１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４，５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体、その製造方法及び該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４，５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体並びに不斉水素化方法
【課題】特にβデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する金属錯体を形成する新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体、その製造方法、該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体及び該金属錯体を用いた不斉水素化方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されることを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体。
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【解決手段】下記一般式（１）で表されることを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体。
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体及びその製造方法に関する。該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体は、不斉合成触媒の配位子として使用することができる。また、本発明は、該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体及びその金属錯体を用いた不斉水素化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リン原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子は、遷移金属錯体を用いる触媒的不斉合成反応において重要な役割を果たしている。リン原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子としては、特許文献１に、１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体が提案されている。
【０００３】
特許文献２には、２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体が提案されている。このピラジン誘導体は、ピラジン骨格に由来して電子求引性が極めて高く、またそれによってホスフィン部位のリン原子の電子密度が低くなっているという特徴を有する。このピラジン誘導体を配位子とした金属錯体は、このような特徴が活かされる反応の触媒として用いるのが効果的である。
【０００４】
一般的にβデヒドロアミノ酸からβアミノ酸へのロジウム触媒を用いた不斉水素化反応は広く知られているが、βデヒドロアミノ酸におけるＥ体、Ｚ体の両異性体に対して１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体や２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体を用いたもの以外に高い不斉誘起能と触媒活性を示すものは、あまり知られていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１９２８８号公報
【特許文献２】特開２００７−５６００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、リン原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子の研究を進める中で、特にβデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する新規な一般式（１）で表わされる１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を見出し本発明を完成するに到った。
【０００７】
従って、本発明の目的は、特にβデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する金属錯体を形成する新規な一般式（１）で表わされる１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体、その製造方法、該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体及び該金属錯体を用いた不斉水素化方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明が提供しようする第１の発明は、下記一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を提供するものである。
【化１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【０００９】
また、本発明が提供しようとする第２の発明は、前記第１の発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法であって、下記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を脱ボラン化した後、ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応を行い、次いで、その生成物を、
一般式；ＲａＰＸ’２（Ｒａは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ’はハロゲン原子を示す）で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させた後、
一般式ＲｂＭｇＸ”（Ｒｂは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ”はハロゲン原子を示す。）で表されるグリニャ−ル試薬と反応させる工程を含むことを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法である。
【化２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【００１０】
また、本発明が提供しようとする第３の発明は、前記第１の発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とすることを特徴とする金属錯体である。
【００１１】
また、本発明が提供しようとする第４の発明は、前記第３の発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とすることを特徴とする金属錯体を用いた不斉水素化方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、不斉合成反応の触媒として有用な金属錯体を形成し得る新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を提供することができる。また、本発明の製造方法によれば、この１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を容易に製造することができる。さらに、この１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体は、不斉合成反応の触媒として用いた場合に高いエナンチオ選択性及び反応活性を有し、特に、本発明の新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体は、βデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
前記一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体において、式中のＲ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。一般式（１）における２つのＲ１は、お互いに同一でもよく或いは異なっていてもよい。２つのＲ２も同様に、お互いに同一でもよく或いは異なっていてもよい。Ｒ１及びＲ２のアルキル基としては、非環式アルキル基と脂環式アルキル基が挙げられる。
【００１４】
非環式アルキル基には、直鎖状アルキル基と分岐状アルキル基がある。直鎖状アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基等の炭素数１〜１０のものが挙げられる。分岐状アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソヘプチル基、イソヘキシル基、１,１,３,３−テトラメチルブチル基等の炭素数３〜１０のものが挙げられる。
【００１５】
脂環式アルキル基には、単環式アルキル基と複環式アルキル基がある。単環式アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜１０のものが挙げられる。複環式アルキル基としては、アダマンチル基等の炭素数４〜１０のものが挙げられる。
【００１６】
前記一般式（１）で表される本発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体には、下記一般式（１Ａ）で表されるリン原子上に不斉中心を有し光学活性を示すものが含まれるほか、Ｒ1とＲ2とが異なるがラセミ体であるため見かけ上は光学活性を示さないものも含まれる。中でも、下記一般式（１Ａ）で表されるものは、不斉合成触媒用の金属錯体の配位子として優れた性能を発揮する。
【化３】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【００１７】
一般式（１Ａ）において、Ｒ１の方が炭素数が多い場合は、一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体は（Ｒ，Ｒ）体であり、一方、Ｒ２の炭素数が多い場合は、（Ｓ，Ｓ）体である。
【００１８】
一般式（１Ａ）において、Ｒ１及びＲ２の炭素数の差は少なくとも１であることが必要である。一般式（１Ａ）において、Ｒ１及びＲ２のうち炭素数が多い方の基は、立体障害性を有する嵩高い置換基であることが好ましい。この観点から、Ｒ１及びＲ２のうち炭素数が多い方の基は、一級アルキル基よりも二級アルキル基が好ましく、二級アルキル基より三級アルキル基が好ましい。また、脂環式のアルキル基であることも好ましい。好ましいアルキル基としてはｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
【００１９】
ここで、一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を、不斉合成触媒用金属錯体の配位子として用いた場合、高度な不斉空間が形成されることを考慮すると、Ｒ1とＲ2の立体障害性に大きな差があることが好ましい。つまり、Ｒ１とＲ２の一方が立体障害性を有する嵩高い置換基、つまり極大基であるのに対して、他方は極小基であることが好ましい。従ってＲ1とＲ2は炭素数の差は大きいほど好ましい。具体的には、Ｒ1とＲ2の炭素数の差は２以上、特に３以上、とりわけ４以上であることが好ましい。Ｒ１及びＲ２のうち、炭素数が少ない方の基は、極小基であることに鑑みれば、同じ炭素数の脂環式アルキル基と非環式アルキル基では、非環式アルキル基の方が好ましい。さらに、同じ炭素数の非環式アルキル基の中では、分岐状アルキル基より直鎖状アルキル基の方が好ましい。最終的には、Ｒ１及びＲ２のうち炭素数が少ない方の基として最も好ましい基はメチル基であると言える。しかし、一般的には、炭素数が少ない方の基として用いる基は、炭素数が多い方の基との関係で相対的に決定される。Ｒ１とＲ２の好ましい組み合わせとしては、例えばＲ１＝ｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２＝メチル基の組み合わせ、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝ｔｅｒｔ−ブチル基の組み合わせが挙げられる。
【００２０】
一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の特に好ましい具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
（Ｒ,Ｒ）−１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｓ,Ｓ）−１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｒ,Ｒ）−１，２−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｓ,Ｓ）−１，２−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｒ,Ｒ）−１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｓ,Ｓ）−１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｒ,Ｒ）−１，２−ビス（１,１,３,３−テトラメチルブチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｓ,Ｓ）−１，２−ビス（１,１,３,３−テトラメチルブチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン。
【００２１】
一般式（１）で表される本発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の好ましい製造方法について以下に説明する。
【００２２】
本発明の製造方法において、先ず、下記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を用意する。本製造方法では、出発原料として下記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を用いることにより、対応する一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を得ることができる。なお、その光学活性体である一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を製造するには、出発原料として一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物に代えて、該ホスフィン−ボラン化合物の光学活性体である下記一般式（２Ａ）で表されるホスフィン−ボラン化合物を用いて後述する第１〜第４工程の反応を行えばよい。
【化４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記一般式（１）と同じ。）
【００２３】
出発原料である一般式（２）の化合物は、例えば下記反応式（１）に従って、合成することができる。
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ。）
前記反応式（１）においては、先ず出発原料であるジアルキルホスフィン−ボラン（３）にアルゴン雰囲気下、−８０℃においてｓ−ＢｕＬｉを加え、ホスフィドアニオンとし、次いで４,５−（メチレンジオキシ）−１，２−ジヨードベンゼンと反応させることにより目的とする一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を得ることができる（Organic Letters 2010年 12巻 19号 4400-4403）。なお、前記一般式（２Ａ）で表される光学活性なホスフィン−ボラン化合物を得るには、反応式（１）に係る反応において、ジアルキルホスフィン−ボラン（３）の光学活性体を用いて反応を行えばよい。
ジアルキルホスフィン−ボラン（３）及びその光学活性体は、特開２００１−２５３８８９号公報又は特開２００７−７０３１０号公報に記載の方法等の公知の方法によって調製することができる。
【００２４】
一般式（２Ａ）で表されるホスフィン−ボラン化合物において、Ｒ１の炭素数をＲ２の炭素数より多くする場合（該ホスフィン−ボランがＳ体の場合）、ジアルキルホスフィン−ボランとしてはＲ体のものを用いる。これとは逆に、一般式（２Ａ）で表されるホスフィン−ボラン化合物においては、Ｒ２の炭素数をＲ１の炭素数より多くする場合（該ホスフィン−ボラン化合物がＲ体の場合）、ジアルキルホスフィン−ボランとしてＳ体のものを用いる。
【００２５】
本発明の製造方法の第１工程である一般式（２）のジアルキルホスフィン−ボラン化合物の脱ボラン化は、以下の反応式（２）で表される。
【化６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ。）
反応式（２）に係るジアルキルホスフィン−ボラン化合物の脱ボラン化は、従来公知の方法に準じて行うことができる。例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中、１，４−ジアザビシクロ[２．２．２]オクタン（ＤＡＢＣＯ）、Ｎ−メチルモルホリン、トリエチルアミン、ピロリジン、ジエチルアミン等の塩基の存在下で行うことができる。塩基としては、これらの中でもＤＡＢＣＯを用いることが好ましい。塩基の使用量は、一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し１〜３モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜５時間とすることができる。反応温度は２０〜１１０℃までとすることができる。
【００２６】
次に、第２工程としてハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との金属―ハロゲン交換反応を行う。ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物は、一般式ＲＭｇＸ（式中、Ｒは炭素数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘはハロゲン原子を示す。）で表される。ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応は、以下の反応式（３）で表される。
【化７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ及びＸは前記と同じ。）
ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応は、例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中で行われる。ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物としては、塩化メチルマグネシウム、臭化メチルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、臭化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化ｉｓｏ−プロピルマグネシウム、臭化ｉｓｏ−プロピルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｓｅｃ− ブチルマグネシウム及び塩化ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウム等が挙げられる。これらの中でも塩化ｉｓｏ−プロピルマグネシウムが好ましい。ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物の使用量は、第１工程で使用した一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し０．７〜２．０モルの割合が好ましく、１．０〜１．５モルが特に好ましい。なお、この第２工程では、必要により塩化リチウム、臭化リチウム、ヨウ化リチウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩素酸リチウム等の反応助剤を共存させて反応を行うことによりいっそう反応を効率よく進行させることができる。この反応助剤の添加量はハロゲン化アルキルマグネシウム化合物に対するモル比で０．２〜４．０、好ましくは１．０〜１．５である。
また、反応時間は１０分〜８時間とすることができ、好ましくは２０分〜２時間である。反応温度は−８０〜８０℃とすることができる。
【００２７】
次に、第３工程として、第２工程の反応生成物（４）を、一般式ＲａＰＸ’２（Ｒａは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ’はハロゲン原子を示す）で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させる。Ｒａは、Ｒ１及びＲ２のうちの炭素数が多い方の基であることが好ましい。Ｘ’で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、塩素が好ましい。一般式ＲａＰＸ’２で表されるアルキルジハロゲノホスフィンは、市販品として入手可能である。また、工業的にも安価に製造可能である（例えば、特開２００２−２５５９８３号公報、特開２００１−３５４６８３号公報等参照。）。例えばＲａがＲ１である場合、第３工程の反応は以下の反応式（４）で表される。
【化８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びＸ’は前記と同じ。）
【００２８】
第３工程の反応は、例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中で行うことができる。一般式ＲａＰＸ’２で表されるアルキルジハロゲノホスフィンの使用量は、第１工程で使用した一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し１．０〜２．０モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜２４時間とすることができる。反応温度は−１００〜８０℃とすることができる。
【００２９】
次に、第４工程として、第３工程の反応生成物（５）を、一般式ＲｂＭｇＸ”（Ｒｂは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ”はハロゲン原子を示す）で表されるグリニャ−ル試薬と反応させる。なお、Ｒｂは一般式（１）におけるＲ１及びＲ２のうち、Ｒａとは異なる基である。
Ｘ”で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、塩素、臭素が好ましい。例えばＲｂがＲ２である場合、第４工程の反応は以下の反応式（５）で表される。
【化９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＸ”は前記と同じ。）
【００３０】
第４工程の反応は、従来公知のグリニャ−ル反応に準じて行うことができる。例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中で行うことができる。一般式ＲｂＭｇＸ”で表されるグリニャ−ル試薬の使用量は、第１工程で使用した一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し１．０〜２．０モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜２４時間とすることができる。反応温度は０〜１００℃とすることができる。尚、以上の第１〜４工程の反応は、不活性ガス下で行うことが好ましい。
【００３１】
以上の第１〜４工程により、目的物である前記一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体又は前記一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体が得られるが、必要により常法に従った精製を行うことで目的物を純度よく得ることができる。
【００３２】
また、前記一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を得る場合、目的物である該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体は（Ｒ，Ｒ）体又は（Ｓ，Ｓ）体であるところ、第１〜４工程後には目的物以外の成分として（Ｒ，Ｓ）体又は（Ｓ，Ｒ）体、例えばメソ体が含有された混合物が得られる場合がある。例えば目的物が（Ｒ，Ｒ）体であり、二つのＲ１が同一のアルキル基で且つ二つのＲ２が同一のアルキル基である場合には、（Ｒ，Ｒ）体とメソ体の混合物が得られる場合がある。そのため、必要により精製（ａ）を行うことにより、該混合物から本発明の目的物である（Ｒ，Ｒ）体又は（Ｓ，Ｓ）体を分離すると、目的物を純度よく得ることができる。この分離は、通常の精製方法により行えばよく、通常は再結晶で十分である。また、分離は、必要に応じてカラム分離により行うこともできる。また、精製（ａ）を行うに当たって、適宜、脱溶媒、洗浄、カラム分離等の精製方法により、精製（ａ’）を行っておくことが好ましい。
【００３３】
なお、カラム分離等の精製工程において、目的物が酸化されやすく、精製が困難な場合には、必要により１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の精製操作の際の酸化を抑制するため、前記第１〜４工程に次いで、後述する第５工程を実施し１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体をボラン化して対応する下記一般式（１−１）又は（１−１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体に誘導して精製を行うことが好ましい。
【化１０】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ。）
【００３４】
第５工程の反応は、従来公知のボラン化の反応に準じて行うことができる。ボラン化で用いるボラン化剤は、ボラン−ＴＨＦ錯体、水素化ホウ素アルカリ金属塩、ボラン−アミン錯体を用いることができる。
前記水素化ホウ素アルカリ金属塩は、ＭＢＨ４の化学式（式中、Ｍはアルカリ金属原子を示す。）で表され、好ましくは水素化ホウ素リチウム（ＬｉＢＨ４）、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）、水素化ホウ素カリウム（ＫＢＨ４）である。
前記ボラン−アミン錯体は、ＢＨ３・Ｒ３ｎＨ（３−ｎ）Ｎの化学式（式中、Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シクロアリール基を示し、同一の基であっても異なる基であってもよく、ｎが２以上のときは２つのＲ３で環を形成していてもよく、ｎは、０〜３の整数である。）で表される錯体、すなわち、ボラン（ＢＨ３）と、アンモニア、第一級アミン、第二級アミン又は第三級アミンとの錯体である。該ボラン−アミン錯体としては、具体的には、ボラン−アンモニア錯体、ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−ジメチルアミン錯体、ボラン−トリエチルアミン錯体、ボラン−トリメチルアミン錯体、ボラン−４−エチルモルホリン錯体、ボラン−２，６−ルチジン錯体、ボラン−モルホリン錯体、ボラン−４−メチルモルホリン錯体、ボラン−４−フェニルモルホリン錯体、ボラン−ピペラジン錯体、ボラン−ピリジン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアニリン錯体等が挙げられる。
第５工程に係る反応は、例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中で行うことができる。
ボラン化剤の使用量は、第１工程で使用した一般式（２）又は一般式（２Ａ）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し１．０〜３．０モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜５．０時間とすることができる。反応温度は−５０〜５０℃とすることができる。尚、第５工程の反応は、不活性ガス下で行うことが好ましい。
【００３５】
第５工程終了後は、所望の精製を行った後、精製処理後の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体を脱ボラン化し、再度前記一般式（１）又は一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を得る。
この脱ボラン化は、従来公知の方法に準じて行うことができる。例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中、１，４−ジアザビシクロ[２．２．２]オクタン（ＤＡＢＣＯ）、Ｎ−メチルモルホリン、トリエチルアミン、ピロリジン、ジエチルアミン等の塩基の存在下で行うことができる。塩基としては、これらの中でもＤＡＢＣＯを用いることが好ましい。塩基の使用量は、一般式（１−１）又は一般式（１−１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体１モルに対し１〜３モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜５時間とすることができる。反応温度は２０〜１１０℃までとすることができる。
【００３６】
本発明の製造方法において出発物質として用いる前記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物は、−ＰＲ１Ｒ２ＢＨ３基を一つ有しており、該化合物を脱ボラン化してなる前記一般式（Ｂ）で表される化合物は−ＰＲ１Ｒ２基を一つ有している。本製造方法では、ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物（ＲＭｇＸ）を用いて金属―ハロゲン交換反応をおこなうことで、ベンゼン環上にヨウ素基が結合していた部位が炭素アニオンとなり、次いでアルキルジハロゲノホスフィンを加えることにより、元来ヨウ素基が結合していた部位に−ＰＲ１Ｒ２基を導入することが可能になる。
また、化合物のＭｇＸの部位上に、さらにもう一つの−ＰＲ１Ｒ２基を直接導入することは、−ＰＲ１Ｒ２基の嵩高さに起因する立体障害のために困難である場合がある。そこで、本発明では、先ず、−ＰＲ１Ｒ２基を一つ有する一般式（Ｂ）で表される化合物に対し、リン原子と共に炭素数の多いアルキル基Ｒ１を導入し、次に、炭素数の少ないもう一つのアルキル基Ｒ２を導入する。このような段階的な工程を経ることによって、−ＰＲ１Ｒ２基が嵩高いものであっても、容易に導入することが可能となる。
【００３７】
また、本発明の製造方法によれば、第１〜４工程、或いは第１〜５工程を連続的に行うことができるので、工業的に有利に目的とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を得ることができるという利点を有する。
【００３８】
本発明の製造方法により得られた前記一般式（１）及び一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体は、配位子として、遷移金属と共に錯体を形成することができる。特に前記一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とした金属錯体は、不斉合成触媒として有用である。
【００３９】
錯体を形成することができる遷移金属としては、例えば、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、ニッケル、鉄、銅等が挙げられ、好ましくはロジウム金属である。一般式（１）及び一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子としてロジウム金属と共に錯体を形成させる方法としては、例えば、実験化学講座 第４版（日本化学会編、丸善株式会社発行 第１８巻 ３２７〜３５３頁）に記載されている方法に従えばよく、例えば、一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体と、ビス（シクロオクタン−１，５−ジエン）ロジウムヘキサフルオロアンチモン酸塩、ビス（シクロオクタン−１，５−ジエン）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩等と反応させることにより、ロジウム錯体を製造することができる。
【００４０】
得られるロジウム錯体を具体的に例示すると、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]Ｃｌ、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]Ｂｒ、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]Ｉ、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]Ｃｌ、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]Ｂｒ、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]Ｉ、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)] ＢＦ４、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)] ＣｌＯ４、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]ＰＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]ＢＰｈ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)] ＢＦ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)] ＣｌＯ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＰＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＢＰｈ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd )]ＰＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)] ＢＦ４、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)] ＣｌＯ４、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)]ＢＰｈ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd )]ＰＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)] ＢＦ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)] ＣｌＯ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)]ＢＰｈ４等が挙げられ、本発明では[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)]ＳｂＦ６が好ましい。尚、上記のロジウム錯体中の（Ａ）は、一般式（１）又は一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体、ｃｏｄは、１，５−シクロオクタジエン、ｎｂｄは、ノルボルナジエン、Ｐｈはフェニルを示す。
【００４１】
一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とした遷移金属錯体（以下、本発明に係る遷移金属錯体ともいう）は、不斉合成触媒として有用なものである。不斉合成反応としては、例えば不斉水素化反応、不斉ヒドロシリル化反応、不斉マイケル付加反応等が挙げられる。これらの不斉合成反応は、本発明に係る遷移金属錯体を用いる点以外は、通常と同様に行うことができる。
【００４２】
本発明に係る遷移金属錯体は、特に不斉水素化反応における触媒として好適である。不斉水素化反応において基質として用いられる化合物としては、例えば、プロキラル炭素原子を含むＣ＝Ｃ二重結合、Ｃ＝Ｏ二重結合又はＣ＝Ｎ二重結合を有する化合物が挙げられる。該化合物としては、例えば、αデヒドロアミノ酸、βデヒドロアミノ酸、イタコン酸、エナミド、β−ケトエステル、エノ−ルエステル、α,β不飽和カルボン酸、β、γ不飽和カルボン酸、イミン等が挙げられ、特に本発明に係る遷移金属錯体は、βデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を示すことに特徴を有するものである。また、不斉水素化反応において、基質と触媒である本発明に係る遷移金属錯体とのモル比（基質／触媒）は、通常は１００以上であることが好ましい。
【００４３】
また、前記一般式（１）又は前記一般式（１Ａ）で表される本発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とし、金、銀及び銅からなる群から選ばれる遷移金属原子（好ましくは金）と共に形成された金属錯体は、特開２００７−３２０９０９号公報に記載されている２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体と同様に抗癌剤としての用途も期待できる。この金属錯体は、本発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体をＬで表したとき、〔ＭＬ2〕+Ｘ−で表される。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（合成例１）
１，２−ジヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼンの合成
【化１１】
０℃に冷却した１，２−（メチレンジオキシ）ベンゼン (7.50 g, 0.06 mol) の酢酸溶液(30 mL)に塩化ヨウ素 (25.00 g, 0.15 mol)の酢酸溶液(15 mL)を15分かけて滴下し、次いで60 ℃へ昇温し２時間反応させた。その後、激しく撹拌しながらジエチルエーテル(100 mL)と氷水(100 mL)へ反応液を注いだ。暗赤色の溶液へNa2SO3を加え、茶色の有機層を分液した。水槽にジエチルエーテル(100 mL ２回)を加えて分液した後、得られた有機層を食塩水(50 mL)で洗浄し、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を濃縮した後に析出した淡黄色の結晶をろ過し、メタノールで洗浄し、白色結晶の１，２−ジヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン(9.95 g, 0.027 mol)を収率46 %で得た。
【００４５】
（１，２−ジヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼンの同定データ）
1H NMR (500 MHz,CDCl3):δ 7.30 (s, 2H), 5.97 (s, 2H).
【００４６】
（合成例２）
(R) −２−（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）−１−ヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼンの合成
【化１２】
-80℃に冷却した(S)-tert-ブチルメチルホスフィンボラン (0.48 g, 4.0 mmol)のTHF溶液(15 mL)にs-BuLi（1.07 M シクロヘキサン/n-ヘキサン）(11.2 mL, 12.0 mmol)を加え、30分撹拌した。ここに１，２−ジヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン (1.95 g, 5.2 mmol)のTHF溶液(5 mL)を１０分間かけてゆっくりと加えた。次いで、ヨウ素(1.52 g, 6.0 mmol)のTHF溶液(1.5 mL)を加え、室温まで昇温した。溶媒を濃縮し、酢酸エチル(30 mL × 2)で抽出した。得られた有機層を食塩水(20 mL)で洗浄し、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を濃縮し得られた黄色の油状物をシリカゲルカラムで精製することにより白色結晶の(R) −２−（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）−１−ヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン (0.85 g, 2.3 mmol)を収率58 %で得た。
【００４７】
（(R) −２−（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）−１−ヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼンの同定データ）
Mp. = 123-135 ℃, [α]D27 = -20 (c 0.5, EtOAc).
1H NMR (500 MHz, CDCl3): δ 7.54 (d, J = 12.3 Hz, 1H), 7.42 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 6.03 (dd, J = 4.3 Hz, 1.2 Hz, 2H), 1.91 (d, J = 10.0 Hz, 3H), 1.20 (d, J = 14.4 Hz, 9H).
31P NMR (202 MHz, CDCl3): δ 39.9 (br).
13C NMR (126 MHz, CDCl3): δ 150.7, 148.0 (d, J = 16.8 Hz), 124.2 (d, J =48.1 Hz), 122.6 (d, J = 7.2 Hz), 188.2 (d, J = 19.2 Hz), 102.5, 88.7, 31.9 (d, J = 31.2 Hz), 26.4 (d, J = 2.4 Hz), 9.7 (d, J = 37.3 Hz).
【００４８】
｛実施例１｝
(R,R)-１-（tert-ブチルメチルホスフィノ）-２-（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｃ）の合成
【化１３】
アルゴン雰囲気の下、(R) −２−（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）−１−ヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン(182 mg, 0.50 mmol)と1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane (62 mg, 0.55 mmol)のTHF(1.5 mL)溶液を穏やかに１時間加熱還流させた。次いで-20 ℃へ冷却した後、1.3 M のi-PrMgCl.LiClのTHF溶液(0.42 mL, 0.55 mmol)を加え、１０分後、t-BuPCl2(119 mg, 0.75 mmol)のTHF溶液(1.0 mL)をゆっくりと加えた。０℃へ昇温した後、１時間撹拌をおこない、さらに５０℃へ昇温して１時間撹拌をおこなった。次いで０℃へ冷却した後、1.12 M の MeMgBrのTHF溶液(1.34 mL, 1.5 mmol)を加え、５０℃へ昇温した後に１時間撹拌下に反応をおこなった。反応液をLC-MS (APCI)で分析したところ、327 [M+H]+の分子イオンピークを検出したことから、反応液には（R,R）-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｂ）が含有されていることが確認できた。
次いで０℃へ冷却した後、1.06 Mの BH3.THF錯体のTHF溶液(1.88 mL, 2.0 mmol)を加えた。その後、水を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15 mL × 2)を加えて有機層を分液した。得られた有機層を食塩水で洗浄し、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を濃縮し得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより白色結晶の(R,R)-１-（tert-ブチルメチルホスフィノ）-２-（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｃ）(50 mg, 0.15 mmol) を収率29 %で得た。
【００４９】
（化合物１Ｃの同定データ）
Mp. = 131-132 ℃, [α]D27 = -24 (c 0.5, EtOAc).
1H NMR (500 MHz, CDCl3): δ 7.37 (dd, J = 10.9 Hz, 1.8 Hz, 1H), 7.23 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 6.25 (dd, J = 4.0 Hz, 0.9 Hz, 2H), 1.81 (d, J = 9.2 Hz, 3H), 1.19 (d, J = 13.8 Hz, 9H), 1.18 (s, 3H), 1.09 (d, J = 12.6 Hz, 9H).
31P NMR (202 MHz, CDCl3): δ 34.2 (br), -20.0.
13C NMR (126 MHz, CDCl3): δ 149.3, 148.2 (d, J = 15.6 Hz), 140.4 (dd, J = 32.5 Hz, 9.8 Hz), 129.0 (dd, J = 46.9 Hz, 39.7 Hz), 115.5 (t, J = 13.2 Hz), 113.0 (d, J = 10.8 Hz), 101.9, 30.2 (d, J = 57.7 Hz), 30.2 (d, J = 9.6 Hz), 28.5 (d, J = 14.4 Hz), 26.8 (d, J = 2.4 Hz), 11.8 (dd, J = 37.3 Hz, 21.6 Hz), 9.7 (d, J = 22.8 Hz).
【００５０】
｛実施例２｝
（R,R）-１,２-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｂ）の合成
【化１４】
アルゴン雰囲気の下、(R,R)-１-（tert-ブチルメチルホスフィノ）-２-（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｃ） (0.15 g, 0.44 mmol) と1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane (0.12 g, 0.55 mmol)のTHF溶液(5 mL)を穏やかに１時間加熱還流させた。溶媒を留去した後、脱気したヘキサン(5 mL)をシリンジで加え、スラリーをろ過して固体を取り除いた。ヘキサン溶液を濃縮し、得られた淡黄色の粘ちょう物にメタノールを加えると白色結晶が得られた。さらにメタノールから再結晶をおこなうことにより白色結晶の（R,R）-１,２-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｂ） (0.10 mg, 0.31 mmol)が収率70％で得られた。
【００５１】
（化合物１Ｂの同定データ）
Mp.=146-148 , [α]D25 = +63.3.
1H NMR (500 MHz, CDCl3): δ 7.00-6.95 (m, 2H), 5.98 (s, 2H), 1.18 (t, J = 3.4 Hz, 6H), 0.96 (t, J = 6.0 Hz, 18H).
31P NMR (202 MHz, CDCl3): δ -24.9 (s).
13C NMR (126 MHz, CDCl3): δ 147.8, 138.7 (t, J = 7.2 Hz), 111.1, 101.1, 30.5 (t, J = 7.8 Hz), 27.3 (t, J = 7.8 Hz), 6.2 (t, J = 5.4 Hz)
【００５２】
｛実施例３｝
（(R,R)-１,２-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン) (１,５-シクロオクタジエン) ロジウム (1+) ヘキサフルオロアンチモン酸塩（化合物１Ｄ）の合成
【化１５】
アルゴン雰囲気の下、0℃に冷却した[Rh(cod)2]SbF6(66 mg, 0.12 mmol)のジクロロメタン溶液(2 mL)へ（R,R）-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｂ） (50 mg, 0.15 mmol)のジクロロメタン溶液(3 mL)を滴下した。室温で30分撹拌した後、大部分の溶媒を濃縮し、ジエチルエーテルを加えると結晶が析出した。得られた結晶をろ過し、ジエチルエーテルで洗浄した後に乾燥をおこなうとオレンジ色の微細結晶の（(R,R)-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン) (1,5-シクロオクタジエン) ロジウム (1+) ヘキサフルオロアンチモン酸塩（化合物１Ｄ）(66 mg, 0.09 mmol)が収率71％で得られた。
【００５３】
（化合物１Ｄの同定データ）
1H NMR (500 MHz, CDCl3): δ 7.02 (m, 2H), 6.20 (s, 2H), 5.96 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 4.83 (m, 2H), 2.70-2.57 (m, 2H), 2.57-2.45 (m, 2H), 2.27-2.14 (m, 4H), 1.65 (d, J = 8.6 Hz, 6H), 1.09 (d, J= 14.9 Hz, 18H).
31P NMR (202 MHz, CDCl3): δ 55.8 (d, J = 158 Hz).
【００５４】
｛実施例４｝ 不斉水素化反応
【化１６】
反応基質のαデヒドロアミノ酸2-(N-acetylamino)-3-phenyl-2-propenoic acid methyl ester 438.5 mg (2.00 mmol)、不斉水添触媒（(R,R)-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン) (1,5-シクロオクタジエン) ロジウム (1+) ヘキサフルオロアンチモン酸塩1.55 mg (2.00 x 10-3mmol)を仕込み、水素で5回置換をおこない、予め脱気した脱水メタノール5 mLを加えた。次いで、水素圧を3気圧として反応を開始した。室温で３０分間攪拌をおこなったところ、容器内の水素の消費が停止したため反応終了とした。反応液を濃縮した後、残存した白色結晶を酢酸エチルに溶解して、シリカゲルカラムに通した。得られた溶出液をHPLCにて分析をしたところ、(R)-2-(N-acetylamino)-3-phenylpropanoic acid methyl esterが99.9 ％の鏡像異性体過剰率(ee)で得られた。また、1H NMRによって分析をおこなったところ、化学収率は99 ％以上であった（表１中のNo.1）。
なお、HPLC条件は以下のとおりである。
HPLC：Daicel Chiralcel OJ, 1.0 mL / min, ヘキサン：２-プロパノール＝９：１
各エナンチオマーの保持時間 (R)t1 = 13.3 min, (S)t2 = 19.3 min
【００５５】
以下、反応基質の種類及び反応条件を表１に示すように代えた以外は上記と同じ条件で不斉水素化反応を行い、その結果を表１に併記した。
【００５６】
【表１】
【００５７】
｛実施例５｝ 不斉水素化反応
【化１７】
50 mLガラス製オートクレーブにβデヒドロアミノ酸 (E)-methyl 3-acetamido-2-butenoate 314.3 mg (2.00 mmol) 、不斉水添触媒（(R,R)-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン) (1,5-シクロオクタジエン) ロジウム (1+) ヘキサフルオロアンチモン酸塩1.55 mg (2.00 x 10-3mmol)を仕込み、水素で5回置換をおこない、予め脱気した脱水メタノール5 mLを加えた。次いで、水素圧を3気圧として反応を開始した。室温で40分間攪拌をおこなったところ、容器内の水素の消費が停止したため反応終了とした。反応液を濃縮した後、残存した白色結晶を酢酸エチルに溶解して、シリカゲルカラムに通した。得られた溶出液をGCにて分析をしたところ、(R)-3-acetamidobutanoic acid methyl esterが99.5 ％の鏡像異性体過剰率(ee)で得られた。また、1H NMRによって分析をおこなったところ、化学収率は99 ％以上であった（表２中のNo.1）。
なお、GCの分析条件は以下のとおりである。
GC： DEX CB, 135 ℃
各エナンチオマーの保持時間 (S)t1 = 7.6 min, (R)t2 = 8.1 min.
【００５８】
以下、反応基質の種類及び反応条件を表２に示すように代えた以外は上記と同じ条件で不斉水素化反応を行い、その結果を表２に併記した。
【００５９】
【表２】
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、不斉合成反応の触媒として有用な金属錯体を形成し得る新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を提供することができる。また、本発明の製造方法によれば、この１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を容易に製造することができる。さらに、この１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体は、不斉合成反応の触媒として用いた場合に高いエナンチオ選択性及び反応活性を有し、特に、本発明の新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体は、βデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体及びその製造方法に関する。該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体は、不斉合成触媒の配位子として使用することができる。また、本発明は、該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体及びその金属錯体を用いた不斉水素化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リン原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子は、遷移金属錯体を用いる触媒的不斉合成反応において重要な役割を果たしている。リン原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子としては、特許文献１に、１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体が提案されている。
【０００３】
特許文献２には、２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体が提案されている。このピラジン誘導体は、ピラジン骨格に由来して電子求引性が極めて高く、またそれによってホスフィン部位のリン原子の電子密度が低くなっているという特徴を有する。このピラジン誘導体を配位子とした金属錯体は、このような特徴が活かされる反応の触媒として用いるのが効果的である。
【０００４】
一般的にβデヒドロアミノ酸からβアミノ酸へのロジウム触媒を用いた不斉水素化反応は広く知られているが、βデヒドロアミノ酸におけるＥ体、Ｚ体の両異性体に対して１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体や２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体を用いたもの以外に高い不斉誘起能と触媒活性を示すものは、あまり知られていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１９２８８号公報
【特許文献２】特開２００７−５６００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、リン原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子の研究を進める中で、特にβデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する新規な一般式（１）で表わされる１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を見出し本発明を完成するに到った。
【０００７】
従って、本発明の目的は、特にβデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する金属錯体を形成する新規な一般式（１）で表わされる１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体、その製造方法、該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体及び該金属錯体を用いた不斉水素化方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明が提供しようする第１の発明は、下記一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を提供するものである。
【化１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【０００９】
また、本発明が提供しようとする第２の発明は、前記第１の発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法であって、下記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を脱ボラン化した後、ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応を行い、次いで、その生成物を、
一般式；ＲａＰＸ’２（Ｒａは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ’はハロゲン原子を示す）で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させた後、
一般式ＲｂＭｇＸ”（Ｒｂは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ”はハロゲン原子を示す。）で表されるグリニャ−ル試薬と反応させる工程を含むことを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法である。
【化２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【００１０】
また、本発明が提供しようとする第３の発明は、前記第１の発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とすることを特徴とする金属錯体である。
【００１１】
また、本発明が提供しようとする第４の発明は、前記第３の発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とすることを特徴とする金属錯体を用いた不斉水素化方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、不斉合成反応の触媒として有用な金属錯体を形成し得る新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を提供することができる。また、本発明の製造方法によれば、この１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を容易に製造することができる。さらに、この１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体は、不斉合成反応の触媒として用いた場合に高いエナンチオ選択性及び反応活性を有し、特に、本発明の新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体は、βデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
前記一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体において、式中のＲ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。一般式（１）における２つのＲ１は、お互いに同一でもよく或いは異なっていてもよい。２つのＲ２も同様に、お互いに同一でもよく或いは異なっていてもよい。Ｒ１及びＲ２のアルキル基としては、非環式アルキル基と脂環式アルキル基が挙げられる。
【００１４】
非環式アルキル基には、直鎖状アルキル基と分岐状アルキル基がある。直鎖状アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基等の炭素数１〜１０のものが挙げられる。分岐状アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソヘプチル基、イソヘキシル基、１,１,３,３−テトラメチルブチル基等の炭素数３〜１０のものが挙げられる。
【００１５】
脂環式アルキル基には、単環式アルキル基と複環式アルキル基がある。単環式アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜１０のものが挙げられる。複環式アルキル基としては、アダマンチル基等の炭素数４〜１０のものが挙げられる。
【００１６】
前記一般式（１）で表される本発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体には、下記一般式（１Ａ）で表されるリン原子上に不斉中心を有し光学活性を示すものが含まれるほか、Ｒ1とＲ2とが異なるがラセミ体であるため見かけ上は光学活性を示さないものも含まれる。中でも、下記一般式（１Ａ）で表されるものは、不斉合成触媒用の金属錯体の配位子として優れた性能を発揮する。
【化３】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【００１７】
一般式（１Ａ）において、Ｒ１の方が炭素数が多い場合は、一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体は（Ｒ，Ｒ）体であり、一方、Ｒ２の炭素数が多い場合は、（Ｓ，Ｓ）体である。
【００１８】
一般式（１Ａ）において、Ｒ１及びＲ２の炭素数の差は少なくとも１であることが必要である。一般式（１Ａ）において、Ｒ１及びＲ２のうち炭素数が多い方の基は、立体障害性を有する嵩高い置換基であることが好ましい。この観点から、Ｒ１及びＲ２のうち炭素数が多い方の基は、一級アルキル基よりも二級アルキル基が好ましく、二級アルキル基より三級アルキル基が好ましい。また、脂環式のアルキル基であることも好ましい。好ましいアルキル基としてはｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
【００１９】
ここで、一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を、不斉合成触媒用金属錯体の配位子として用いた場合、高度な不斉空間が形成されることを考慮すると、Ｒ1とＲ2の立体障害性に大きな差があることが好ましい。つまり、Ｒ１とＲ２の一方が立体障害性を有する嵩高い置換基、つまり極大基であるのに対して、他方は極小基であることが好ましい。従ってＲ1とＲ2は炭素数の差は大きいほど好ましい。具体的には、Ｒ1とＲ2の炭素数の差は２以上、特に３以上、とりわけ４以上であることが好ましい。Ｒ１及びＲ２のうち、炭素数が少ない方の基は、極小基であることに鑑みれば、同じ炭素数の脂環式アルキル基と非環式アルキル基では、非環式アルキル基の方が好ましい。さらに、同じ炭素数の非環式アルキル基の中では、分岐状アルキル基より直鎖状アルキル基の方が好ましい。最終的には、Ｒ１及びＲ２のうち炭素数が少ない方の基として最も好ましい基はメチル基であると言える。しかし、一般的には、炭素数が少ない方の基として用いる基は、炭素数が多い方の基との関係で相対的に決定される。Ｒ１とＲ２の好ましい組み合わせとしては、例えばＲ１＝ｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ２＝メチル基の組み合わせ、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝ｔｅｒｔ−ブチル基の組み合わせが挙げられる。
【００２０】
一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の特に好ましい具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
（Ｒ,Ｒ）−１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｓ,Ｓ）−１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｒ,Ｒ）−１，２−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｓ,Ｓ）−１，２−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｒ,Ｒ）−１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｓ,Ｓ）−１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｒ,Ｒ）−１，２−ビス（１,１,３,３−テトラメチルブチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン、
（Ｓ,Ｓ）−１，２−ビス（１,１,３,３−テトラメチルブチルメチルホスフィノ）−４，５−(メチレンジオキシ)ベンゼン。
【００２１】
一般式（１）で表される本発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の好ましい製造方法について以下に説明する。
【００２２】
本発明の製造方法において、先ず、下記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を用意する。本製造方法では、出発原料として下記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を用いることにより、対応する一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を得ることができる。なお、その光学活性体である一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を製造するには、出発原料として一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物に代えて、該ホスフィン−ボラン化合物の光学活性体である下記一般式（２Ａ）で表されるホスフィン−ボラン化合物を用いて後述する第１〜第４工程の反応を行えばよい。
【化４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記一般式（１）と同じ。）
【００２３】
出発原料である一般式（２）の化合物は、例えば下記反応式（１）に従って、合成することができる。
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ。）
前記反応式（１）においては、先ず出発原料であるジアルキルホスフィン−ボラン（３）にアルゴン雰囲気下、−８０℃においてｓ−ＢｕＬｉを加え、ホスフィドアニオンとし、次いで４,５−（メチレンジオキシ）−１，２−ジヨードベンゼンと反応させることにより目的とする一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を得ることができる（Organic Letters 2010年 12巻 19号 4400-4403）。なお、前記一般式（２Ａ）で表される光学活性なホスフィン−ボラン化合物を得るには、反応式（１）に係る反応において、ジアルキルホスフィン−ボラン（３）の光学活性体を用いて反応を行えばよい。
ジアルキルホスフィン−ボラン（３）及びその光学活性体は、特開２００１−２５３８８９号公報又は特開２００７−７０３１０号公報に記載の方法等の公知の方法によって調製することができる。
【００２４】
一般式（２Ａ）で表されるホスフィン−ボラン化合物において、Ｒ１の炭素数をＲ２の炭素数より多くする場合（該ホスフィン−ボランがＳ体の場合）、ジアルキルホスフィン−ボランとしてはＲ体のものを用いる。これとは逆に、一般式（２Ａ）で表されるホスフィン−ボラン化合物においては、Ｒ２の炭素数をＲ１の炭素数より多くする場合（該ホスフィン−ボラン化合物がＲ体の場合）、ジアルキルホスフィン−ボランとしてＳ体のものを用いる。
【００２５】
本発明の製造方法の第１工程である一般式（２）のジアルキルホスフィン−ボラン化合物の脱ボラン化は、以下の反応式（２）で表される。
【化６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ。）
反応式（２）に係るジアルキルホスフィン−ボラン化合物の脱ボラン化は、従来公知の方法に準じて行うことができる。例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中、１，４−ジアザビシクロ[２．２．２]オクタン（ＤＡＢＣＯ）、Ｎ−メチルモルホリン、トリエチルアミン、ピロリジン、ジエチルアミン等の塩基の存在下で行うことができる。塩基としては、これらの中でもＤＡＢＣＯを用いることが好ましい。塩基の使用量は、一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し１〜３モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜５時間とすることができる。反応温度は２０〜１１０℃までとすることができる。
【００２６】
次に、第２工程としてハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との金属―ハロゲン交換反応を行う。ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物は、一般式ＲＭｇＸ（式中、Ｒは炭素数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘはハロゲン原子を示す。）で表される。ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応は、以下の反応式（３）で表される。
【化７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ及びＸは前記と同じ。）
ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応は、例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中で行われる。ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物としては、塩化メチルマグネシウム、臭化メチルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、臭化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化ｉｓｏ−プロピルマグネシウム、臭化ｉｓｏ−プロピルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｓｅｃ− ブチルマグネシウム及び塩化ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウム等が挙げられる。これらの中でも塩化ｉｓｏ−プロピルマグネシウムが好ましい。ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物の使用量は、第１工程で使用した一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し０．７〜２．０モルの割合が好ましく、１．０〜１．５モルが特に好ましい。なお、この第２工程では、必要により塩化リチウム、臭化リチウム、ヨウ化リチウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩素酸リチウム等の反応助剤を共存させて反応を行うことによりいっそう反応を効率よく進行させることができる。この反応助剤の添加量はハロゲン化アルキルマグネシウム化合物に対するモル比で０．２〜４．０、好ましくは１．０〜１．５である。
また、反応時間は１０分〜８時間とすることができ、好ましくは２０分〜２時間である。反応温度は−８０〜８０℃とすることができる。
【００２７】
次に、第３工程として、第２工程の反応生成物（４）を、一般式ＲａＰＸ’２（Ｒａは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ’はハロゲン原子を示す）で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させる。Ｒａは、Ｒ１及びＲ２のうちの炭素数が多い方の基であることが好ましい。Ｘ’で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、塩素が好ましい。一般式ＲａＰＸ’２で表されるアルキルジハロゲノホスフィンは、市販品として入手可能である。また、工業的にも安価に製造可能である（例えば、特開２００２−２５５９８３号公報、特開２００１−３５４６８３号公報等参照。）。例えばＲａがＲ１である場合、第３工程の反応は以下の反応式（４）で表される。
【化８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びＸ’は前記と同じ。）
【００２８】
第３工程の反応は、例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中で行うことができる。一般式ＲａＰＸ’２で表されるアルキルジハロゲノホスフィンの使用量は、第１工程で使用した一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し１．０〜２．０モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜２４時間とすることができる。反応温度は−１００〜８０℃とすることができる。
【００２９】
次に、第４工程として、第３工程の反応生成物（５）を、一般式ＲｂＭｇＸ”（Ｒｂは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ”はハロゲン原子を示す）で表されるグリニャ−ル試薬と反応させる。なお、Ｒｂは一般式（１）におけるＲ１及びＲ２のうち、Ｒａとは異なる基である。
Ｘ”で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、塩素、臭素が好ましい。例えばＲｂがＲ２である場合、第４工程の反応は以下の反応式（５）で表される。
【化９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＸ”は前記と同じ。）
【００３０】
第４工程の反応は、従来公知のグリニャ−ル反応に準じて行うことができる。例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中で行うことができる。一般式ＲｂＭｇＸ”で表されるグリニャ−ル試薬の使用量は、第１工程で使用した一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し１．０〜２．０モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜２４時間とすることができる。反応温度は０〜１００℃とすることができる。尚、以上の第１〜４工程の反応は、不活性ガス下で行うことが好ましい。
【００３１】
以上の第１〜４工程により、目的物である前記一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体又は前記一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体が得られるが、必要により常法に従った精製を行うことで目的物を純度よく得ることができる。
【００３２】
また、前記一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を得る場合、目的物である該１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体は（Ｒ，Ｒ）体又は（Ｓ，Ｓ）体であるところ、第１〜４工程後には目的物以外の成分として（Ｒ，Ｓ）体又は（Ｓ，Ｒ）体、例えばメソ体が含有された混合物が得られる場合がある。例えば目的物が（Ｒ，Ｒ）体であり、二つのＲ１が同一のアルキル基で且つ二つのＲ２が同一のアルキル基である場合には、（Ｒ，Ｒ）体とメソ体の混合物が得られる場合がある。そのため、必要により精製（ａ）を行うことにより、該混合物から本発明の目的物である（Ｒ，Ｒ）体又は（Ｓ，Ｓ）体を分離すると、目的物を純度よく得ることができる。この分離は、通常の精製方法により行えばよく、通常は再結晶で十分である。また、分離は、必要に応じてカラム分離により行うこともできる。また、精製（ａ）を行うに当たって、適宜、脱溶媒、洗浄、カラム分離等の精製方法により、精製（ａ’）を行っておくことが好ましい。
【００３３】
なお、カラム分離等の精製工程において、目的物が酸化されやすく、精製が困難な場合には、必要により１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の精製操作の際の酸化を抑制するため、前記第１〜４工程に次いで、後述する第５工程を実施し１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体をボラン化して対応する下記一般式（１−１）又は（１−１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体に誘導して精製を行うことが好ましい。
【化１０】
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ。）
【００３４】
第５工程の反応は、従来公知のボラン化の反応に準じて行うことができる。ボラン化で用いるボラン化剤は、ボラン−ＴＨＦ錯体、水素化ホウ素アルカリ金属塩、ボラン−アミン錯体を用いることができる。
前記水素化ホウ素アルカリ金属塩は、ＭＢＨ４の化学式（式中、Ｍはアルカリ金属原子を示す。）で表され、好ましくは水素化ホウ素リチウム（ＬｉＢＨ４）、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）、水素化ホウ素カリウム（ＫＢＨ４）である。
前記ボラン−アミン錯体は、ＢＨ３・Ｒ３ｎＨ（３−ｎ）Ｎの化学式（式中、Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シクロアリール基を示し、同一の基であっても異なる基であってもよく、ｎが２以上のときは２つのＲ３で環を形成していてもよく、ｎは、０〜３の整数である。）で表される錯体、すなわち、ボラン（ＢＨ３）と、アンモニア、第一級アミン、第二級アミン又は第三級アミンとの錯体である。該ボラン−アミン錯体としては、具体的には、ボラン−アンモニア錯体、ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−ジメチルアミン錯体、ボラン−トリエチルアミン錯体、ボラン−トリメチルアミン錯体、ボラン−４−エチルモルホリン錯体、ボラン−２，６−ルチジン錯体、ボラン−モルホリン錯体、ボラン−４−メチルモルホリン錯体、ボラン−４−フェニルモルホリン錯体、ボラン−ピペラジン錯体、ボラン−ピリジン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアニリン錯体等が挙げられる。
第５工程に係る反応は、例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中で行うことができる。
ボラン化剤の使用量は、第１工程で使用した一般式（２）又は一般式（２Ａ）で表されるホスフィン−ボラン化合物１モルに対し１．０〜３．０モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜５．０時間とすることができる。反応温度は−５０〜５０℃とすることができる。尚、第５工程の反応は、不活性ガス下で行うことが好ましい。
【００３５】
第５工程終了後は、所望の精製を行った後、精製処理後の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体を脱ボラン化し、再度前記一般式（１）又は一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を得る。
この脱ボラン化は、従来公知の方法に準じて行うことができる。例えば、ＴＨＦ、ヘキサン、トルエン、ジメトキシエタン等の有機溶媒中、１，４−ジアザビシクロ[２．２．２]オクタン（ＤＡＢＣＯ）、Ｎ−メチルモルホリン、トリエチルアミン、ピロリジン、ジエチルアミン等の塩基の存在下で行うことができる。塩基としては、これらの中でもＤＡＢＣＯを用いることが好ましい。塩基の使用量は、一般式（１−１）又は一般式（１−１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体１モルに対し１〜３モルの割合が好ましい。また、反応時間は０．５〜５時間とすることができる。反応温度は２０〜１１０℃までとすることができる。
【００３６】
本発明の製造方法において出発物質として用いる前記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物は、−ＰＲ１Ｒ２ＢＨ３基を一つ有しており、該化合物を脱ボラン化してなる前記一般式（Ｂ）で表される化合物は−ＰＲ１Ｒ２基を一つ有している。本製造方法では、ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物（ＲＭｇＸ）を用いて金属―ハロゲン交換反応をおこなうことで、ベンゼン環上にヨウ素基が結合していた部位が炭素アニオンとなり、次いでアルキルジハロゲノホスフィンを加えることにより、元来ヨウ素基が結合していた部位に−ＰＲ１Ｒ２基を導入することが可能になる。
また、化合物のＭｇＸの部位上に、さらにもう一つの−ＰＲ１Ｒ２基を直接導入することは、−ＰＲ１Ｒ２基の嵩高さに起因する立体障害のために困難である場合がある。そこで、本発明では、先ず、−ＰＲ１Ｒ２基を一つ有する一般式（Ｂ）で表される化合物に対し、リン原子と共に炭素数の多いアルキル基Ｒ１を導入し、次に、炭素数の少ないもう一つのアルキル基Ｒ２を導入する。このような段階的な工程を経ることによって、−ＰＲ１Ｒ２基が嵩高いものであっても、容易に導入することが可能となる。
【００３７】
また、本発明の製造方法によれば、第１〜４工程、或いは第１〜５工程を連続的に行うことができるので、工業的に有利に目的とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を得ることができるという利点を有する。
【００３８】
本発明の製造方法により得られた前記一般式（１）及び一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体は、配位子として、遷移金属と共に錯体を形成することができる。特に前記一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とした金属錯体は、不斉合成触媒として有用である。
【００３９】
錯体を形成することができる遷移金属としては、例えば、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、ニッケル、鉄、銅等が挙げられ、好ましくはロジウム金属である。一般式（１）及び一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子としてロジウム金属と共に錯体を形成させる方法としては、例えば、実験化学講座 第４版（日本化学会編、丸善株式会社発行 第１８巻 ３２７〜３５３頁）に記載されている方法に従えばよく、例えば、一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体と、ビス（シクロオクタン−１，５−ジエン）ロジウムヘキサフルオロアンチモン酸塩、ビス（シクロオクタン−１，５−ジエン）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩等と反応させることにより、ロジウム錯体を製造することができる。
【００４０】
得られるロジウム錯体を具体的に例示すると、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]Ｃｌ、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]Ｂｒ、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]Ｉ、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]Ｃｌ、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]Ｂｒ、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]Ｉ、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)] ＢＦ４、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)] ＣｌＯ４、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]ＰＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]ＢＰｈ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)] ＢＦ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)] ＣｌＯ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＰＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＢＰｈ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd )]ＰＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)] ＢＦ４、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)] ＣｌＯ４、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)]ＢＰｈ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd )]ＰＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)] ＢＦ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)] ＣｌＯ４、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)]ＢＰｈ４等が挙げられ、本発明では[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(cod)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（Ａ））(nbd)]ＳｂＦ６、[Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（Ａ））(nbd)]ＳｂＦ６が好ましい。尚、上記のロジウム錯体中の（Ａ）は、一般式（１）又は一般式（１Ａ）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体、ｃｏｄは、１，５−シクロオクタジエン、ｎｂｄは、ノルボルナジエン、Ｐｈはフェニルを示す。
【００４１】
一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とした遷移金属錯体（以下、本発明に係る遷移金属錯体ともいう）は、不斉合成触媒として有用なものである。不斉合成反応としては、例えば不斉水素化反応、不斉ヒドロシリル化反応、不斉マイケル付加反応等が挙げられる。これらの不斉合成反応は、本発明に係る遷移金属錯体を用いる点以外は、通常と同様に行うことができる。
【００４２】
本発明に係る遷移金属錯体は、特に不斉水素化反応における触媒として好適である。不斉水素化反応において基質として用いられる化合物としては、例えば、プロキラル炭素原子を含むＣ＝Ｃ二重結合、Ｃ＝Ｏ二重結合又はＣ＝Ｎ二重結合を有する化合物が挙げられる。該化合物としては、例えば、αデヒドロアミノ酸、βデヒドロアミノ酸、イタコン酸、エナミド、β−ケトエステル、エノ−ルエステル、α,β不飽和カルボン酸、β、γ不飽和カルボン酸、イミン等が挙げられ、特に本発明に係る遷移金属錯体は、βデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を示すことに特徴を有するものである。また、不斉水素化反応において、基質と触媒である本発明に係る遷移金属錯体とのモル比（基質／触媒）は、通常は１００以上であることが好ましい。
【００４３】
また、前記一般式（１）又は前記一般式（１Ａ）で表される本発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とし、金、銀及び銅からなる群から選ばれる遷移金属原子（好ましくは金）と共に形成された金属錯体は、特開２００７−３２０９０９号公報に記載されている２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体と同様に抗癌剤としての用途も期待できる。この金属錯体は、本発明の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体をＬで表したとき、〔ＭＬ2〕+Ｘ−で表される。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（合成例１）
１，２−ジヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼンの合成
【化１１】
０℃に冷却した１，２−（メチレンジオキシ）ベンゼン (7.50 g, 0.06 mol) の酢酸溶液(30 mL)に塩化ヨウ素 (25.00 g, 0.15 mol)の酢酸溶液(15 mL)を15分かけて滴下し、次いで60 ℃へ昇温し２時間反応させた。その後、激しく撹拌しながらジエチルエーテル(100 mL)と氷水(100 mL)へ反応液を注いだ。暗赤色の溶液へNa2SO3を加え、茶色の有機層を分液した。水槽にジエチルエーテル(100 mL ２回)を加えて分液した後、得られた有機層を食塩水(50 mL)で洗浄し、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を濃縮した後に析出した淡黄色の結晶をろ過し、メタノールで洗浄し、白色結晶の１，２−ジヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン(9.95 g, 0.027 mol)を収率46 %で得た。
【００４５】
（１，２−ジヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼンの同定データ）
1H NMR (500 MHz,CDCl3):δ 7.30 (s, 2H), 5.97 (s, 2H).
【００４６】
（合成例２）
(R) −２−（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）−１−ヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼンの合成
【化１２】
-80℃に冷却した(S)-tert-ブチルメチルホスフィンボラン (0.48 g, 4.0 mmol)のTHF溶液(15 mL)にs-BuLi（1.07 M シクロヘキサン/n-ヘキサン）(11.2 mL, 12.0 mmol)を加え、30分撹拌した。ここに１，２−ジヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン (1.95 g, 5.2 mmol)のTHF溶液(5 mL)を１０分間かけてゆっくりと加えた。次いで、ヨウ素(1.52 g, 6.0 mmol)のTHF溶液(1.5 mL)を加え、室温まで昇温した。溶媒を濃縮し、酢酸エチル(30 mL × 2)で抽出した。得られた有機層を食塩水(20 mL)で洗浄し、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を濃縮し得られた黄色の油状物をシリカゲルカラムで精製することにより白色結晶の(R) −２−（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）−１−ヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン (0.85 g, 2.3 mmol)を収率58 %で得た。
【００４７】
（(R) −２−（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）−１−ヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼンの同定データ）
Mp. = 123-135 ℃, [α]D27 = -20 (c 0.5, EtOAc).
1H NMR (500 MHz, CDCl3): δ 7.54 (d, J = 12.3 Hz, 1H), 7.42 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 6.03 (dd, J = 4.3 Hz, 1.2 Hz, 2H), 1.91 (d, J = 10.0 Hz, 3H), 1.20 (d, J = 14.4 Hz, 9H).
31P NMR (202 MHz, CDCl3): δ 39.9 (br).
13C NMR (126 MHz, CDCl3): δ 150.7, 148.0 (d, J = 16.8 Hz), 124.2 (d, J =48.1 Hz), 122.6 (d, J = 7.2 Hz), 188.2 (d, J = 19.2 Hz), 102.5, 88.7, 31.9 (d, J = 31.2 Hz), 26.4 (d, J = 2.4 Hz), 9.7 (d, J = 37.3 Hz).
【００４８】
｛実施例１｝
(R,R)-１-（tert-ブチルメチルホスフィノ）-２-（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｃ）の合成
【化１３】
アルゴン雰囲気の下、(R) −２−（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）−１−ヨード−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン(182 mg, 0.50 mmol)と1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane (62 mg, 0.55 mmol)のTHF(1.5 mL)溶液を穏やかに１時間加熱還流させた。次いで-20 ℃へ冷却した後、1.3 M のi-PrMgCl.LiClのTHF溶液(0.42 mL, 0.55 mmol)を加え、１０分後、t-BuPCl2(119 mg, 0.75 mmol)のTHF溶液(1.0 mL)をゆっくりと加えた。０℃へ昇温した後、１時間撹拌をおこない、さらに５０℃へ昇温して１時間撹拌をおこなった。次いで０℃へ冷却した後、1.12 M の MeMgBrのTHF溶液(1.34 mL, 1.5 mmol)を加え、５０℃へ昇温した後に１時間撹拌下に反応をおこなった。反応液をLC-MS (APCI)で分析したところ、327 [M+H]+の分子イオンピークを検出したことから、反応液には（R,R）-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｂ）が含有されていることが確認できた。
次いで０℃へ冷却した後、1.06 Mの BH3.THF錯体のTHF溶液(1.88 mL, 2.0 mmol)を加えた。その後、水を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15 mL × 2)を加えて有機層を分液した。得られた有機層を食塩水で洗浄し、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を濃縮し得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより白色結晶の(R,R)-１-（tert-ブチルメチルホスフィノ）-２-（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｃ）(50 mg, 0.15 mmol) を収率29 %で得た。
【００４９】
（化合物１Ｃの同定データ）
Mp. = 131-132 ℃, [α]D27 = -24 (c 0.5, EtOAc).
1H NMR (500 MHz, CDCl3): δ 7.37 (dd, J = 10.9 Hz, 1.8 Hz, 1H), 7.23 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 6.25 (dd, J = 4.0 Hz, 0.9 Hz, 2H), 1.81 (d, J = 9.2 Hz, 3H), 1.19 (d, J = 13.8 Hz, 9H), 1.18 (s, 3H), 1.09 (d, J = 12.6 Hz, 9H).
31P NMR (202 MHz, CDCl3): δ 34.2 (br), -20.0.
13C NMR (126 MHz, CDCl3): δ 149.3, 148.2 (d, J = 15.6 Hz), 140.4 (dd, J = 32.5 Hz, 9.8 Hz), 129.0 (dd, J = 46.9 Hz, 39.7 Hz), 115.5 (t, J = 13.2 Hz), 113.0 (d, J = 10.8 Hz), 101.9, 30.2 (d, J = 57.7 Hz), 30.2 (d, J = 9.6 Hz), 28.5 (d, J = 14.4 Hz), 26.8 (d, J = 2.4 Hz), 11.8 (dd, J = 37.3 Hz, 21.6 Hz), 9.7 (d, J = 22.8 Hz).
【００５０】
｛実施例２｝
（R,R）-１,２-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｂ）の合成
【化１４】
アルゴン雰囲気の下、(R,R)-１-（tert-ブチルメチルホスフィノ）-２-（ボラナト-tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｃ） (0.15 g, 0.44 mmol) と1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane (0.12 g, 0.55 mmol)のTHF溶液(5 mL)を穏やかに１時間加熱還流させた。溶媒を留去した後、脱気したヘキサン(5 mL)をシリンジで加え、スラリーをろ過して固体を取り除いた。ヘキサン溶液を濃縮し、得られた淡黄色の粘ちょう物にメタノールを加えると白色結晶が得られた。さらにメタノールから再結晶をおこなうことにより白色結晶の（R,R）-１,２-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｂ） (0.10 mg, 0.31 mmol)が収率70％で得られた。
【００５１】
（化合物１Ｂの同定データ）
Mp.=146-148 , [α]D25 = +63.3.
1H NMR (500 MHz, CDCl3): δ 7.00-6.95 (m, 2H), 5.98 (s, 2H), 1.18 (t, J = 3.4 Hz, 6H), 0.96 (t, J = 6.0 Hz, 18H).
31P NMR (202 MHz, CDCl3): δ -24.9 (s).
13C NMR (126 MHz, CDCl3): δ 147.8, 138.7 (t, J = 7.2 Hz), 111.1, 101.1, 30.5 (t, J = 7.8 Hz), 27.3 (t, J = 7.8 Hz), 6.2 (t, J = 5.4 Hz)
【００５２】
｛実施例３｝
（(R,R)-１,２-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-４,５-(メチレンジオキシ)ベンゼン) (１,５-シクロオクタジエン) ロジウム (1+) ヘキサフルオロアンチモン酸塩（化合物１Ｄ）の合成
【化１５】
アルゴン雰囲気の下、0℃に冷却した[Rh(cod)2]SbF6(66 mg, 0.12 mmol)のジクロロメタン溶液(2 mL)へ（R,R）-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン（化合物１Ｂ） (50 mg, 0.15 mmol)のジクロロメタン溶液(3 mL)を滴下した。室温で30分撹拌した後、大部分の溶媒を濃縮し、ジエチルエーテルを加えると結晶が析出した。得られた結晶をろ過し、ジエチルエーテルで洗浄した後に乾燥をおこなうとオレンジ色の微細結晶の（(R,R)-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン) (1,5-シクロオクタジエン) ロジウム (1+) ヘキサフルオロアンチモン酸塩（化合物１Ｄ）(66 mg, 0.09 mmol)が収率71％で得られた。
【００５３】
（化合物１Ｄの同定データ）
1H NMR (500 MHz, CDCl3): δ 7.02 (m, 2H), 6.20 (s, 2H), 5.96 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 4.83 (m, 2H), 2.70-2.57 (m, 2H), 2.57-2.45 (m, 2H), 2.27-2.14 (m, 4H), 1.65 (d, J = 8.6 Hz, 6H), 1.09 (d, J= 14.9 Hz, 18H).
31P NMR (202 MHz, CDCl3): δ 55.8 (d, J = 158 Hz).
【００５４】
｛実施例４｝ 不斉水素化反応
【化１６】
反応基質のαデヒドロアミノ酸2-(N-acetylamino)-3-phenyl-2-propenoic acid methyl ester 438.5 mg (2.00 mmol)、不斉水添触媒（(R,R)-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン) (1,5-シクロオクタジエン) ロジウム (1+) ヘキサフルオロアンチモン酸塩1.55 mg (2.00 x 10-3mmol)を仕込み、水素で5回置換をおこない、予め脱気した脱水メタノール5 mLを加えた。次いで、水素圧を3気圧として反応を開始した。室温で３０分間攪拌をおこなったところ、容器内の水素の消費が停止したため反応終了とした。反応液を濃縮した後、残存した白色結晶を酢酸エチルに溶解して、シリカゲルカラムに通した。得られた溶出液をHPLCにて分析をしたところ、(R)-2-(N-acetylamino)-3-phenylpropanoic acid methyl esterが99.9 ％の鏡像異性体過剰率(ee)で得られた。また、1H NMRによって分析をおこなったところ、化学収率は99 ％以上であった（表１中のNo.1）。
なお、HPLC条件は以下のとおりである。
HPLC：Daicel Chiralcel OJ, 1.0 mL / min, ヘキサン：２-プロパノール＝９：１
各エナンチオマーの保持時間 (R)t1 = 13.3 min, (S)t2 = 19.3 min
【００５５】
以下、反応基質の種類及び反応条件を表１に示すように代えた以外は上記と同じ条件で不斉水素化反応を行い、その結果を表１に併記した。
【００５６】
【表１】
【００５７】
｛実施例５｝ 不斉水素化反応
【化１７】
50 mLガラス製オートクレーブにβデヒドロアミノ酸 (E)-methyl 3-acetamido-2-butenoate 314.3 mg (2.00 mmol) 、不斉水添触媒（(R,R)-1,2-ビス（tert-ブチルメチルホスフィノ）-4,5-(メチレンジオキシ)ベンゼン) (1,5-シクロオクタジエン) ロジウム (1+) ヘキサフルオロアンチモン酸塩1.55 mg (2.00 x 10-3mmol)を仕込み、水素で5回置換をおこない、予め脱気した脱水メタノール5 mLを加えた。次いで、水素圧を3気圧として反応を開始した。室温で40分間攪拌をおこなったところ、容器内の水素の消費が停止したため反応終了とした。反応液を濃縮した後、残存した白色結晶を酢酸エチルに溶解して、シリカゲルカラムに通した。得られた溶出液をGCにて分析をしたところ、(R)-3-acetamidobutanoic acid methyl esterが99.5 ％の鏡像異性体過剰率(ee)で得られた。また、1H NMRによって分析をおこなったところ、化学収率は99 ％以上であった（表２中のNo.1）。
なお、GCの分析条件は以下のとおりである。
GC： DEX CB, 135 ℃
各エナンチオマーの保持時間 (S)t1 = 7.6 min, (R)t2 = 8.1 min.
【００５８】
以下、反応基質の種類及び反応条件を表２に示すように代えた以外は上記と同じ条件で不斉水素化反応を行い、その結果を表２に併記した。
【００５９】
【表２】
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、不斉合成反応の触媒として有用な金属錯体を形成し得る新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を提供することができる。また、本発明の製造方法によれば、この１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を容易に製造することができる。さらに、この１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体は、不斉合成反応の触媒として用いた場合に高いエナンチオ選択性及び反応活性を有し、特に、本発明の新規な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体は、βデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体。
【化１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項２】
下記一般式（１Ａ）で表されることを特徴とする請求項１記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の光学活性体。
【化２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項３】
Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ２がメチル基、あるいは、Ｒ1がメチル基であり、Ｒ2がｔｅｒｔ−ブチル基である請求項１又は２記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体。
【請求項４】
請求項１記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法であって、下記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を脱ボラン化した後、ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応を行い、次いで、その生成物を、
一般式；ＲａＰＸ’２（Ｒａは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ’はハロゲン原子を示す）で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させた後、
一般式ＲｂＭｇＸ”（Ｒｂは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ”はハロゲン原子を示す。）で表されるグリニャ−ル試薬と反応させる工程を含むことを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法。
【化３】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項５】
請求項２記載の光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法であって、下記一般式（２Ａ）で表される光学活性なホスフィン−ボラン化合物を脱ボラン化した後、ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応を行い、次いで、その生成物を、
一般式；ＲａＰＸ’２（Ｒａは前記一般式（１Ａ）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ’はハロゲン原子を示す）で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させた後、
一般式ＲｂＭｇＸ”（Ｒｂは前記一般式（１Ａ）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ”はハロゲン原子を示す。）で表されるグリニャ−ル試薬と反応させる工程を含むことを特徴とする光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法。
【化４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項６】
下記一般式（１−１）で表されることを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体。
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項７】
下記一般式（１−１Ａ）で表されることを特徴とする請求項６記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体の光学活性体。
【化６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項８】
請求項１記載の一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体と、ボラン−ＴＨＦ錯体、水素化ホウ素アルカリ金属塩及びボラン−アミン錯体から選ばれるボラン化剤とを反応させることを特徴とする下記一般式（１−１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体の製造方法。
【化７】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項９】
請求項２記載の一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体と、ボラン−ＴＨＦ錯体、水素化ホウ素アルカリ金属塩及びボラン−アミン錯体から選ばれるボラン化剤とを反応させることを特徴とする下記一般式（１−１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体の製造方法。
【化８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項１０】
請求項１記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とすることを特徴とする金属錯体。
【請求項１１】
前記１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体が、請求項２記載の光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体であり、不斉合成触媒として用いられることを特徴とする請求項１０記載の金属錯体。
【請求項１２】
請求項１１記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の金属錯体を触媒として用いたことを特徴とする不斉水素化方法。
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体。
【化１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項２】
下記一般式（１Ａ）で表されることを特徴とする請求項１記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の光学活性体。
【化２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項３】
Ｒ１がｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ２がメチル基、あるいは、Ｒ1がメチル基であり、Ｒ2がｔｅｒｔ−ブチル基である請求項１又は２記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体。
【請求項４】
請求項１記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法であって、下記一般式（２）で表されるホスフィン−ボラン化合物を脱ボラン化した後、ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応を行い、次いで、その生成物を、
一般式；ＲａＰＸ’２（Ｒａは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ’はハロゲン原子を示す）で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させた後、
一般式ＲｂＭｇＸ”（Ｒｂは前記一般式（１）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ”はハロゲン原子を示す。）で表されるグリニャ−ル試薬と反応させる工程を含むことを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法。
【化３】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項５】
請求項２記載の光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法であって、下記一般式（２Ａ）で表される光学活性なホスフィン−ボラン化合物を脱ボラン化した後、ハロゲン化アルキルマグネシウム化合物との反応を行い、次いで、その生成物を、
一般式；ＲａＰＸ’２（Ｒａは前記一般式（１Ａ）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ’はハロゲン原子を示す）で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させた後、
一般式ＲｂＭｇＸ”（Ｒｂは前記一般式（１Ａ）におけるＲ１及びＲ２の一方であり、Ｘ”はハロゲン原子を示す。）で表されるグリニャ−ル試薬と反応させる工程を含むことを特徴とする光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の製造方法。
【化４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項６】
下記一般式（１−１）で表されることを特徴とする１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体。
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項７】
下記一般式（１−１Ａ）で表されることを特徴とする請求項６記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体の光学活性体。
【化６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項８】
請求項１記載の一般式（１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体と、ボラン−ＴＨＦ錯体、水素化ホウ素アルカリ金属塩及びボラン−アミン錯体から選ばれるボラン化剤とを反応させることを特徴とする下記一般式（１−１）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体の製造方法。
【化７】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項９】
請求項２記載の一般式（１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体と、ボラン−ＴＨＦ錯体、水素化ホウ素アルカリ金属塩及びボラン−アミン錯体から選ばれるボラン化剤とを反応させることを特徴とする下記一般式（１−１Ａ）で表される光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン−ボラン誘導体の製造方法。
【化８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ１とＲ２とでは炭素数が異なる。）
【請求項１０】
請求項１記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体を配位子とすることを特徴とする金属錯体。
【請求項１１】
前記１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体が、請求項２記載の光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体であり、不斉合成触媒として用いられることを特徴とする請求項１０記載の金属錯体。
【請求項１２】
請求項１１記載の１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）−４,５−（メチレンジオキシ）ベンゼン誘導体の金属錯体を触媒として用いたことを特徴とする不斉水素化方法。
【公開番号】特開２０１３−６７８７（Ｐ２０１３−６７８７Ａ）
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３９９４７（Ｐ２０１１−１３９９４７）
【出願日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（０００２３０５９３）日本化学工業株式会社 (296)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（０００２３０５９３）日本化学工業株式会社 (296)
【Ｆターム（参考）】
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