電気回路及びパルス電源
【課題】第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流せるようにする。
【解決手段】パルス電源１０Ａは、第１の回路１２と、第２の回路１４と、これら第１及び第２の回路１２及び１４を結合するトランス１６と、スイッチングコントローラ１８とを有する。第２の回路１４は、トランス１６の二次巻線２２と直列に接続された第３の半導体スイッチＳＷ３を有する。この第３の半導体スイッチＳＷ３は、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間において、第２の回路１４に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されている。この第３の半導体スイッチＳＷ３のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの制御信号Ｓｐをパルス成形してパルス信号Ｐｃとして出力するゲートアンプ３６が接続されている。
【解決手段】パルス電源１０Ａは、第１の回路１２と、第２の回路１４と、これら第１及び第２の回路１２及び１４を結合するトランス１６と、スイッチングコントローラ１８とを有する。第２の回路１４は、トランス１６の二次巻線２２と直列に接続された第３の半導体スイッチＳＷ３を有する。この第３の半導体スイッチＳＷ３は、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間において、第２の回路１４に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されている。この第３の半導体スイッチＳＷ３のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの制御信号Ｓｐをパルス成形してパルス信号Ｐｃとして出力するゲートアンプ３６が接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる電気回路と、該電気回路を利用し、第２の回路から高電圧パルスを発生することができるパルス電源と、正極性のパルスと負極性のパルスとを連続して出力することができるパルス電源とに関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、高電圧パルスの放電によるプラズマにより、脱臭、殺菌、成膜、有害ガスの分解等を行う技術が適応されるようになってきたが（例えば特許文献１及び非特許文献１参照）、プラズマによる処理を効率よく行うためには、高電圧の極めて幅の狭いパルスを供給することが必要であることがわかってきている（例えば非特許文献２参照）。
【０００３】
また、例えば特許文献２に示すようなパルス電源が提案されている。このパルス電源１００は、図２９に示すように、直流電源部１０２の両端にインダクタ１０４、第１の半導体スイッチ１０６及び第２の半導体スイッチ１０８を直列に接続し、第１の半導体スイッチ１０６のアノード端子に一端が接続された前記インダクタ１０４の他端にカソード、前記第１の半導体スイッチ１０６のゲート端子にアノードとなるようにダイオード１１０を接続した極めて簡単な回路である。
【０００４】
そして、第２の半導体スイッチ１０８をオンすることにより、第１の半導体スイッチ１０６も導通し、インダクタ１０４に直流電源部１０２の電圧が印加され、該インダクタ１０４に誘導エネルギーが蓄積される。その後、第２の半導体スイッチ１０８をオフさせると、第１の半導体スイッチ１０６も急速にターンオフするため、インダクタ１０４に非常に急峻に立ち上がる極めて幅の狭い高電圧パルスＰｏが発生し、出力端子１１２及び１１４より高電圧パルスＰｏを取り出すことができる。
【０００５】
このパルス電源１００によれば、高電圧が印加される半導体スイッチを複数個使用することなく、簡単な回路構成で、急峻な立ち上がり時間と極めて狭いパルス幅を有する高電圧パルスＰｏを供給することができる。
【０００６】
【特許文献１】特許第２６４９３４０号公報
【特許文献２】特開２００２−３５９９７９号公報
【非特許文献１】応用物理，第６１巻，第１０号，１９９２，ｐ．１０３９〜１０４３，「高電圧パルス放電化学気相成長法によるアモルファスシリコン系薄膜の作製」
【非特許文献２】IEEE TRANSACTION ON PLASMIC SCIENCE,VOL.28,NO.2,APRIL 2000,p.434〜442，「Improvement of NOx Removal Efficiency Using Short-Width Pulsed Power」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、図２９に示すようなパルス電源においては、二次側に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流せるようにすることが望まれている。
【０００８】
また、図２９に示すようなパルス電源においては、出力端子にそれぞれ電極を接続し、さらに、これら電極を反応器に収容してプラズマ反応を起こさせるようにしているが、インダクタに電磁エネルギーを蓄積する期間（充電期間）において、インダクタに誘起される電圧（誘起電圧）が二次側に接続された負荷（例えば反応器内の電極）に印加され、反応器内でアーク放電が発生するおそれがある。アーク放電が発生すると、インダクタの一次側回路（主回路）に過電流が流れ、各種半導体スイッチに悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００９】
また、電界を変化させて、電子を加速することによってプラズマを発生するために用いられるパルス電源では、低電圧によって高い電位差を発生させるために、極性が逆のパルス、すなわち、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して出力する方式が採用されている。
【００１０】
この方式による従来のパルス電源２００は、例えば図３０に示すように、直流電源２０２と、該直流電源２０２の両端に直列接続された第１のスイッチ２０４及び第２のスイッチ２０６と、前記直流電源２０２の両端に直列接続された第３のスイッチ２０８及び第４のスイッチ２１０と、第１のスイッチ２０４と第２のスイッチ２０６との接点ａ１と第３のスイッチ２０８及び第４のスイッチ２１０との接点ａ２との間に一次巻線２１２が接続されたトランス２１４とを有する。つまり、ブリッジ構成となっている。出力電圧Ｖｏｕｔはトランス２１４の二次巻線２１６の両端から取り出されるようになっている。
【００１１】
そして、例えば第２のスイッチ２０６と第３のスイッチ２０８をオンすることで、図３１に示すように、二次巻線２１６の両端からは負極性の電圧が出力され、所定時間後、第２のスイッチ２０６と第３のスイッチ２０８をオフするとことで負極性のパルス２１８が生成される。また、第１のスイッチ２０４と第４のスイッチ２１０をターンオンすることで、二次巻線２１６の両端からは正極性の電圧が出力され、所定時間後、第１のスイッチ２０４と第４のスイッチ２１０をターンオフすることで負極性のパルス２２０が出力されることになる。
【００１２】
しかし、この従来例に係るパルス電源２００は、ブリッジを組むことから、４つのスイッチ２０４、２０６、２０８及び２１０を使用する必要があり、部品点数が多くなるという不都合がある。これは、サイズの大型化、コストの高価格化を招く。
【００１３】
しかも、上述したように、二次側において、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流せるようにすることや、充電期間において、反応器内の電極に誘起電圧が印加されないようにすることが必要である。
【００１４】
また、アプリケーションの適正条件に応じて、正極性のパルスのパルス幅と、負極性のパルスのパルス幅を独立に変えることができるようにすることが必要である。
【００１５】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる電気回路及びパルス電源を提供することを目的とする。
【００１６】
また、本発明の他の目的は、第１の回路での充電期間において、第２の回路に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができるパルス電源を提供することにある。
【００１７】
また、本発明の他の目的は、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスのパルス幅と、負極性のパルスのパルス幅を独立に変えることができるパルス電源を提供することを目的とする。
【００１８】
また、本発明の他の目的は、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、二次側に急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができるパルス電源を提供することを目的とする。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、一次側での充電期間において、二次側に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができるパルス電源を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明に係る電気回路は、第１の半導体スイッチを有する第１の回路と、前記第１の半導体スイッチのターンオフに基づいて転流を行う第２の回路とを具備し、前記第２の回路は、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、逆バイアス下においてオン状態とされる第２の半導体スイッチを有することを特徴とする。
【００２１】
これにより、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００２２】
そして、前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する制御回路を有するようにしてもよい。
【００２３】
あるいは、前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１の回路に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路を有するようにしてもよい。
【００２４】
また、本発明に係るパルス電源は、電力源と第１の半導体スイッチとを有する第１の回路と、前記第１の半導体スイッチのターンオフに基づいて転流を行い、高電圧パルスを発生する第２の回路とを具備し、前記第２の回路は、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、逆バイアス下においてオン状態とされる第２の半導体スイッチを有することを特徴とする。
【００２５】
これにより、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００２６】
そして、前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する制御回路を有するようにしてもよい。
【００２７】
あるいは、前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１の回路に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路を有するようにしてもよい。
【００２８】
また、前記構成において、前記第１の回路と前記第２の回路がトランスを介して結合され、前記第１の回路に前記トランスの一次巻線が接続され、前記第２の回路に前記トランスの二次巻線が接続され、前記第２の半導体スイッチは、前記二次巻線に直列に、且つ、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間において、前記第２の回路に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されていてもよい。
【００２９】
これにより、第１の回路での充電期間において、第２の回路に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００３０】
また、本発明に係るパルス電源は、第１のインダクタに対する第１の誘導エネルギーの蓄積と、前記第１のインダクタからの前記第１の誘導エネルギーの解放に伴う第１のパルスの発生と、第２のインダクタに対する第２の誘導エネルギーの蓄積と、前記第２のインダクタからの前記第２の誘導エネルギーの解放に伴う前記第１のパルスとは逆極性の第２のパルスの発生とを行うことを特徴とする。
【００３１】
これにより、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスのパルス幅と、負極性のパルスのパルス幅を独立に変えることができる。その結果、高電圧パルスの放電によるプラズマ処理の各種アプリケーションの適正条件に応じたパルスの発生が可能となり、成膜速度やガス分解効率の向上を図ることができる。これは、パルス電源の汎用性の向上につながる。
【００３２】
そして、上述の発明に係るパルス電源の具体的構成として、直流電源と、前記第１のインダクタの一次巻線と前記第２のインダクタの一次巻線との接点と前記直流電源との間に接続され、且つ、前記接点に向けて電流を流す整流素子と、前記整流素子からの電流を前記接点から前記第１のインダクタに向けて流すように制御する第１のスイッチ回路と、前記整流素子からの電流を前記接点から前記第２のインダクタに向けて流すように制御する第２のスイッチ回路とを有するようにしてもよい。
【００３３】
また、前記構成において、前記第１のスイッチ回路は、前記第１のインダクタと前記直流電源との間に接続され、前記直流電源からの電流を前記接点から前記第１のインダクタに向けて流す第１の半導体スイッチと、前記第１の半導体スイッチのオン／オフを制御する第２の半導体スイッチと、前記第２の半導体スイッチのオン／オフを制御する第１の制御回路とを有し、前記第２のスイッチ回路は、前記第２のインダクタと前記直流電源との間に接続され、前記直流電源からの電流を前記接点から前記第２のインダクタに向けて流す第３の半導体スイッチと、前記第３の半導体スイッチのオン／オフを制御する第４の半導体スイッチと、前記第４の半導体スイッチのオン／オフを制御する第２の制御回路とを有するようにしてもよい。
【００３４】
また、前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、ゼロ電流の状況下においてオン状態とされる第５の半導体スイッチを有し、前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、ゼロ電流の状況下においてオン状態とされる第６の半導体スイッチを有するようにしてもよい。これにより、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、二次側に急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００３５】
この場合、前記第５及び第６の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第５の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第３の制御回路と、前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第６の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第４の制御回路とを有するようにしてもよい。
【００３６】
あるいは、前記第５及び第６の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第５の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１のインダクタに流れる電流をオン信号として供給する第１の回路と、前記第６の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第２のインダクタに流れる電流をオン信号として供給する第２の回路とを有するようにしてもよい。
【００３７】
また、前記構成において、前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第１のインダクタの二次巻線に発生する電圧による逆バイアス下においてオン状態とされる第７の半導体スイッチと、前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第２のインダクタの二次巻線に発生する電圧による逆バイアス下においてオン状態とされる第８の半導体スイッチとを有するようにしてもよい。これにより、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、一次側での充電期間において、二次側に接続された負荷に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００３８】
この場合、前記第７及び第８の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第７の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第５の制御回路と、前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第８の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第６の制御回路とを有するようにしてもよい。
【００３９】
あるいは、前記第７及び第８の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第７の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１のインダクタの一次巻線に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路と、前記第８の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第２のインダクタの一次巻線に流れる電流をオン信号として供給する第４の回路とを有するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００４０】
以上説明したように、本発明に係る電気回路によれば、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００４１】
また、本発明に係るパルス電源によれば、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００４２】
また、本発明に係るパルス電源によれば、第１の回路での充電期間において、第２の回路に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００４３】
また、本発明に係るパルス電源によれば、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスのパルス幅と、負極性のパルスのパルス幅を独立に変えることができる。
【００４４】
また、本発明に係るパルス電源によれば、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、二次側に急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００４５】
また、本発明に係るパルス電源によれば、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、一次側での充電期間において、二次側に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明に係る電気回路及びパルス電源を各種パルス電源に適用した実施の形態例を図１〜図２８を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａは、図１に示すように、第１の回路１２と、第２の回路１４と、これら第１及び第２の回路１２及び１４を結合するトランス１６と、スイッチングコントローラ１８とを有する。第１の回路１２にトランス１６の一次巻線２０が接続され、第２の回路１４にトランス１６の二次巻線２２が接続され、該二次巻線２２の両端から出力が取り出されるようになっている。二次巻線２２の両端には負荷２４が接続されている。負荷２４としては、例えば抵抗負荷や容量性負荷（放電ギャップ等）が用いられる。
【００４８】
第１の回路１２は、直流電源（電源電圧＝Ｅ）２６と、一次巻線２０の他方の端子３０と直流電源２６の−端子との間に接続され、且つ、直流電源２６からの電流を一次巻線２０に向けて流す第１の半導体スイッチＳＷ１と、該第１の半導体スイッチＳＷ１のオン／オフを制御する第２の半導体スイッチＳＷ２とを有する。
【００４９】
第１の半導体スイッチＳＷ１は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第１の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【００５０】
第１の半導体スイッチＳＷ１は、ゲート端子と直流電源２６の＋端子との間に、ダイオードＤ１と第１の抵抗Ｒ１との並列回路３２が接続されている。ダイオードＤ１は、そのアノード端子が第１の半導体スイッチＳＷ１のゲート端子に接続され、カソード端子が直流電源２６の＋端子に接続されている。
【００５１】
第２の半導体スイッチＳＷ２は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第１の実施の形態では、アバランシェ形ダイオードが逆並列で内蔵された例えばｎチャネル型の電力用金属酸化半導体電界効果トランジスタを使用している。
【００５２】
第２の半導体スイッチＳＷ２は、ソース端子が直流電源２６の−端子に接続され、ドレイン端子が第１の半導体スイッチＳＷ１のカソード端子に接続されている。
【００５３】
第２の半導体スイッチＳＷ２のゲート端子には、スイッチングコントローラ１８からのスイッチング制御信号Ｓｃを増幅して前記ゲート端子に供給するドライバ回路３４が接続されている。
【００５４】
一方、第２の回路１４は、トランス１６の二次巻線２２と直列に接続された第３の半導体スイッチＳＷ３を有する。この第３の半導体スイッチＳＷ３は、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間において、第２の回路１４に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されている。
【００５５】
第３の半導体スイッチＳＷ３は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第１の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【００５６】
そして、この第３の半導体スイッチＳＷ３のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの制御信号Ｓｐをパルス成形してパルス信号Ｐｃとして出力するゲートアンプ３６が接続されている。
【００５７】
ここで、第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａの回路動作、特に、二次巻線２２の両端に接続される負荷２４として一対の電極３８ａ及び３８ｂを有する放電ギャップを用いた場合の回路動作について、図１〜図４の回路図と図５の波形図とを参照しながら説明する。
【００５８】
なお、直流電源２６の電圧をＥ（Ｖ）、トランス１６の巻線比（一次巻線２０の巻数／二次巻線２２の巻数）を１／ｎ１とする。また、トランス１６の一次インダクタンス（励磁インダクタンス）をＬｅｘとする。
【００５９】
まず、モード０（初期状態）においては、図１に示すように、全てのスイッチがオフ状態となっている。
【００６０】
その後、図５の時点ｔ０において、第２の半導体スイッチＳＷ２のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃが供給され、第２の半導体スイッチＳＷ２がオフからオンになる（図５参照）。
【００６１】
時点ｔ０で第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオンすると、モード１（充電期間）に入り、図２に示すように、直流電源２６→抵抗Ｒ１→第１の半導体スイッチＳＷ１のゲート端子→第１の半導体スイッチＳＷ１のカソード端子→第２の半導体スイッチＳＷ２の経路４０で電流が流れ、第１の半導体スイッチＳＷ１がターンオンする。これにより、トランス１６の一次巻線２０には、Ｖｉ１＝＋Ｅ（Ｖ）が印加され、直流電源２６→一次巻線２０→第１の半導体スイッチＳＷ１→第２の半導体スイッチＳＷ２の経路４２で電流Ｉｉが流れる。電流Ｉｉは、勾配（Ｅ／Ｌｅｘ）で時間の経過に伴って直線状に正方向に増加し（図５参照）、一次巻線２０に電磁エネルギーが充電される。
【００６２】
そして、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとなっている期間Ｔｗにおいて、二次巻線２２の両端には、一定の正極性の電圧Ｖ１が誘起される。この二次巻線２２の両端に誘起される電圧Ｖ１のレベルはｎ１・Ｅ（Ｖ）である（図５参照）。
【００６３】
また、前記期間Ｔｗの最終段階において、スイッチングコントローラ１８の制御によってゲートアンプ３６からパルス信号Ｐｃが出力され、これによって、第３の半導体スイッチＳＷ３にゲート電流が流れ、該第３の半導体スイッチＳＷ３がオン状態となる。期間Ｔｗの最終段階としては、例えば第３の半導体スイッチＳＷ３に対してゲート電流を流すことによって第３の半導体スイッチＳＷ３が完全にオン状態となる期間Ｔｃを見越した時点ｔａ等が挙げられる（図５参照）。
【００６４】
但し、第３の半導体スイッチＳＷ３は、アノード−カソード間が二次巻線２２の両端に誘起された正極性の電圧（誘起電圧）Ｖ１によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４の一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ１に基づく負極性の電圧（−Ｖ１：図５において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第３の半導体スイッチＳＷ３によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【００６５】
一次巻線２０を流れる電流Ｉｉは、時点ｔ１でＩｉｐ（＝Ｅ・Ｔｗ／Ｌｅｘ）となり、所望の電磁エネルギー（＝Ｌｅｘ・Ｉｉｐ2／２）が得られると、スイッチングコントローラ１８を通じて低レベルのスイッチング制御信号Ｓｃが供給され、これにより、第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオフする（図５参照）。
【００６６】
時点ｔ１において、第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオフすると、モード２（転流期間）に入り、図３に示すように、第１の回路１２では、一次巻線２０→第１の半導体スイッチＳＷ１→ダイオードＤ１の経路４４で電流が流れ、第１の半導体スイッチＳＷ１がオフへ移行を始める。また、同時に、一次巻線２０に充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流が流れ出す（経路４６参照）。このとき、第３の半導体スイッチＳＷ３には第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオフする前から十分なゲート電流が流れてオン状態となっているため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。その後、第１の半導体スイッチＳＷ１は完全なオフ状態に至る。
【００６７】
第１の半導体スイッチＳＷ１が完全にオフ状態になると、モード３（放電期間）に入り、図４に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏが上昇し、正電圧値（Ｖｏｐ）をピーク（放電開始電圧）とした正極性のパルスＰｏが出力され（図５参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この正極性のパルスＰｏの立ち上がりの傾きは、トランス１６の励磁インダクタンス（Ｌｅｘ）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。
【００６８】
なお、二次巻線２２の両端には、前記出力電圧Ｖｏとは逆極性の電圧、すなわち、負電圧値（Ｖ１ｐ）をピークとした負極性のパルスＰ１が誘起される。
【００６９】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖｏｐに達すると、該出力電圧Ｖｏは急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図１に示すモード０（初期状態）となる。この一連の動作が繰り返されることで、正極性の高電圧パルスＰｏが連続して出力されることになる。
【００７０】
また、正極性のパルスＰｏのパルス幅Ｔｐ１は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定される。一般に共振周波数が低いほどパルス幅Ｔｐ１は大きくなる。
【００７１】
なお、直流電源２６の電圧Ｅを１００Ｖ、励磁インダクタンスＬｅｘを１０（μＨ）、トランス１６の巻線比を１／（５〜１０）としたとき、一次巻線２０を流れる電流Ｉｉのピーク値Ｉｉｐはほぼ１００（Ａ）、出力電圧Ｖｏのピーク値（Ｖｏｐ）は数〜３０（ｋＶ）、第２の回路１４を流れる出力電流Ｉｏのピーク値（Ｉｏｐ）は数〜数１０（Ａ）である。また、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとなっている時間（時点ｔ０から時点ｔ１までの時間Ｔｗ）は約１０μｓｅｃである。
【００７２】
このように、第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａにおいては、第２の回路１４に、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間Ｔｗの少なくとも最終段階において、逆バイアス下においてオン状態とされる第３の半導体スイッチＳＷ３を接続するようにしたので、第１の回路１２から第２の回路１４に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。
【００７３】
しかも、第１の実施の形態では、第３の半導体スイッチＳＷ３を、トランス１６の二次巻線２２に直列に、且つ、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間Ｔｗにおいて、二次巻線２２に誘起される電圧Ｖ１が逆バイアスとなる方向に接続するようにしたので、第１の回路１２での充電期間Ｔｗにおいて、一対の電極３８ａ及び３８ｂに対して二次巻線２２での誘起電圧Ｖ１が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００７４】
次に、第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ｂについて図６〜図１０を参照しながら説明する。
【００７５】
この第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ｂは、図６に示すように、上述した第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、第１の回路１２におけるトランス１６の一次巻線２０と第１の半導体スイッチＳＷ１のアノード端子間の導体に変流器５０を取り付け、該変流器５０の出力端子をそれぞれ第３の半導体スイッチＳＷ３のゲート端子とカソード端子に接続した点で異なる。
【００７６】
ここで、第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ｂの回路動作について、図６〜図９の回路図と図１０の波形図とを参照しながら説明する。
【００７７】
まず、モード０（初期状態）においては、図６に示すように、全てのスイッチがオフ状態となっている。
【００７８】
その後、図１０の時点ｔ０において、第２の半導体スイッチＳＷ２のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃが供給され、第２の半導体スイッチＳＷ２がオフからオンになる（図１０参照）。
【００７９】
時点ｔ０で第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオンすると、モード１（充電期間）に入り、図７に示すように、直流電源２６→抵抗Ｒ１→第１の半導体スイッチＳＷ１のゲート端子→第１の半導体スイッチＳＷ１のカソード端子→第２の半導体スイッチＳＷ２の経路４０で電流が流れ、第１の半導体スイッチＳＷ１がターンオンする。これにより、トランス１６の一次巻線２０には、直流電源２６の電圧Ｅが印加され、直流電源２６→一次巻線２０→第１の半導体スイッチＳＷ１→第２の半導体スイッチＳＷ２の経路４２で電流Ｉｉが流れ、一次巻線２０に電磁エネルギーが充電される。そして、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとなっている期間Ｔｗにおいて、二次巻線２２の両端には、一定の正極性の電圧Ｖ１が誘起される。
【００８０】
また、前記電流Ｉｉが流れることによって、変流器５０を通じて第３の半導体スイッチＳＷ３にゲート電流Ｉｇが流れ、該第３の半導体スイッチＳＷ３がオン状態となる。但し、第３の半導体スイッチＳＷ３は、アノード−カソード間が二次巻線２２の両端に誘起された正極性の電圧Ｖ１によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ１に基づく負極性の電圧（−Ｖ１：図１０において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第３の半導体スイッチＳＷ３によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【００８１】
時点ｔ１において、第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオフすると、モード２（転流期間）に入り、図８に示すように、第１の回路１２では、一次巻線２０→第１の半導体スイッチＳＷ１→ダイオードＤ１の経路４４で電流が流れ、第１の半導体スイッチＳＷ１がオフへ移行を始める。また、同時に、一次巻線２０に充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流が流れ出す（経路４６参照）。このとき、第３の半導体スイッチＳＷ３には事前に十分なゲート電流Ｉｇが流れていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。その後、第１の半導体スイッチＳＷ１は完全なオフ状態に至る。
【００８２】
第１の半導体スイッチＳＷ１が完全にオフ状態になると、モード３（放電期間）に入り、図９に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏが上昇し、正電圧値（Ｖｏｐ）をピーク（放電開始電圧）とした正極性のパルスＰｏが出力され、出力電流Ｉｏは減少する。この正極性のパルスＰｏの立ち上がりの傾きは、トランス１６の励磁インダクタンス（Ｌｅｘ）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。
【００８３】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖｏｐに達すると、該出力電圧Ｖｏは急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図６に示すモード０（初期状態）となる。この一連の動作が繰り返されることで、正極性の高電圧パルスＰｏが連続して出力されることになる。
【００８４】
ここで、正極性のパルスＰｏのパルス幅Ｔｐ１は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定される。一般に共振周波数が低いほどパルス幅Ｔｐ１は大きくなる。
【００８５】
このように、第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ｂにおいては、上述した第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａと同様に、第１の回路１２から第２の回路１４に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。しかも、第１の回路１２での充電期間Ｔｗにおいて、一対の電極３８ａ及び３８ｂに対して二次巻線２２での誘起電圧Ｖ１が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００８６】
特に、この第２の実施の形態では、第１の回路１２に変流器５０を取り付けるだけで、第３の半導体スイッチＳＷ３のオン状態を制御することができるため、回路構成の簡略化を図ることができ、パルス電源１０Ｂのコストの低廉化、サイズの小型化を促進させることができる。
【００８７】
次に、第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃについて図１１〜図１９を参照しながら説明する。
【００８８】
この第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃは、上述した第１及び第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ａ及び１０Ｂと異なり、正極性の高電圧パルスと負極性の高電圧パルスを交互に、かつ、連続して出力させることができる。
【００８９】
具体的には、この第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃは、図１１に示すように、第１の回路１２と、第２の回路１４と、これら第１及び第２の回路１２及び１４を結合する２つのトランス（第１のトランス１６Ａ及び第２のトランス１６Ｂ）と、スイッチングコントローラ１８と第１１のダイオードＤ１１とを有する。
【００９０】
第１の回路１２に第１及び第２のトランス１６Ａ及び１６Ｂの各一次巻線（第１の一次巻線２０Ａ及び第２の一次巻線２０Ｂ）が接続され、第２の回路１４に第１及び第２のトランス１６Ａ及び１６Ｂの各二次巻線（第１の二次巻線２２Ａ及び第２の二次巻線２２Ｂ）が接続されている。そして、第２の回路１４の出力端子から出力が取り出されるようになっている。出力端子には負荷２４が接続されている。負荷２４としては、例えば抵抗負荷や容量性負荷（放電ギャップ等）が用いられる。
【００９１】
第１の回路１２は、直流電源（電源電圧＝Ｅ）２６と、第１の一次巻線２０Ａと第２の一次巻線２０Ｂとの接点６０と直流電源２６の＋端子との間に順方向接続された前記第１１のダイオードＤ１１と、第１の一次巻線２０Ａと直流電源２６の−端子との間に接続され、且つ、直流電源２６からの電流を第１の一次巻線２０Ａに向けて流す第１１の半導体スイッチＳＷ１１と、該第１１の半導体スイッチＳＷ１１のオン／オフを制御する第１２の半導体スイッチＳＷ１２と、第２の一次巻線２０Ｂと直流電源２６の−端子との間に接続され、且つ、直流電源２６からの電流を第２の一次巻線２０Ｂに向けて流す第１３の半導体スイッチＳＷ１３と、該第１３の半導体スイッチＳＷ１３のオン／オフを制御する第１４の半導体スイッチＳＷ１４とを有する。
【００９２】
第１及び第３の半導体スイッチＳＷ１１及びＳＷ１３は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第３の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【００９３】
第１１の半導体スイッチＳＷ１１は、ゲート端子と第１１のダイオードＤ１１のアノード端子との間に、第１２のダイオードＤ１２と第１１の抵抗Ｒ１１との並列回路３２Ａが接続されている。第１２のダイオードＤ１２は、そのアノード端子が第１１の半導体スイッチＳＷ１１のゲート端子に接続され、カソード端子が第１１のダイオードＤ１１のアノード端子に接続される。
【００９４】
第１３の半導体スイッチＳＷ１３は、ゲート端子と第１１のダイオードＤ１１のアノード端子との間に、第１３のダイオードＤ１３と第１２の抵抗Ｒ１２との並列回路３２Ｂが接続されている。第１３のダイオードＤ１３は、そのアノード端子が第１３の半導体スイッチＳＷ１３のゲート端子に接続され、カソード端子が第１１のダイオードＤ１１のアノード端子に接続される。
【００９５】
第１２及び第１４の半導体スイッチＳＷ１２及びＳＷ１４は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第３の実施の形態では、アバランシェ形ダイオードが逆並列で内蔵された例えばｎチャネル型の電力用金属酸化半導体電界効果トランジスタを使用している。
【００９６】
第１２の半導体スイッチＳＷ１２は、ソース端子が直流電源２６の−端子に接続され、ドレイン端子が第１１の半導体スイッチＳＷ１１のカソード端子に接続されている。
【００９７】
第１４の半導体スイッチＳＷ１４は、ソース端子が直流電源２６の−端子に接続され、ドレイン端子が第１３の半導体スイッチＳＷ１３のカソード端子に接続されている。
【００９８】
第１２の半導体スイッチＳＷ１２のゲート端子には、スイッチングコントローラ１８からの第１のスイッチング制御信号Ｓｃ１を増幅して前記ゲート端子に供給する第１のドライバ回路３４Ａが接続されている。第１４の半導体スイッチＳＷ１４のゲート端子には、スイッチングコントローラ１８からの第２のスイッチング制御信号Ｓｃ２を増幅して前記ゲート端子に供給する第２のドライバ回路３４Ｂが接続されている。
【００９９】
また、この第１の回路１２は、第１１のダイオードＤ１１のカソード端子と第１３の半導体スイッチＳＷ１３のアノード端子との間に第１５の半導体スイッチＳＷ１５が接続され、第１１のダイオードＤ１１のカソード端子と第１１の半導体スイッチＳＷ１１のアノード端子との間に第１６の半導体スイッチＳＷ１６が接続されている。
【０１００】
第１５の半導体スイッチＳＷ１５は、第１４の半導体スイッチＳＷ１４及び第１３の半導体スイッチＳＷ１３がオンとされている期間において、直流電源２６の電源電圧Ｅが逆バイアスとなる方向に接続され、第１６の半導体スイッチＳＷ１６は、第１２の半導体スイッチＳＷ１２及び第１１の半導体スイッチＳＷ１１がオンとされている期間において、直流電源２６の電源電圧Ｅが逆バイアスとなる方向に接続されている。
【０１０１】
すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子が第１１のダイオードＤ１１のカソード端子を向くように接続され、同様に、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子が第１１のダイオードＤ１１のカソード端子を向くように接続されている。
【０１０２】
第１５及び第１６の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１６は自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第３の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【０１０３】
そして、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの第１の制御信号Ｓｐ１をパルス成形して第１のパルス信号Ｐｃ１として出力する第１のゲートアンプ３６Ａが接続され、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの第２の制御信号Ｓｐ２をパルス成形して第２のパルス信号Ｐｃ２として出力する第２のゲートアンプ３６Ｂが接続されている。
【０１０４】
一方、第２の回路１４は、第１の二次巻線２２Ａと第２の二次巻線２２Ｂとの間に、２つの半導体スイッチ（第１７の半導体スイッチＳＷ１７及び第１８の半導体スイッチＳＷ１８）が互いに方向を逆にして、かつ、並列に接続された並列回路６２が接続されている。
【０１０５】
第１７の半導体スイッチＳＷ１７は、第１２の半導体スイッチＳＷ１２及び第１１の半導体スイッチＳＷ１１がオンとされている期間において、第１の二次巻線２２Ａに誘起される電圧が逆バイアスとなる方向に接続され、第１８の半導体スイッチＳＷ１８は、第１４の半導体スイッチＳＷ１４及び第１３の半導体スイッチＳＷ１３がオンとされている期間において、第２の二次巻線２２Ｂに誘起される電圧が逆バイアスとなる方向に接続されている。
【０１０６】
すなわち、第１の二次巻線２２Ａの一方の端子６４ａが第２の回路１４の一方の出力端子（一方の電極３８ａ）に接続され、第２の二次巻線２２Ｂの一方の端子６６ａが第２の回路１４の他方の出力端子（他方の電極３８ｂ）に接続されている場合に、第１７の半導体スイッチＳＷ１７は、カソード端子が第１の二次巻線２２Ａの他方の端子６４ｂに接続され、アノード端子が第２の二次巻線２２Ｂの他方の端子６６ｂに接続される。同様に、第１８の半導体スイッチＳＷ１８は、カソード端子が第２の二次巻線２２Ｂの他方の端子６６ｂに接続され、アノード端子が第１の二次巻線２２Ａの他方の端子６４ｂに接続される。
【０１０７】
第１７及び第１８の半導体スイッチＳＷ１７及びＳＷ１８は自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第３の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【０１０８】
そして、第１７の半導体スイッチＳＷ１７のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの第３の制御信号Ｓｐ３をパルス成形して第３のパルス信号Ｐｃ３として出力する第３のゲートアンプ３６Ｃが接続され、第１８の半導体スイッチＳＷ１８のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの第４の制御信号Ｓｐ４をパルス成形して第４のパルス信号Ｐｃ４として出力する第４のゲートアンプ３６Ｄが接続されている。
【０１０９】
ここで、第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃの回路動作について、図１１の回路図と、図１２〜図１７の動作説明図と、図１８及び図１９の波形図とを参照しながら説明する。
【０１１０】
なお、直流電源２６の電圧をＥ（Ｖ）、第１のトランス１６Ａの巻線比（第１の一次巻線２０Ａの巻数／第１の二次巻線２２Ａの巻数）を１／ｎ１とし、第２のトランス１６Ｂの巻線比（第２の一次巻線２０Ｂの巻数／第２の二次巻線２２Ｂの巻数）を１／ｎ２とする。また、第１のトランス１６Ａの一次インダクタンス（励磁インダクタンス）をＬｅｘ１、第２のトランス１６Ｂの一次インダクタンス（励磁インダクタンス）をＬｅｘ２とする。
【０１１１】
まず、モード０（初期状態）においては、図１１に示すように、全てのスイッチがオフ状態となっている。
【０１１２】
その後、図１８の時点ｔ０において、第１２の半導体スイッチＳＷ１２のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ１が供給され、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオフからオンになる。
【０１１３】
時点ｔ０で第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオンすると、モード１（充電期間）に入り、図１２に示すように、直流電源２６→第１１の抵抗Ｒ１１→第１１の半導体スイッチＳＷ１１のゲート端子→第１１の半導体スイッチＳＷ１１のカソード端子→第１２の半導体スイッチＳＷ１２の経路４０Ａで電流が流れ、第１１の半導体スイッチＳＷ１１がターンオンする。これにより、第１のトランス１６Ａの第１の一次巻線２０Ａには、Ｖｉ１＝Ｅ（Ｖ）が印加され、直流電源２６→第１の一次巻線２０Ａ→第１１の半導体スイッチＳＷ１１→第１２の半導体スイッチＳＷ１２の経路４２Ａで電流Ｉ１（＝Ｉ２）が流れる。電流Ｉ１は、勾配（Ｅ／Ｌｅｘ１）で時間の経過に伴って直線状に正方向に増加し（図１８参照）、第１の一次巻線２０Ａに電磁エネルギーが充電される。
【０１１４】
そして、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオンとなっている期間Ｔｗ１において、第１の二次巻線２２Ａの両端には、一定の正極性の電圧Ｖ１が誘起される。この第１の二次巻線２２Ａの両端に誘起される電圧Ｖ１のレベルはｎ１・Ｅ（Ｖ）である（図１９参照）。
【０１１５】
また、前記期間Ｔｗ１の最終段階において、スイッチングコントローラ１８の制御によって、第１及び第３のゲートアンプ３６Ａ及び３６Ｃからパルス信号Ｐｃ１及びＰｃ３が出力され、これによって、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７に第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れ、これら第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７がそれぞれオン状態となる。期間Ｔｗ１の最終段階としては、例えば第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７に対して第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３を流すことによって第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７が完全にオン状態となる期間Ｔｃを見越した時点ｔａ等が挙げられる（図１８参照）。
【０１１６】
第１７の半導体スイッチＳＷ１７は、アノード−カソード間が第１の二次巻線２２Ａの両端に誘起された正極性の電圧Ｖ１によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ１に基づく負極性の電圧（−Ｖ１：図１９において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第１７の半導体スイッチＳＷ１７によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【０１１７】
また、第２の回路１４に電流が流れないので、第１５の半導体スイッチＳＷ１５を含む経路、すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子→接点６０→第２の一次巻線２０Ｂ→第１５の半導体スイッチＳＷ１５のアノード端子の経路には電流は流れない。
【０１１８】
さらに、第１６の半導体スイッチＳＷ１６は、アノード−カソード間が直流電源２６の電源電圧Ｅによって逆バイアス状態となっているため、完全なオフ状態へ移行、維持される。
【０１１９】
第１の一次巻線２０Ａを流れる電流Ｉ１は、時点ｔ１でＩ１ｐ（＝Ｅ・Ｔｗ１／Ｌｅｘ１）となり、所望の電磁エネルギー（＝Ｌｅｘ１・Ｉ１ｐ2／２）が得られると、スイッチングコントローラ１８を通じて低レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ１が供給され、これにより、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフする。
【０１２０】
時点ｔ１において、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフすると、モード２（転流期間）に入り、図１３に示すように、第１の回路１２では、第１の一次巻線２０Ａ→第１１の半導体スイッチＳＷ１１→第１２のダイオードＤ１２→第１１のダイオードＤ１１の経路４４Ａで電流Ｉ１（＝Ｉ２）が流れ、第１１の半導体スイッチＳＷ１１がオフへ移行を始める。また、同時に、第１の一次巻線２０Ａに充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流Ｉｏが流れ出す（経路４６Ａ参照）。このとき、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７には第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフする前から十分な第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れてオン状態となっているため、第１５の半導体スイッチＳＷ１５を含む経路、すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子→接点６０→第２の一次巻線２０Ｂ→第１５の半導体スイッチＳＷ１５のアノード端子の経路４８Ａで電流Ｉ５（＝Ｉ６）が流れる。このとき、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７には第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフする前から十分な第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れてオン状態となっていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏが低損失で流れることになる。その後、第１１の半導体スイッチＳＷ１１は完全なオフ状態に至る。
【０１２１】
第１１の半導体スイッチＳＷ１１が完全にオフ状態になると、モード３（放電期間）に入り、図１４に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏが上昇し、正電圧値（Ｖ１ｐ）をピーク（放電開始電圧）とした正極性のパルスＰｏ１が出力され（図１９参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この正極性のパルスＰｏ１の立ち上がりの傾きは、第１のトランス１６Ａの励磁インダクタンス（Ｌｅｘ１）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。なお、第１の二次巻線２２Ａの両端には、前記出力電圧Ｖｏとは逆極性の電圧Ｖ１、すなわち、負電圧値（Ｖ１ｐ）をピークとした負極性のパルスＰ１が誘起される。
【０１２２】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖ１ｐに達すると、該出力電圧Ｖｏは急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図１１に示すモード０（初期状態）となる。
【０１２３】
ここで、正極性のパルスＰｏ１のパルス幅Ｔｐ１は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定されるが、共振周波数が低周波であるほどパルス幅Ｔｐ１は大きくなる。
【０１２４】
なお、直流電源２６の電圧Ｅを１００Ｖ、励磁インダクタンスＬｅｘ１を１０（μＨ）、第１のトランス１６Ａの巻線比を１／（５〜１０）としたとき、第１の一次巻線２０Ａを流れる電流Ｉ１（＝Ｉ２）のピーク値Ｉ１ｐはほぼ１００（Ａ）、出力電圧Ｖｏのピーク値（Ｖ１ｐ）は数〜３０（ｋＶ）、第２の回路１４を流れる出力電流Ｉｏのピーク値（Ｉｏｐ１）は１０〜２０（Ａ）である。また、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオンとなっている時間（時点ｔ０から時点ｔ１までの時間）Ｔｗ１は約１０μｓｅｃである。
【０１２５】
その後、図１８の時点ｔ１０において、第１４の半導体スイッチＳＷ１４のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ２が供給され、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオフからオンになる。
【０１２６】
時点ｔ１０で第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオンすると、モード４（充電期間）に入り、図１５に示すように、今度は、直流電源２６→第１２の抵抗Ｒ１２→第１３の半導体スイッチＳＷ１３のゲート端子→第１３の半導体スイッチＳＷ１３のカソード端子→第１４の半導体スイッチＳＷ１４の経路４０Ｂで電流が流れ、第１３の半導体スイッチＳＷ１３がターンオンする。これにより、第２のトランス１６Ｂの第２の一次巻線２０Ｂには、Ｖｉ２＝Ｅ（Ｖ）が印加され、直流電源２６→第２の一次巻線２０Ｂ→第１３の半導体スイッチＳＷ１３→第１４の半導体スイッチＳＷ１４の経路４２Ｂで電流Ｉ４（＝Ｉ５）が流れる。電流Ｉ４は、勾配（Ｅ／Ｌｅｘ２）で時間の経過に伴って直線状に正方向に増加し（図１８参照）、第２の一次巻線２０Ｂに電磁エネルギーが充電される。
【０１２７】
そして、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオンとなっている期間Ｔｗ２において、第２の二次巻線２２Ｂの両端には、一定の正極性の電圧Ｖ２が誘起される。この第２の二次巻線２２Ｂの両端に誘起される電圧Ｖ２のレベルはｎ２・Ｅ（Ｖ）である（図１９参照）。
【０１２８】
また、前記期間Ｔｗ２の最終段階において、スイッチングコントローラ１８の制御によって、第２及び第４のゲートアンプ３６Ｂ及び３６Ｄから第２及び第４のパルス信号Ｐｃ２及びＰｃ４が出力され、これによって、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８に第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れ、これら第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８がそれぞれオン状態となる。期間Ｔｗ２の最終段階としては、例えば第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８に対して第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４を流すことによって第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８が完全にオン状態となる期間Ｔｄを見越した時点ｔｂ等が挙げられる。
【０１２９】
同様に、第１８の半導体スイッチＳＷ１８は、アノード−カソード間が第２の二次巻線２２Ｂの両端に誘起された正極性の電圧Ｖ２によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ２に基づく正極性の電圧（Ｖ２：図１９において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第１８の半導体スイッチＳＷ１８によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【０１３０】
また、第２の回路１４に電流が流れないので、第１６の半導体スイッチＳＷ１６を含む経路、すなわち、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子→接点６０→第１の一次巻線２０Ａ→第１６の半導体スイッチＳＷ１６のアノード端子の経路には電流は流れない。
【０１３１】
さらに、第１５の半導体スイッチＳＷ１５は、アノード−カソード間が直流電源２６の電源電圧Ｅによって逆バイアス状態となっているため、完全なオフ状態へ移行、維持される。
【０１３２】
第２の一次巻線２０Ｂを流れる電流Ｉ４（＝Ｉ５）は、時点ｔ１でＩ４ｐ（＝Ｅ・Ｔｗ２／Ｌｅｘ２）となり、所望の電磁エネルギー（＝Ｌｅｘ２・Ｉ４ｐ2／２）が得られると、スイッチングコントローラ１８を通じて低レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ２が供給され、これにより、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフする。
【０１３３】
時点ｔ１１において、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフすると、モード５（転流期間）に入り、図１６に示すように、第１の回路１２では、第２の一次巻線２０Ｂ→第１３の半導体スイッチＳＷ１３→第１３のダイオードＤ１３→第１１のダイオードＤ１１の経路４４Ｂで電流が流れ、第１３の半導体スイッチＳＷ１３がオフへ移行を始める。また、同時に、第２の一次巻線２０Ｂに充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流が流れ出す（経路４６Ｂ参照）。このとき、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８には第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフする前から十分な第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れてオン状態となっているため、第１６の半導体スイッチＳＷ１６を含む経路、すなわち、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子→接点６０→第１の一次巻線２０Ａ→第１６の半導体スイッチＳＷ１６のアノード端子の経路４８Ｂで電流Ｉ２（＝Ｉ３）が流れる。このとき、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８には第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフする前から十分な第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れてオン状態となっていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏが低損失で流れることになる。その後、第１３の半導体スイッチＳＷ１３は完全なオフ状態に至る。
【０１３４】
第１３の半導体スイッチＳＷ１３が完全にオフ状態になると、モード６（放電期間）に入り、図１７に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏの絶対値が上昇し、負電圧値（Ｖ２ｐ）をピーク（放電開始電圧）とした負極性のパルスＰｏ２が出力され（図１９参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この負極性のパルスＰｏ２の立ち上がりの傾きは、第２のトランス１６Ｂの励磁インダクタンス（Ｌｅｘ２）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。なお、第２の二次巻線２２Ｂの両端には、前記出力電圧Ｖｏとは同極性の電圧Ｖ２、すなわち、負電圧値（Ｖ２ｐ）をピークとした負極性のパルスＰ２が誘起される。
【０１３５】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖ２ｐに達すると、該出力電圧Ｖｏの絶対値は急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図１に示すモード０（初期状態）となる。
【０１３６】
ここで、負極性のパルスＰｏ２のパルス幅Ｔｐ２は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び放電時の負荷２４の特性によって決定されるが、共振周波数が低周波であるほどパルス幅Ｔｐ２は大きくなる。
【０１３７】
なお、直流電源２６の電圧Ｅを１００Ｖ、励磁インダクタンスＬｅｘ２を２０（μＨ）、第２のトランス１６Ｂの巻線比を１／（５〜１０）としたとき、第２の一次巻線２０Ｂを流れる電流Ｉ４のピーク値Ｉ４ｐはほぼ１００（Ａ）、出力電圧Ｖｏのピーク値（Ｖ２ｐ）は−数〜−３０（ｋＶ）、第２の回路１４を流れる出力電流Ｉｏのピーク値（Ｉｏｐ２）は−１０〜−２０（Ａ）である。また、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオンとなっている時間（時点ｔ１０から時点ｔ１１までの時間）Ｔｗ２は約２０μｓｅｃである。
【０１３８】
上述の一連の動作が繰り返されることで、正極性の高電圧パルスＰｏ１と負極性の高電圧パルスＰｏ２が交互に、且つ、連続して出力されることになる。
【０１３９】
このように、第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃにおいては、第１のトランス１６Ａに対する第１の誘導エネルギーの蓄積と、第１のトランス１６Ａからの第１の誘導エネルギーの解放に伴う正極性の高電圧パルスＰｏ１の発生と、第２のトランス１６Ｂに対する第２の誘導エネルギーの蓄積と、第２のトランス１６Ｂからの第２の誘導エネルギーの解放に伴う負極性の高電圧パルスＰｏ２の発生とを行うようにしている。
【０１４０】
これにより、正極性の高電圧パルスＰｏ１と負極性の高電圧パルスＰｏ２を連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスＰｏ１のパルス幅Ｔｐ１と、負極性のパルスＰｏ２のパルス幅Ｔｐ２を独立に変えることができる。その結果、高電圧パルスＰｏ１及びＰｏ２の放電によるプラズマ処理の各種アプリケーションの適正条件に応じたパルスの発生が可能となり、成膜速度やガス分解効率の向上を図ることができる。これは、パルス電源１０Ｃの汎用性の向上につながる。
【０１４１】
また、第１のトランス１６Ａに対する第１の誘導エネルギーの蓄積期間（第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオンとなっている期間）Ｔｗ１の少なくとも最終段階に、ゼロ電流状態においてオン状態とされる第１５の半導体スイッチＳＷ１５を有し、第２のトランス１６Ｂに対する第２の誘導エネルギーの蓄積期間（第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオンとなっている期間）Ｔｗ２の少なくとも最終段階に、ゼロ電流状態においてオン状態とされる第１６の半導体スイッチＳＷ１６を有するようにしたので、第２の回路１４に急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。
【０１４２】
さらに、この第３の実施の形態では、第１のトランス１６Ａに対する第１の誘導エネルギーの蓄積期間Ｔｗ１の少なくとも最終段階に、第１のトランス１６Ａの第１の二次巻線２２Ａに発生する電圧Ｖ１による逆バイアス下においてオン状態とされる第１７の半導体スイッチＳＷ１７と、第２のトランス１６Ｂに対する第２の誘導エネルギーの蓄積期間Ｔｗ２の少なくとも最終段階に、第２のトランス１６Ｂの第２の二次巻線２２Ｂに発生する電圧Ｖ２による逆バイアス下においてオン状態とされる第１８の半導体スイッチＳＷ１８とを有するようにしたので、第１の回路１２での充電期間Ｔｗ１及びＴｗ２において、第２の回路１４に接続された負荷２４（一対の電極３８ａ及び３８ｂ）に誘起電圧Ｖ１及びＶ２が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【０１４３】
次に、第４の実施の形態に係るパルス電源１０Ｄについて図２０〜図２８を参照しながら説明する。
【０１４４】
この第４の実施の形態に係るパルス電源１０Ｄは、図２０に示すように、上述した第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
【０１４５】
すなわち、第１の回路１２における第１のトランス１６Ａの第１の一次巻線２０Ａと第１１の半導体スイッチＳＷ１１のアノード端子間の導体に２つの変流器（第１の変流器５０Ａ及び第２の変流器５０Ｂ）を取り付け、第１の変流器５０Ａの出力端子をそれぞれ第１５の半導体スイッチＳＷ１５のゲート端子とカソード端子に接続し、第２の変流器５０Ｂの出力端子をそれぞれ第１７の半導体スイッチＳＷ１７のゲート端子とカソード端子に接続している。
【０１４６】
同様に、第１の回路１２における第２のトランス１６Ｂの第２の一次巻線２０Ｂと第１３の半導体スイッチＳＷ１３のアノード端子間の導体に２つの変流器（第３の変流器５０Ｃ及び第４の変流器５０Ｄ）を取り付け、第３の変流器５０Ｃの出力端子をそれぞれ第１６の半導体スイッチＳＷ１６のゲート端子とカソード端子に接続し、第４の変流器５０Ｄの出力端子をそれぞれ第１８の半導体スイッチＳＷ１８のゲート端子とカソード端子に接続している。
【０１４７】
ここで、第４の実施の形態に係るパルス電源１０Ｄの回路動作について、図２０〜図２６の回路図と図２７及び図２８の波形図とを参照しながら説明する。
【０１４８】
まず、モード０（初期状態）においては、図２０に示すように、全てのスイッチがオフ状態となっている。
【０１４９】
その後、図２７の時点ｔ０において、第１２の半導体スイッチＳＷ１２のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ１が供給され、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオフからオンになる。
【０１５０】
時点ｔ０で第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオンすると、モード１（充電期間）に入り、図２１に示すように、直流電源２６→第１１の抵抗Ｒ１１→第１１の半導体スイッチＳＷ１１のゲート端子→第１１の半導体スイッチＳＷ１１のカソード端子→第１２の半導体スイッチＳＷ１２の経路４０Ａで電流が流れ、第１１の半導体スイッチＳＷ１１がターンオンする。これにより、第１のトランス１６Ａの第１の一次巻線２０Ａには、直流電源２６の電圧Ｅが印加され、直流電源２６→第１の一次巻線２０Ａ→第１１の半導体スイッチＳＷ１１→第１２の半導体スイッチＳＷ１２の経路４２Ａで電流Ｉ１（＝Ｉ２）が流れ、第１の一次巻線２０Ａに電磁エネルギーが充電される。そして、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオンとなっている期間Ｔｗ１において、第１の二次巻線２２Ａの両端には、一定の正極性の電圧Ｖ１が誘起される。
【０１５１】
また、前記電流Ｉ１が流れることによって、第１及び第２の変流器５０Ａ及び５０Ｂを通じて第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７にそれぞれ第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れ、これら第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７がオン状態となる。
【０１５２】
第１７の半導体スイッチＳＷ１７は、アノード−カソード間が第１の二次巻線２２Ａの両端に誘起された正極性の電圧Ｖ１によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ１に基づく負極性の電圧（−Ｖ１：図２８において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第１７の半導体スイッチＳＷ１７によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【０１５３】
また、第２の回路１４に電流が流れないので、第１５の半導体スイッチＳＷ１５を含む経路、すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子→接点６０→第２の一次巻線２０Ｂ→第１５の半導体スイッチＳＷ１５のアノード端子の経路には電流は流れない。
【０１５４】
さらに、第１６の半導体スイッチＳＷ１６は、アノード−カソード間が直流電源２６の電源電圧Ｅによって逆バイアス状態となっているため、完全なオフ状態へ移行、維持される。
【０１５５】
時点ｔ１において、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフすると、モード２（転流期間）に入り、図２２に示すように、第１の回路１２では、第１の一次巻線２０Ａ→第１１の半導体スイッチＳＷ１１→第１２のダイオードＤ１２→第１１のダイオードＤ１１の経路４４Ａで電流が流れ、第１１の半導体スイッチＳＷ１１がオフへ移行を始める。また、同時に、第１の一次巻線２０Ａに充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流Ｉｏが流れ出す（経路４６Ａ参照）。このとき、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７には事前に十分な第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れていたため、第１５の半導体スイッチＳＷ１５を含む経路、すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子→接点６０→第２の一次巻線２０Ｂ→第１５の半導体スイッチＳＷ１５のアノード端子の経路４８Ａで電流Ｉ５（＝Ｉ６）が流れる。このとき、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７には第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフする前から十分な第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れてオン状態となっていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏが低損失で流れることになる。その後、第１１の半導体スイッチＳＷ１１は完全なオフ状態に至る。
【０１５６】
第１１の半導体スイッチＳＷ１１が完全にオフ状態になると、モード３（放電期間）に入り、図２３に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏが上昇し、正電圧値（Ｖ１ｐ）をピーク（放電開始電圧）とした正極性のパルスＰｏ１が出力され（図２８参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この正極性のパルスＰｏ１の立ち上がりの傾きは、第１のトランス１６Ａの励磁インダクタンスと負荷２４の容量との共振周波数で決定される。
【０１５７】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖ１ｐに達すると、該出力電圧Ｖｏは急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図２０に示すモード０（初期状態）となる。
【０１５８】
ここで、正極性のパルスＰｏ１のパルス幅Ｔｐ１は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定されるが、共振周波数が低周波であるほどパルス幅Ｔｐ１は大きくなる。
【０１５９】
その後、図２７の時点ｔ１０において、第１４の半導体スイッチＳＷ１４のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ２が供給され、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオフからオンになる。
【０１６０】
時点ｔ１０で第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオンすると、モード４（充電期間）に入り、図２４に示すように、今度は、直流電源２６→第１２の抵抗Ｒ１２→第１３の半導体スイッチＳＷ１３のゲート端子→第１３の半導体スイッチＳＷ１３のカソード端子→第１４の半導体スイッチＳＷ１４の経路４０Ｂで電流が流れ、第１３の半導体スイッチＳＷ１３がターンオンする。これにより、第２のトランス１６Ｂの第２の一次巻線２０Ｂには、直流電源２６の電圧Ｅが印加され、直流電源２６→第２の一次巻線２０Ｂ→第１３の半導体スイッチＳＷ１３→第１４の半導体スイッチＳＷ１４の経路４２Ｂで電流Ｉ４（＝Ｉ５）が流れ、第２の一次巻線２０Ｂに電磁エネルギーが充電される。そして、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオンとなっている期間Ｔｗ２において、第２の二次巻線２２Ｂの両端には、一定の正極性の電圧Ｖ２が誘起される（図２８参照）。
【０１６１】
また、前記電流Ｉ４が流れることによって、第３及び第４の変流器５０Ｃ及び５０Ｄを通じて第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８にそれぞれ第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れ、これら第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８がオン状態となる。
【０１６２】
第１８の半導体スイッチＳＷ１８は、アノード−カソード間が第２の二次巻線２２Ｂの両端に誘起された正極性の電圧Ｖ２によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記正極性の電圧Ｖ２の印加が、第１８の半導体スイッチＳＷ１８によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【０１６３】
また、第２の回路１４に電流が流れないので、第１６の半導体スイッチＳＷ１６を含む経路、すなわち、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子→接点６０→第１の一次巻線２０Ａ→第１６の半導体スイッチＳＷ１６のアノード端子の経路には電流は流れない。
【０１６４】
さらに、第１５の半導体スイッチＳＷ１５は、アノード−カソード間が直流電源２６の電源電圧Ｅによって逆バイアス状態となっているため、完全なオフ状態へ移行、維持される。
【０１６５】
時点ｔ１１において、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフすると、モード５（転流期間）に入り、図２５に示すように、第１の回路１２では、第２の一次巻線２０Ｂ→第１３の半導体スイッチＳＷ１３→第１３のダイオードＤ１３→第１１のダイオードＤ１１の経路４４Ｂで電流が流れ、第１３の半導体スイッチＳＷ１３がオフへ移行を始める。また、同時に、第２の一次巻線２０Ｂに充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流Ｉｏが流れ出す（経路４６Ｂ参照）。このとき、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８には事前に十分な第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れていたため、第１６の半導体スイッチＳＷ１６を含む経路、すなわち、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子→接点６０→第１の一次巻線２０Ａ→第１６の半導体スイッチＳＷ１６のアノード端子の経路４８Ｂで電流Ｉ２（＝Ｉ３）が流れる。
【０１６６】
このとき、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８には第１３の半導体スイッチＳＷ１３がターンオフする前から十分な第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れてオン状態となっていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏが低損失で流れることになる。その後、第１３の半導体スイッチＳＷ１３は完全なオフ状態に至る。
【０１６７】
第１３の半導体スイッチＳＷ１３が完全にオフ状態になると、モード６（放電期間）に入り、図２６に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏの絶対値が上昇し、負電圧値（Ｖ２ｐ）をピーク（放電開始電圧）とした負極性のパルスＰｏ２が出力され（図２８参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この負極性のパルスＰｏ２の立ち上がりの傾きは、第２のトランス１６Ｂの励磁インダクタンス（Ｌｅｘ２）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。
【０１６８】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖ２ｐに達すると、該出力電圧Ｖｏの絶対値は急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図２０に示すモード０（初期状態）となる。
【０１６９】
ここで、正極性のパルスＰｏ２のパルス幅Ｔｐ２は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定されるが、共振周波数が低周波であるほどパルス幅Ｔｐ２は大きくなる。
【０１７０】
このように、第４の実施の形態に係るパルス電源１０Ｄにおいては、上述した第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃと同様に、正極性の高電圧パルスＰｏ１と負極性の高電圧パルスＰｏ２を連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスＰｏ１のパルス幅Ｔｐ１と、負極性のパルスＰｏ２のパルス幅Ｔｐ２を独立に変えることができる。
【０１７１】
また、第１の回路１２から第２の回路１４に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。しかも、第１の回路１２での充電期間Ｔｗ１及びＴｗ２において、一対の電極３８ａ及び３８ｂに対して第１の二次巻線２２Ａでの誘起電圧Ｖ１及び第２の二次巻線２２Ｂでの誘起電圧Ｖ２が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【０１７２】
特に、この第４の実施の形態では、第１の回路１２に第１〜第４の変流器５０Ａ〜５０Ｄを取り付けるだけで、第１５〜第１８の半導体スイッチＳＷ１５〜ＳＷ１８のオン状態を制御することができるため、回路構成の簡略化を図ることができ、パルス電源１０Ｄのコストの低廉化、サイズの小型化を促進させることができる。
【０１７３】
なお、本発明に係る電気回路及びパルス電源は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】第１の実施の形態に係るパルス電源の構成並びにモード０（初期状態）を示す回路図である。
【図２】第１の実施の形態に係るパルス電源のモード１（充電期間）を示す動作説明図である。
【図３】第１の実施の形態に係るパルス電源のモード２（転流期間）を示す動作説明図である。
【図４】第１の実施の形態に係るパルス電源のモード３（放電期間）を示す動作説明図である。
【図５】第１の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形を示す図である。
【図６】第２の実施の形態に係るパルス電源の構成並びにモード０（初期状態）を示す回路図である。
【図７】第２の実施の形態に係るパルス電源のモード１（充電期間）を示す動作説明図である。
【図８】第２の実施の形態に係るパルス電源のモード２（転流期間）を示す動作説明図である。
【図９】第２の実施の形態に係るパルス電源のモード３（放電期間）を示す動作説明図である。
【図１０】第２の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形を示す図である。
【図１１】第３の実施の形態に係るパルス電源の構成並びにモード０（初期状態）を示す回路図である。
【図１２】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード１（充電期間）を示す動作説明図である。
【図１３】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード２（転流期間）を示す動作説明図である。
【図１４】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード３（放電期間）を示す動作説明図である。
【図１５】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード４（充電期間）を示す動作説明図である。
【図１６】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード５（転流期間）を示す動作説明図である。
【図１７】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード６（放電期間）を示す動作説明図である。
【図１８】第３の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形（その１）を示す図である。
【図１９】第３の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形（その２）を示す図である。
【図２０】第４の実施の形態に係るパルス電源の構成並びにモード０（初期状態）を示す回路図である。
【図２１】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード１（充電期間）を示す動作説明図である。
【図２２】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード２（転流期間）を示す動作説明図である。
【図２３】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード３（放電期間）を示す動作説明図である。
【図２４】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード４（充電期間）を示す動作説明図である。
【図２５】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード５（転流期間）を示す動作説明図である。
【図２６】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード６（放電期間）を示す動作説明図である。
【図２７】第４の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形（その１）を示す図である。
【図２８】第４の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形（その２）を示す図である。
【図２９】従来例に係るパルス電源を示す回路図である。
【図３０】他の従来例に係るパルス電源を示す回路図である。
【図３１】他の従来例に係るパルス電源から出力されるパルス波形を示す図である。
【符号の説明】
【０１７５】
１０Ａ〜１０Ｄ…パルス電源 １２…第１の回路
１４…第２の回路 １６、１６Ａ、１６Ｂ…トランス
１８…スイッチングコントローラ ２０、２０Ａ、２０Ｂ…一次巻線
２２、２２Ａ、２２Ｂ…二次巻線 ２４…負荷
２６…直流電源 ３４、３４Ａ、３４Ｂ…ドライバ回路
３６、３６Ａ〜３６Ｄ…ゲートアンプ ３８ａ、３８ｂ…電極
５０、５０Ａ〜５０Ｄ…変流器
ＳＷ１〜ＳＷ３、ＳＷ１１〜ＳＷ１８…半導体スイッチ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる電気回路と、該電気回路を利用し、第２の回路から高電圧パルスを発生することができるパルス電源と、正極性のパルスと負極性のパルスとを連続して出力することができるパルス電源とに関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、高電圧パルスの放電によるプラズマにより、脱臭、殺菌、成膜、有害ガスの分解等を行う技術が適応されるようになってきたが（例えば特許文献１及び非特許文献１参照）、プラズマによる処理を効率よく行うためには、高電圧の極めて幅の狭いパルスを供給することが必要であることがわかってきている（例えば非特許文献２参照）。
【０００３】
また、例えば特許文献２に示すようなパルス電源が提案されている。このパルス電源１００は、図２９に示すように、直流電源部１０２の両端にインダクタ１０４、第１の半導体スイッチ１０６及び第２の半導体スイッチ１０８を直列に接続し、第１の半導体スイッチ１０６のアノード端子に一端が接続された前記インダクタ１０４の他端にカソード、前記第１の半導体スイッチ１０６のゲート端子にアノードとなるようにダイオード１１０を接続した極めて簡単な回路である。
【０００４】
そして、第２の半導体スイッチ１０８をオンすることにより、第１の半導体スイッチ１０６も導通し、インダクタ１０４に直流電源部１０２の電圧が印加され、該インダクタ１０４に誘導エネルギーが蓄積される。その後、第２の半導体スイッチ１０８をオフさせると、第１の半導体スイッチ１０６も急速にターンオフするため、インダクタ１０４に非常に急峻に立ち上がる極めて幅の狭い高電圧パルスＰｏが発生し、出力端子１１２及び１１４より高電圧パルスＰｏを取り出すことができる。
【０００５】
このパルス電源１００によれば、高電圧が印加される半導体スイッチを複数個使用することなく、簡単な回路構成で、急峻な立ち上がり時間と極めて狭いパルス幅を有する高電圧パルスＰｏを供給することができる。
【０００６】
【特許文献１】特許第２６４９３４０号公報
【特許文献２】特開２００２−３５９９７９号公報
【非特許文献１】応用物理，第６１巻，第１０号，１９９２，ｐ．１０３９〜１０４３，「高電圧パルス放電化学気相成長法によるアモルファスシリコン系薄膜の作製」
【非特許文献２】IEEE TRANSACTION ON PLASMIC SCIENCE,VOL.28,NO.2,APRIL 2000,p.434〜442，「Improvement of NOx Removal Efficiency Using Short-Width Pulsed Power」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、図２９に示すようなパルス電源においては、二次側に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流せるようにすることが望まれている。
【０００８】
また、図２９に示すようなパルス電源においては、出力端子にそれぞれ電極を接続し、さらに、これら電極を反応器に収容してプラズマ反応を起こさせるようにしているが、インダクタに電磁エネルギーを蓄積する期間（充電期間）において、インダクタに誘起される電圧（誘起電圧）が二次側に接続された負荷（例えば反応器内の電極）に印加され、反応器内でアーク放電が発生するおそれがある。アーク放電が発生すると、インダクタの一次側回路（主回路）に過電流が流れ、各種半導体スイッチに悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００９】
また、電界を変化させて、電子を加速することによってプラズマを発生するために用いられるパルス電源では、低電圧によって高い電位差を発生させるために、極性が逆のパルス、すなわち、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して出力する方式が採用されている。
【００１０】
この方式による従来のパルス電源２００は、例えば図３０に示すように、直流電源２０２と、該直流電源２０２の両端に直列接続された第１のスイッチ２０４及び第２のスイッチ２０６と、前記直流電源２０２の両端に直列接続された第３のスイッチ２０８及び第４のスイッチ２１０と、第１のスイッチ２０４と第２のスイッチ２０６との接点ａ１と第３のスイッチ２０８及び第４のスイッチ２１０との接点ａ２との間に一次巻線２１２が接続されたトランス２１４とを有する。つまり、ブリッジ構成となっている。出力電圧Ｖｏｕｔはトランス２１４の二次巻線２１６の両端から取り出されるようになっている。
【００１１】
そして、例えば第２のスイッチ２０６と第３のスイッチ２０８をオンすることで、図３１に示すように、二次巻線２１６の両端からは負極性の電圧が出力され、所定時間後、第２のスイッチ２０６と第３のスイッチ２０８をオフするとことで負極性のパルス２１８が生成される。また、第１のスイッチ２０４と第４のスイッチ２１０をターンオンすることで、二次巻線２１６の両端からは正極性の電圧が出力され、所定時間後、第１のスイッチ２０４と第４のスイッチ２１０をターンオフすることで負極性のパルス２２０が出力されることになる。
【００１２】
しかし、この従来例に係るパルス電源２００は、ブリッジを組むことから、４つのスイッチ２０４、２０６、２０８及び２１０を使用する必要があり、部品点数が多くなるという不都合がある。これは、サイズの大型化、コストの高価格化を招く。
【００１３】
しかも、上述したように、二次側において、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流せるようにすることや、充電期間において、反応器内の電極に誘起電圧が印加されないようにすることが必要である。
【００１４】
また、アプリケーションの適正条件に応じて、正極性のパルスのパルス幅と、負極性のパルスのパルス幅を独立に変えることができるようにすることが必要である。
【００１５】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる電気回路及びパルス電源を提供することを目的とする。
【００１６】
また、本発明の他の目的は、第１の回路での充電期間において、第２の回路に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができるパルス電源を提供することにある。
【００１７】
また、本発明の他の目的は、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスのパルス幅と、負極性のパルスのパルス幅を独立に変えることができるパルス電源を提供することを目的とする。
【００１８】
また、本発明の他の目的は、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、二次側に急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができるパルス電源を提供することを目的とする。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、一次側での充電期間において、二次側に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができるパルス電源を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明に係る電気回路は、第１の半導体スイッチを有する第１の回路と、前記第１の半導体スイッチのターンオフに基づいて転流を行う第２の回路とを具備し、前記第２の回路は、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、逆バイアス下においてオン状態とされる第２の半導体スイッチを有することを特徴とする。
【００２１】
これにより、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００２２】
そして、前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する制御回路を有するようにしてもよい。
【００２３】
あるいは、前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１の回路に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路を有するようにしてもよい。
【００２４】
また、本発明に係るパルス電源は、電力源と第１の半導体スイッチとを有する第１の回路と、前記第１の半導体スイッチのターンオフに基づいて転流を行い、高電圧パルスを発生する第２の回路とを具備し、前記第２の回路は、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、逆バイアス下においてオン状態とされる第２の半導体スイッチを有することを特徴とする。
【００２５】
これにより、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００２６】
そして、前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する制御回路を有するようにしてもよい。
【００２７】
あるいは、前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１の回路に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路を有するようにしてもよい。
【００２８】
また、前記構成において、前記第１の回路と前記第２の回路がトランスを介して結合され、前記第１の回路に前記トランスの一次巻線が接続され、前記第２の回路に前記トランスの二次巻線が接続され、前記第２の半導体スイッチは、前記二次巻線に直列に、且つ、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間において、前記第２の回路に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されていてもよい。
【００２９】
これにより、第１の回路での充電期間において、第２の回路に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００３０】
また、本発明に係るパルス電源は、第１のインダクタに対する第１の誘導エネルギーの蓄積と、前記第１のインダクタからの前記第１の誘導エネルギーの解放に伴う第１のパルスの発生と、第２のインダクタに対する第２の誘導エネルギーの蓄積と、前記第２のインダクタからの前記第２の誘導エネルギーの解放に伴う前記第１のパルスとは逆極性の第２のパルスの発生とを行うことを特徴とする。
【００３１】
これにより、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスのパルス幅と、負極性のパルスのパルス幅を独立に変えることができる。その結果、高電圧パルスの放電によるプラズマ処理の各種アプリケーションの適正条件に応じたパルスの発生が可能となり、成膜速度やガス分解効率の向上を図ることができる。これは、パルス電源の汎用性の向上につながる。
【００３２】
そして、上述の発明に係るパルス電源の具体的構成として、直流電源と、前記第１のインダクタの一次巻線と前記第２のインダクタの一次巻線との接点と前記直流電源との間に接続され、且つ、前記接点に向けて電流を流す整流素子と、前記整流素子からの電流を前記接点から前記第１のインダクタに向けて流すように制御する第１のスイッチ回路と、前記整流素子からの電流を前記接点から前記第２のインダクタに向けて流すように制御する第２のスイッチ回路とを有するようにしてもよい。
【００３３】
また、前記構成において、前記第１のスイッチ回路は、前記第１のインダクタと前記直流電源との間に接続され、前記直流電源からの電流を前記接点から前記第１のインダクタに向けて流す第１の半導体スイッチと、前記第１の半導体スイッチのオン／オフを制御する第２の半導体スイッチと、前記第２の半導体スイッチのオン／オフを制御する第１の制御回路とを有し、前記第２のスイッチ回路は、前記第２のインダクタと前記直流電源との間に接続され、前記直流電源からの電流を前記接点から前記第２のインダクタに向けて流す第３の半導体スイッチと、前記第３の半導体スイッチのオン／オフを制御する第４の半導体スイッチと、前記第４の半導体スイッチのオン／オフを制御する第２の制御回路とを有するようにしてもよい。
【００３４】
また、前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、ゼロ電流の状況下においてオン状態とされる第５の半導体スイッチを有し、前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、ゼロ電流の状況下においてオン状態とされる第６の半導体スイッチを有するようにしてもよい。これにより、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、二次側に急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００３５】
この場合、前記第５及び第６の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第５の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第３の制御回路と、前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第６の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第４の制御回路とを有するようにしてもよい。
【００３６】
あるいは、前記第５及び第６の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第５の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１のインダクタに流れる電流をオン信号として供給する第１の回路と、前記第６の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第２のインダクタに流れる電流をオン信号として供給する第２の回路とを有するようにしてもよい。
【００３７】
また、前記構成において、前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第１のインダクタの二次巻線に発生する電圧による逆バイアス下においてオン状態とされる第７の半導体スイッチと、前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第２のインダクタの二次巻線に発生する電圧による逆バイアス下においてオン状態とされる第８の半導体スイッチとを有するようにしてもよい。これにより、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、一次側での充電期間において、二次側に接続された負荷に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００３８】
この場合、前記第７及び第８の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第７の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第５の制御回路と、前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第８の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第６の制御回路とを有するようにしてもよい。
【００３９】
あるいは、前記第７及び第８の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、前記第７の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１のインダクタの一次巻線に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路と、前記第８の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第２のインダクタの一次巻線に流れる電流をオン信号として供給する第４の回路とを有するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００４０】
以上説明したように、本発明に係る電気回路によれば、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００４１】
また、本発明に係るパルス電源によれば、第１の回路から第２の回路に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００４２】
また、本発明に係るパルス電源によれば、第１の回路での充電期間において、第２の回路に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００４３】
また、本発明に係るパルス電源によれば、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスのパルス幅と、負極性のパルスのパルス幅を独立に変えることができる。
【００４４】
また、本発明に係るパルス電源によれば、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、二次側に急峻な立ち上がりの大電流を低損失で流すことができる。
【００４５】
また、本発明に係るパルス電源によれば、正極性のパルスと負極性のパルスを連続して発生することができ、しかも、一次側での充電期間において、二次側に誘起電圧が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明に係る電気回路及びパルス電源を各種パルス電源に適用した実施の形態例を図１〜図２８を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａは、図１に示すように、第１の回路１２と、第２の回路１４と、これら第１及び第２の回路１２及び１４を結合するトランス１６と、スイッチングコントローラ１８とを有する。第１の回路１２にトランス１６の一次巻線２０が接続され、第２の回路１４にトランス１６の二次巻線２２が接続され、該二次巻線２２の両端から出力が取り出されるようになっている。二次巻線２２の両端には負荷２４が接続されている。負荷２４としては、例えば抵抗負荷や容量性負荷（放電ギャップ等）が用いられる。
【００４８】
第１の回路１２は、直流電源（電源電圧＝Ｅ）２６と、一次巻線２０の他方の端子３０と直流電源２６の−端子との間に接続され、且つ、直流電源２６からの電流を一次巻線２０に向けて流す第１の半導体スイッチＳＷ１と、該第１の半導体スイッチＳＷ１のオン／オフを制御する第２の半導体スイッチＳＷ２とを有する。
【００４９】
第１の半導体スイッチＳＷ１は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第１の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【００５０】
第１の半導体スイッチＳＷ１は、ゲート端子と直流電源２６の＋端子との間に、ダイオードＤ１と第１の抵抗Ｒ１との並列回路３２が接続されている。ダイオードＤ１は、そのアノード端子が第１の半導体スイッチＳＷ１のゲート端子に接続され、カソード端子が直流電源２６の＋端子に接続されている。
【００５１】
第２の半導体スイッチＳＷ２は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第１の実施の形態では、アバランシェ形ダイオードが逆並列で内蔵された例えばｎチャネル型の電力用金属酸化半導体電界効果トランジスタを使用している。
【００５２】
第２の半導体スイッチＳＷ２は、ソース端子が直流電源２６の−端子に接続され、ドレイン端子が第１の半導体スイッチＳＷ１のカソード端子に接続されている。
【００５３】
第２の半導体スイッチＳＷ２のゲート端子には、スイッチングコントローラ１８からのスイッチング制御信号Ｓｃを増幅して前記ゲート端子に供給するドライバ回路３４が接続されている。
【００５４】
一方、第２の回路１４は、トランス１６の二次巻線２２と直列に接続された第３の半導体スイッチＳＷ３を有する。この第３の半導体スイッチＳＷ３は、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間において、第２の回路１４に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されている。
【００５５】
第３の半導体スイッチＳＷ３は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第１の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【００５６】
そして、この第３の半導体スイッチＳＷ３のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの制御信号Ｓｐをパルス成形してパルス信号Ｐｃとして出力するゲートアンプ３６が接続されている。
【００５７】
ここで、第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａの回路動作、特に、二次巻線２２の両端に接続される負荷２４として一対の電極３８ａ及び３８ｂを有する放電ギャップを用いた場合の回路動作について、図１〜図４の回路図と図５の波形図とを参照しながら説明する。
【００５８】
なお、直流電源２６の電圧をＥ（Ｖ）、トランス１６の巻線比（一次巻線２０の巻数／二次巻線２２の巻数）を１／ｎ１とする。また、トランス１６の一次インダクタンス（励磁インダクタンス）をＬｅｘとする。
【００５９】
まず、モード０（初期状態）においては、図１に示すように、全てのスイッチがオフ状態となっている。
【００６０】
その後、図５の時点ｔ０において、第２の半導体スイッチＳＷ２のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃが供給され、第２の半導体スイッチＳＷ２がオフからオンになる（図５参照）。
【００６１】
時点ｔ０で第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオンすると、モード１（充電期間）に入り、図２に示すように、直流電源２６→抵抗Ｒ１→第１の半導体スイッチＳＷ１のゲート端子→第１の半導体スイッチＳＷ１のカソード端子→第２の半導体スイッチＳＷ２の経路４０で電流が流れ、第１の半導体スイッチＳＷ１がターンオンする。これにより、トランス１６の一次巻線２０には、Ｖｉ１＝＋Ｅ（Ｖ）が印加され、直流電源２６→一次巻線２０→第１の半導体スイッチＳＷ１→第２の半導体スイッチＳＷ２の経路４２で電流Ｉｉが流れる。電流Ｉｉは、勾配（Ｅ／Ｌｅｘ）で時間の経過に伴って直線状に正方向に増加し（図５参照）、一次巻線２０に電磁エネルギーが充電される。
【００６２】
そして、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとなっている期間Ｔｗにおいて、二次巻線２２の両端には、一定の正極性の電圧Ｖ１が誘起される。この二次巻線２２の両端に誘起される電圧Ｖ１のレベルはｎ１・Ｅ（Ｖ）である（図５参照）。
【００６３】
また、前記期間Ｔｗの最終段階において、スイッチングコントローラ１８の制御によってゲートアンプ３６からパルス信号Ｐｃが出力され、これによって、第３の半導体スイッチＳＷ３にゲート電流が流れ、該第３の半導体スイッチＳＷ３がオン状態となる。期間Ｔｗの最終段階としては、例えば第３の半導体スイッチＳＷ３に対してゲート電流を流すことによって第３の半導体スイッチＳＷ３が完全にオン状態となる期間Ｔｃを見越した時点ｔａ等が挙げられる（図５参照）。
【００６４】
但し、第３の半導体スイッチＳＷ３は、アノード−カソード間が二次巻線２２の両端に誘起された正極性の電圧（誘起電圧）Ｖ１によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４の一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ１に基づく負極性の電圧（−Ｖ１：図５において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第３の半導体スイッチＳＷ３によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【００６５】
一次巻線２０を流れる電流Ｉｉは、時点ｔ１でＩｉｐ（＝Ｅ・Ｔｗ／Ｌｅｘ）となり、所望の電磁エネルギー（＝Ｌｅｘ・Ｉｉｐ2／２）が得られると、スイッチングコントローラ１８を通じて低レベルのスイッチング制御信号Ｓｃが供給され、これにより、第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオフする（図５参照）。
【００６６】
時点ｔ１において、第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオフすると、モード２（転流期間）に入り、図３に示すように、第１の回路１２では、一次巻線２０→第１の半導体スイッチＳＷ１→ダイオードＤ１の経路４４で電流が流れ、第１の半導体スイッチＳＷ１がオフへ移行を始める。また、同時に、一次巻線２０に充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流が流れ出す（経路４６参照）。このとき、第３の半導体スイッチＳＷ３には第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオフする前から十分なゲート電流が流れてオン状態となっているため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。その後、第１の半導体スイッチＳＷ１は完全なオフ状態に至る。
【００６７】
第１の半導体スイッチＳＷ１が完全にオフ状態になると、モード３（放電期間）に入り、図４に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏが上昇し、正電圧値（Ｖｏｐ）をピーク（放電開始電圧）とした正極性のパルスＰｏが出力され（図５参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この正極性のパルスＰｏの立ち上がりの傾きは、トランス１６の励磁インダクタンス（Ｌｅｘ）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。
【００６８】
なお、二次巻線２２の両端には、前記出力電圧Ｖｏとは逆極性の電圧、すなわち、負電圧値（Ｖ１ｐ）をピークとした負極性のパルスＰ１が誘起される。
【００６９】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖｏｐに達すると、該出力電圧Ｖｏは急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図１に示すモード０（初期状態）となる。この一連の動作が繰り返されることで、正極性の高電圧パルスＰｏが連続して出力されることになる。
【００７０】
また、正極性のパルスＰｏのパルス幅Ｔｐ１は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定される。一般に共振周波数が低いほどパルス幅Ｔｐ１は大きくなる。
【００７１】
なお、直流電源２６の電圧Ｅを１００Ｖ、励磁インダクタンスＬｅｘを１０（μＨ）、トランス１６の巻線比を１／（５〜１０）としたとき、一次巻線２０を流れる電流Ｉｉのピーク値Ｉｉｐはほぼ１００（Ａ）、出力電圧Ｖｏのピーク値（Ｖｏｐ）は数〜３０（ｋＶ）、第２の回路１４を流れる出力電流Ｉｏのピーク値（Ｉｏｐ）は数〜数１０（Ａ）である。また、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとなっている時間（時点ｔ０から時点ｔ１までの時間Ｔｗ）は約１０μｓｅｃである。
【００７２】
このように、第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａにおいては、第２の回路１４に、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間Ｔｗの少なくとも最終段階において、逆バイアス下においてオン状態とされる第３の半導体スイッチＳＷ３を接続するようにしたので、第１の回路１２から第２の回路１４に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。
【００７３】
しかも、第１の実施の形態では、第３の半導体スイッチＳＷ３を、トランス１６の二次巻線２２に直列に、且つ、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間Ｔｗにおいて、二次巻線２２に誘起される電圧Ｖ１が逆バイアスとなる方向に接続するようにしたので、第１の回路１２での充電期間Ｔｗにおいて、一対の電極３８ａ及び３８ｂに対して二次巻線２２での誘起電圧Ｖ１が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００７４】
次に、第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ｂについて図６〜図１０を参照しながら説明する。
【００７５】
この第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ｂは、図６に示すように、上述した第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、第１の回路１２におけるトランス１６の一次巻線２０と第１の半導体スイッチＳＷ１のアノード端子間の導体に変流器５０を取り付け、該変流器５０の出力端子をそれぞれ第３の半導体スイッチＳＷ３のゲート端子とカソード端子に接続した点で異なる。
【００７６】
ここで、第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ｂの回路動作について、図６〜図９の回路図と図１０の波形図とを参照しながら説明する。
【００７７】
まず、モード０（初期状態）においては、図６に示すように、全てのスイッチがオフ状態となっている。
【００７８】
その後、図１０の時点ｔ０において、第２の半導体スイッチＳＷ２のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃが供給され、第２の半導体スイッチＳＷ２がオフからオンになる（図１０参照）。
【００７９】
時点ｔ０で第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオンすると、モード１（充電期間）に入り、図７に示すように、直流電源２６→抵抗Ｒ１→第１の半導体スイッチＳＷ１のゲート端子→第１の半導体スイッチＳＷ１のカソード端子→第２の半導体スイッチＳＷ２の経路４０で電流が流れ、第１の半導体スイッチＳＷ１がターンオンする。これにより、トランス１６の一次巻線２０には、直流電源２６の電圧Ｅが印加され、直流電源２６→一次巻線２０→第１の半導体スイッチＳＷ１→第２の半導体スイッチＳＷ２の経路４２で電流Ｉｉが流れ、一次巻線２０に電磁エネルギーが充電される。そして、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとなっている期間Ｔｗにおいて、二次巻線２２の両端には、一定の正極性の電圧Ｖ１が誘起される。
【００８０】
また、前記電流Ｉｉが流れることによって、変流器５０を通じて第３の半導体スイッチＳＷ３にゲート電流Ｉｇが流れ、該第３の半導体スイッチＳＷ３がオン状態となる。但し、第３の半導体スイッチＳＷ３は、アノード−カソード間が二次巻線２２の両端に誘起された正極性の電圧Ｖ１によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ１に基づく負極性の電圧（−Ｖ１：図１０において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第３の半導体スイッチＳＷ３によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【００８１】
時点ｔ１において、第２の半導体スイッチＳＷ２がターンオフすると、モード２（転流期間）に入り、図８に示すように、第１の回路１２では、一次巻線２０→第１の半導体スイッチＳＷ１→ダイオードＤ１の経路４４で電流が流れ、第１の半導体スイッチＳＷ１がオフへ移行を始める。また、同時に、一次巻線２０に充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流が流れ出す（経路４６参照）。このとき、第３の半導体スイッチＳＷ３には事前に十分なゲート電流Ｉｇが流れていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。その後、第１の半導体スイッチＳＷ１は完全なオフ状態に至る。
【００８２】
第１の半導体スイッチＳＷ１が完全にオフ状態になると、モード３（放電期間）に入り、図９に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏが上昇し、正電圧値（Ｖｏｐ）をピーク（放電開始電圧）とした正極性のパルスＰｏが出力され、出力電流Ｉｏは減少する。この正極性のパルスＰｏの立ち上がりの傾きは、トランス１６の励磁インダクタンス（Ｌｅｘ）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。
【００８３】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖｏｐに達すると、該出力電圧Ｖｏは急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図６に示すモード０（初期状態）となる。この一連の動作が繰り返されることで、正極性の高電圧パルスＰｏが連続して出力されることになる。
【００８４】
ここで、正極性のパルスＰｏのパルス幅Ｔｐ１は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定される。一般に共振周波数が低いほどパルス幅Ｔｐ１は大きくなる。
【００８５】
このように、第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ｂにおいては、上述した第１の実施の形態に係るパルス電源１０Ａと同様に、第１の回路１２から第２の回路１４に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。しかも、第１の回路１２での充電期間Ｔｗにおいて、一対の電極３８ａ及び３８ｂに対して二次巻線２２での誘起電圧Ｖ１が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００８６】
特に、この第２の実施の形態では、第１の回路１２に変流器５０を取り付けるだけで、第３の半導体スイッチＳＷ３のオン状態を制御することができるため、回路構成の簡略化を図ることができ、パルス電源１０Ｂのコストの低廉化、サイズの小型化を促進させることができる。
【００８７】
次に、第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃについて図１１〜図１９を参照しながら説明する。
【００８８】
この第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃは、上述した第１及び第２の実施の形態に係るパルス電源１０Ａ及び１０Ｂと異なり、正極性の高電圧パルスと負極性の高電圧パルスを交互に、かつ、連続して出力させることができる。
【００８９】
具体的には、この第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃは、図１１に示すように、第１の回路１２と、第２の回路１４と、これら第１及び第２の回路１２及び１４を結合する２つのトランス（第１のトランス１６Ａ及び第２のトランス１６Ｂ）と、スイッチングコントローラ１８と第１１のダイオードＤ１１とを有する。
【００９０】
第１の回路１２に第１及び第２のトランス１６Ａ及び１６Ｂの各一次巻線（第１の一次巻線２０Ａ及び第２の一次巻線２０Ｂ）が接続され、第２の回路１４に第１及び第２のトランス１６Ａ及び１６Ｂの各二次巻線（第１の二次巻線２２Ａ及び第２の二次巻線２２Ｂ）が接続されている。そして、第２の回路１４の出力端子から出力が取り出されるようになっている。出力端子には負荷２４が接続されている。負荷２４としては、例えば抵抗負荷や容量性負荷（放電ギャップ等）が用いられる。
【００９１】
第１の回路１２は、直流電源（電源電圧＝Ｅ）２６と、第１の一次巻線２０Ａと第２の一次巻線２０Ｂとの接点６０と直流電源２６の＋端子との間に順方向接続された前記第１１のダイオードＤ１１と、第１の一次巻線２０Ａと直流電源２６の−端子との間に接続され、且つ、直流電源２６からの電流を第１の一次巻線２０Ａに向けて流す第１１の半導体スイッチＳＷ１１と、該第１１の半導体スイッチＳＷ１１のオン／オフを制御する第１２の半導体スイッチＳＷ１２と、第２の一次巻線２０Ｂと直流電源２６の−端子との間に接続され、且つ、直流電源２６からの電流を第２の一次巻線２０Ｂに向けて流す第１３の半導体スイッチＳＷ１３と、該第１３の半導体スイッチＳＷ１３のオン／オフを制御する第１４の半導体スイッチＳＷ１４とを有する。
【００９２】
第１及び第３の半導体スイッチＳＷ１１及びＳＷ１３は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第３の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【００９３】
第１１の半導体スイッチＳＷ１１は、ゲート端子と第１１のダイオードＤ１１のアノード端子との間に、第１２のダイオードＤ１２と第１１の抵抗Ｒ１１との並列回路３２Ａが接続されている。第１２のダイオードＤ１２は、そのアノード端子が第１１の半導体スイッチＳＷ１１のゲート端子に接続され、カソード端子が第１１のダイオードＤ１１のアノード端子に接続される。
【００９４】
第１３の半導体スイッチＳＷ１３は、ゲート端子と第１１のダイオードＤ１１のアノード端子との間に、第１３のダイオードＤ１３と第１２の抵抗Ｒ１２との並列回路３２Ｂが接続されている。第１３のダイオードＤ１３は、そのアノード端子が第１３の半導体スイッチＳＷ１３のゲート端子に接続され、カソード端子が第１１のダイオードＤ１１のアノード端子に接続される。
【００９５】
第１２及び第１４の半導体スイッチＳＷ１２及びＳＷ１４は、自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第３の実施の形態では、アバランシェ形ダイオードが逆並列で内蔵された例えばｎチャネル型の電力用金属酸化半導体電界効果トランジスタを使用している。
【００９６】
第１２の半導体スイッチＳＷ１２は、ソース端子が直流電源２６の−端子に接続され、ドレイン端子が第１１の半導体スイッチＳＷ１１のカソード端子に接続されている。
【００９７】
第１４の半導体スイッチＳＷ１４は、ソース端子が直流電源２６の−端子に接続され、ドレイン端子が第１３の半導体スイッチＳＷ１３のカソード端子に接続されている。
【００９８】
第１２の半導体スイッチＳＷ１２のゲート端子には、スイッチングコントローラ１８からの第１のスイッチング制御信号Ｓｃ１を増幅して前記ゲート端子に供給する第１のドライバ回路３４Ａが接続されている。第１４の半導体スイッチＳＷ１４のゲート端子には、スイッチングコントローラ１８からの第２のスイッチング制御信号Ｓｃ２を増幅して前記ゲート端子に供給する第２のドライバ回路３４Ｂが接続されている。
【００９９】
また、この第１の回路１２は、第１１のダイオードＤ１１のカソード端子と第１３の半導体スイッチＳＷ１３のアノード端子との間に第１５の半導体スイッチＳＷ１５が接続され、第１１のダイオードＤ１１のカソード端子と第１１の半導体スイッチＳＷ１１のアノード端子との間に第１６の半導体スイッチＳＷ１６が接続されている。
【０１００】
第１５の半導体スイッチＳＷ１５は、第１４の半導体スイッチＳＷ１４及び第１３の半導体スイッチＳＷ１３がオンとされている期間において、直流電源２６の電源電圧Ｅが逆バイアスとなる方向に接続され、第１６の半導体スイッチＳＷ１６は、第１２の半導体スイッチＳＷ１２及び第１１の半導体スイッチＳＷ１１がオンとされている期間において、直流電源２６の電源電圧Ｅが逆バイアスとなる方向に接続されている。
【０１０１】
すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子が第１１のダイオードＤ１１のカソード端子を向くように接続され、同様に、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子が第１１のダイオードＤ１１のカソード端子を向くように接続されている。
【０１０２】
第１５及び第１６の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１６は自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第３の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【０１０３】
そして、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの第１の制御信号Ｓｐ１をパルス成形して第１のパルス信号Ｐｃ１として出力する第１のゲートアンプ３６Ａが接続され、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの第２の制御信号Ｓｐ２をパルス成形して第２のパルス信号Ｐｃ２として出力する第２のゲートアンプ３６Ｂが接続されている。
【０１０４】
一方、第２の回路１４は、第１の二次巻線２２Ａと第２の二次巻線２２Ｂとの間に、２つの半導体スイッチ（第１７の半導体スイッチＳＷ１７及び第１８の半導体スイッチＳＷ１８）が互いに方向を逆にして、かつ、並列に接続された並列回路６２が接続されている。
【０１０５】
第１７の半導体スイッチＳＷ１７は、第１２の半導体スイッチＳＷ１２及び第１１の半導体スイッチＳＷ１１がオンとされている期間において、第１の二次巻線２２Ａに誘起される電圧が逆バイアスとなる方向に接続され、第１８の半導体スイッチＳＷ１８は、第１４の半導体スイッチＳＷ１４及び第１３の半導体スイッチＳＷ１３がオンとされている期間において、第２の二次巻線２２Ｂに誘起される電圧が逆バイアスとなる方向に接続されている。
【０１０６】
すなわち、第１の二次巻線２２Ａの一方の端子６４ａが第２の回路１４の一方の出力端子（一方の電極３８ａ）に接続され、第２の二次巻線２２Ｂの一方の端子６６ａが第２の回路１４の他方の出力端子（他方の電極３８ｂ）に接続されている場合に、第１７の半導体スイッチＳＷ１７は、カソード端子が第１の二次巻線２２Ａの他方の端子６４ｂに接続され、アノード端子が第２の二次巻線２２Ｂの他方の端子６６ｂに接続される。同様に、第１８の半導体スイッチＳＷ１８は、カソード端子が第２の二次巻線２２Ｂの他方の端子６６ｂに接続され、アノード端子が第１の二次巻線２２Ａの他方の端子６４ｂに接続される。
【０１０７】
第１７及び第１８の半導体スイッチＳＷ１７及びＳＷ１８は自己消弧形あるいは転流消弧形のデバイスを用いることができる。この第３の実施の形態では、ＳＩサイリスタを用いた例を示す。もちろん、バイポーラトランジスタやＧＴＯ等を用いてもよい。
【０１０８】
そして、第１７の半導体スイッチＳＷ１７のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの第３の制御信号Ｓｐ３をパルス成形して第３のパルス信号Ｐｃ３として出力する第３のゲートアンプ３６Ｃが接続され、第１８の半導体スイッチＳＷ１８のゲート端子とカソード端子間に、スイッチングコントローラ１８からの第４の制御信号Ｓｐ４をパルス成形して第４のパルス信号Ｐｃ４として出力する第４のゲートアンプ３６Ｄが接続されている。
【０１０９】
ここで、第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃの回路動作について、図１１の回路図と、図１２〜図１７の動作説明図と、図１８及び図１９の波形図とを参照しながら説明する。
【０１１０】
なお、直流電源２６の電圧をＥ（Ｖ）、第１のトランス１６Ａの巻線比（第１の一次巻線２０Ａの巻数／第１の二次巻線２２Ａの巻数）を１／ｎ１とし、第２のトランス１６Ｂの巻線比（第２の一次巻線２０Ｂの巻数／第２の二次巻線２２Ｂの巻数）を１／ｎ２とする。また、第１のトランス１６Ａの一次インダクタンス（励磁インダクタンス）をＬｅｘ１、第２のトランス１６Ｂの一次インダクタンス（励磁インダクタンス）をＬｅｘ２とする。
【０１１１】
まず、モード０（初期状態）においては、図１１に示すように、全てのスイッチがオフ状態となっている。
【０１１２】
その後、図１８の時点ｔ０において、第１２の半導体スイッチＳＷ１２のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ１が供給され、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオフからオンになる。
【０１１３】
時点ｔ０で第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオンすると、モード１（充電期間）に入り、図１２に示すように、直流電源２６→第１１の抵抗Ｒ１１→第１１の半導体スイッチＳＷ１１のゲート端子→第１１の半導体スイッチＳＷ１１のカソード端子→第１２の半導体スイッチＳＷ１２の経路４０Ａで電流が流れ、第１１の半導体スイッチＳＷ１１がターンオンする。これにより、第１のトランス１６Ａの第１の一次巻線２０Ａには、Ｖｉ１＝Ｅ（Ｖ）が印加され、直流電源２６→第１の一次巻線２０Ａ→第１１の半導体スイッチＳＷ１１→第１２の半導体スイッチＳＷ１２の経路４２Ａで電流Ｉ１（＝Ｉ２）が流れる。電流Ｉ１は、勾配（Ｅ／Ｌｅｘ１）で時間の経過に伴って直線状に正方向に増加し（図１８参照）、第１の一次巻線２０Ａに電磁エネルギーが充電される。
【０１１４】
そして、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオンとなっている期間Ｔｗ１において、第１の二次巻線２２Ａの両端には、一定の正極性の電圧Ｖ１が誘起される。この第１の二次巻線２２Ａの両端に誘起される電圧Ｖ１のレベルはｎ１・Ｅ（Ｖ）である（図１９参照）。
【０１１５】
また、前記期間Ｔｗ１の最終段階において、スイッチングコントローラ１８の制御によって、第１及び第３のゲートアンプ３６Ａ及び３６Ｃからパルス信号Ｐｃ１及びＰｃ３が出力され、これによって、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７に第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れ、これら第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７がそれぞれオン状態となる。期間Ｔｗ１の最終段階としては、例えば第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７に対して第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３を流すことによって第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７が完全にオン状態となる期間Ｔｃを見越した時点ｔａ等が挙げられる（図１８参照）。
【０１１６】
第１７の半導体スイッチＳＷ１７は、アノード−カソード間が第１の二次巻線２２Ａの両端に誘起された正極性の電圧Ｖ１によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ１に基づく負極性の電圧（−Ｖ１：図１９において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第１７の半導体スイッチＳＷ１７によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【０１１７】
また、第２の回路１４に電流が流れないので、第１５の半導体スイッチＳＷ１５を含む経路、すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子→接点６０→第２の一次巻線２０Ｂ→第１５の半導体スイッチＳＷ１５のアノード端子の経路には電流は流れない。
【０１１８】
さらに、第１６の半導体スイッチＳＷ１６は、アノード−カソード間が直流電源２６の電源電圧Ｅによって逆バイアス状態となっているため、完全なオフ状態へ移行、維持される。
【０１１９】
第１の一次巻線２０Ａを流れる電流Ｉ１は、時点ｔ１でＩ１ｐ（＝Ｅ・Ｔｗ１／Ｌｅｘ１）となり、所望の電磁エネルギー（＝Ｌｅｘ１・Ｉ１ｐ2／２）が得られると、スイッチングコントローラ１８を通じて低レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ１が供給され、これにより、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフする。
【０１２０】
時点ｔ１において、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフすると、モード２（転流期間）に入り、図１３に示すように、第１の回路１２では、第１の一次巻線２０Ａ→第１１の半導体スイッチＳＷ１１→第１２のダイオードＤ１２→第１１のダイオードＤ１１の経路４４Ａで電流Ｉ１（＝Ｉ２）が流れ、第１１の半導体スイッチＳＷ１１がオフへ移行を始める。また、同時に、第１の一次巻線２０Ａに充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流Ｉｏが流れ出す（経路４６Ａ参照）。このとき、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７には第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフする前から十分な第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れてオン状態となっているため、第１５の半導体スイッチＳＷ１５を含む経路、すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子→接点６０→第２の一次巻線２０Ｂ→第１５の半導体スイッチＳＷ１５のアノード端子の経路４８Ａで電流Ｉ５（＝Ｉ６）が流れる。このとき、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７には第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフする前から十分な第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れてオン状態となっていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏが低損失で流れることになる。その後、第１１の半導体スイッチＳＷ１１は完全なオフ状態に至る。
【０１２１】
第１１の半導体スイッチＳＷ１１が完全にオフ状態になると、モード３（放電期間）に入り、図１４に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏが上昇し、正電圧値（Ｖ１ｐ）をピーク（放電開始電圧）とした正極性のパルスＰｏ１が出力され（図１９参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この正極性のパルスＰｏ１の立ち上がりの傾きは、第１のトランス１６Ａの励磁インダクタンス（Ｌｅｘ１）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。なお、第１の二次巻線２２Ａの両端には、前記出力電圧Ｖｏとは逆極性の電圧Ｖ１、すなわち、負電圧値（Ｖ１ｐ）をピークとした負極性のパルスＰ１が誘起される。
【０１２２】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖ１ｐに達すると、該出力電圧Ｖｏは急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図１１に示すモード０（初期状態）となる。
【０１２３】
ここで、正極性のパルスＰｏ１のパルス幅Ｔｐ１は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定されるが、共振周波数が低周波であるほどパルス幅Ｔｐ１は大きくなる。
【０１２４】
なお、直流電源２６の電圧Ｅを１００Ｖ、励磁インダクタンスＬｅｘ１を１０（μＨ）、第１のトランス１６Ａの巻線比を１／（５〜１０）としたとき、第１の一次巻線２０Ａを流れる電流Ｉ１（＝Ｉ２）のピーク値Ｉ１ｐはほぼ１００（Ａ）、出力電圧Ｖｏのピーク値（Ｖ１ｐ）は数〜３０（ｋＶ）、第２の回路１４を流れる出力電流Ｉｏのピーク値（Ｉｏｐ１）は１０〜２０（Ａ）である。また、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオンとなっている時間（時点ｔ０から時点ｔ１までの時間）Ｔｗ１は約１０μｓｅｃである。
【０１２５】
その後、図１８の時点ｔ１０において、第１４の半導体スイッチＳＷ１４のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ２が供給され、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオフからオンになる。
【０１２６】
時点ｔ１０で第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオンすると、モード４（充電期間）に入り、図１５に示すように、今度は、直流電源２６→第１２の抵抗Ｒ１２→第１３の半導体スイッチＳＷ１３のゲート端子→第１３の半導体スイッチＳＷ１３のカソード端子→第１４の半導体スイッチＳＷ１４の経路４０Ｂで電流が流れ、第１３の半導体スイッチＳＷ１３がターンオンする。これにより、第２のトランス１６Ｂの第２の一次巻線２０Ｂには、Ｖｉ２＝Ｅ（Ｖ）が印加され、直流電源２６→第２の一次巻線２０Ｂ→第１３の半導体スイッチＳＷ１３→第１４の半導体スイッチＳＷ１４の経路４２Ｂで電流Ｉ４（＝Ｉ５）が流れる。電流Ｉ４は、勾配（Ｅ／Ｌｅｘ２）で時間の経過に伴って直線状に正方向に増加し（図１８参照）、第２の一次巻線２０Ｂに電磁エネルギーが充電される。
【０１２７】
そして、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオンとなっている期間Ｔｗ２において、第２の二次巻線２２Ｂの両端には、一定の正極性の電圧Ｖ２が誘起される。この第２の二次巻線２２Ｂの両端に誘起される電圧Ｖ２のレベルはｎ２・Ｅ（Ｖ）である（図１９参照）。
【０１２８】
また、前記期間Ｔｗ２の最終段階において、スイッチングコントローラ１８の制御によって、第２及び第４のゲートアンプ３６Ｂ及び３６Ｄから第２及び第４のパルス信号Ｐｃ２及びＰｃ４が出力され、これによって、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８に第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れ、これら第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８がそれぞれオン状態となる。期間Ｔｗ２の最終段階としては、例えば第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８に対して第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４を流すことによって第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８が完全にオン状態となる期間Ｔｄを見越した時点ｔｂ等が挙げられる。
【０１２９】
同様に、第１８の半導体スイッチＳＷ１８は、アノード−カソード間が第２の二次巻線２２Ｂの両端に誘起された正極性の電圧Ｖ２によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ２に基づく正極性の電圧（Ｖ２：図１９において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第１８の半導体スイッチＳＷ１８によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【０１３０】
また、第２の回路１４に電流が流れないので、第１６の半導体スイッチＳＷ１６を含む経路、すなわち、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子→接点６０→第１の一次巻線２０Ａ→第１６の半導体スイッチＳＷ１６のアノード端子の経路には電流は流れない。
【０１３１】
さらに、第１５の半導体スイッチＳＷ１５は、アノード−カソード間が直流電源２６の電源電圧Ｅによって逆バイアス状態となっているため、完全なオフ状態へ移行、維持される。
【０１３２】
第２の一次巻線２０Ｂを流れる電流Ｉ４（＝Ｉ５）は、時点ｔ１でＩ４ｐ（＝Ｅ・Ｔｗ２／Ｌｅｘ２）となり、所望の電磁エネルギー（＝Ｌｅｘ２・Ｉ４ｐ2／２）が得られると、スイッチングコントローラ１８を通じて低レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ２が供給され、これにより、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフする。
【０１３３】
時点ｔ１１において、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフすると、モード５（転流期間）に入り、図１６に示すように、第１の回路１２では、第２の一次巻線２０Ｂ→第１３の半導体スイッチＳＷ１３→第１３のダイオードＤ１３→第１１のダイオードＤ１１の経路４４Ｂで電流が流れ、第１３の半導体スイッチＳＷ１３がオフへ移行を始める。また、同時に、第２の一次巻線２０Ｂに充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流が流れ出す（経路４６Ｂ参照）。このとき、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８には第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフする前から十分な第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れてオン状態となっているため、第１６の半導体スイッチＳＷ１６を含む経路、すなわち、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子→接点６０→第１の一次巻線２０Ａ→第１６の半導体スイッチＳＷ１６のアノード端子の経路４８Ｂで電流Ｉ２（＝Ｉ３）が流れる。このとき、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８には第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフする前から十分な第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れてオン状態となっていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏが低損失で流れることになる。その後、第１３の半導体スイッチＳＷ１３は完全なオフ状態に至る。
【０１３４】
第１３の半導体スイッチＳＷ１３が完全にオフ状態になると、モード６（放電期間）に入り、図１７に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏの絶対値が上昇し、負電圧値（Ｖ２ｐ）をピーク（放電開始電圧）とした負極性のパルスＰｏ２が出力され（図１９参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この負極性のパルスＰｏ２の立ち上がりの傾きは、第２のトランス１６Ｂの励磁インダクタンス（Ｌｅｘ２）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。なお、第２の二次巻線２２Ｂの両端には、前記出力電圧Ｖｏとは同極性の電圧Ｖ２、すなわち、負電圧値（Ｖ２ｐ）をピークとした負極性のパルスＰ２が誘起される。
【０１３５】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖ２ｐに達すると、該出力電圧Ｖｏの絶対値は急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図１に示すモード０（初期状態）となる。
【０１３６】
ここで、負極性のパルスＰｏ２のパルス幅Ｔｐ２は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び放電時の負荷２４の特性によって決定されるが、共振周波数が低周波であるほどパルス幅Ｔｐ２は大きくなる。
【０１３７】
なお、直流電源２６の電圧Ｅを１００Ｖ、励磁インダクタンスＬｅｘ２を２０（μＨ）、第２のトランス１６Ｂの巻線比を１／（５〜１０）としたとき、第２の一次巻線２０Ｂを流れる電流Ｉ４のピーク値Ｉ４ｐはほぼ１００（Ａ）、出力電圧Ｖｏのピーク値（Ｖ２ｐ）は−数〜−３０（ｋＶ）、第２の回路１４を流れる出力電流Ｉｏのピーク値（Ｉｏｐ２）は−１０〜−２０（Ａ）である。また、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオンとなっている時間（時点ｔ１０から時点ｔ１１までの時間）Ｔｗ２は約２０μｓｅｃである。
【０１３８】
上述の一連の動作が繰り返されることで、正極性の高電圧パルスＰｏ１と負極性の高電圧パルスＰｏ２が交互に、且つ、連続して出力されることになる。
【０１３９】
このように、第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃにおいては、第１のトランス１６Ａに対する第１の誘導エネルギーの蓄積と、第１のトランス１６Ａからの第１の誘導エネルギーの解放に伴う正極性の高電圧パルスＰｏ１の発生と、第２のトランス１６Ｂに対する第２の誘導エネルギーの蓄積と、第２のトランス１６Ｂからの第２の誘導エネルギーの解放に伴う負極性の高電圧パルスＰｏ２の発生とを行うようにしている。
【０１４０】
これにより、正極性の高電圧パルスＰｏ１と負極性の高電圧パルスＰｏ２を連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスＰｏ１のパルス幅Ｔｐ１と、負極性のパルスＰｏ２のパルス幅Ｔｐ２を独立に変えることができる。その結果、高電圧パルスＰｏ１及びＰｏ２の放電によるプラズマ処理の各種アプリケーションの適正条件に応じたパルスの発生が可能となり、成膜速度やガス分解効率の向上を図ることができる。これは、パルス電源１０Ｃの汎用性の向上につながる。
【０１４１】
また、第１のトランス１６Ａに対する第１の誘導エネルギーの蓄積期間（第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオンとなっている期間）Ｔｗ１の少なくとも最終段階に、ゼロ電流状態においてオン状態とされる第１５の半導体スイッチＳＷ１５を有し、第２のトランス１６Ｂに対する第２の誘導エネルギーの蓄積期間（第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオンとなっている期間）Ｔｗ２の少なくとも最終段階に、ゼロ電流状態においてオン状態とされる第１６の半導体スイッチＳＷ１６を有するようにしたので、第２の回路１４に急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。
【０１４２】
さらに、この第３の実施の形態では、第１のトランス１６Ａに対する第１の誘導エネルギーの蓄積期間Ｔｗ１の少なくとも最終段階に、第１のトランス１６Ａの第１の二次巻線２２Ａに発生する電圧Ｖ１による逆バイアス下においてオン状態とされる第１７の半導体スイッチＳＷ１７と、第２のトランス１６Ｂに対する第２の誘導エネルギーの蓄積期間Ｔｗ２の少なくとも最終段階に、第２のトランス１６Ｂの第２の二次巻線２２Ｂに発生する電圧Ｖ２による逆バイアス下においてオン状態とされる第１８の半導体スイッチＳＷ１８とを有するようにしたので、第１の回路１２での充電期間Ｔｗ１及びＴｗ２において、第２の回路１４に接続された負荷２４（一対の電極３８ａ及び３８ｂ）に誘起電圧Ｖ１及びＶ２が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【０１４３】
次に、第４の実施の形態に係るパルス電源１０Ｄについて図２０〜図２８を参照しながら説明する。
【０１４４】
この第４の実施の形態に係るパルス電源１０Ｄは、図２０に示すように、上述した第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
【０１４５】
すなわち、第１の回路１２における第１のトランス１６Ａの第１の一次巻線２０Ａと第１１の半導体スイッチＳＷ１１のアノード端子間の導体に２つの変流器（第１の変流器５０Ａ及び第２の変流器５０Ｂ）を取り付け、第１の変流器５０Ａの出力端子をそれぞれ第１５の半導体スイッチＳＷ１５のゲート端子とカソード端子に接続し、第２の変流器５０Ｂの出力端子をそれぞれ第１７の半導体スイッチＳＷ１７のゲート端子とカソード端子に接続している。
【０１４６】
同様に、第１の回路１２における第２のトランス１６Ｂの第２の一次巻線２０Ｂと第１３の半導体スイッチＳＷ１３のアノード端子間の導体に２つの変流器（第３の変流器５０Ｃ及び第４の変流器５０Ｄ）を取り付け、第３の変流器５０Ｃの出力端子をそれぞれ第１６の半導体スイッチＳＷ１６のゲート端子とカソード端子に接続し、第４の変流器５０Ｄの出力端子をそれぞれ第１８の半導体スイッチＳＷ１８のゲート端子とカソード端子に接続している。
【０１４７】
ここで、第４の実施の形態に係るパルス電源１０Ｄの回路動作について、図２０〜図２６の回路図と図２７及び図２８の波形図とを参照しながら説明する。
【０１４８】
まず、モード０（初期状態）においては、図２０に示すように、全てのスイッチがオフ状態となっている。
【０１４９】
その後、図２７の時点ｔ０において、第１２の半導体スイッチＳＷ１２のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ１が供給され、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオフからオンになる。
【０１５０】
時点ｔ０で第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオンすると、モード１（充電期間）に入り、図２１に示すように、直流電源２６→第１１の抵抗Ｒ１１→第１１の半導体スイッチＳＷ１１のゲート端子→第１１の半導体スイッチＳＷ１１のカソード端子→第１２の半導体スイッチＳＷ１２の経路４０Ａで電流が流れ、第１１の半導体スイッチＳＷ１１がターンオンする。これにより、第１のトランス１６Ａの第１の一次巻線２０Ａには、直流電源２６の電圧Ｅが印加され、直流電源２６→第１の一次巻線２０Ａ→第１１の半導体スイッチＳＷ１１→第１２の半導体スイッチＳＷ１２の経路４２Ａで電流Ｉ１（＝Ｉ２）が流れ、第１の一次巻線２０Ａに電磁エネルギーが充電される。そして、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がオンとなっている期間Ｔｗ１において、第１の二次巻線２２Ａの両端には、一定の正極性の電圧Ｖ１が誘起される。
【０１５１】
また、前記電流Ｉ１が流れることによって、第１及び第２の変流器５０Ａ及び５０Ｂを通じて第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７にそれぞれ第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れ、これら第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７がオン状態となる。
【０１５２】
第１７の半導体スイッチＳＷ１７は、アノード−カソード間が第１の二次巻線２２Ａの両端に誘起された正極性の電圧Ｖ１によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記誘起電圧Ｖ１に基づく負極性の電圧（−Ｖ１：図２８において電圧Ｖｏの破線で示す電圧）の印加が、第１７の半導体スイッチＳＷ１７によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【０１５３】
また、第２の回路１４に電流が流れないので、第１５の半導体スイッチＳＷ１５を含む経路、すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子→接点６０→第２の一次巻線２０Ｂ→第１５の半導体スイッチＳＷ１５のアノード端子の経路には電流は流れない。
【０１５４】
さらに、第１６の半導体スイッチＳＷ１６は、アノード−カソード間が直流電源２６の電源電圧Ｅによって逆バイアス状態となっているため、完全なオフ状態へ移行、維持される。
【０１５５】
時点ｔ１において、第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフすると、モード２（転流期間）に入り、図２２に示すように、第１の回路１２では、第１の一次巻線２０Ａ→第１１の半導体スイッチＳＷ１１→第１２のダイオードＤ１２→第１１のダイオードＤ１１の経路４４Ａで電流が流れ、第１１の半導体スイッチＳＷ１１がオフへ移行を始める。また、同時に、第１の一次巻線２０Ａに充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流Ｉｏが流れ出す（経路４６Ａ参照）。このとき、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７には事前に十分な第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れていたため、第１５の半導体スイッチＳＷ１５を含む経路、すなわち、第１５の半導体スイッチＳＷ１５のカソード端子→接点６０→第２の一次巻線２０Ｂ→第１５の半導体スイッチＳＷ１５のアノード端子の経路４８Ａで電流Ｉ５（＝Ｉ６）が流れる。このとき、第１５及び第１７の半導体スイッチＳＷ１５及びＳＷ１７には第１２の半導体スイッチＳＷ１２がターンオフする前から十分な第１及び第３のゲート電流Ｉｇ１及びＩｇ３が流れてオン状態となっていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏが低損失で流れることになる。その後、第１１の半導体スイッチＳＷ１１は完全なオフ状態に至る。
【０１５６】
第１１の半導体スイッチＳＷ１１が完全にオフ状態になると、モード３（放電期間）に入り、図２３に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏが上昇し、正電圧値（Ｖ１ｐ）をピーク（放電開始電圧）とした正極性のパルスＰｏ１が出力され（図２８参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この正極性のパルスＰｏ１の立ち上がりの傾きは、第１のトランス１６Ａの励磁インダクタンスと負荷２４の容量との共振周波数で決定される。
【０１５７】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖ１ｐに達すると、該出力電圧Ｖｏは急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図２０に示すモード０（初期状態）となる。
【０１５８】
ここで、正極性のパルスＰｏ１のパルス幅Ｔｐ１は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定されるが、共振周波数が低周波であるほどパルス幅Ｔｐ１は大きくなる。
【０１５９】
その後、図２７の時点ｔ１０において、第１４の半導体スイッチＳＷ１４のゲート−ソース間に例えば高レベルのスイッチング制御信号Ｓｃ２が供給され、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオフからオンになる。
【０１６０】
時点ｔ１０で第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオンすると、モード４（充電期間）に入り、図２４に示すように、今度は、直流電源２６→第１２の抵抗Ｒ１２→第１３の半導体スイッチＳＷ１３のゲート端子→第１３の半導体スイッチＳＷ１３のカソード端子→第１４の半導体スイッチＳＷ１４の経路４０Ｂで電流が流れ、第１３の半導体スイッチＳＷ１３がターンオンする。これにより、第２のトランス１６Ｂの第２の一次巻線２０Ｂには、直流電源２６の電圧Ｅが印加され、直流電源２６→第２の一次巻線２０Ｂ→第１３の半導体スイッチＳＷ１３→第１４の半導体スイッチＳＷ１４の経路４２Ｂで電流Ｉ４（＝Ｉ５）が流れ、第２の一次巻線２０Ｂに電磁エネルギーが充電される。そして、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がオンとなっている期間Ｔｗ２において、第２の二次巻線２２Ｂの両端には、一定の正極性の電圧Ｖ２が誘起される（図２８参照）。
【０１６１】
また、前記電流Ｉ４が流れることによって、第３及び第４の変流器５０Ｃ及び５０Ｄを通じて第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８にそれぞれ第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れ、これら第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８がオン状態となる。
【０１６２】
第１８の半導体スイッチＳＷ１８は、アノード−カソード間が第２の二次巻線２２Ｂの両端に誘起された正極性の電圧Ｖ２によって逆バイアス状態となっているため、第２の回路１４には電流は流れない。つまり、負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂへの前記正極性の電圧Ｖ２の印加が、第１８の半導体スイッチＳＷ１８によって回避されるため、一対の電極３８ａ及び３８ｂが収容された反応器内にアーク放電は発生しない。
【０１６３】
また、第２の回路１４に電流が流れないので、第１６の半導体スイッチＳＷ１６を含む経路、すなわち、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子→接点６０→第１の一次巻線２０Ａ→第１６の半導体スイッチＳＷ１６のアノード端子の経路には電流は流れない。
【０１６４】
さらに、第１５の半導体スイッチＳＷ１５は、アノード−カソード間が直流電源２６の電源電圧Ｅによって逆バイアス状態となっているため、完全なオフ状態へ移行、維持される。
【０１６５】
時点ｔ１１において、第１４の半導体スイッチＳＷ１４がターンオフすると、モード５（転流期間）に入り、図２５に示すように、第１の回路１２では、第２の一次巻線２０Ｂ→第１３の半導体スイッチＳＷ１３→第１３のダイオードＤ１３→第１１のダイオードＤ１１の経路４４Ｂで電流が流れ、第１３の半導体スイッチＳＷ１３がオフへ移行を始める。また、同時に、第２の一次巻線２０Ｂに充電された電磁エネルギーにより第２の回路１４に電流Ｉｏが流れ出す（経路４６Ｂ参照）。このとき、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８には事前に十分な第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れていたため、第１６の半導体スイッチＳＷ１６を含む経路、すなわち、第１６の半導体スイッチＳＷ１６のカソード端子→接点６０→第１の一次巻線２０Ａ→第１６の半導体スイッチＳＷ１６のアノード端子の経路４８Ｂで電流Ｉ２（＝Ｉ３）が流れる。
【０１６６】
このとき、第１６及び第１８の半導体スイッチＳＷ１６及びＳＷ１８には第１３の半導体スイッチＳＷ１３がターンオフする前から十分な第２及び第４のゲート電流Ｉｇ２及びＩｇ４が流れてオン状態となっていたため、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏが低損失で流れることになる。その後、第１３の半導体スイッチＳＷ１３は完全なオフ状態に至る。
【０１６７】
第１３の半導体スイッチＳＷ１３が完全にオフ状態になると、モード６（放電期間）に入り、図２６に示すように、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振で、一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の出力電圧Ｖｏの絶対値が上昇し、負電圧値（Ｖ２ｐ）をピーク（放電開始電圧）とした負極性のパルスＰｏ２が出力され（図２８参照）、出力電流Ｉｏは減少する。この負極性のパルスＰｏ２の立ち上がりの傾きは、第２のトランス１６Ｂの励磁インダクタンス（Ｌｅｘ２）と負荷２４の容量との共振周波数で決定される。
【０１６８】
出力電圧Ｖｏが放電開始電圧Ｖ２ｐに達すると、該出力電圧Ｖｏの絶対値は急速に低下する。一方、出力電流Ｉｏは、放電時の負荷２４の特性により決まる時定数で減衰し、再び図２０に示すモード０（初期状態）となる。
【０１６９】
ここで、正極性のパルスＰｏ２のパルス幅Ｔｐ２は、励磁インダクタンスと負荷２４における一対の電極３８ａ及び３８ｂ間の容量との共振及び、放電時の負荷２４の特性によって決定されるが、共振周波数が低周波であるほどパルス幅Ｔｐ２は大きくなる。
【０１７０】
このように、第４の実施の形態に係るパルス電源１０Ｄにおいては、上述した第３の実施の形態に係るパルス電源１０Ｃと同様に、正極性の高電圧パルスＰｏ１と負極性の高電圧パルスＰｏ２を連続して発生することができ、しかも、正極性のパルスＰｏ１のパルス幅Ｔｐ１と、負極性のパルスＰｏ２のパルス幅Ｔｐ２を独立に変えることができる。
【０１７１】
また、第１の回路１２から第２の回路１４に転流が行われる場合に、急峻な立ち上がりの大電流Ｉｏを低損失で流すことができる。しかも、第１の回路１２での充電期間Ｔｗ１及びＴｗ２において、一対の電極３８ａ及び３８ｂに対して第１の二次巻線２２Ａでの誘起電圧Ｖ１及び第２の二次巻線２２Ｂでの誘起電圧Ｖ２が印加されないようにすることができ、信頼性の向上を図ることができる。
【０１７２】
特に、この第４の実施の形態では、第１の回路１２に第１〜第４の変流器５０Ａ〜５０Ｄを取り付けるだけで、第１５〜第１８の半導体スイッチＳＷ１５〜ＳＷ１８のオン状態を制御することができるため、回路構成の簡略化を図ることができ、パルス電源１０Ｄのコストの低廉化、サイズの小型化を促進させることができる。
【０１７３】
なお、本発明に係る電気回路及びパルス電源は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】第１の実施の形態に係るパルス電源の構成並びにモード０（初期状態）を示す回路図である。
【図２】第１の実施の形態に係るパルス電源のモード１（充電期間）を示す動作説明図である。
【図３】第１の実施の形態に係るパルス電源のモード２（転流期間）を示す動作説明図である。
【図４】第１の実施の形態に係るパルス電源のモード３（放電期間）を示す動作説明図である。
【図５】第１の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形を示す図である。
【図６】第２の実施の形態に係るパルス電源の構成並びにモード０（初期状態）を示す回路図である。
【図７】第２の実施の形態に係るパルス電源のモード１（充電期間）を示す動作説明図である。
【図８】第２の実施の形態に係るパルス電源のモード２（転流期間）を示す動作説明図である。
【図９】第２の実施の形態に係るパルス電源のモード３（放電期間）を示す動作説明図である。
【図１０】第２の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形を示す図である。
【図１１】第３の実施の形態に係るパルス電源の構成並びにモード０（初期状態）を示す回路図である。
【図１２】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード１（充電期間）を示す動作説明図である。
【図１３】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード２（転流期間）を示す動作説明図である。
【図１４】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード３（放電期間）を示す動作説明図である。
【図１５】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード４（充電期間）を示す動作説明図である。
【図１６】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード５（転流期間）を示す動作説明図である。
【図１７】第３の実施の形態に係るパルス電源のモード６（放電期間）を示す動作説明図である。
【図１８】第３の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形（その１）を示す図である。
【図１９】第３の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形（その２）を示す図である。
【図２０】第４の実施の形態に係るパルス電源の構成並びにモード０（初期状態）を示す回路図である。
【図２１】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード１（充電期間）を示す動作説明図である。
【図２２】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード２（転流期間）を示す動作説明図である。
【図２３】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード３（放電期間）を示す動作説明図である。
【図２４】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード４（充電期間）を示す動作説明図である。
【図２５】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード５（転流期間）を示す動作説明図である。
【図２６】第４の実施の形態に係るパルス電源のモード６（放電期間）を示す動作説明図である。
【図２７】第４の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形（その１）を示す図である。
【図２８】第４の実施の形態に係るパルス電源の回路動作における信号波形（その２）を示す図である。
【図２９】従来例に係るパルス電源を示す回路図である。
【図３０】他の従来例に係るパルス電源を示す回路図である。
【図３１】他の従来例に係るパルス電源から出力されるパルス波形を示す図である。
【符号の説明】
【０１７５】
１０Ａ〜１０Ｄ…パルス電源 １２…第１の回路
１４…第２の回路 １６、１６Ａ、１６Ｂ…トランス
１８…スイッチングコントローラ ２０、２０Ａ、２０Ｂ…一次巻線
２２、２２Ａ、２２Ｂ…二次巻線 ２４…負荷
２６…直流電源 ３４、３４Ａ、３４Ｂ…ドライバ回路
３６、３６Ａ〜３６Ｄ…ゲートアンプ ３８ａ、３８ｂ…電極
５０、５０Ａ〜５０Ｄ…変流器
ＳＷ１〜ＳＷ３、ＳＷ１１〜ＳＷ１８…半導体スイッチ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体スイッチを有する第１の回路と、
前記第１の半導体スイッチのターンオフに基づいて転流を行う第２の回路とを具備し、
前記第２の回路は、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、逆バイアス下においてオン状態とされる第２の半導体スイッチを有することを特徴とする電気回路。
【請求項２】
請求項１記載の電気回路において、
前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する制御回路を有することを特徴とする電気回路。
【請求項３】
請求項１記載の電気回路において、
前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１の回路に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路を有することを特徴とする電気回路。
【請求項４】
第１の半導体スイッチを有する第１の回路と、前記第１の半導体スイッチのターンオフに基づいて転流を行い、高電圧パルスを発生する第２の回路とを具備し、
前記第２の回路は、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、逆バイアス下においてオン状態とされる第２の半導体スイッチを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項５】
請求項４記載のパルス電源において、
前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する制御回路を有することを特徴とするパルス電源。
【請求項６】
請求項４記載のパルス電源において、
前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１の回路に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路を有することを特徴とするパルス電源。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか１項に記載のパルス電源において、
前記第１の回路と前記第２の回路がトランスを介して結合され、
前記第１の回路に前記トランスの一次巻線が接続され、
前記第２の回路に前記トランスの二次巻線が接続され、
前記第２の半導体スイッチは、前記二次巻線に直列に、且つ、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間において、前記第２の回路に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されていることを特徴とするパルス電源。
【請求項８】
第１のインダクタに対する第１の誘導エネルギーの蓄積と、
前記第１のインダクタからの前記第１の誘導エネルギーの解放に伴う第１のパルスの発生と、
第２のインダクタに対する第２の誘導エネルギーの蓄積と、
前記第２のインダクタからの前記第２の誘導エネルギーの解放に伴う前記第１のパルスとは逆極性の第２のパルスの発生とを行うことを特徴とするパルス電源。
【請求項９】
請求項８記載のパルス電源において、
直流電源と、
前記第１のインダクタの一次巻線と前記第２のインダクタの一次巻線との接点と、前記直流電源との間に接続され、前記接点に向けて電流を流す整流素子と、
前記整流素子からの電流を前記接点から前記第１のインダクタに向けて流すように制御する第１のスイッチ回路と、
前記整流素子からの電流を前記接点から前記第２のインダクタに向けて流すように制御する第２のスイッチ回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１０】
請求項９記載のパルス電源において、
前記第１のスイッチ回路は、
前記第１のインダクタと前記直流電源との間に接続され、前記直流電源からの電流を前記接点から前記第１のインダクタに向けて流す第１の半導体スイッチと、
前記第１の半導体スイッチのオン／オフを制御する第２の半導体スイッチと、
前記第２の半導体スイッチのオン／オフを制御する第１の制御回路とを有し、
前記第２のスイッチ回路は、
前記第２のインダクタと前記直流電源との間に接続され、前記直流電源からの電流を前記接点から前記第２のインダクタに向けて流す第３の半導体スイッチと、
前記第３の半導体スイッチのオン／オフを制御する第４の半導体スイッチと、
前記第４の半導体スイッチのオン／オフを制御する第２の制御回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載のパルス電源において、
前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、ゼロ電流の状況下においてオン状態とされる第５の半導体スイッチを有し、
前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、ゼロ電流の状況下においてオン状態とされる第６の半導体スイッチを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１２】
請求項１１記載のパルス電源において、
前記第５及び第６の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第５の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第３の制御回路と、
前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第６の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第４の制御回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１３】
請求項１１記載のパルス電源において、
前記第５及び第６の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第５の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１のインダクタに流れる電流をオン信号として供給する第１の回路と、
前記第６の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第２のインダクタに流れる電流をオン信号として供給する第２の回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載のパルス電源において、
前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第１のインダクタの二次巻線に発生する電圧による逆バイアス下においてオン状態とされる第７の半導体スイッチと、
前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第２のインダクタの二次巻線に発生する電圧による逆バイアス下においてオン状態とされる第８の半導体スイッチとを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１５】
請求項１４記載のパルス電源において、
前記第７及び第８の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第７の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第５の制御回路と、
前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第８の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第６の制御回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１６】
請求項１４記載のパルス電源において、
前記第７及び第８の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第７の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１のインダクタの一次巻線に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路と、
前記第８の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第２のインダクタの一次巻線に流れる電流をオン信号として供給する第４の回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１】
第１の半導体スイッチを有する第１の回路と、
前記第１の半導体スイッチのターンオフに基づいて転流を行う第２の回路とを具備し、
前記第２の回路は、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、逆バイアス下においてオン状態とされる第２の半導体スイッチを有することを特徴とする電気回路。
【請求項２】
請求項１記載の電気回路において、
前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する制御回路を有することを特徴とする電気回路。
【請求項３】
請求項１記載の電気回路において、
前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１の回路に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路を有することを特徴とする電気回路。
【請求項４】
第１の半導体スイッチを有する第１の回路と、前記第１の半導体スイッチのターンオフに基づいて転流を行い、高電圧パルスを発生する第２の回路とを具備し、
前記第２の回路は、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、逆バイアス下においてオン状態とされる第２の半導体スイッチを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項５】
請求項４記載のパルス電源において、
前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間の少なくとも最終段階に、前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する制御回路を有することを特徴とするパルス電源。
【請求項６】
請求項４記載のパルス電源において、
前記第２の半導体スイッチは、ゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第２の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１の回路に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路を有することを特徴とするパルス電源。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか１項に記載のパルス電源において、
前記第１の回路と前記第２の回路がトランスを介して結合され、
前記第１の回路に前記トランスの一次巻線が接続され、
前記第２の回路に前記トランスの二次巻線が接続され、
前記第２の半導体スイッチは、前記二次巻線に直列に、且つ、前記第１の半導体スイッチがオンとされている期間において、前記第２の回路に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されていることを特徴とするパルス電源。
【請求項８】
第１のインダクタに対する第１の誘導エネルギーの蓄積と、
前記第１のインダクタからの前記第１の誘導エネルギーの解放に伴う第１のパルスの発生と、
第２のインダクタに対する第２の誘導エネルギーの蓄積と、
前記第２のインダクタからの前記第２の誘導エネルギーの解放に伴う前記第１のパルスとは逆極性の第２のパルスの発生とを行うことを特徴とするパルス電源。
【請求項９】
請求項８記載のパルス電源において、
直流電源と、
前記第１のインダクタの一次巻線と前記第２のインダクタの一次巻線との接点と、前記直流電源との間に接続され、前記接点に向けて電流を流す整流素子と、
前記整流素子からの電流を前記接点から前記第１のインダクタに向けて流すように制御する第１のスイッチ回路と、
前記整流素子からの電流を前記接点から前記第２のインダクタに向けて流すように制御する第２のスイッチ回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１０】
請求項９記載のパルス電源において、
前記第１のスイッチ回路は、
前記第１のインダクタと前記直流電源との間に接続され、前記直流電源からの電流を前記接点から前記第１のインダクタに向けて流す第１の半導体スイッチと、
前記第１の半導体スイッチのオン／オフを制御する第２の半導体スイッチと、
前記第２の半導体スイッチのオン／オフを制御する第１の制御回路とを有し、
前記第２のスイッチ回路は、
前記第２のインダクタと前記直流電源との間に接続され、前記直流電源からの電流を前記接点から前記第２のインダクタに向けて流す第３の半導体スイッチと、
前記第３の半導体スイッチのオン／オフを制御する第４の半導体スイッチと、
前記第４の半導体スイッチのオン／オフを制御する第２の制御回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載のパルス電源において、
前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、ゼロ電流の状況下においてオン状態とされる第５の半導体スイッチを有し、
前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、ゼロ電流の状況下においてオン状態とされる第６の半導体スイッチを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１２】
請求項１１記載のパルス電源において、
前記第５及び第６の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第５の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第３の制御回路と、
前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第６の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第４の制御回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１３】
請求項１１記載のパルス電源において、
前記第５及び第６の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第５の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１のインダクタに流れる電流をオン信号として供給する第１の回路と、
前記第６の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第２のインダクタに流れる電流をオン信号として供給する第２の回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載のパルス電源において、
前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第１のインダクタの二次巻線に発生する電圧による逆バイアス下においてオン状態とされる第７の半導体スイッチと、
前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第２のインダクタの二次巻線に発生する電圧による逆バイアス下においてオン状態とされる第８の半導体スイッチとを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１５】
請求項１４記載のパルス電源において、
前記第７及び第８の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第１のインダクタに対する前記第１の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第７の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第５の制御回路と、
前記第２のインダクタに対する前記第２の誘導エネルギーの蓄積期間の少なくとも最終段階に、前記第８の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に少なくともオン信号を供給する第６の制御回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【請求項１６】
請求項１４記載のパルス電源において、
前記第７及び第８の半導体スイッチは、それぞれゲート端子、カソード端子及びアノード端子を有し、
前記第７の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第１のインダクタの一次巻線に流れる電流をオン信号として供給する第３の回路と、
前記第８の半導体スイッチの前記ゲート端子とカソード端子間に前記第２のインダクタの一次巻線に流れる電流をオン信号として供給する第４の回路とを有することを特徴とするパルス電源。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【公開番号】特開２００７−１４０８９（Ｐ２００７−１４０８９Ａ）
【公開日】平成１９年１月１８日（２００７．１．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１８９９１９（Ｐ２００５−１８９９１９）
【出願日】平成１７年６月２９日（２００５．６．２９）
【出願人】（０００００４０６４）日本碍子株式会社 (2,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１月１８日（２００７．１．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年６月２９日（２００５．６．２９）
【出願人】（０００００４０６４）日本碍子株式会社 (2,325)
【Ｆターム（参考）】
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