ＥＬパネル
【課題】 優れた耐食性を有する引き出し部を備えるＥＬパネルを提供すること。
【解決手段】 本発明の好適なＥＬパネルは、基板、この基板上に形成されたＥＬ素子部、及び、基板上にＥＬ素子部を封止するように配置された封止部材を備えている。このＥＬパネルにおいて、ＥＬ素子部は、陽極層と、この陽極層と対向して配置された陰極層と、陽極層と陰極層との間に配置された有機発光層とを少なくとも有する。そして、陰極層及び陽極層の少なくとも一方には、封止部材の外部まで延びる引き出し部が接続されている。この引き出し部は、基板側に形成された金属単体又は合金からなる下部配線、及び、この下部配線上に形成された導電性を有する金属酸化物又は金属窒化物からなる上部配線を有している。そして、陰極層と陽極層の少なくとも一方は、封止部材の内部で、引き出し部の下部配線と少なくとも接触している。
【解決手段】 本発明の好適なＥＬパネルは、基板、この基板上に形成されたＥＬ素子部、及び、基板上にＥＬ素子部を封止するように配置された封止部材を備えている。このＥＬパネルにおいて、ＥＬ素子部は、陽極層と、この陽極層と対向して配置された陰極層と、陽極層と陰極層との間に配置された有機発光層とを少なくとも有する。そして、陰極層及び陽極層の少なくとも一方には、封止部材の外部まで延びる引き出し部が接続されている。この引き出し部は、基板側に形成された金属単体又は合金からなる下部配線、及び、この下部配線上に形成された導電性を有する金属酸化物又は金属窒化物からなる上部配線を有している。そして、陰極層と陽極層の少なくとも一方は、封止部材の内部で、引き出し部の下部配線と少なくとも接触している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬパネル、より詳しくは、有機ＥＬ素子を備えたＥＬパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機発光層を備えた構成を有しており、両電極間に電流を流すことで発光する素子である。このような有機ＥＬ素子は、互いに直交するように対向配置されたストライプ状の陽極配線と陰極配線との間に有機発光層を配置したＥＬ素子部が、基板上に配置されるとともに、所定の封止部材によって封止された構造を有するＥＬパネルとしてディスプレイ等に適用される。かかるＥＬパネルにおいては、陽極配線と陰極配線との交点部分がそれぞれ有機ＥＬ素子を構成し、この部分で発光が生じる。
【０００３】
上記のような構成を有するＥＬパネルの場合、外部の駆動回路等との接続を行うため、陽極配線や陰極配線の端部が封止部材の外側に引き出されて接続用の端子部を構成する。しかし、この端子部は、封止部材の外部にあるため、外気中の湿気等に触れて腐食を生じ、外部配線等との接続特性が低下することがある。そこで、このような腐食を防止するために、陽極配線や陰極配線等の端部に引き出し部を別途接続し、この引き出し部に耐食性の高い高耐食性金属部を設ける方法が開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２４３５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術のＥＬパネルにおいて、引き出し部は、高耐食性を有するとはいえ金属からなる部分が表面を覆っているため、例えば高温高湿環境等といった比較的厳しい条件下では、この金属部において腐食を生じたり、また表面荒れを生じたりすることも少なくなかった。こうなると、引き出し部は、陽極配線や陰極配線との接触抵抗が高くなって、外部配線等との接続特性が不十分なものとなる。
【０００５】
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ＥＬ素子の配線との接触抵抗を十分に低く維持できる引き出し部を備えるＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明のＥＬパネルは、基板、この基板上に形成されたＥＬ素子部、及び、基板上にＥＬ素子部を封止するように配置された封止部材を備えるＥＬパネルであって、ＥＬ素子部は、ＥＬ素子部は、陽極層と、この陽極層と対向して配置された陰極層と、陽極層と陰極層との間に配置された有機発光層とを少なくとも有し、陰極層及び陽極層の少なくとも一方の電極層には、封止部材の外部まで延びる引き出し部が接続され、引き出し部は、基板上に形成された金属単体又は合金からなる下部配線、及び、下部配線上に形成された導電性を有する上部配線を有しており、且つ、この引き出し部は、封止部材の内部で、下部配線において上記電極層と少なくとも接触していることを特徴とする。
【０００７】
このような構成を有するＥＬパネルにおいては、引き出し部が下部配線と上部配線との２層構造とされ、下部配線が上部配線によって覆われたような構成を有している。したがって、引き出し部は、少なくとも下部配線が外気等と触れることが少なくなっているため、腐食による引き出し部としての特性低下が小さい。また、本発明のＥＬパネルにおいては、下部配線が低抵抗の金属単体又は合金から構成されており、電極層（陽極層又は陰極層）は少なくともこの下部配線と接触しているため、引き出し部は、電極層との接触抵抗が低いものとなっている。また、このように陽極層や陰極層が少なくとも下部配線と接触していることで、仮に高温高湿条件等に晒されて上部電極に腐食が発生した場合であっても、下部配線との接触によって、電極層と引き出し部との接触抵抗は十分に低く維持される。
【０００８】
上記本発明のＥＬパネルにおいては、少なくとも陰極層に引き出し部が接続されており、且つ、下部配線及び前記上部配線の両方が、封止部材の内部で当該陰極層と接触していることが好ましい。こうすれば、陰極層と引き出し部とをより良好に接続することができる。
【０００９】
本発明のＥＬパネルにおいて、上部配線は、導電性を有する金属酸化物及び金属窒化物から構成されることが好ましい。導電性を有する金属酸化物及び金属窒化物は、金属等と比べて大気中の成分等による腐食を生じ難いものである。したがって、金属酸化物及び金属窒化物からなる上部配線を形成することにより、引き出し部（上部配線）の腐食自体を低減することが可能となり、引き出し部の特性劣化を更に有効に抑制することが可能となる。
【００１０】
また、近年では、ＥＬパネルにおいて、精細な画像を形成できるように陽極配線や陰極配線の高密度配線化が進められており、これらの配線は細線化されるとともに配線間隔が狭くされる傾向にある。そのため、これに伴って引き出し部も細線化や配線間隔の狭小化がなされることになる。これに対し、本発明のＥＬパネルにおいては、引き出し部が、強度等にも優れる金属酸化物の上部配線を有していることから、細線化されても引き出し部の断線等が生じ難い。さらに、この引き出し部においては、金属単体や合金からなる下部配線が上部配線で覆われていることから、金属等が表面に露出しているような場合に比べて、下部配線中の金属や合金のマイグレーションが生じ難くなっている。したがって、配線間隔を狭くした場合であっても、隣り合う引き出し部同士がマイグレーションによって短絡して、ＥＬパネルの表示不良を引き起こすといった不都合は極めて生じ難い。
【００１１】
さらに、本発明のＥＬパネルにおいて、上部配線は、下部配線の少なくとも一部の側面まで覆うように下部配線上に形成されていると好ましい。このように、上部配線が下部配線の上面だけでなく側面までを覆っていることで、下部配線における側面の露出部分が少なくなる。これにより、引き出し部の耐食性が更に向上するとともに、側面からのマイグレーションが生じることによる短絡等の不都合も大幅に低減できるようになる。さらに言えば、引き出し部の封止部材で封止されていない領域において、下部配線を上部配線で完全に覆うようにすれば、引き出し部の耐食性が更に良好となり、側面で生じるマイグレーションも一層確実に低減することが可能となる。
【００１２】
下部配線と、陽極層とは、同一の材料で構成されていることが好ましい。このような構成を採用した場合、陽極層と下部配線とを同時に形成することが可能となる。したがって、ＥＬパネルの製造をより簡便に行うことができ、また製造コストを低減することも可能となる。
【００１３】
また、本発明のＥＬパネルにおいては、引き出し部の下部配線がＭｏを含む合金（以下、「Ｍｏ合金」と略す）からなるものであると更に好ましい。Ｍｏ合金は、大気中の湿気等による腐食を生じ難く、このような下部配線の上側に上部配線が形成されることによって、引き出し部は、特に優れた耐食性を発揮し得るようになる。
【００１４】
より具体的には、下部配線は、Ｎｂの含有割合が５〜１５原子％であるＭｏＮｂ合金からなるものであると一層好ましい。このような割合でＮｂを含むＭｏＮｂ合金により下部配線が形成されることで、引き出し部の耐食性が極めて良好となるとともに、下部配線の形成が容易となる傾向にある。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ＥＬ素子の配線との接触抵抗を十分に低く維持できる引き出し部を備えるＥＬパネルを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１は、好適な実施形態に係るＥＬパネルを概略的に示す平面図である。同図に示すＥＬパネル１００は、基板２上に封止部材２２が配置された構成を有している。封止部材２２によって覆われた領域が、ＥＬパネル１００の表示領域となる。本実施形態のＥＬパネル１００は、基板２側から発光を取り出すボトムエミッションタイプの素子である。
【００１８】
封止部材２２の内部では、図中破線で示されるように、帯状の陽極配線６がストライプ状に複数並列されるとともに、これらの陽極配線６と交差（ほぼ直交）するように帯状の陰極配線１８がストライプ状に複数並列されている。また、複数の陽極配線６からなる陽極層と、複数の陰極配線１８からなる陰極層との間には有機発光層１６が配置されており（図２参照）、この有機発光層１６が形成されている領域がＥＬ素子部５０となっている。ＥＬ素子部５０では、陽極配線６と陰極配線１８との交差部分が一つの画素を構成し、発光する。なお、ＥＬ素子部５０の詳細な層構成については後述する。
【００１９】
ＥＬパネル１００において、各陰極配線１８の端部には、封止部材２２の外部まで延びる陰極引き出し部３０が接続されている。一方、陽極配線６は、それぞれの端部が封止部材２２の外部まで引き出されており、この部分が陽極引き出し部４０を構成している。陰極引き出し部３０及び陽極引き出し部４０は、それぞれ基板２の縁部付近まで延びており、外部回路等との接続端子として機能することができる。
【００２０】
次に、図２を参照して、陰極引き出し部３０付近の断面構成を説明するとともに、ＥＬ素子部５０の層構成について説明する。図２は、図１に示すＥＬパネルのＩＩ−ＩＩ線に沿う断面構成を示す図であり、陰極引き出し部３０付近の陰極配線１８を含む断面の構成を概略的に示している。同図に示す断面では、基板２上にＥＬ素子部５０と陰極引き出し部３０とが設けられている。また基板２上には、ＥＬ素子部５０を内側に含むように封止部材２２が配置されており、これによってＥＬ素子部５０が封止されている。陰極引き出し部３０は、封止部材２２の外側まで延びるように設けられている。
【００２１】
ＥＬ素子部５０は、基板２上に、陽極補助配線４、陽極配線６、絶縁層１０、有機発光層１６及び陰極配線１８が所定の位置関係となるように順に積層された構成を有している。一方、陰極引き出し部３０は、基板２上に下部配線１４及び上部配線２０が積層された２層構造を有している。この陰極引き出し部３０とＥＬ素子部５０との間には、絶縁部材１２が設けられている。
【００２２】
ＥＬパネル１００における基板２は、ＥＬ素子用の基板として一般に用いられているものから適宜選択される。例えば、透湿率が低く光の透過性が高いガラス基板が好ましい。また、樹脂フィルムを他の吸湿性の低い層と組み合わせた積層体を基板２としてもよい。
【００２３】
ＥＬ素子部５０における陽極補助配線４は、帯状の形状を有する電極であり、図中の手前側から奥側の方向に沿って連続的に形成されている。この陽極補助配線４は、後述する陽極配線６の通電性を補助するための配線である。陽極補助配線４は、導電性が良好な材料から構成され、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ等の金属単体やこれらを含む合金等からなるものが好適である。
【００２４】
陽極配線６は、陽極補助配線４上に形成された帯状の電極である。この陽極配線６は、陽極補助配線４を覆う部分と、その側方に張り出して基板２上に直接形成された部分とを有している。陽極配線６は、有機発光層１６からの発光を取り出すため、光の透過性が高い導電材料から構成されている。このような導電材料としては、導電性を有する金属酸化物や金属窒化物が好ましい。例えば、導電性を有する金属酸化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＺｎＯ−Ａｌ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＺｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３等が挙げられ、導電性を有する金属窒化物としてはＴｉＮが挙げられる。ＥＬパネル１００においては、陽極補助配線４と陽極配線６の両方が陽極として機能する。ただし、陽極補助配線４は、陽極の抵抗を下げるだけの機能を有しており、ＥＬパネル１００による発光を通さない材料によって構成されることもある。
【００２５】
絶縁層１０は、陽極補助配線４の形成領域が発光しないように、陽極補助配線４上に設けられた陽極配線６の部分を覆うように形成されている。これにより、陽極補助配線４の形成領域上の陽極配線６と有機発光層１６とが絶縁されている。絶縁層１０は、陽極配線６と有機発光層１６とを十分に絶縁できるものであればよく、例えば、絶縁性を有する金属酸化物や樹脂等によって構成される。
【００２６】
有機発光層１６は、絶縁層１０を挟むように陽極配線６上に形成されており、その縁部が絶縁部材１２に接することで陰極引き出し部３０と絶縁されている。この有機発光層１６は、公知の有機ＥＬ素子の発光層に用いられる発光材料からなり、発光材料としては低分子発光材料、高分子発光材料、あるいは２種以上の発光材料を組み合わせたもの等を特に制限無く適用できる。
【００２７】
陰極配線１８は、有機発光層１６上に形成されており、さらに絶縁部材１２の上部を回りこんでその端部が陰極引き出し部３０に接続されている。これにより、ＥＬ素子部５０の陰極配線１８と陰極引き出し部３０との接続が図られている。陰極配線１８は、例えば、ＥＬ素子部５０に電流を供給できるような導電性を有する金属材料から構成される。具体的には、例えば、低仕事関数を有するアルカリ金属、アルカリ土類金属、両性金属等の金属単体や、これらを含む合金が挙げられる。また、これらの金属単体や合金のほか、これらの金属を含む酸化物、窒化物、ハロゲン化物からなる層と、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ等の低抵抗な金属単体、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ等の貴金属に卑金属が添加された合金等からなる層とを有する積層構造からなる陰極配線１８としてもよい。このような積層構造を有する陰極配線１８とすれば、膜厚を厚くしないで低抵抗な配線を得ることができる。また、光の透過が可能な陰極配線１８を構成することもでき、こうすれば、陰極側から発光を取り出すトップエミッション型のＥＬパネルを形成することも可能となる。
【００２８】
図２に示す断面において、有機発光層１６及び陰極配線１８は、陽極配線６上の全領域を覆うように形成されている。そのため、ＥＬ素子部５０は、陽極補助配線４が形成されていない領域において、陽極配線６、有機発光層１６及び陰極配線１８の３層構造となっており、この部分で発光を生じることができる。
【００２９】
また、陰極引き出し部３０は、上述の如く、基板２上に形成された下部配線１４と、この上に形成された上部配線２０との２層構造となっている。陰極引き出し部３０は、一方の端部が封止部材２２内でＥＬ素子部５０から延びる陰極配線１８の端部と接続されており、これと反対側の端部が封止部材２２の外部まで引き出されている。
【００３０】
下部配線１４は、導電性を有する金属単体や合金から構成される。このような金属単体や合金としては、上側に形成される上部配線２０との電蝕を起こさないものが好ましい。例えば、Ｍｏ合金やＡｇ系合金が挙げられ、優れた耐食性を得る観点からはＭｏ合金が好ましい。なかでも、ＭｏＮｂ合金は、陰極配線１８との接触抵抗が低く、上部配線２０との組み合わせで優れた耐食性を発揮し得ることから特に好ましい。下部配線１４がＭｏＮｂ合金からなる場合、ＭｏＮｂ合金は、Ｎｂの含有割合が１〜２０原子％ものであると好ましく、５〜１５原子％のものであるとより好ましい。このような組成を有するＭｏＮｂ合金は、耐食性に優れ、しかも十分な低抵抗化が図れるほか、製造時のパターン形成が容易となる傾向にある。
【００３１】
上部配線２０は、導電性を有する金属酸化物又は金属窒化物から構成される。このような金属酸化物としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＺｎＯ−Ａｌ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＺｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３等が挙げられ、金属窒化物としてはＴｉＮが挙げられる。上部配線２０の構成材料としては、なかでも、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ又はＺｎＯ−Ａｌが好ましい。この上部配線２０の構成材料は、陽極配線６の構成材料と同じでも異なっていてもよいが、製造上の観点からは同じであるとより好ましい。上部配線２０と陽極配線６の構成材料を同じとすれば、ＥＬパネル１００の製造において、これらを同時に成膜等することで一度に形成することができ、別々に形成する場合に比べて工程を省略することができるほか、製造コスト等の低減も図れるようになる。
【００３２】
このような陰極引き出し部３０において、下部配線１４のＥＬ素子部５０側の端部付近は、上部配線２０に覆われていない状態となっており、この部分でＥＬ素子部５０から延びる陰極配線１８の端部と直接接触することができるようになっている。これにより、陰極配線１８は、より接続抵抗が小さい下部配線１４と接続されることとなり、陰極配線１８と陰極引き出し部３０との間の電気的な接続が更に良好に図られる。
【００３３】
封止部材２２は、基板２との間にＥＬ素子部５０を含むように設けられる。図示のような封止基板２２の場合、基板２側との接触部分は、接着剤等によって固定され、これによりＥＬ素子部５０が封止される。陰極配線１８と陰極引き出し部３０との接続部分は、封止部材２２の内部に含まれるようになっている。このような封止部材２２として、ＥＬパネルにおいて封止に用いられる公知の部材を適用できる。本実施形態のようにボトムエミッションタイプのパネルの場合、封止部材２２は、透明であってもなくてもよく、例えば、ガラス、金属、プラスチック等の種々の材料から構成される。
【００３４】
次に、ＥＬパネルの製造方法の好適な実施形態について説明する。好適な実施形態のＥＬパネルの製造方法においては、上述した構成を有するＥＬパネル１００の場合、陽極配線（更には陽極引き出し部４０）と、陰極引き出し部３０における上部配線２０を、それぞれ同じ材料を同時に堆積させることによって一度に形成する。以下、このようなＥＬパネルの製造方法について、上述したＥＬパネル１００を例に挙げて具体的に説明する。
【００３５】
ＥＬパネル１００の製造においては、まず、基板２を準備し、適宜洗浄を行う。この基板２上に、陰極引き出し部３０の下部配線１４を、ＥＬ素子部５０を形成すべき領域の外側に形成する。具体的には、基板２上の全面に下部配線１４を構成する金属単体又は合金をスパッタ法により形成した後、フォトリソグラフィー技術等によって下部配線１４の形状に加工する。この際、原料がＭｏＮｂ合金であり、そのＮｂの含有割合が１〜２０原子％、好ましくは５〜１５原子％であると、良好なエッチングレートが得られ、下部配線１４の形成が容易となる。Ｎｂが５原子％未満の場合は、これ以上とした場合と比べて下部配線の耐食性が低下する場合がある。
【００３６】
また、下部配線１４と同時に、基板２上のＥＬ素子部５０を形成すべき領域に陽極補助配線４を形成する。陽極補助配線４は、上記の下部配線１４の延在方向とほぼ直交するようにストライプ状に複数設ける。この陽極補助配線４は、下部配線１４と同じ工程において、その原料の層を基板２上のＥＬ素子部５０を形成すべき全領域にスパッタ法等により形成した後、フォトリソグラフィー技術等によって加工することで所望の形状とすることができる。なお、本実施形態では陽極補助配線４と下部配線１４とを同時に形成したが、これらが異なる材料からなる場合は、下部配線１４と陽極補助配線４とはどちらを先に形成してもよい。
【００３７】
次に、導電性を有する金属酸化物又は金属窒化物を、スパッタリング法等により陽極補助配線４及び下部配線１４上に一度に堆積させることにより、陽極補助配線４及び下部配線１４上にそれぞれ陽極配線６及び上部配線２０を同時に形成させる。下部配線１４上に上部配線２０が設けられることで、陰極引き出し部３０が形成される。この際、陽極配線６は、陰極引き出し部３０とは接触しないようにする。また、上部配線２０は、少なくとも下部配線１４の陰極配線１８と接触する部分が覆われないように形成する。なお、陽極補助配線４及び陽極配線６は、これらの端部がそのまま陽極引き出し部４０となるように、封止部材２２の外側領域まで形成する。
【００３８】
次いで、陽極補助配線４の形成領域の陽極配線６上に絶縁層１０を形成する。また、陰極引き出し部３０とＥＬ素子部５０となる領域との境界部分に絶縁部材１２を形成する。これらは、製造上の観点からは同時に形成することが望ましいが、それぞれが異なる材料から形成される場合は、どちらを先に形成してもよい。その後、ＥＬ素子部５０となるべき領域の全面に、例えば真空蒸着法によって有機発光材料を堆積させて、有機発光層１６を形成する。
【００３９】
それから、真空蒸着や電子ビーム蒸着法によって、陰極配線１８の原料である金属等を有機発光層１６上に堆積させて、陰極配線１８を形成する。これによりＥＬ素子部５０が形成される。この陰極配線１８は、例えば、オーバーハング形状を有する素子分離体（図示せず）を絶縁層１０上に陽極とほぼ直交する方向に形成した後に、陰極配線１８の構成材料からなる層を堆積させることで形成することができる。これにより、素子分離体を挟むように平行に配置されたストライプ状の陰極配線１８が、陽極配線６とほぼ直交する方向に形成される。陰極配線１８の端部は、絶縁部材１２の上部を回りこませて陰極引き出し部３０、特に下部配線１４と接触する形状とする。
【００４０】
そして、少なくともＥＬ素子部５０と陰極引き出し部３０との接続部分よりも内側の領域が覆われるように封止部材２２を配置する。封止部材２２は、ＥＬ素子部５０及び陰極引き出し部３０が形成された基板２との接触部分が接着剤等によって接着されることにより基板２側に固定される。こうして、基板２と封止部材２２との間の空間にＥＬ素子部５０が配置されており、陽極引き出し部４０及び陰極引き出し部３０が封止部材２２の外部まで引き出された構造のＥＬパネル１００が得られる。
【００４１】
上記構成を有するＥＬパネル及びＥＬパネルの製造方法によれば、金属単体又は合金からなる下部配線と、導電性を有する金属酸化物又は金属窒化物からなる上部配線との２層構造を有する引き出し部を備えるＥＬパネルが得られる。このようなＥＬパネルにおける引き出し部は、上側の層に耐食性に優れる金属酸化物や金属窒化物を有しているため、封止部材の外部に位置しており外気の影響を受けやすい引き出し部の腐食等が生じ難い。また、金属単体又は合金からなる下部配線が上部配線によって覆われているため、高密度配線とした場合であっても、引き出し部の断線や、金属等のマイグレーションによる引き出し部間の短絡等が良好に防止される。その結果、本発明のＥＬパネルは優れた耐久性を有し、しかも良好な表示性能をも有するものとなる。
【００４２】
なお、本発明のＥＬパネル及びその製造方法は、必ずしも上述した実施形態に限定されず、適宜変更が可能である。例えば、上述した実施形態のＥＬパネルでは、陰極配線１８の端部だけに２層構造の陰極引き出し部３０が接続されている構成としたが、陽極配線４の端部にも同様の引き出し部が接続されていてもよい。また、ＥＬパネルにおいては、陽極補助配線が必須の構成ではないため、上述した実施形態のＥＬパネル１００は、陽極補助配線４を有しないものであってもよい。
【００４３】
また、陰極配線１８と陰極引き出し部３０における下部配線１４とは必ずしも分離しておらず、一体のものであってもよい。この場合、例えば、陰極配線１８を形成するまでは下部配線１４は形成しないでおき、陰極配線１８の形成時に用いる素子分離体を陰極引き出し部３０の形成領域まで延ばし、これを用いて陰極配線１８とともにこれと一体の下部配線１４を形成する。そして、このようにして形成された下部配線１４上に上部配線２０を形成する。これにより、下部配線１４が陰極配線１８と一体とされた陰極引き出し部３０を形成することもできる。
【００４４】
さらにまた、上述したＥＬパネル１００では、陰極配線１８の端部が、陰極引き出し部３０の下部配線１４と上部配線２０との両方に接するようにしたが、通電性、接触抵抗、密着性等を良好にする観点から、少なくとも下部配線１４のみに接するような形態を選択してもよい。また、上記の実施形態では、ＥＬ素子部５０として最小限の層構成を有するものを示したが、これに限定されず、ＥＬ素子部は、所望とする特性に応じて陽極配線、有機発光層、陰極配線以外の層を有するものであってもよい。さらにまた、封止部材２２としては、ＥＬ素子部５０を内部の空間に収納するものを採用したが、封止部材は、例えば、ＥＬ素子部を直接覆うように設けられた有機物又は無機物からなる膜やこれらの積層膜であってもよい。
【００４５】
また、上記のＥＬパネルの製造方法においては、陽極配線６と上部配線２０とを同時に形成する好適例を示したが、本発明の構造を有するＥＬパネルを製造する観点からは、必ずしも陽極配線６と上部配線２０とが同時に形成される必要はなく、別々に形成してもよい。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
【００４７】
（ＥＬパネルの作製）
まず、ガラス基板（コーニング社製、１３７３基板）上に、ＭｏＮｂ（Ｎｂが５原子％）をスパッタ法により４００ｎｍの厚さで全面に成膜した。この上にスピンコート法により感光性レジスト膜を形成し、これに所定のパターン形状の遮光レチクルマスクを通してＵＶ光を照射し、感光性レジスト膜を露光した。次いで、感光性レジスト膜形成後の積層体を現像液に浸漬して、感光性レジスト膜の未露光部分を除去し、更にこれをエッチング液に浸漬して、感光性レジスト膜が形成されている部分以外のＭｏＮｂをエッチング除去した。このようなフォトリソグラフィー法により、ＥＬ素子部が形成される領域の外側であって、かかる領域に対して対向する一対の側部のそれぞれに、ＭｏＮｂからなる線幅５０μｍの下部配線をストライプ状に６４本形成させた。
【００４８】
次に、スパッタ法によりＩＴＯを積層することにより、ガラス基板上のＥＬ素子部が形成される領域内に、下部配線の延在方向と直交するように厚さ１００ｎｍ、線幅３００μｍのＩＴＯからなる陽極配線をストライプ状に２８８本形成した。またこの際、同時に、下部配線上にもＩＴＯを積層することで、下部配線上の封止部材内の領域を除くようにＩＴＯからなる上部配線を形成し、これにより陰極引き出し部を完成させた。なお、これらは、下部配線の場合と同様、フォトリソグラフィーによって所定のパターンに加工することによって形成させた。
【００４９】
次いで、絶縁性のポジ型レジストを塗布し、陽極配線の陰極配線との交点となる部分に開口を有するとともに、少なくとも陽極配線のエッジ部が覆われるような形状となるようにパターニングした。この上に、フォトリソグラフィー法により絶縁膜を形成した後、更に陽極配線と直交して交差するように、絶縁物から構成される帯状の素子分離体をストライプ状に６５本形成した。上記の操作後の積層体に、ドライクリーニング処理を行った後、蒸着機を用いて、陽極電極等が形成されている側の面上に有機層を３層順次形成した。この有機層は、基板側から、ホール注入層である厚さ８０ｎｍのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）層、ホール輸送層である厚さ３０μｍのＴＰＤ（トリフェニルジアミン）層、及び、有機発光層である厚さ５０ｎｍのＡｌｑ３（トリス−８−キノリラトアルミニウム）層をこの順に有する３層構造とした。また、有機層は、ＥＬ素子部とすべき領域の全面に形成した。
【００５０】
このような有機層の形成後の積層体を、真空チャンバーに写し、１×１０−４Ｐａ以下程度の真空を維持したまま、真空蒸着法により有機層上にフッ化リチウムからなる厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成し、更に、電子ビーム蒸着法によりアルミニウムからなる厚さ３００ｎｍの陰極配線を順次形成した。ここで、陰極配線は、対向している陰極引き出し部間を結ぶようにストライプ状に形成し、両端部は陰極引き出し部と接続されるようにした。なお、陰極引き出し部において、封止部材に覆われる領域の下部配線は、上部配線には覆われていないので、陰極配線は陰極引き出し部の下部配線と確実に接触した状態となっている。
【００５１】
そして、ガラス基板上のＥＬ素子部の外周であって、陰極配線と陰極引き出し部との接続部分よりも外側の位置に接着剤を塗布した後、基板との空間にＥＬ素子部が含まれるように封止部材を貼り付けた。このようにして、実施例１のＥＬパネルを完成させた。
【００５２】
得られたＥＬパネルの引き出し部にフレキシブル配線板（ＦＰＣ）を熱圧着により接続して、ＥＬ表示装置を作製した後、ＦＰＣに接続されている駆動回路を動作させたところ、ＥＬパネルが発光することが確認された。
【００５３】
（特性評価）
まず、封止部材を取り付ける前のＥＬパネルを用い、陰極配線と引き出し部との接続部分の接合抵抗を測定したところ、０．３８Ωであった。
【００５４】
また、ＥＬパネルを用いた表示装置を、温度６０℃、湿度９５％の環境下に２０００時間放置した後、動作させたが、引き出し部に腐食は生じておらず、表示不良は発生しなかった。
［比較例１］
【００５５】
（ＥＬパネルの製造）
引き出し部のＩＴＯからなる上部配線を形成させなかったこと以外は、実施例１と同様にしてＥＬパネルを製造した。
【００５６】
（特性評価）
ＥＬパネルを用いた表示装置を、温度６０℃、湿度９５％の環境下に放置したところ、１００時間で引き出し部（ＭｏＮｂの下部配線）が腐食した。
［比較例２］
【００５７】
（ＥＬパネルの製造）
ＭｏＮｂからなる下部配線の全面がＩＴＯからなる上部配線に覆われた引き出し部を形成し、且つ、陰極配線を上部配線だけに接続させたこと以外は、実施例１と同様にしてＥＬパネルを製造した。
【００５８】
（特性評価）
封止部材を取り付ける前のＥＬパネルを用い、陰極配線と引き出し部との接続部分の接合抵抗を測定したところ、０．５１Ωと実施例１よりも大きくなった。
【００５９】
ＥＬパネルを用いた表示装置を、温度６０℃、湿度９５％の環境下に２０００時間放置した後、動作させたが、引き出し部に腐食は生じておらず、表示不良は発生しなかった。
［参考例：引き出し部の腐食性の評価］
【００６０】
ＥＬパネルにおける引き出し部の耐食性を確認するため、以下、引き出し部のみに対応する構造の積層体を作製して、その耐食性を評価した。参考例１は、下部配線にＭｏ又はＭｏ合金を用いた場合、参考例２は、下部配線にＡｇ合金を用いた場合を示している。
【００６１】
（参考例１）
厚さ０．７ｍｍ×縦３００ｍｍ×横４００ｍｍのソーダライムガラス基板を洗浄した。次いで、スパッタ装置にセットしてＤＣスパッタ法により厚さ２０ｎｍの下部配線を形成した。次いで、サンプルによっては、下部配線形成後のガラス基板を洗浄した後、これをスパッタ装置にセットし、ＤＣスパッタ法により厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜（上部配線）を形成した。本参考例では、このような製造方法により得られる３種の評価用サンプルを製造した。なお、ＭｏＮｂとしては、Ｎｂを１０原子％含むものを用いた。
ａ１：下部配線にＭｏを用い、上部配線を形成しなかったもの。
ｂ１：下部配線にＭｏＮｂを用い、上部配線を形成しなかったもの。
ｃ１：下部配線にＭｏＮｂを用い、上部配線を形成したもの。
【００６２】
そして、これらの評価用サンプルを、温度６０℃、湿度９５％の恒温槽に入れ、１０００時間放置後の表面を観察した。その結果、各サンプルについて以下のような結果が得られた。各サンプルの表面状態を示す顕微鏡写真を、図３、４及び５に示す。図３、４及び５は、それぞれサンプルａ１、ｂ１及びｃ１の観察結果にそれぞれ対応する写真である。なお、各図中、Ａは、サンプル表面の落斜写真を示しており、Ｂは透過写真を示している。
ａ１：表面の膜（Ｍｏ）が全体的に荒れており、ピンホールも形成されていた。
ｂ１：表面の膜（Ｍｏ−１０ｗｔ％Ｎｂ）が全体的に荒れていたが、ピンホールは確認されなかった。
ｃ１：表面荒れ、ピンホールともに確認されなかった。
なお、Ｎｂ含有量を５〜２０原子％の間で変化させたＭｏＮｂを下部配線に用いてｂ１及びｃ１に対するサンプルを作製し、これらについても同様の評価を行ったが、いずれの場合も上記と同様の結果が得られることが確認された。
【００６３】
（参考例２）
参考例２では、参考例１と同様にして以下の２種の評価用サンプルを作製した。なお、Ａｇ合金としては、Ａｇに３重量％のＰｄを添加した合金を用いた。
ａ２：下部配線にＡｇ合金を用い、上部配線を形成しなかったもの。
ｂ２：下部配線にＡｇ合金を用い、上部配線を形成したもの。
【００６４】
そして、これらの評価用サンプルを、温度６０℃、湿度９５％の恒温槽に入れて１７０時間放置後、又は、ＵＶ照射後のサンプルの表面をそれぞれ観察した。その結果、各サンプルについて以下のような結果が得られた。各サンプルの表面状態を示す顕微鏡写真を、図６及び７に示す。図６及び７は、それぞれサンプルａ２及びｂ２の観察結果に対応する写真である。なお、各図は、サンプル表面の落斜写真を示している。
ａ：恒温槽放置後のサンプルは、表面の膜（Ａｇ合金）全面に荒れが発生していた。また、ＵＶ照射後のサンプルは、局所的に表面荒れが発生しており、ピンホールが形成されていた。
ｂ：恒温槽放置後、ＵＶ照射後ともに表面の膜（ＩＴＯ）に荒れ、ピンホールは確認されなかった。
［参考例：ＭｏＮｂからなる下部配線の好適なＮｂ含有量の測定］
【００６５】
（参考例３）
上記実施例におけるＭｏＮｂからなる下部配線において、Ｎｂの含有割合を変化させ、下部配線を形成する際に行うエッチングのエッチングレートを各条件で比較した。この場合、エッチング条件は、エッチャント：燐硝酢酸、液温：２０℃とした。
【００６６】
その結果、エッチングレートは、Ｎｂが５原子％では１３．３Å／ｓｅｃであり、Ｎｂが１０原子％では５．０Å／ｓｅｃであり、Ｎｂが１５原子％では２．５Å／ｓｅｃであり、Ｎｂが２０原子％では１．１Å／ｓｅｃであった。この結果から、例えば下部配線の膜厚を２０００Åと設定した場合、Ｎｂが２０原子％であるＭｏＮｂではエッチング時間が３０分となり、Ｎｂ含有割合をこれ以下とした場合に比べて生産性が低下することが確認された。したがって、下部配線に用いるＭｏＮｂにおけるＮｂの含有割合は、５〜１５％が特に好ましいことが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】好適な実施形態に係るＥＬパネルを概略的に示す平面図である。
【図２】図１に示すＥＬパネルのＩＩ−ＩＩ線に沿う断面構成を示す図である。
【図３】サンプルａ１の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【図４】サンプルｂ１の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【図５】サンプルｃ１の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【図６】サンプルａ２の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【図７】サンプルｂ２の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
２…基板、４…陽極補助配線、６…陽極配線、１０…絶縁層、１４…下部配線、１６…有機発光層、１８…陰極配線、２０…上部配線、２２…封止部材、３０…陰極引き出し部、４０…陽極引き出し部、５０…ＥＬ素子部、１００…ＥＬパネル。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬパネル、より詳しくは、有機ＥＬ素子を備えたＥＬパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機発光層を備えた構成を有しており、両電極間に電流を流すことで発光する素子である。このような有機ＥＬ素子は、互いに直交するように対向配置されたストライプ状の陽極配線と陰極配線との間に有機発光層を配置したＥＬ素子部が、基板上に配置されるとともに、所定の封止部材によって封止された構造を有するＥＬパネルとしてディスプレイ等に適用される。かかるＥＬパネルにおいては、陽極配線と陰極配線との交点部分がそれぞれ有機ＥＬ素子を構成し、この部分で発光が生じる。
【０００３】
上記のような構成を有するＥＬパネルの場合、外部の駆動回路等との接続を行うため、陽極配線や陰極配線の端部が封止部材の外側に引き出されて接続用の端子部を構成する。しかし、この端子部は、封止部材の外部にあるため、外気中の湿気等に触れて腐食を生じ、外部配線等との接続特性が低下することがある。そこで、このような腐食を防止するために、陽極配線や陰極配線等の端部に引き出し部を別途接続し、この引き出し部に耐食性の高い高耐食性金属部を設ける方法が開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２４３５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術のＥＬパネルにおいて、引き出し部は、高耐食性を有するとはいえ金属からなる部分が表面を覆っているため、例えば高温高湿環境等といった比較的厳しい条件下では、この金属部において腐食を生じたり、また表面荒れを生じたりすることも少なくなかった。こうなると、引き出し部は、陽極配線や陰極配線との接触抵抗が高くなって、外部配線等との接続特性が不十分なものとなる。
【０００５】
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ＥＬ素子の配線との接触抵抗を十分に低く維持できる引き出し部を備えるＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明のＥＬパネルは、基板、この基板上に形成されたＥＬ素子部、及び、基板上にＥＬ素子部を封止するように配置された封止部材を備えるＥＬパネルであって、ＥＬ素子部は、ＥＬ素子部は、陽極層と、この陽極層と対向して配置された陰極層と、陽極層と陰極層との間に配置された有機発光層とを少なくとも有し、陰極層及び陽極層の少なくとも一方の電極層には、封止部材の外部まで延びる引き出し部が接続され、引き出し部は、基板上に形成された金属単体又は合金からなる下部配線、及び、下部配線上に形成された導電性を有する上部配線を有しており、且つ、この引き出し部は、封止部材の内部で、下部配線において上記電極層と少なくとも接触していることを特徴とする。
【０００７】
このような構成を有するＥＬパネルにおいては、引き出し部が下部配線と上部配線との２層構造とされ、下部配線が上部配線によって覆われたような構成を有している。したがって、引き出し部は、少なくとも下部配線が外気等と触れることが少なくなっているため、腐食による引き出し部としての特性低下が小さい。また、本発明のＥＬパネルにおいては、下部配線が低抵抗の金属単体又は合金から構成されており、電極層（陽極層又は陰極層）は少なくともこの下部配線と接触しているため、引き出し部は、電極層との接触抵抗が低いものとなっている。また、このように陽極層や陰極層が少なくとも下部配線と接触していることで、仮に高温高湿条件等に晒されて上部電極に腐食が発生した場合であっても、下部配線との接触によって、電極層と引き出し部との接触抵抗は十分に低く維持される。
【０００８】
上記本発明のＥＬパネルにおいては、少なくとも陰極層に引き出し部が接続されており、且つ、下部配線及び前記上部配線の両方が、封止部材の内部で当該陰極層と接触していることが好ましい。こうすれば、陰極層と引き出し部とをより良好に接続することができる。
【０００９】
本発明のＥＬパネルにおいて、上部配線は、導電性を有する金属酸化物及び金属窒化物から構成されることが好ましい。導電性を有する金属酸化物及び金属窒化物は、金属等と比べて大気中の成分等による腐食を生じ難いものである。したがって、金属酸化物及び金属窒化物からなる上部配線を形成することにより、引き出し部（上部配線）の腐食自体を低減することが可能となり、引き出し部の特性劣化を更に有効に抑制することが可能となる。
【００１０】
また、近年では、ＥＬパネルにおいて、精細な画像を形成できるように陽極配線や陰極配線の高密度配線化が進められており、これらの配線は細線化されるとともに配線間隔が狭くされる傾向にある。そのため、これに伴って引き出し部も細線化や配線間隔の狭小化がなされることになる。これに対し、本発明のＥＬパネルにおいては、引き出し部が、強度等にも優れる金属酸化物の上部配線を有していることから、細線化されても引き出し部の断線等が生じ難い。さらに、この引き出し部においては、金属単体や合金からなる下部配線が上部配線で覆われていることから、金属等が表面に露出しているような場合に比べて、下部配線中の金属や合金のマイグレーションが生じ難くなっている。したがって、配線間隔を狭くした場合であっても、隣り合う引き出し部同士がマイグレーションによって短絡して、ＥＬパネルの表示不良を引き起こすといった不都合は極めて生じ難い。
【００１１】
さらに、本発明のＥＬパネルにおいて、上部配線は、下部配線の少なくとも一部の側面まで覆うように下部配線上に形成されていると好ましい。このように、上部配線が下部配線の上面だけでなく側面までを覆っていることで、下部配線における側面の露出部分が少なくなる。これにより、引き出し部の耐食性が更に向上するとともに、側面からのマイグレーションが生じることによる短絡等の不都合も大幅に低減できるようになる。さらに言えば、引き出し部の封止部材で封止されていない領域において、下部配線を上部配線で完全に覆うようにすれば、引き出し部の耐食性が更に良好となり、側面で生じるマイグレーションも一層確実に低減することが可能となる。
【００１２】
下部配線と、陽極層とは、同一の材料で構成されていることが好ましい。このような構成を採用した場合、陽極層と下部配線とを同時に形成することが可能となる。したがって、ＥＬパネルの製造をより簡便に行うことができ、また製造コストを低減することも可能となる。
【００１３】
また、本発明のＥＬパネルにおいては、引き出し部の下部配線がＭｏを含む合金（以下、「Ｍｏ合金」と略す）からなるものであると更に好ましい。Ｍｏ合金は、大気中の湿気等による腐食を生じ難く、このような下部配線の上側に上部配線が形成されることによって、引き出し部は、特に優れた耐食性を発揮し得るようになる。
【００１４】
より具体的には、下部配線は、Ｎｂの含有割合が５〜１５原子％であるＭｏＮｂ合金からなるものであると一層好ましい。このような割合でＮｂを含むＭｏＮｂ合金により下部配線が形成されることで、引き出し部の耐食性が極めて良好となるとともに、下部配線の形成が容易となる傾向にある。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ＥＬ素子の配線との接触抵抗を十分に低く維持できる引き出し部を備えるＥＬパネルを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１は、好適な実施形態に係るＥＬパネルを概略的に示す平面図である。同図に示すＥＬパネル１００は、基板２上に封止部材２２が配置された構成を有している。封止部材２２によって覆われた領域が、ＥＬパネル１００の表示領域となる。本実施形態のＥＬパネル１００は、基板２側から発光を取り出すボトムエミッションタイプの素子である。
【００１８】
封止部材２２の内部では、図中破線で示されるように、帯状の陽極配線６がストライプ状に複数並列されるとともに、これらの陽極配線６と交差（ほぼ直交）するように帯状の陰極配線１８がストライプ状に複数並列されている。また、複数の陽極配線６からなる陽極層と、複数の陰極配線１８からなる陰極層との間には有機発光層１６が配置されており（図２参照）、この有機発光層１６が形成されている領域がＥＬ素子部５０となっている。ＥＬ素子部５０では、陽極配線６と陰極配線１８との交差部分が一つの画素を構成し、発光する。なお、ＥＬ素子部５０の詳細な層構成については後述する。
【００１９】
ＥＬパネル１００において、各陰極配線１８の端部には、封止部材２２の外部まで延びる陰極引き出し部３０が接続されている。一方、陽極配線６は、それぞれの端部が封止部材２２の外部まで引き出されており、この部分が陽極引き出し部４０を構成している。陰極引き出し部３０及び陽極引き出し部４０は、それぞれ基板２の縁部付近まで延びており、外部回路等との接続端子として機能することができる。
【００２０】
次に、図２を参照して、陰極引き出し部３０付近の断面構成を説明するとともに、ＥＬ素子部５０の層構成について説明する。図２は、図１に示すＥＬパネルのＩＩ−ＩＩ線に沿う断面構成を示す図であり、陰極引き出し部３０付近の陰極配線１８を含む断面の構成を概略的に示している。同図に示す断面では、基板２上にＥＬ素子部５０と陰極引き出し部３０とが設けられている。また基板２上には、ＥＬ素子部５０を内側に含むように封止部材２２が配置されており、これによってＥＬ素子部５０が封止されている。陰極引き出し部３０は、封止部材２２の外側まで延びるように設けられている。
【００２１】
ＥＬ素子部５０は、基板２上に、陽極補助配線４、陽極配線６、絶縁層１０、有機発光層１６及び陰極配線１８が所定の位置関係となるように順に積層された構成を有している。一方、陰極引き出し部３０は、基板２上に下部配線１４及び上部配線２０が積層された２層構造を有している。この陰極引き出し部３０とＥＬ素子部５０との間には、絶縁部材１２が設けられている。
【００２２】
ＥＬパネル１００における基板２は、ＥＬ素子用の基板として一般に用いられているものから適宜選択される。例えば、透湿率が低く光の透過性が高いガラス基板が好ましい。また、樹脂フィルムを他の吸湿性の低い層と組み合わせた積層体を基板２としてもよい。
【００２３】
ＥＬ素子部５０における陽極補助配線４は、帯状の形状を有する電極であり、図中の手前側から奥側の方向に沿って連続的に形成されている。この陽極補助配線４は、後述する陽極配線６の通電性を補助するための配線である。陽極補助配線４は、導電性が良好な材料から構成され、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ等の金属単体やこれらを含む合金等からなるものが好適である。
【００２４】
陽極配線６は、陽極補助配線４上に形成された帯状の電極である。この陽極配線６は、陽極補助配線４を覆う部分と、その側方に張り出して基板２上に直接形成された部分とを有している。陽極配線６は、有機発光層１６からの発光を取り出すため、光の透過性が高い導電材料から構成されている。このような導電材料としては、導電性を有する金属酸化物や金属窒化物が好ましい。例えば、導電性を有する金属酸化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＺｎＯ−Ａｌ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＺｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３等が挙げられ、導電性を有する金属窒化物としてはＴｉＮが挙げられる。ＥＬパネル１００においては、陽極補助配線４と陽極配線６の両方が陽極として機能する。ただし、陽極補助配線４は、陽極の抵抗を下げるだけの機能を有しており、ＥＬパネル１００による発光を通さない材料によって構成されることもある。
【００２５】
絶縁層１０は、陽極補助配線４の形成領域が発光しないように、陽極補助配線４上に設けられた陽極配線６の部分を覆うように形成されている。これにより、陽極補助配線４の形成領域上の陽極配線６と有機発光層１６とが絶縁されている。絶縁層１０は、陽極配線６と有機発光層１６とを十分に絶縁できるものであればよく、例えば、絶縁性を有する金属酸化物や樹脂等によって構成される。
【００２６】
有機発光層１６は、絶縁層１０を挟むように陽極配線６上に形成されており、その縁部が絶縁部材１２に接することで陰極引き出し部３０と絶縁されている。この有機発光層１６は、公知の有機ＥＬ素子の発光層に用いられる発光材料からなり、発光材料としては低分子発光材料、高分子発光材料、あるいは２種以上の発光材料を組み合わせたもの等を特に制限無く適用できる。
【００２７】
陰極配線１８は、有機発光層１６上に形成されており、さらに絶縁部材１２の上部を回りこんでその端部が陰極引き出し部３０に接続されている。これにより、ＥＬ素子部５０の陰極配線１８と陰極引き出し部３０との接続が図られている。陰極配線１８は、例えば、ＥＬ素子部５０に電流を供給できるような導電性を有する金属材料から構成される。具体的には、例えば、低仕事関数を有するアルカリ金属、アルカリ土類金属、両性金属等の金属単体や、これらを含む合金が挙げられる。また、これらの金属単体や合金のほか、これらの金属を含む酸化物、窒化物、ハロゲン化物からなる層と、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ等の低抵抗な金属単体、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ等の貴金属に卑金属が添加された合金等からなる層とを有する積層構造からなる陰極配線１８としてもよい。このような積層構造を有する陰極配線１８とすれば、膜厚を厚くしないで低抵抗な配線を得ることができる。また、光の透過が可能な陰極配線１８を構成することもでき、こうすれば、陰極側から発光を取り出すトップエミッション型のＥＬパネルを形成することも可能となる。
【００２８】
図２に示す断面において、有機発光層１６及び陰極配線１８は、陽極配線６上の全領域を覆うように形成されている。そのため、ＥＬ素子部５０は、陽極補助配線４が形成されていない領域において、陽極配線６、有機発光層１６及び陰極配線１８の３層構造となっており、この部分で発光を生じることができる。
【００２９】
また、陰極引き出し部３０は、上述の如く、基板２上に形成された下部配線１４と、この上に形成された上部配線２０との２層構造となっている。陰極引き出し部３０は、一方の端部が封止部材２２内でＥＬ素子部５０から延びる陰極配線１８の端部と接続されており、これと反対側の端部が封止部材２２の外部まで引き出されている。
【００３０】
下部配線１４は、導電性を有する金属単体や合金から構成される。このような金属単体や合金としては、上側に形成される上部配線２０との電蝕を起こさないものが好ましい。例えば、Ｍｏ合金やＡｇ系合金が挙げられ、優れた耐食性を得る観点からはＭｏ合金が好ましい。なかでも、ＭｏＮｂ合金は、陰極配線１８との接触抵抗が低く、上部配線２０との組み合わせで優れた耐食性を発揮し得ることから特に好ましい。下部配線１４がＭｏＮｂ合金からなる場合、ＭｏＮｂ合金は、Ｎｂの含有割合が１〜２０原子％ものであると好ましく、５〜１５原子％のものであるとより好ましい。このような組成を有するＭｏＮｂ合金は、耐食性に優れ、しかも十分な低抵抗化が図れるほか、製造時のパターン形成が容易となる傾向にある。
【００３１】
上部配線２０は、導電性を有する金属酸化物又は金属窒化物から構成される。このような金属酸化物としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＺｎＯ−Ａｌ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＺｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３等が挙げられ、金属窒化物としてはＴｉＮが挙げられる。上部配線２０の構成材料としては、なかでも、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ又はＺｎＯ−Ａｌが好ましい。この上部配線２０の構成材料は、陽極配線６の構成材料と同じでも異なっていてもよいが、製造上の観点からは同じであるとより好ましい。上部配線２０と陽極配線６の構成材料を同じとすれば、ＥＬパネル１００の製造において、これらを同時に成膜等することで一度に形成することができ、別々に形成する場合に比べて工程を省略することができるほか、製造コスト等の低減も図れるようになる。
【００３２】
このような陰極引き出し部３０において、下部配線１４のＥＬ素子部５０側の端部付近は、上部配線２０に覆われていない状態となっており、この部分でＥＬ素子部５０から延びる陰極配線１８の端部と直接接触することができるようになっている。これにより、陰極配線１８は、より接続抵抗が小さい下部配線１４と接続されることとなり、陰極配線１８と陰極引き出し部３０との間の電気的な接続が更に良好に図られる。
【００３３】
封止部材２２は、基板２との間にＥＬ素子部５０を含むように設けられる。図示のような封止基板２２の場合、基板２側との接触部分は、接着剤等によって固定され、これによりＥＬ素子部５０が封止される。陰極配線１８と陰極引き出し部３０との接続部分は、封止部材２２の内部に含まれるようになっている。このような封止部材２２として、ＥＬパネルにおいて封止に用いられる公知の部材を適用できる。本実施形態のようにボトムエミッションタイプのパネルの場合、封止部材２２は、透明であってもなくてもよく、例えば、ガラス、金属、プラスチック等の種々の材料から構成される。
【００３４】
次に、ＥＬパネルの製造方法の好適な実施形態について説明する。好適な実施形態のＥＬパネルの製造方法においては、上述した構成を有するＥＬパネル１００の場合、陽極配線（更には陽極引き出し部４０）と、陰極引き出し部３０における上部配線２０を、それぞれ同じ材料を同時に堆積させることによって一度に形成する。以下、このようなＥＬパネルの製造方法について、上述したＥＬパネル１００を例に挙げて具体的に説明する。
【００３５】
ＥＬパネル１００の製造においては、まず、基板２を準備し、適宜洗浄を行う。この基板２上に、陰極引き出し部３０の下部配線１４を、ＥＬ素子部５０を形成すべき領域の外側に形成する。具体的には、基板２上の全面に下部配線１４を構成する金属単体又は合金をスパッタ法により形成した後、フォトリソグラフィー技術等によって下部配線１４の形状に加工する。この際、原料がＭｏＮｂ合金であり、そのＮｂの含有割合が１〜２０原子％、好ましくは５〜１５原子％であると、良好なエッチングレートが得られ、下部配線１４の形成が容易となる。Ｎｂが５原子％未満の場合は、これ以上とした場合と比べて下部配線の耐食性が低下する場合がある。
【００３６】
また、下部配線１４と同時に、基板２上のＥＬ素子部５０を形成すべき領域に陽極補助配線４を形成する。陽極補助配線４は、上記の下部配線１４の延在方向とほぼ直交するようにストライプ状に複数設ける。この陽極補助配線４は、下部配線１４と同じ工程において、その原料の層を基板２上のＥＬ素子部５０を形成すべき全領域にスパッタ法等により形成した後、フォトリソグラフィー技術等によって加工することで所望の形状とすることができる。なお、本実施形態では陽極補助配線４と下部配線１４とを同時に形成したが、これらが異なる材料からなる場合は、下部配線１４と陽極補助配線４とはどちらを先に形成してもよい。
【００３７】
次に、導電性を有する金属酸化物又は金属窒化物を、スパッタリング法等により陽極補助配線４及び下部配線１４上に一度に堆積させることにより、陽極補助配線４及び下部配線１４上にそれぞれ陽極配線６及び上部配線２０を同時に形成させる。下部配線１４上に上部配線２０が設けられることで、陰極引き出し部３０が形成される。この際、陽極配線６は、陰極引き出し部３０とは接触しないようにする。また、上部配線２０は、少なくとも下部配線１４の陰極配線１８と接触する部分が覆われないように形成する。なお、陽極補助配線４及び陽極配線６は、これらの端部がそのまま陽極引き出し部４０となるように、封止部材２２の外側領域まで形成する。
【００３８】
次いで、陽極補助配線４の形成領域の陽極配線６上に絶縁層１０を形成する。また、陰極引き出し部３０とＥＬ素子部５０となる領域との境界部分に絶縁部材１２を形成する。これらは、製造上の観点からは同時に形成することが望ましいが、それぞれが異なる材料から形成される場合は、どちらを先に形成してもよい。その後、ＥＬ素子部５０となるべき領域の全面に、例えば真空蒸着法によって有機発光材料を堆積させて、有機発光層１６を形成する。
【００３９】
それから、真空蒸着や電子ビーム蒸着法によって、陰極配線１８の原料である金属等を有機発光層１６上に堆積させて、陰極配線１８を形成する。これによりＥＬ素子部５０が形成される。この陰極配線１８は、例えば、オーバーハング形状を有する素子分離体（図示せず）を絶縁層１０上に陽極とほぼ直交する方向に形成した後に、陰極配線１８の構成材料からなる層を堆積させることで形成することができる。これにより、素子分離体を挟むように平行に配置されたストライプ状の陰極配線１８が、陽極配線６とほぼ直交する方向に形成される。陰極配線１８の端部は、絶縁部材１２の上部を回りこませて陰極引き出し部３０、特に下部配線１４と接触する形状とする。
【００４０】
そして、少なくともＥＬ素子部５０と陰極引き出し部３０との接続部分よりも内側の領域が覆われるように封止部材２２を配置する。封止部材２２は、ＥＬ素子部５０及び陰極引き出し部３０が形成された基板２との接触部分が接着剤等によって接着されることにより基板２側に固定される。こうして、基板２と封止部材２２との間の空間にＥＬ素子部５０が配置されており、陽極引き出し部４０及び陰極引き出し部３０が封止部材２２の外部まで引き出された構造のＥＬパネル１００が得られる。
【００４１】
上記構成を有するＥＬパネル及びＥＬパネルの製造方法によれば、金属単体又は合金からなる下部配線と、導電性を有する金属酸化物又は金属窒化物からなる上部配線との２層構造を有する引き出し部を備えるＥＬパネルが得られる。このようなＥＬパネルにおける引き出し部は、上側の層に耐食性に優れる金属酸化物や金属窒化物を有しているため、封止部材の外部に位置しており外気の影響を受けやすい引き出し部の腐食等が生じ難い。また、金属単体又は合金からなる下部配線が上部配線によって覆われているため、高密度配線とした場合であっても、引き出し部の断線や、金属等のマイグレーションによる引き出し部間の短絡等が良好に防止される。その結果、本発明のＥＬパネルは優れた耐久性を有し、しかも良好な表示性能をも有するものとなる。
【００４２】
なお、本発明のＥＬパネル及びその製造方法は、必ずしも上述した実施形態に限定されず、適宜変更が可能である。例えば、上述した実施形態のＥＬパネルでは、陰極配線１８の端部だけに２層構造の陰極引き出し部３０が接続されている構成としたが、陽極配線４の端部にも同様の引き出し部が接続されていてもよい。また、ＥＬパネルにおいては、陽極補助配線が必須の構成ではないため、上述した実施形態のＥＬパネル１００は、陽極補助配線４を有しないものであってもよい。
【００４３】
また、陰極配線１８と陰極引き出し部３０における下部配線１４とは必ずしも分離しておらず、一体のものであってもよい。この場合、例えば、陰極配線１８を形成するまでは下部配線１４は形成しないでおき、陰極配線１８の形成時に用いる素子分離体を陰極引き出し部３０の形成領域まで延ばし、これを用いて陰極配線１８とともにこれと一体の下部配線１４を形成する。そして、このようにして形成された下部配線１４上に上部配線２０を形成する。これにより、下部配線１４が陰極配線１８と一体とされた陰極引き出し部３０を形成することもできる。
【００４４】
さらにまた、上述したＥＬパネル１００では、陰極配線１８の端部が、陰極引き出し部３０の下部配線１４と上部配線２０との両方に接するようにしたが、通電性、接触抵抗、密着性等を良好にする観点から、少なくとも下部配線１４のみに接するような形態を選択してもよい。また、上記の実施形態では、ＥＬ素子部５０として最小限の層構成を有するものを示したが、これに限定されず、ＥＬ素子部は、所望とする特性に応じて陽極配線、有機発光層、陰極配線以外の層を有するものであってもよい。さらにまた、封止部材２２としては、ＥＬ素子部５０を内部の空間に収納するものを採用したが、封止部材は、例えば、ＥＬ素子部を直接覆うように設けられた有機物又は無機物からなる膜やこれらの積層膜であってもよい。
【００４５】
また、上記のＥＬパネルの製造方法においては、陽極配線６と上部配線２０とを同時に形成する好適例を示したが、本発明の構造を有するＥＬパネルを製造する観点からは、必ずしも陽極配線６と上部配線２０とが同時に形成される必要はなく、別々に形成してもよい。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
【００４７】
（ＥＬパネルの作製）
まず、ガラス基板（コーニング社製、１３７３基板）上に、ＭｏＮｂ（Ｎｂが５原子％）をスパッタ法により４００ｎｍの厚さで全面に成膜した。この上にスピンコート法により感光性レジスト膜を形成し、これに所定のパターン形状の遮光レチクルマスクを通してＵＶ光を照射し、感光性レジスト膜を露光した。次いで、感光性レジスト膜形成後の積層体を現像液に浸漬して、感光性レジスト膜の未露光部分を除去し、更にこれをエッチング液に浸漬して、感光性レジスト膜が形成されている部分以外のＭｏＮｂをエッチング除去した。このようなフォトリソグラフィー法により、ＥＬ素子部が形成される領域の外側であって、かかる領域に対して対向する一対の側部のそれぞれに、ＭｏＮｂからなる線幅５０μｍの下部配線をストライプ状に６４本形成させた。
【００４８】
次に、スパッタ法によりＩＴＯを積層することにより、ガラス基板上のＥＬ素子部が形成される領域内に、下部配線の延在方向と直交するように厚さ１００ｎｍ、線幅３００μｍのＩＴＯからなる陽極配線をストライプ状に２８８本形成した。またこの際、同時に、下部配線上にもＩＴＯを積層することで、下部配線上の封止部材内の領域を除くようにＩＴＯからなる上部配線を形成し、これにより陰極引き出し部を完成させた。なお、これらは、下部配線の場合と同様、フォトリソグラフィーによって所定のパターンに加工することによって形成させた。
【００４９】
次いで、絶縁性のポジ型レジストを塗布し、陽極配線の陰極配線との交点となる部分に開口を有するとともに、少なくとも陽極配線のエッジ部が覆われるような形状となるようにパターニングした。この上に、フォトリソグラフィー法により絶縁膜を形成した後、更に陽極配線と直交して交差するように、絶縁物から構成される帯状の素子分離体をストライプ状に６５本形成した。上記の操作後の積層体に、ドライクリーニング処理を行った後、蒸着機を用いて、陽極電極等が形成されている側の面上に有機層を３層順次形成した。この有機層は、基板側から、ホール注入層である厚さ８０ｎｍのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）層、ホール輸送層である厚さ３０μｍのＴＰＤ（トリフェニルジアミン）層、及び、有機発光層である厚さ５０ｎｍのＡｌｑ３（トリス−８−キノリラトアルミニウム）層をこの順に有する３層構造とした。また、有機層は、ＥＬ素子部とすべき領域の全面に形成した。
【００５０】
このような有機層の形成後の積層体を、真空チャンバーに写し、１×１０−４Ｐａ以下程度の真空を維持したまま、真空蒸着法により有機層上にフッ化リチウムからなる厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成し、更に、電子ビーム蒸着法によりアルミニウムからなる厚さ３００ｎｍの陰極配線を順次形成した。ここで、陰極配線は、対向している陰極引き出し部間を結ぶようにストライプ状に形成し、両端部は陰極引き出し部と接続されるようにした。なお、陰極引き出し部において、封止部材に覆われる領域の下部配線は、上部配線には覆われていないので、陰極配線は陰極引き出し部の下部配線と確実に接触した状態となっている。
【００５１】
そして、ガラス基板上のＥＬ素子部の外周であって、陰極配線と陰極引き出し部との接続部分よりも外側の位置に接着剤を塗布した後、基板との空間にＥＬ素子部が含まれるように封止部材を貼り付けた。このようにして、実施例１のＥＬパネルを完成させた。
【００５２】
得られたＥＬパネルの引き出し部にフレキシブル配線板（ＦＰＣ）を熱圧着により接続して、ＥＬ表示装置を作製した後、ＦＰＣに接続されている駆動回路を動作させたところ、ＥＬパネルが発光することが確認された。
【００５３】
（特性評価）
まず、封止部材を取り付ける前のＥＬパネルを用い、陰極配線と引き出し部との接続部分の接合抵抗を測定したところ、０．３８Ωであった。
【００５４】
また、ＥＬパネルを用いた表示装置を、温度６０℃、湿度９５％の環境下に２０００時間放置した後、動作させたが、引き出し部に腐食は生じておらず、表示不良は発生しなかった。
［比較例１］
【００５５】
（ＥＬパネルの製造）
引き出し部のＩＴＯからなる上部配線を形成させなかったこと以外は、実施例１と同様にしてＥＬパネルを製造した。
【００５６】
（特性評価）
ＥＬパネルを用いた表示装置を、温度６０℃、湿度９５％の環境下に放置したところ、１００時間で引き出し部（ＭｏＮｂの下部配線）が腐食した。
［比較例２］
【００５７】
（ＥＬパネルの製造）
ＭｏＮｂからなる下部配線の全面がＩＴＯからなる上部配線に覆われた引き出し部を形成し、且つ、陰極配線を上部配線だけに接続させたこと以外は、実施例１と同様にしてＥＬパネルを製造した。
【００５８】
（特性評価）
封止部材を取り付ける前のＥＬパネルを用い、陰極配線と引き出し部との接続部分の接合抵抗を測定したところ、０．５１Ωと実施例１よりも大きくなった。
【００５９】
ＥＬパネルを用いた表示装置を、温度６０℃、湿度９５％の環境下に２０００時間放置した後、動作させたが、引き出し部に腐食は生じておらず、表示不良は発生しなかった。
［参考例：引き出し部の腐食性の評価］
【００６０】
ＥＬパネルにおける引き出し部の耐食性を確認するため、以下、引き出し部のみに対応する構造の積層体を作製して、その耐食性を評価した。参考例１は、下部配線にＭｏ又はＭｏ合金を用いた場合、参考例２は、下部配線にＡｇ合金を用いた場合を示している。
【００６１】
（参考例１）
厚さ０．７ｍｍ×縦３００ｍｍ×横４００ｍｍのソーダライムガラス基板を洗浄した。次いで、スパッタ装置にセットしてＤＣスパッタ法により厚さ２０ｎｍの下部配線を形成した。次いで、サンプルによっては、下部配線形成後のガラス基板を洗浄した後、これをスパッタ装置にセットし、ＤＣスパッタ法により厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜（上部配線）を形成した。本参考例では、このような製造方法により得られる３種の評価用サンプルを製造した。なお、ＭｏＮｂとしては、Ｎｂを１０原子％含むものを用いた。
ａ１：下部配線にＭｏを用い、上部配線を形成しなかったもの。
ｂ１：下部配線にＭｏＮｂを用い、上部配線を形成しなかったもの。
ｃ１：下部配線にＭｏＮｂを用い、上部配線を形成したもの。
【００６２】
そして、これらの評価用サンプルを、温度６０℃、湿度９５％の恒温槽に入れ、１０００時間放置後の表面を観察した。その結果、各サンプルについて以下のような結果が得られた。各サンプルの表面状態を示す顕微鏡写真を、図３、４及び５に示す。図３、４及び５は、それぞれサンプルａ１、ｂ１及びｃ１の観察結果にそれぞれ対応する写真である。なお、各図中、Ａは、サンプル表面の落斜写真を示しており、Ｂは透過写真を示している。
ａ１：表面の膜（Ｍｏ）が全体的に荒れており、ピンホールも形成されていた。
ｂ１：表面の膜（Ｍｏ−１０ｗｔ％Ｎｂ）が全体的に荒れていたが、ピンホールは確認されなかった。
ｃ１：表面荒れ、ピンホールともに確認されなかった。
なお、Ｎｂ含有量を５〜２０原子％の間で変化させたＭｏＮｂを下部配線に用いてｂ１及びｃ１に対するサンプルを作製し、これらについても同様の評価を行ったが、いずれの場合も上記と同様の結果が得られることが確認された。
【００６３】
（参考例２）
参考例２では、参考例１と同様にして以下の２種の評価用サンプルを作製した。なお、Ａｇ合金としては、Ａｇに３重量％のＰｄを添加した合金を用いた。
ａ２：下部配線にＡｇ合金を用い、上部配線を形成しなかったもの。
ｂ２：下部配線にＡｇ合金を用い、上部配線を形成したもの。
【００６４】
そして、これらの評価用サンプルを、温度６０℃、湿度９５％の恒温槽に入れて１７０時間放置後、又は、ＵＶ照射後のサンプルの表面をそれぞれ観察した。その結果、各サンプルについて以下のような結果が得られた。各サンプルの表面状態を示す顕微鏡写真を、図６及び７に示す。図６及び７は、それぞれサンプルａ２及びｂ２の観察結果に対応する写真である。なお、各図は、サンプル表面の落斜写真を示している。
ａ：恒温槽放置後のサンプルは、表面の膜（Ａｇ合金）全面に荒れが発生していた。また、ＵＶ照射後のサンプルは、局所的に表面荒れが発生しており、ピンホールが形成されていた。
ｂ：恒温槽放置後、ＵＶ照射後ともに表面の膜（ＩＴＯ）に荒れ、ピンホールは確認されなかった。
［参考例：ＭｏＮｂからなる下部配線の好適なＮｂ含有量の測定］
【００６５】
（参考例３）
上記実施例におけるＭｏＮｂからなる下部配線において、Ｎｂの含有割合を変化させ、下部配線を形成する際に行うエッチングのエッチングレートを各条件で比較した。この場合、エッチング条件は、エッチャント：燐硝酢酸、液温：２０℃とした。
【００６６】
その結果、エッチングレートは、Ｎｂが５原子％では１３．３Å／ｓｅｃであり、Ｎｂが１０原子％では５．０Å／ｓｅｃであり、Ｎｂが１５原子％では２．５Å／ｓｅｃであり、Ｎｂが２０原子％では１．１Å／ｓｅｃであった。この結果から、例えば下部配線の膜厚を２０００Åと設定した場合、Ｎｂが２０原子％であるＭｏＮｂではエッチング時間が３０分となり、Ｎｂ含有割合をこれ以下とした場合に比べて生産性が低下することが確認された。したがって、下部配線に用いるＭｏＮｂにおけるＮｂの含有割合は、５〜１５％が特に好ましいことが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】好適な実施形態に係るＥＬパネルを概略的に示す平面図である。
【図２】図１に示すＥＬパネルのＩＩ−ＩＩ線に沿う断面構成を示す図である。
【図３】サンプルａ１の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【図４】サンプルｂ１の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【図５】サンプルｃ１の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【図６】サンプルａ２の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【図７】サンプルｂ２の表面の顕微鏡写真を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
２…基板、４…陽極補助配線、６…陽極配線、１０…絶縁層、１４…下部配線、１６…有機発光層、１８…陰極配線、２０…上部配線、２２…封止部材、３０…陰極引き出し部、４０…陽極引き出し部、５０…ＥＬ素子部、１００…ＥＬパネル。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、該基板上に形成されたＥＬ素子部、及び、前記基板上に前記ＥＬ素子部を封止するように配置された封止部材を備えるＥＬパネルであって、
前記ＥＬ素子部は、陽極層と、該陽極層と対向して配置された陰極層と、前記陽極層と前記陰極層との間に配置された有機発光層と、を少なくとも有し、
前記陰極層及び前記陽極層のうちの少なくとも一方の電極層には、前記封止部材の外部まで延びる引き出し部が接続されており、
前記引き出し部は、前記基板上に形成された金属単体又は合金からなる下部配線、及び、該下部配線上に形成された導電性を有する上部配線を有し、且つ、前記封止部材の内部で、前記下部配線において前記電極層と少なくとも接触している、
ＥＬパネル。
【請求項２】
少なくとも前記陰極層に前記引き出し部が接続されており、且つ、前記下部配線及び前記上部配線の両方が、前記封止部材の内部で当該陰極層と接触している、請求項１記載のＥＬパネル。
【請求項３】
前記上部配線は、導電性を有する金属酸化物及び金属窒化物から構成される、請求項１又は２記載のＥＬパネル。
【請求項４】
前記上部配線は、前記下部配線の少なくとも一部の側面まで覆うように前記下部配線上に形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＥＬパネル。
【請求項５】
前記下部配線と、前記陽極層とは、同一の材料で構成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＥＬパネル。
【請求項６】
前記下部配線は、Ｍｏを含む合金からなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＥＬパネル。
【請求項７】
前記下部配線は、Ｎｂの含有割合が５〜１５原子％であるＭｏＮｂ合金からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＥＬパネル。
【請求項１】
基板、該基板上に形成されたＥＬ素子部、及び、前記基板上に前記ＥＬ素子部を封止するように配置された封止部材を備えるＥＬパネルであって、
前記ＥＬ素子部は、陽極層と、該陽極層と対向して配置された陰極層と、前記陽極層と前記陰極層との間に配置された有機発光層と、を少なくとも有し、
前記陰極層及び前記陽極層のうちの少なくとも一方の電極層には、前記封止部材の外部まで延びる引き出し部が接続されており、
前記引き出し部は、前記基板上に形成された金属単体又は合金からなる下部配線、及び、該下部配線上に形成された導電性を有する上部配線を有し、且つ、前記封止部材の内部で、前記下部配線において前記電極層と少なくとも接触している、
ＥＬパネル。
【請求項２】
少なくとも前記陰極層に前記引き出し部が接続されており、且つ、前記下部配線及び前記上部配線の両方が、前記封止部材の内部で当該陰極層と接触している、請求項１記載のＥＬパネル。
【請求項３】
前記上部配線は、導電性を有する金属酸化物及び金属窒化物から構成される、請求項１又は２記載のＥＬパネル。
【請求項４】
前記上部配線は、前記下部配線の少なくとも一部の側面まで覆うように前記下部配線上に形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＥＬパネル。
【請求項５】
前記下部配線と、前記陽極層とは、同一の材料で構成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＥＬパネル。
【請求項６】
前記下部配線は、Ｍｏを含む合金からなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＥＬパネル。
【請求項７】
前記下部配線は、Ｎｂの含有割合が５〜１５原子％であるＭｏＮｂ合金からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＥＬパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−２６２７４９（Ｐ２００８−２６２７４９Ａ）
【公開日】平成２０年１０月３０日（２００８．１０．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１０３１０３（Ｐ２００７−１０３１０３）
【出願日】平成１９年４月１０日（２００７．４．１０）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月３０日（２００８．１０．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月１０日（２００７．４．１０）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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