Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法及びＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体
【課題】接合強度の向上を図った中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることが可能なＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法を提供する。
【解決手段】複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合する。
【解決手段】複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法、及びＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が接合されてなるＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｂ4Ｃ／Ｓｉ（ボロンカーバイト／シリコン）複合材料からなるＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体は、軽量で剛性が高く熱膨張が小さいという優れた特性を有し、半導体製造装置や液晶製造装置など精密機器の構成品に使用されている。
【０００３】
中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を作製する場合には、接合工程を経る必要がある。しかしながら、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合工程はこれまで開示されていない。
【０００４】
なお、従来、有機バインダを使用してＳｉＣ多孔質体を接着し、これに金属Ｓｉを含浸させて一体化させる方法（例えば、特許文献１参照）、金属箔等のろう材を使用して複数のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料体を接合する方法などによって、中空構造のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料体を得ていた。そこで、これらの方法を中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を作製する際に、適用することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−５０１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機バインダで接着したＢ４Ｃ多孔質体に金属Ｓｉを含浸させる方法では、有機バインダの接合面への塗布量を調整することが困難である。そして、塗布量が過多になると接合体の内部空間を閉塞するおそれがあり、過少になると接合体の接合強度及び気密性が低下するおそれがあった。また、金属Ｓｉは凝固すると膨張するため、降温時にＢ４Ｃ多孔質体から金属Ｓｉが染み出し、接合体の内部空間を閉塞することがあった。このように、この方法は、中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を作製することには適していない。
【０００７】
一方、ろう材を使用して接合する方法では、空隙無く接合することは困難であり、接合強度が著しく低下するおそれがあった。
【０００８】
本発明は、これらの問題に鑑みてなされたものであり、接合強度の向上を図った中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることが可能なＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法、及びＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法は、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で前記接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合することを特徴とする。
【００１０】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法によれば、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面を直接接合することができ、有機バインダを使用した場合のようにＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体の内部空間を閉塞するおそれを解消することが可能となる。そして、後述する実施例から分かるように、接合部の接合強度は、元のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体（母材）の強度と同等であり、ろう材を使用した場合と比較して優れている。
【００１１】
なお、加熱温度が１０００℃未満では、Ｓｉの拡散が起こらないため、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料同士は接合しない。１３８５℃を超えると、１３８５℃がＢとＳｉとの共融点であるので、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体からＳｉ融液が溶け出し、接合体全体の強度の低下、接合体表面へのＳｉ融液の染み出し、溶出したＳｉ融液による中空部の閉塞などの不具合が発生するおそれがある。
【００１２】
Ｂ４ＣとＳｉとは濡れ性が良好であり、比較的低圧で接合が可能であるが、加圧力が０．０２ＭＰａ未満では、接合が不十分となる。一方、加圧力が８．０ＭＰａを超えると、母材自体を損傷させる原因となる。
【００１３】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法において、前記Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体のＢ４Ｃ充填率が２０体積％〜８５体積％であることが好ましい。なお、Ｂ４Ｃ充填率は、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料中のＢ４Ｃの占有率を意味する。
【００１４】
Ｂ４Ｃ充填率が２０体積％未満では、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が低剛性となり、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を構造部材に適用可能な範囲が非常に限定される。一方、Ｂ４Ｃ充填率が８５％体積を超えるＢ４Ｃ多孔質体を形成することは実質上困難であるため、Ｂ４Ｃ充填率が８５％体積を超えるＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を自体が困難である。
【００１５】
そして、本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法において、前記接合面の表面粗さが中心線平均粗さＲａで０．１μｍを超えないことが好ましい。
【００１６】
接合面の表面粗さＲａが０．１μｍを超えると、良好に接合することができない。
【００１７】
また、本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法において、前記加熱して保持する時間は１時間〜８時間であることが好ましい。
【００１８】
保持時間が１時間未満では、Ｓｉの拡散が不十分なため、接合が不十分となる。一方、Ｂ４ＣとＳｉとは１３００℃以上の高温下で固相反応を起こすため、保持時間が８時間を越えると、母材が反応により変質するおそれがある。
【００１９】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体は、不活性ガス雰囲気下で当接された接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持されることにより、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が接合されてなることを特徴とする。
【００２０】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体によれば、有機バインダを使用することなく、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面が直接接合されている。よって、有機バインダを使用した場合のようにＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体の内部空間が閉塞されているおそれを解消することが可能となる。従って、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体は中空構造であればより好ましい。
【００２１】
そして、後述する実施例から分かるように、接合部の強度は、元のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の強度と同等であり、ろう材を使用して接合されたものと比較して優れている。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）は試験片の上面図を、（ｂ）は試験片の正面図を、（ｃ）は接合体の正面図をそれぞれ示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明は、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を接合面で当接させた状態で加圧加熱（ホットプレス）して保持することにより、有機バインダやろう材などを使用することなく、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面を直接接合してＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体（以下、単に接合体ともいう。）を得る方法、及びこれにより得られたＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体に関する。
【００２４】
まず、接合に使用される複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を準備する。Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体のＢ４Ｃ充填率は、２０体積％〜８５体積％であることが好ましい。なお、Ｂ４Ｃ充填率とは、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料中のＢ４Ｃの占有率を意味する。
【００２５】
Ｂ４Ｃ充填率が２０体積％未満では、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が低剛性となり、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を構造部材に適用可能な範囲が非常に限定される。一方、Ｂ４Ｃ充填率が８５％体積を超えるＢ４Ｃ多孔質体を形成することは実質上困難であるため、Ｂ４Ｃ充填率が８５％体積を超えるＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を自体が困難である。
【００２６】
Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体は、その製造方法は限定されず、例えば、鋳造法、加圧鋳造法、加圧浸透法、非加圧浸透法、粉末冶金法などによって製造することができる。非加圧浸透法によりＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を製造する場合、Ｂ４Ｃ粉末と有機バインダからなる混合物をプレス等で成形したＢ４Ｃ多孔質成形体を所定形状に加工した後、これに金属Ｓｉを含浸させることにより行われる。
【００２７】
なお、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体は、それぞれ適宜な形状に研削、切断加工を施す。このとき、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面側に溝等を加工しておくことにより、完成後に接合体を中空構造とすることが可能となる。
【００２８】
そして、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体のそれぞれの接合面に鏡面研磨を施す。このとき、接合面の表面粗さは中心線平均粗さＲａで少なくとも０．１μｍ以下とすることが好ましい。接合面の表面粗さＲａが０．１μｍを超えると、良好に接合することができず、接合強度が劣る。
【００２９】
次に、これら複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を接合面で当接させて加圧加熱した状態を保持する。加圧加熱するための装置は、所定の加圧加熱条件が実現されるものであれば特段限定されることはなく、例えば、炉内に油圧シリンダを設置したものでも、プレス部に加熱機構を内蔵したホットプレス機でもよい。
【００３０】
このとき、１０００℃〜１３８５℃に加熱する。加熱温度が１０００℃未満では、Ｓｉの拡散が起きないため、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料同士は接合しない。一方、加熱温度が１３８５℃を超えると、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体からＳｉ融液が溶け出し、接合体全体の強度の低下、接合体表面へのＳｉ融液の染み出し、溶出したＳｉ融液による中空部の閉塞などの不具合が発生するおそれがある。
【００３１】
また、０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａに加圧する。加圧力が０．０２ＭＰａ未満では、接合が不十分となる。一方、加圧力が８．０ＭＰａを超えると、母材自体を損傷させる原因となる。
【００３２】
接合面の面積、形状などによって適切な保持時間は変化するが、加圧加熱状態を１時間〜８時間保持することが好ましい。保持時間が１時間未満では、Ｓｉの拡散が不十分なため、接合が不十分となる。一方、Ｂ４ＣとＳｉとは、１３００℃以上の高温下で固相反応を起こすため、保持時間が８時間を越えると、母材が反応により変質するおそれがある。
【００３３】
また、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下で加圧加熱を行うことが望ましい。大気雰囲気で加圧加熱を行うと、Ｓｉ上に酸化膜が生成し、Ｓｉが拡散する際の障壁となる。また、真空状態で加圧加熱を行うと、上記温度範囲ではＳｉが活発に蒸発するので、接合面の表面荒さが増加し、接合が困難になる。
【００３４】
複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を接合面で当接させて加圧加熱した状態を保持することにより、Ｓｉが固相拡散して、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面が直接接合され、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることができる。そして、有機バインダを使用する必要がないので、上述した問題は発生しない。
【００３５】
以下、本発明の実施例及び比較例を具体的に挙げ、本発明を詳細に説明する。
【００３６】
〔実施例１〕
原料粉末としてＢ４Ｃ粉末（ＥＳＫ Ｃｅｒａｍｉｃｓ社（ドイツ）製のＦ３６０、 平均粒径２３μｍ）を準備し、これに有機バインダとしてのフェノール樹脂粉末（ＤＩＣ株式会社製のＯＩ−３０５Ａ）を１５質量％添加した。そして、これを成形型に充填して熱プレス成形を行った。これにより、一辺１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの正方形板形状の多孔質成形体を作製した。
【００３７】
そして、この多孔質成形体を金属Ｓｉ（日本電工株式会社製）とともに炉内に設置し、真空雰囲気で１２００℃に加熱した状態を１２時間保持することにより、フェノール樹脂を脱脂して炭化させた。その後、炉内を１４５０℃に加熱した状態を２４時間保持することにより、溶融ＳｉをＢ４Ｃ多孔質焼結体に含浸させた。これにより、Ｂ４Ｃ充填率が５０体積％のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を得た。
【００３８】
そして、このＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体から一辺５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの正方形板形状の試験片を２枚切り出した。さらに、それぞれの試験片に、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、幅２．０ｍｍ、深さ１．５ｍｍの溝を３本加工した。その後、溝を加工した面（接合面）に鏡面加工を施し、その表面粗さＲａを０．０５μｍとした。そして、図１（ｃ）に示すように、これら試験片を０．５ＭＰａで加圧して互いの接合面を当接させた状態で炉内に設置し、Ａｒ雰囲気下で１３００℃に加熱した状態を６時間保持した。これにより、試験片が接合され、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得た。
【００３９】
得られたＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体の接合部の断面を光学顕微鏡で観察した結果、接合部に空隙は認められなかった。また、接合部の四点曲げ強度は２２０ＭＰａであり、元のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体（母材）と同じ強度であった。結果を表１にまとめた。
【００４０】
〔実施例２〕
実施例２として、原料粉末としてＢ４Ｃ粉末（ＥＳＫ Ｃｅｒａｍｉｃｓ社（ドイツ）製のＦ１８０（平均粒径８８μｍ）とＦ６００（平均粒径９μｍ）を重量比７０：３０で混合したもの）を準備し、これに有機バインダとしてのフェノール樹脂粉末（ＤＩＣ株式会社製のＯＩ−３０５Ａ）を２０質量％添加した。そして、これを成形型に充填して熱プレス成形を行った。これにより、一辺１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの正方形板形状の多孔質成形体を作製した。
【００４１】
そして、この多孔質成形体を金属Ｓｉ（日本電工株式会社製）とともに炉内に設置し、真空雰囲気で１２００℃に加熱した状態を１２時間保持することにより、フェノール樹脂を脱脂して炭化させた。その後、炉内を１５００℃に加熱した状態を２４時間保持することにより、溶融ＳｉをＢ４Ｃ多孔質焼結体に含浸させた。これにより、Ｂ４Ｃ充填率が７０体積％のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を得た。
【００４２】
そして、このＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体から、実施例１と同様に、２枚の試験片を作製した。そして、図１（ｃ）に示すように、これら試験片を０．５ＭＰａで加圧して互いの接合面を当接させた状態で炉内に設置し、Ａｒ雰囲気下で１３００℃に加熱した状態を６時間保持した。これにより、試験片が接合され、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得た。
【００４３】
得られたＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体の接合部の断面を光学顕微鏡で観察した結果、接合部に空隙は認められなかった。また、接合部の四点曲げ強度は２５５ＭＰａであり、元のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体（母材）の四点曲げ強度２６０ＭＰａとほぼ同等であった。
【００４４】
〔比較例１〕
比較例１として、２枚の試験片の接合面の表面粗さＲａをともに０．１８μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、接合部の四点曲げ強度は４０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
【００４５】
〔比較例２〕
比較例２として、接合時の加熱温度を９００℃としたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、全く接合していなかった。
【００４６】
〔比較例３〕
比較例３として、接合時の加熱温度を１４００℃としたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体から金属Ｓｉが溶出し、接合部の四点曲げ強度は１４０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
【００４７】
〔比較例４〕
比較例４として、接合時の加圧加熱保持時間を０．５時間としたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、接合部の四点曲げ強度は９０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
〔比較例５〕
比較例５として、接合時の加圧加熱保持時間を１０時間としたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、接合部の四点曲げ強度は６０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
【００４８】
〔比較例６〕
比較例６として、接合時の加圧力を０．０１ＭＰａとしたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、接合部の四点曲げ強度は２０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
【００４９】
【表１】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法、及びＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が接合されてなるＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｂ4Ｃ／Ｓｉ（ボロンカーバイト／シリコン）複合材料からなるＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体は、軽量で剛性が高く熱膨張が小さいという優れた特性を有し、半導体製造装置や液晶製造装置など精密機器の構成品に使用されている。
【０００３】
中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を作製する場合には、接合工程を経る必要がある。しかしながら、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合工程はこれまで開示されていない。
【０００４】
なお、従来、有機バインダを使用してＳｉＣ多孔質体を接着し、これに金属Ｓｉを含浸させて一体化させる方法（例えば、特許文献１参照）、金属箔等のろう材を使用して複数のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料体を接合する方法などによって、中空構造のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料体を得ていた。そこで、これらの方法を中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を作製する際に、適用することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−５０１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機バインダで接着したＢ４Ｃ多孔質体に金属Ｓｉを含浸させる方法では、有機バインダの接合面への塗布量を調整することが困難である。そして、塗布量が過多になると接合体の内部空間を閉塞するおそれがあり、過少になると接合体の接合強度及び気密性が低下するおそれがあった。また、金属Ｓｉは凝固すると膨張するため、降温時にＢ４Ｃ多孔質体から金属Ｓｉが染み出し、接合体の内部空間を閉塞することがあった。このように、この方法は、中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を作製することには適していない。
【０００７】
一方、ろう材を使用して接合する方法では、空隙無く接合することは困難であり、接合強度が著しく低下するおそれがあった。
【０００８】
本発明は、これらの問題に鑑みてなされたものであり、接合強度の向上を図った中空構造のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることが可能なＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法、及びＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法は、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で前記接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合することを特徴とする。
【００１０】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法によれば、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面を直接接合することができ、有機バインダを使用した場合のようにＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体の内部空間を閉塞するおそれを解消することが可能となる。そして、後述する実施例から分かるように、接合部の接合強度は、元のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体（母材）の強度と同等であり、ろう材を使用した場合と比較して優れている。
【００１１】
なお、加熱温度が１０００℃未満では、Ｓｉの拡散が起こらないため、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料同士は接合しない。１３８５℃を超えると、１３８５℃がＢとＳｉとの共融点であるので、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体からＳｉ融液が溶け出し、接合体全体の強度の低下、接合体表面へのＳｉ融液の染み出し、溶出したＳｉ融液による中空部の閉塞などの不具合が発生するおそれがある。
【００１２】
Ｂ４ＣとＳｉとは濡れ性が良好であり、比較的低圧で接合が可能であるが、加圧力が０．０２ＭＰａ未満では、接合が不十分となる。一方、加圧力が８．０ＭＰａを超えると、母材自体を損傷させる原因となる。
【００１３】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法において、前記Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体のＢ４Ｃ充填率が２０体積％〜８５体積％であることが好ましい。なお、Ｂ４Ｃ充填率は、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料中のＢ４Ｃの占有率を意味する。
【００１４】
Ｂ４Ｃ充填率が２０体積％未満では、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が低剛性となり、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を構造部材に適用可能な範囲が非常に限定される。一方、Ｂ４Ｃ充填率が８５％体積を超えるＢ４Ｃ多孔質体を形成することは実質上困難であるため、Ｂ４Ｃ充填率が８５％体積を超えるＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を自体が困難である。
【００１５】
そして、本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法において、前記接合面の表面粗さが中心線平均粗さＲａで０．１μｍを超えないことが好ましい。
【００１６】
接合面の表面粗さＲａが０．１μｍを超えると、良好に接合することができない。
【００１７】
また、本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法において、前記加熱して保持する時間は１時間〜８時間であることが好ましい。
【００１８】
保持時間が１時間未満では、Ｓｉの拡散が不十分なため、接合が不十分となる。一方、Ｂ４ＣとＳｉとは１３００℃以上の高温下で固相反応を起こすため、保持時間が８時間を越えると、母材が反応により変質するおそれがある。
【００１９】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体は、不活性ガス雰囲気下で当接された接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持されることにより、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が接合されてなることを特徴とする。
【００２０】
本発明のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体によれば、有機バインダを使用することなく、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面が直接接合されている。よって、有機バインダを使用した場合のようにＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体の内部空間が閉塞されているおそれを解消することが可能となる。従って、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体は中空構造であればより好ましい。
【００２１】
そして、後述する実施例から分かるように、接合部の強度は、元のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の強度と同等であり、ろう材を使用して接合されたものと比較して優れている。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）は試験片の上面図を、（ｂ）は試験片の正面図を、（ｃ）は接合体の正面図をそれぞれ示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明は、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を接合面で当接させた状態で加圧加熱（ホットプレス）して保持することにより、有機バインダやろう材などを使用することなく、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面を直接接合してＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体（以下、単に接合体ともいう。）を得る方法、及びこれにより得られたＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体に関する。
【００２４】
まず、接合に使用される複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を準備する。Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体のＢ４Ｃ充填率は、２０体積％〜８５体積％であることが好ましい。なお、Ｂ４Ｃ充填率とは、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料中のＢ４Ｃの占有率を意味する。
【００２５】
Ｂ４Ｃ充填率が２０体積％未満では、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が低剛性となり、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を構造部材に適用可能な範囲が非常に限定される。一方、Ｂ４Ｃ充填率が８５％体積を超えるＢ４Ｃ多孔質体を形成することは実質上困難であるため、Ｂ４Ｃ充填率が８５％体積を超えるＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を自体が困難である。
【００２６】
Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体は、その製造方法は限定されず、例えば、鋳造法、加圧鋳造法、加圧浸透法、非加圧浸透法、粉末冶金法などによって製造することができる。非加圧浸透法によりＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を製造する場合、Ｂ４Ｃ粉末と有機バインダからなる混合物をプレス等で成形したＢ４Ｃ多孔質成形体を所定形状に加工した後、これに金属Ｓｉを含浸させることにより行われる。
【００２７】
なお、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体は、それぞれ適宜な形状に研削、切断加工を施す。このとき、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面側に溝等を加工しておくことにより、完成後に接合体を中空構造とすることが可能となる。
【００２８】
そして、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体のそれぞれの接合面に鏡面研磨を施す。このとき、接合面の表面粗さは中心線平均粗さＲａで少なくとも０．１μｍ以下とすることが好ましい。接合面の表面粗さＲａが０．１μｍを超えると、良好に接合することができず、接合強度が劣る。
【００２９】
次に、これら複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を接合面で当接させて加圧加熱した状態を保持する。加圧加熱するための装置は、所定の加圧加熱条件が実現されるものであれば特段限定されることはなく、例えば、炉内に油圧シリンダを設置したものでも、プレス部に加熱機構を内蔵したホットプレス機でもよい。
【００３０】
このとき、１０００℃〜１３８５℃に加熱する。加熱温度が１０００℃未満では、Ｓｉの拡散が起きないため、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料同士は接合しない。一方、加熱温度が１３８５℃を超えると、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体からＳｉ融液が溶け出し、接合体全体の強度の低下、接合体表面へのＳｉ融液の染み出し、溶出したＳｉ融液による中空部の閉塞などの不具合が発生するおそれがある。
【００３１】
また、０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａに加圧する。加圧力が０．０２ＭＰａ未満では、接合が不十分となる。一方、加圧力が８．０ＭＰａを超えると、母材自体を損傷させる原因となる。
【００３２】
接合面の面積、形状などによって適切な保持時間は変化するが、加圧加熱状態を１時間〜８時間保持することが好ましい。保持時間が１時間未満では、Ｓｉの拡散が不十分なため、接合が不十分となる。一方、Ｂ４ＣとＳｉとは、１３００℃以上の高温下で固相反応を起こすため、保持時間が８時間を越えると、母材が反応により変質するおそれがある。
【００３３】
また、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下で加圧加熱を行うことが望ましい。大気雰囲気で加圧加熱を行うと、Ｓｉ上に酸化膜が生成し、Ｓｉが拡散する際の障壁となる。また、真空状態で加圧加熱を行うと、上記温度範囲ではＳｉが活発に蒸発するので、接合面の表面荒さが増加し、接合が困難になる。
【００３４】
複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を接合面で当接させて加圧加熱した状態を保持することにより、Ｓｉが固相拡散して、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合面が直接接合され、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることができる。そして、有機バインダを使用する必要がないので、上述した問題は発生しない。
【００３５】
以下、本発明の実施例及び比較例を具体的に挙げ、本発明を詳細に説明する。
【００３６】
〔実施例１〕
原料粉末としてＢ４Ｃ粉末（ＥＳＫ Ｃｅｒａｍｉｃｓ社（ドイツ）製のＦ３６０、 平均粒径２３μｍ）を準備し、これに有機バインダとしてのフェノール樹脂粉末（ＤＩＣ株式会社製のＯＩ−３０５Ａ）を１５質量％添加した。そして、これを成形型に充填して熱プレス成形を行った。これにより、一辺１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの正方形板形状の多孔質成形体を作製した。
【００３７】
そして、この多孔質成形体を金属Ｓｉ（日本電工株式会社製）とともに炉内に設置し、真空雰囲気で１２００℃に加熱した状態を１２時間保持することにより、フェノール樹脂を脱脂して炭化させた。その後、炉内を１４５０℃に加熱した状態を２４時間保持することにより、溶融ＳｉをＢ４Ｃ多孔質焼結体に含浸させた。これにより、Ｂ４Ｃ充填率が５０体積％のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を得た。
【００３８】
そして、このＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体から一辺５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの正方形板形状の試験片を２枚切り出した。さらに、それぞれの試験片に、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、幅２．０ｍｍ、深さ１．５ｍｍの溝を３本加工した。その後、溝を加工した面（接合面）に鏡面加工を施し、その表面粗さＲａを０．０５μｍとした。そして、図１（ｃ）に示すように、これら試験片を０．５ＭＰａで加圧して互いの接合面を当接させた状態で炉内に設置し、Ａｒ雰囲気下で１３００℃に加熱した状態を６時間保持した。これにより、試験片が接合され、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得た。
【００３９】
得られたＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体の接合部の断面を光学顕微鏡で観察した結果、接合部に空隙は認められなかった。また、接合部の四点曲げ強度は２２０ＭＰａであり、元のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体（母材）と同じ強度であった。結果を表１にまとめた。
【００４０】
〔実施例２〕
実施例２として、原料粉末としてＢ４Ｃ粉末（ＥＳＫ Ｃｅｒａｍｉｃｓ社（ドイツ）製のＦ１８０（平均粒径８８μｍ）とＦ６００（平均粒径９μｍ）を重量比７０：３０で混合したもの）を準備し、これに有機バインダとしてのフェノール樹脂粉末（ＤＩＣ株式会社製のＯＩ−３０５Ａ）を２０質量％添加した。そして、これを成形型に充填して熱プレス成形を行った。これにより、一辺１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの正方形板形状の多孔質成形体を作製した。
【００４１】
そして、この多孔質成形体を金属Ｓｉ（日本電工株式会社製）とともに炉内に設置し、真空雰囲気で１２００℃に加熱した状態を１２時間保持することにより、フェノール樹脂を脱脂して炭化させた。その後、炉内を１５００℃に加熱した状態を２４時間保持することにより、溶融ＳｉをＢ４Ｃ多孔質焼結体に含浸させた。これにより、Ｂ４Ｃ充填率が７０体積％のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を得た。
【００４２】
そして、このＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体から、実施例１と同様に、２枚の試験片を作製した。そして、図１（ｃ）に示すように、これら試験片を０．５ＭＰａで加圧して互いの接合面を当接させた状態で炉内に設置し、Ａｒ雰囲気下で１３００℃に加熱した状態を６時間保持した。これにより、試験片が接合され、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得た。
【００４３】
得られたＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体の接合部の断面を光学顕微鏡で観察した結果、接合部に空隙は認められなかった。また、接合部の四点曲げ強度は２５５ＭＰａであり、元のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体（母材）の四点曲げ強度２６０ＭＰａとほぼ同等であった。
【００４４】
〔比較例１〕
比較例１として、２枚の試験片の接合面の表面粗さＲａをともに０．１８μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、接合部の四点曲げ強度は４０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
【００４５】
〔比較例２〕
比較例２として、接合時の加熱温度を９００℃としたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、全く接合していなかった。
【００４６】
〔比較例３〕
比較例３として、接合時の加熱温度を１４００℃としたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体から金属Ｓｉが溶出し、接合部の四点曲げ強度は１４０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
【００４７】
〔比較例４〕
比較例４として、接合時の加圧加熱保持時間を０．５時間としたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、接合部の四点曲げ強度は９０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
〔比較例５〕
比較例５として、接合時の加圧加熱保持時間を１０時間としたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、接合部の四点曲げ強度は６０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
【００４８】
〔比較例６〕
比較例６として、接合時の加圧力を０．０１ＭＰａとしたこと以外は、実施例１と同様にしてＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合を試みた。しかし、接合部の四点曲げ強度は２０ＭＰａであり、接合は不十分であった。
【００４９】
【表１】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で前記接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合することを特徴とするＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法。
【請求項２】
前記Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体のＢ４Ｃ充填率が２０体積％〜８５体積％であることを特徴とする請求項１に記載のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法。
【請求項３】
前記接合面の表面粗さが中心線平均粗さＲａで０．１μｍを超えないことを特徴とする請求項１又は２に記載のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法。
【請求項４】
前記加熱して保持する時間は１時間〜８時間であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法。
【請求項５】
不活性ガス雰囲気下で当接された接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持されることにより、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が接合されてなることを特徴とするＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体。
【請求項６】
当該Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体は中空構造であることを特徴とする請求項５に記載のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体。
【請求項１】
複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で前記接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合することを特徴とするＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法。
【請求項２】
前記Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体のＢ４Ｃ充填率が２０体積％〜８５体積％であることを特徴とする請求項１に記載のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法。
【請求項３】
前記接合面の表面粗さが中心線平均粗さＲａで０．１μｍを超えないことを特徴とする請求項１又は２に記載のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法。
【請求項４】
前記加熱して保持する時間は１時間〜８時間であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法。
【請求項５】
不活性ガス雰囲気下で当接された接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持されることにより、複数のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料体が接合されてなることを特徴とするＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体。
【請求項６】
当該Ｂ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体は中空構造であることを特徴とする請求項５に記載のＢ４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体。
【図１】
【公開番号】特開２０１３−７５８００（Ｐ２０１３−７５８００Ａ）
【公開日】平成２５年４月２５日（２０１３．４．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１７７０５（Ｐ２０１１−２１７７０５）
【出願日】平成２３年９月３０日（２０１１．９．３０）
【出願人】（００００００２４０）太平洋セメント株式会社 (1,449)
【出願人】（３９１００５８２４）株式会社日本セラテック (200)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月２５日（２０１３．４．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月３０日（２０１１．９．３０）
【出願人】（００００００２４０）太平洋セメント株式会社 (1,449)
【出願人】（３９１００５８２４）株式会社日本セラテック (200)
【Ｆターム（参考）】
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