層当たりの線幅を、電源線を一つの配線層のみで構成したときに比べ、減ずることができる。これにより、十分な電流量を確保しつつ、狭額縁化が可能となる。
【００３２】
本発明の第５の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記電源線は、前記有効領域の外側に複数設けられており、前記電源線のうち、前記有効領域に最も近い位置に設けられた電源線は、一つの配線層のみに設けられた導電膜により形成されていることを特徴とする。
【００３３】
本発明の第６の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極に能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記第１の電極と、前記有効領域に設けられた接続用配線を介して、前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記接続用配線の線幅は、当該接続用配線が接続する前記電源線の幅とは、異なっていることを特徴とする。
【００３４】
有効領域内においては、画素ピッチに応じて前記接続用配線の線幅を狭くする必要となる場合があるが、一方、前記接続用配線を介して画素に供給される電流量を十分に確保する必要がある。そこで、上記の電気光学装置においては、前記電源線の線幅を前記接続用配線の線幅より大とすることにより、画素ピッチに対応し、かつ、電流量の確保するということが可能となる。
【００３５】
本発明の第７の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極に能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記接続用配線の第１の部分の線幅と第２の部分の線幅とは、互いに異なっていることを特徴とする。
【００３６】
上記の電気光学装置において、前記第１の部分とは、例えば、前記接続用配線のうち、前記接続用配線が前記電源線と接続するコンタクト部近傍であり、前記第２の部分とは、例えば、前記第１の部分より前記有効領域に近いか、あるいは前記有効領域にある部分である。この場合、前記第１の部分の線幅は前記第２の部分の線幅より大とすることが好ましい。
このように、前記接続用配線のような同一の配線に線幅が互いに異なる部分を設けることにより、コンタクト部などにおける線幅や材質の差違等に由来する電圧降下や抵抗増加等による供給電流量の変動や不安定化を緩和することができる。
【００３７】
本発明の第８の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極に能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記接続用配線は複数設けられており、前記複数の接続用配線のうち、少なくとも１つは、異なる複数の配線層のそれぞれに設けられた導電膜及び前記導電膜を互いに接続する導電材料により構成されていることを特徴とする。
【００３８】
前記有効領域上では、前記接続用配線は、基本的に全て同一層に設けられていることが好ましい。一方、前記接続用配線の前記電源線とのコンタクト部近傍には、多数のコンタクト部も存在することが多いため、少なくとも前記接続用配線の前記電源線とのコンタクト部近傍では、前記接続用配線の全てを同一層に設けることは、限られた空間を有効利用には不利である。そこで、上記の電気光学装置のように、前記接続用配線のうち少なくとも１つを異なる配線層を利用して構成することにより、上述の２つの要請を満たすことができる。
【００３９】
本発明の第９の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、前記接続用配線と前記有効領域の外側で接続された電源線と、を含み、前記電極用配線の少なくとも１部分を構成する第１の導電膜と前記基板との間には、前記電源線の少なくとも１部分を構成する第２の導電膜が形成されており、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とは、層間絶縁膜により互いに隔てられて形成されており、前記第１の導電膜の少なくとも１部分と前記第２の導電膜の少なくとも１部分とは、重なって配置されていることを特徴とする。
【００４０】
上記の電気光学装置のように、前記電源線と前記電極用配線とを層間絶縁膜を介して積層することにより、額縁領域を減ずることができる。さらに、前記電源線と前記電極用配線との間に容量を形成することができるので、電圧変動の緩和という効果も奏する。
【００４１】
上記の電気光学装置において、前記第２の導電膜は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト部を介して前記接続用配線に接続されていることが好ましい。
【００４２】
上記の電気光学装置において、前記機能層は、有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていてもよい。
【００４３】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、表示装置の配線構造の平面模式図である。
【図２】第１実施形態の表示装置の平面模式図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ'線視断面図である。
【図４】図３に示した断面図の拡大図である。
【図５】第１実施形態におけるおける電源線及び各電源線に接続される接続用配線の拡大図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】第２実施形態の表示装置の平面模式図である。
【図１１】図１０におけるＡ−Ａ'線視断面図である。
【図１２】第２実施形態におけるおける電源線及び各電源線に接続される接続用配線の拡大図である。
【図１３】有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の一例を示す図であり、（ａ）は携帯電話、（ｂ）は腕時計型電子機器、（ｃ）は携帯型情報処理装置のそれぞれ斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
［第１実施形態］
以下、本発明の電気光学装置及び電子機器の実施形態を図１ないし図１０を参照して説明する。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００４６】
図１に本発明にかかる電気光学装置の配線構造の平面模式図を示す。
図１に示すように、本実施形態の表示装置（電気光学装置）１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数のデータ線１０２と、データ線１０２に並列に延びる複数の接続用配線９９とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及びデータ線１０２の交差部に対応して、画素領域Ａが設けられている。
【００４７】
データ線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路１０５が接続されている。更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介してデータ線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号が電圧としてゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３及び接続用配線９９（９９Ｒ、９９Ｇ、９９Ｂ）を介して電源線（発光用電源配線）１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と共通電極（陰極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と共通電極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００４８】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときのデータ線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３の導通状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から接続用配線９９と薄膜トランジスタ１２３とを介して画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して共通電極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００４９】
図２には本実施形態の電気光学装置の平面模式図を示す。
【００５０】
基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、基板２の中央に位置する表示領域（電極領域）２ａと、基板２の周縁に位置して有効領域２ａの外側に配置された非有効領域２ｂとに区画されている。有効領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子を備えた画素Ｒ、画素Ｇ、及び画素Ｂによって形成される領域であり、表示に実際に寄与する表示領域である。画素Ｒ、画素Ｇ、及び画素Ｂのそれぞれは、赤、緑、及び青の画素に対応している。
【００５１】
共通電極１２に接続される共通電極用配線１２ａは、有効領域２ａの外周をなす４辺のうち３辺を取り囲むようにコの字に形成されている。
【００５２】
電源線１０３は、有効領域２ａと共通電極用配線１２ａとの間に設けられている。電源線１０３Ｒ、電源線１０３Ｇ、及び電源線１０３Ｂはそれぞれ、図１に示した接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂを介して、画素Ｒ、画素Ｇ、及び画素Ｂに電源電圧を供給している。
【００５３】
電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂのうち、有効領域２ａから最も離れた位置にある電源線１０３Ｂは、２重配線構造を有しており、コンタクトホール１０３Ｂ3は、上下導通を行うために設けられている。
【００５４】
有効領域２ａと電源線１０３のうち有効領域２ａと最も近接した電源線１０３Ｒと有効領域２ａとの間には検査回路１０６が設けられている。この検査回路１０６は、製造過程や出荷時において、表示装置の品質、欠陥等の検査を行うために用いられる。
【００５５】
有効領域２ａに対して検査回路１０６の反対側の基板２の辺側には、駆動ＩＣ６を備えたフレキシブル基板５が取り付けられている。上述の共通電極用配線１２ａ及び電源線１０３は、ともに配線５ａを介して駆動ＩＣ６に接続されている。
【００５６】
基板２のフレキシブル基板５の取り付けられた辺側から、基板２の当該辺に対向する方向で、有効領域２ａと電源線１０３Ｒとの間の領域、及び有効領域２ａと電源線１０３Ｇとの間の領域には、それぞれ走査線駆動回路１０５が設けられている。走査線駆動回路１０５に制御信号及び電源電圧を供給するための制御駆動回路用制御信号配線１０５ａ及び駆動回路用電源配線１０５ｂが、走査線駆動回路１０５と電源線１０３Ｒとの間の領域、及び走査線駆動回路１０５と電源線１０３Ｇとの間の領域に設けられている。
【００５７】
図３には、図２におけるＡ−Ａ'断面模式図を示す。図３に示すように、有効領域２ａに対応して設けられた発光素子及びバンク部からなる発光素子部１１と基板２との間には能動素子層１４が備えられ、この能動素子層１４に前述の走査線、データ線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ１１２、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
【００５８】
また、能動素子層１４の非有効領域２ｂに対応して、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。非有効領域２ｂの一部をダミー領域２ｄとして使用している。ダミー領域２ｄは、主にインクジェットプロセスを用いて発光素子１１０を形成するのに先だって、発光素子を形成する材料の吐出量を安定化するために用いられる領域であって、言うなれば、試し打ちするための領域である。
【００５９】
前述の走査側駆動回路１０５、駆動回路用制御信号配線１０５ａ、及び駆動回路用電源配線１０５ｂは、ダミー領域２ｄの下方の能動素子層１４内に設けられている。図３には図示されていないが、検査回路１０６の上方にダミー領域２ｄを設けてもよい。
【００６０】
電源線１０３Ｒは、第１配線層１３５に設けられた導電膜を用いて形成されている。同様に電源線１０３Ｇも、第１配線層１３５に設けられた導電膜を用いて形成されている。それに対して、電源線１０３Ｂは、前述のように２重配線構造を有している。具体的には、第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成されている。上記の２つの導電膜の間には、第１層間絶縁膜１４４ａが設けられているとともに、第１層間絶縁膜１４４ａに設けられたコンタクトホール（図２に示したコンタクトホール１０３Ｂ3に対応）を介して上記の２つの導電膜は電気的に接続される。
【００６１】
共通電極用配線１２ａは、具体的には、第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成されている。
【００６２】
発光素子部１１上には封止部３により覆われている。この封止部３は、能動素子層１４上に設けられた封止樹脂６０３と、封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止樹脂６０３は、基板の外周に沿って配置されており、例えば、マイクロディスペンサ等により形成されたものである。この封止樹脂６０３は、能動素子層１４と封止缶６０４を接合するもので、能動素子層１４と封止基板６０４の間から発光素子部１１とにより形成された空間への水又は酸素の侵入を防いで、共通電極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の劣化を防止する。
【００６３】
封止基板６０４は、例えば、ガラス、プラスチック、金属等からなるもので、その内側には発光素子部１１を収納する凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が配置されており、封止基板６０４と発光素子部１１とにより形成された空間に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
【００６４】
共通電極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。
【００６５】
更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる共通電極１２等を保護するための保護層１５を設けても良い。
【００６６】
保護層１５は共通電極１２を覆うとともに、共通電極用配線１２ａと共通電極１２との接続部を保護している。さらに、保護層１５が封止樹脂６０３の下方まで延在しており、封止樹脂６０３と能動素子層１４との間に介在している構造となっている。
次に図４に、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図４には３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された能動素子層１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次積層されて構成されている。
【００６７】
この表示装置１においては、機能層１１０から基板２側に発した光が、能動素子層１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基板２の反対側に発した光が共通電極１２により反射されて、能動素子層１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。なお、共通電極１２として、透明な材料を用いることにより共通電極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、例えば、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にすることが好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
【００６８】
能動素子層１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ドレイン領域１４１ａ及びソース領域１４１ｂが高濃度Ｂイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｂが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００６９】
更に能動素子層１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
【００７０】
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のドレイン、ソース領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、ドレイン領域１４１ａは、コンタクトホール１４５を介して画素電極１１１に接続されている。また、ソース領域１４１ｂは、コンタクトホール１４６を介して接続用配線９９に接続されている。このようにして、能動素子層１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。尚、能動素子層１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図４ではこれらの図示を省略している。
【００７１】
次に図４に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１上の各々に積層された機能層１１０と、各機能層１１０を区画するバンク部１１２と、機能層１１０上に形成された共通電極１２とを主体として構成されている。これら画素電極１１１、機能層１１０及び共通電極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。バンク部１１２は、基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂとが積層されて構成されている。
【００７２】
無機物バンク層１１２ａ、有機物バンク層１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００７３】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。
【００７４】
この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図４に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図４に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
【００７５】
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料から形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましい。有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、データ線１０２、あるいは走査線１０１など、信号を供給する信号配線と共通電極１２とを十分離間することができるので信号配線と共通電極１２との間に生ずる寄生容量を減ずることができるので、信号の遅延、鈍り等の問題を軽減することができる。
【００７６】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタンを前駆物質とするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。尚、有機物バンク層は、フッ素ポリマーを含有する材料により形成しても良い。
【００７７】
機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。
【００７８】
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、共通電極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
【００７９】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
【００８０】
周縁部１１０ａ2が形成される場合においては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。
【００８１】
周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
【００８２】
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置されている。尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００８３】
次に共通電極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この共通電極１２が陰極である場合は、例えば、カルシウム層やアルミニウム層などの金属層が積層したものであってもよい。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と共通電極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。
【００８４】
尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。尚、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程度がよい。
【００８５】
図５は、有効領域２ａの上側領域における電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ及び各電源線に接続される接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、９９Ｂの拡大図である。接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは、第１配線層１３５及び第２配線層１３６に形成された導電膜を利用して構成されており、本実施形態では、有効領域２ａに最も近い位置にある電源線１０３Ｒに接続された接続用配線９９Ｒは、第１配線層１３５に設けられた導電膜により構成されており、有効領域２ａに最も遠い位置にある電源線１０３Ｂに接続された接続用配線９９Ｂは、第２配線層１３６に設けられた導電膜を利用して形成されている。電源線１０３Ｒと電源線１０３Ｂに挟まれた電源線１０３Ｇに接続された接続用配線９９Ｇは、第１層間絶縁膜１１４ａを貫通するコンタクト１００Ｇで電源線１０３Ｇに接続されている。コンタクト１００Ｇにおいて、第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜との導通が確保されている。
【００８６】
本実施形態では、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂを、第１配線層１３５及び第２配線層１３６を利用して形成しているので、１００Ｇなどのようなコンタクト部を可能な限り設けないようにしている。このように、コンタクト部を少なくすることにより、断線等の不具合を低減することができる。
接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは有効領域２ａに向かって略平行に延在しており、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂのそれぞれの、少なくとも１部分の幅を異ならせている。これは、安定的に電源電圧を供給するため、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂ、電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂの十分な線幅を確保しておくと同時に、有効領域２ａの画素のピッチに適合させて、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂのそれぞれの線幅を狭くしているためである。
【００８７】
なお、図３に示しているように、有効領域２ａ内では、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは基本的に、全て同一の配線層にある導電膜を利用して形成されていることが望ましく、本実施形態では、第２配線層１３６に設けられた導電膜を利用して形成されている。一方、接続用配線９９Ｒは、電源線１０３Ｒとのコンタクト部近傍では、図５に示したように第１配線層１３５を利用して形成されているので、接続用配線９９Ｒは、上記のコンタクト部から有効領域２ａに至る間の領域において、第１配線層１３５に設けられた導電膜から第２配線層１３６に設けられた導電膜への接続を行う必要がある。
【００８８】
次に本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
【００８９】
まず、図６ないし図８を参照して、基板２上に能動素子層１４を形成する方法について説明する。なお、図６ないし図８に示す各断面図は、図２中のＡ−Ａ'線に沿う断面に対応している。なお、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
【００９０】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２上に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層２ｃを形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層５０１とする。
【００９１】
次に図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層５０１をフォトリソグラフィ法によりパターニングして島状のシリコン層２４１，２５１及び２６１を形成し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１４２を形成する。
【００９２】
シリコン層２４１は、有効領域２ａに対応する位置に形成されて画素電極１１１に接続される薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記する場合がある）を構成するものであり、シリコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内のＰチャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する場合がある）をそれぞれ構成するものである。
【００９３】
ゲート絶縁層１４２の形成は、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、各シリコン層２４１、２５１、２６１及び下地保護層２ｃを覆う厚さ約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層１４２を形成する際には、シリコン層２４１，２５１及び２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１，２５１及び２６１は、不純物濃度が約１×１０17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００９４】
次に図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１、２６１の一部にイオン注入選択マスクＭ1を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、イオン注入選択マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入され、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓ及び２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄ及び２６１Ｄが形成される。
【００９５】
次に図６（ｄ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート絶縁層１４２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった厚さ約５００ｎｍ程度の金属膜を第１配線層１３５として形成し、更にこの金属膜をパターニングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２５２、画素用ＴＦＴのゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６２を形成する。また、上記パターニングにより、走査線駆動回路用信号配線１０５ａ、電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ，１０３Ｂ、接続用配線９９Ｒ、共通電極用配線１２ａの一部を同時に形成する。
【００９６】
更に、ゲート電極２４２，２５２及び２６２をマスクとし、シリコン層２４１，２５１及び２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２及び２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂ及び２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ及び２５１Ｄが形成される。
【００９７】
次に図７（ａ）に示すように、ゲート電極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択マスクＭ２を形成する。このイオン注入選択マスクＭ２を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、ゲート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる。
【００９８】
次に図７（ｂ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ２を除去した後に、基板２の全面に第１層間絶縁膜１４４ａを形成し、更にフォトリソグラフィ法により第１層間絶縁膜１４４ａをパターニングして、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに共通電極用配線１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ１を設ける。
【００９９】
次に図７（ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜１４４ａを覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００ｎｍ程度の導電層５０４を形成することにより、先に形成した孔Ｈ１にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホールを形成する。更に導電層５０４上にパターニング用マスクＭ３を形成する。
【０１００】
次に図８（ａ）に示すように、導電層５０４をパターニング用マスクＭ３によってパターニングし、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ドレイン電極２４４及び２５４、電源線１０３Ｂ、接続用配線９９Ｇ、９９Ｂ、走査線回路用電源配線１０５ｂ及び共通電極用配線１２ａを第２配線層１３６として形成する。
【０１０１】
次に図８（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜１４４ａを覆う第２層間絶縁膜１４４ｂを、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形成する。この第２層間絶縁膜１４４ｂは、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。
【０１０２】
次に図８（ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜１４４ｂのうち、画素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ２を形成する。このとき、同時に共通電極用配線１２ａ上の第２層間絶縁膜１４４ｂも除去する。このようにして、基板２上に能動素子層１４が形成される。
【０１０３】
次に、図９を参照して、能動素子層１４上に発光素子部１１を形成することにより表示装置１を得る手順について説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ'線に沿う断面に対応している。
【０１０４】
まず図９（ａ）に示すように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜を形成し、当該薄膜をパターニングすることにより、第２層間絶縁膜１４４ｂに設けた孔Ｈ２を埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに画素電極１１１及びダミー画素電極１１１'を形成する。画素電極１１１は、薄膜トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１'は島状に配置される。
【０１０５】
次に、図９（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１及びダミー画素電極１１１'上に無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１'を完全に覆うように形成する。無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機質膜を形成した後に、当該無機質膜をパターニングすることにより形成する。
【０１０６】
更に図９（ｂ）に示すように、無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａ上に、有機物バンク層１１２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを形成する。有機物バンク層は１１２ｂは、無機物バンク層１１２ａを介して画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂはダミー無機物バンク層２１２ａの一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上にバンク１１２を形成する。
【０１０７】
続いて、バンク１１２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施例においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的に該プラズマ処理工程は、画素電極１１１、無機物バンク層１１２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１１２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも具備している。
【０１０８】
すなわち、バンク１１２を所定温度（例えば７０〜８０℃程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク１１２を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【０１０９】
更に、画素電極１１１上及びダミー無機物バンク層２１２ａ上にそれぞれ、機能層１１０並びにダミー機能層２１０をインクジェット法により形成する。機能層１１０並びにダミー機能層２１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することにより形成される。なお、この機能層１１０及びダミー機能層２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【０１１０】
次に、図９（ｃ）に示すように、バンク１１２及び機能層１１０並びにダミー機能層２１０を覆う共通電極１２を形成する。共通電極１２は、バンク１１２及び機能層１１０並びにダミー機能層２１０上に第１共通電極層１２ｂを形成した後に、第１共通電極層１２ｂを覆って基板２上の共通電極用配線１２ａに接続される第２共通電極層１２ｃを形成することにより得られる。
【０１１１】
最後に、基板２にエポキシ樹脂等の封止樹脂６０３を塗布し、この封止樹脂６０３を介して基板２に封止基板６０４を接合する。このようにして、図１〜図３に示すような表示装置１が得られる。
【０１１２】
このように、有効領域２ａに対して最も外側の電源線１０３Ｂは、他の電源線１０３Ｒ、１０３Ｇに接続する接続用配線９９Ｒ、９９Ｇと平面的に重ならないので、第１配線層１３５及び第２配線層１３６の双方に設けることが可能である。そのため、本実施の形態では、電源線１０３Ｂを第１配線層１３５及び第２配線層１３６のいずれか一方の層に設けた場合に比較して略半分の幅で形成することができ、電源線１０３Ｂの幅が減少した分、パネルの額縁を小さくすることができる。
【０１１３】
また、有効領域２ａに対して最も内側の電源線１０３Ｒに接続する接続用配線９９Ｒは、他の電源線１０３Ｇ、１０３Ｂと平面的に重ならないため、第１配線層１３５に形成することが可能である。そのため、本実施の形態では、接続用配線９９Ｒの幅分、第２配線層１３６に設けた接続用配線９９Ｇ、９９Ｂの幅を太くすることができ、マスクの製作等、表示装置の製造を容易化できる。さらに、本実施の形態では、電源線と接続用配線とを電気的に接続するためのコンタクトが１００Ｇの一カ所だけなので、コンタクト抵抗の依存性を低減することも可能になる。
【０１１４】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態について述べる。図１０に示した第２実施形態にかかる表示装置のレイアウトの、図２に示した第１実施形態のレイアウトとの主な相違点は、共通電極用配線１２ａの少なくとも１部分が、有効領域２ａの周囲に設けられた電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂのうち少なくとも一つの少なくとも１部分と平面視したときに重なる点である。共通電極用配線１２ａは、フレキシブル基板５が取り付けられた辺の側から、当該辺に対向する辺に向かって延在しており、基板２の外周をなす４辺のうち互いに対向する２辺と有効領域２ａとの間に、それぞれ設けられており、一方の共通電極用配線１２ａは、電源線１０３Ｒと重なって配置されており、他方の共通電極用配線１２ａは、１０３Ｇ及び１０３Ｂの少なくとも１部分と重なって配置されている。
【０１１５】
これに対応した断面図を図１１に示す。共通電極用配線１２ａは、第２配線層１３６に設けられた導電膜により構成されており、共通電極１２と接続されている。
【０１１６】
電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、及び１０３Ｂは、第２配線層１３６の下方の第１配線層１３５に設けられた導電膜により形成されている。共通電極用配線１２ａと電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、及び１０３Ｂとは第１層間絶縁層１４４ａにより隔てられており、電気的に絶縁されている。共通電極用配線１２ａと共通電極１２との接続には、例えば、ＩＴＯ等からなる導電層１２ｄが介在している。
【０１１７】
上述のように、共通電極用配線１２ａは電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂの少なくとも１部分が重なるように形成されているが、これにより、共通電極用配線１２ａと電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ及び１０３Ｂとの間に容量が形成され、電源電圧の変動を緩和され、電気光学素子の安定的な駆動が可能となる。
【０１１８】
電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、及び１０３Ｂは、有効領域２ａとフレキシブル基板が取り付けられた辺に対向する辺との間の領域で、図１２に示したように、それぞれ、コンタクト１００Ｒ、１００Ｇ、及び１００Ｂを介して接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂに接続されている。コンタクト１００Ｒ、１００Ｇ、及び１００Ｂにおいて、第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とが接続されている。接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは、第２配線層１３６に設けられた導電膜を用いて構成されている。接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂの線幅は、対応する電源線１０３Ｒ、１０３Ｇ、及び１０３Ｂの線幅よりも小さくなっている。
【０１１９】
なお、前述のように、有効領域２ａ内では、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは基本的に、全て同一の配線層にある導電膜を利用して形成されていることが望ましく、本実施形態では、第２配線層１３６に設けられた導電膜を利用して形成されている。一方、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは、第２配線層１３６に設けられた導電膜を利用して形成されている。したがって、図５に示した場合とは異なり、接続用配線９９Ｒ、９９Ｇ、及び９９Ｂは、コンタクト部から有効領域２ａに至る間の領域において、第１配線層１３５に設けられた導電膜から第２配線層１３６に設けられた導電膜への接続を行う必要は特にはない。
【０１２０】
次に、上記実施の形態の表示装置１を備えた電子機器の例について説明する。
【０１２１】
図１３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。
【０１２２】
図１３（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。
【０１２３】
図１３（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１３（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。
【０１２４】
なお、本発明の技術範囲は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【０１２５】
例えば、上記実施の形態では、電源線１０３Ｂを二層構造としたが、有効領域２ａに対して最も外側に配置されている電源線であれば、他の電源線であってもよい。また、第１配線層１３５と第２配線層１３６に設けられる電源線、接続用配線等を逆に配置する構成としてもよい。
【０１２６】
また、上記実施の形態では、発光素子部１１の構成として基板２側から画素電極１１１、正孔注入／輸送層１１０ａ、発光層１１０ｂ、共通電極１２の順序で形成するものとしたが、これに限定されるものではなく、逆の順序で配置する構成も採用可能である。さらに、上記実施の形態では、発光素子部１１の発光が透明基板２を介して外面側に出射される形式の例を用いて説明したが、発光素子部１１の発光が透明基板２と逆側から封止部３を介して出射される形式であっても適用可能である。この場合、上述したように優れた光透過性（透明性）を有する共通電極及び封止層を設ければよい。
【０１２７】
また、上記の実施形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層をストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配置構造を採用しても良い。例えばストライプ配置の他、モザイク配置や、デルタ配置とすることができる。
【０１２８】
以上説明したように、本発明では狭額縁化を実現した小型で、且つ製造が容易で高品質の電気光学装置及び電子機器を得ることができる。
【０１２９】
なお、上述の本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。
【符号の説明】
【０１３０】
１…表示装置（有機ＥＬ表示装置、電気光学装置）、２…基板、２ａ…有効領域（表示領域）、９９Ｒ，９９Ｇ，９９Ｂ…接続用配線、１０３，１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ…電源線（発光用電源配線）、１１０ａ…正孔注入／輸送層、１１０ｂ…発光層、１１１…画素電極（電極）、１３５…第１配線層（第１の層）、１３６…第２配線層（第２の層）、１４４ａ…第１層間絶縁膜（絶縁層）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、
前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、
前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、
前記有効領域の外側において前記接続用配線に接続された電源線と、を含み、
前記電極用配線の少なくとも一部分は第１配線層に設けられた第１導電膜からなり、
前記電源線の少なくとも一部分は第２配線層に設けられた第２導電膜からなり、
前記第１配線層と前記第２配線層とは、層間絶縁膜により互いに隔てられて形成されており、
前記第１導電膜の少なくとも一部分と前記第２導電膜の少なくとも一部分とは、重なって配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第２導電膜は、前記第１導電膜と前記基板との間に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記第２導電膜は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト部を介して前記接続用配線に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記接続用配線は、前記第２配線層に設けられた第３導電膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記能動素子は、トランジスタであり、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１配線層に設けられた導電膜からなり、
前記トランジスタのソース又はドレイン電極は、前記第２配線層に設けられた導電膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記機能層は、有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、
前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、
前記第１の電極と能動素子を介して接続され、少なくとも前記有効領域に設けられた接続用配線と、
前記有効領域の外側において前記接続用配線に接続された電源線と、を含み、
前記電極用配線の少なくとも一部分は第１配線層に設けられた第１導電膜からなり、
前記電源線の少なくとも一部分は第２配線層に設けられた第２導電膜からなり、
前記第１配線層と前記第２配線層とは、層間絶縁膜により互いに隔てられて形成されており、
前記第１導電膜の少なくとも一部分と前記第２導電膜の少なくとも一部分とは、重なって配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第２導電膜は、前記第１導電膜と前記基板との間に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記第２導電膜は、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト部を介して前記接続用配線に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記接続用配線は、前記第２配線層に設けられた第３導電膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記能動素子は、トランジスタであり、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１配線層に設けられた導電膜からなり、
前記トランジスタのソース又はドレイン電極は、前記第２配線層に設けられた導電膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記機能層は、有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−８９５３４（Ｐ２０１２−８９５３４Ａ）
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２７００６（Ｐ２０１２−２７００６）
【出願日】平成２４年２月１０日（２０１２．２．１０）
【分割の表示】特願２０１１−１６５１４２（Ｐ２０１１−１６５１４２）の分割
【原出願日】平成１５年６月２日（２００３．６．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月１０日（２０１２．２．１０）
【分割の表示】特願２０１１−１６５１４２（Ｐ２０１１−１６５１４２）の分割
【原出願日】平成１５年６月２日（２００３．６．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]