ＲＦＩＤインレット、ＲＦＩＤ、及びＲＦＩＤインレットの製造方法
【課題】高い耐静電性を有するＲＦＩＤインレット、ＲＦＩＤ、及びＲＦＩＤインレットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦＩＤインレット１０は、基板２及びアンテナパターン４と、基板２の上面２ａに形成され、アンテナパターン４に接続されたＴＦＴ回路３と、アンテナパターン４及びＴＦＴ回路３と接触しないよう、少なくとも基板２の上面に配置された導電性の柱状部材６とを備え、柱状部材６の基板２の上面２ａ側に位置する部分の基板法線方向の長さは、ＴＦＴ回路３の基板法線方向の長さに比べて長い。
【解決手段】ＲＦＩＤインレット１０は、基板２及びアンテナパターン４と、基板２の上面２ａに形成され、アンテナパターン４に接続されたＴＦＴ回路３と、アンテナパターン４及びＴＦＴ回路３と接触しないよう、少なくとも基板２の上面に配置された導電性の柱状部材６とを備え、柱状部材６の基板２の上面２ａ側に位置する部分の基板法線方向の長さは、ＴＦＴ回路３の基板法線方向の長さに比べて長い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤインレット、ＲＦＩＤ、及びＲＦＩＤインレットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＲＦＩＤインレットを挟み込んだＲＦＩＤの需要が増している。需要の増加に伴い、挿入されるＲＦＩＤインレットの種類も増し、近年ではゴマ粒大のＩＣタグからクレジットカード大のＩＣカードまで多岐にわたるＲＦＩＤインレットがＲＦＩＤの中に挟み込まれている。特許文献１には、ＩＣカードの例が開示されている。
【０００３】
ＲＦＩＤインレットを挟み込むための材料としては紙や布、樹脂、フィルムなど種々の材料が用いられるが、例えば紙を用いる場合、ＲＦＩＤインレットは、抄紙工程で２枚の湿紙の間に挿入されることになる。抄紙工程には乾燥処理やカレンダ処理が含まれるが、これらの処理はＲＦＩＤインレットが挟み込まれた状態で行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１０８９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＲＦＩＤインレットの周囲では、様々な場面で静電気による放電（静電気放電）が発生し、この放電によってＲＦＩＤインレットが破壊されてしまう場合がある。例えば、上述したカレンダ処理ではローラー間に比較的強力な静電気放電が発生するが、この静電気放電によりＲＦＩＤインレット内のＩＣ（集積回路）に大電流が流れ、破壊されてしまう場合がある。また、ＩＣカードの使用中にも、衣服のこすれやドアノブとの接触など通常の生活の中で発生する静電気放電により、ＲＦＩＤインレット内の集積回路が破壊されてしまうおそれがある。したがって、これらの静電気放電に対する耐性（耐静電性）を有するＲＦＩＤインレットが求められる。
【０００６】
特許文献１には、ＩＣカード作成装置内で発生する帯電によるＩＣチップの破損を防止するための技術が開示されている。この技術では、ＩＣカードの表面付近に帯電防止層が設けられる。しかしながら、このように表面付近に帯電防止層を設けるだけでは静電気を十分に逃がすことができず、十分な耐静電性を得ることは困難である。
【０００７】
したがって、本発明の目的の一つは、高い耐静電性を有するＲＦＩＤインレット、ＲＦＩＤ、及びＲＦＩＤインレットの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明によるＲＦＩＤインレットは、基板及びアンテナパターンと、前記基板の表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう配置された導電性の柱状部材とを備え、前記集積回路及び前記アンテナパターンは、前記基板表面の接線方向から見て、前記柱状部材の上面と下面に挟まれる領域内に配置されることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、ＲＦＩＤインレットの上面側から到来した静電気は、柱状部材を通って下面側に放電される。これにより、高い耐静電性が実現される。
【００１０】
また、上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記柱状部材は前記基板を貫通していることとしてもよい。これによれば、ＲＦＩＤインレットの上面側から到来した静電気を、より確実に下面側に放電することが可能になる。また、静電気放電による基板へのダメージを軽減することが可能になる。
【００１１】
また、上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記柱状部材は、前記基板の上面と下面にそれぞれ配置されることとしてもよい。これによれば、ＲＦＩＤインレットの上面側から到来した静電気を、より確実に下面側に放電することが可能になる。
【００１２】
また、上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記基板、前記アンテナパターン、及び前記集積回路を封止する樹脂層をさらに備え、前記柱状部材は、前記樹脂層を貫通していることとしてもよい。
【００１３】
また、上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記アンテナパターンは平面スパイラル構造を有し、前記柱状部材は、前記アンテナパターンの最外周の外側及び最内周の内側に設けられることとしてもよい。
【００１４】
また、本発明によるＲＦＩＤは、上記各ＲＦＩＤインレットのいずれかを挟み込んだＲＦＩＤであることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の一側面によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、基板及びアンテナパターンと、前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、前記アンテナパターン及び前記集積回路を形成し、樹脂層で封止する工程と、前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう、少なくとも前記基板の前記一方側表面側に位置する前記樹脂層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を導電材料で埋めることにより、前記柱状部材を形成する工程とを備えることを特徴とする。なお、前記貫通孔は、前記樹脂層及び前記基板を貫通することとしてもよい。
【００１６】
また、本発明の他の一側面によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、基板及びアンテナパターンと、前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、前記基板の前記一方側表面のうち、前記基板の法線方向から見て互いに重複しない位置に、前記集積回路及び前記アンテナパターンと前記柱状部材の一部となる導電材料とを形成する工程と、前記導電材料の上面が前記集積回路の上面より高くなるよう、前記導電材料の膜厚を増加させることにより、前記柱状部材を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のさらに他の一側面によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、基板及びアンテナパターンと、前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、前記アンテナパターン及び前記集積回路を形成し、樹脂層で封止する工程と、前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう、少なくとも前記基板の前記一方側表面側の前記樹脂層を貫通する導電性のピンを刺し込む工程とを備えることを特徴とする。なお、前記ピンは、前記樹脂層及び前記基板を貫通することとしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ＲＦＩＤインレットの一方表面側から到来した静電気は、柱状部材を通って他方表面側に放電される。これにより、高い耐静電性が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの構成を示す図である。
【図２】カレンダ処理の説明図である。
【図３】本発明の好ましい実施の形態による柱状部材の平面的な配置の説明図である。
【図４】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造方法を示す図である。
【図５】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造方法を示す図である。
【図６】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造方法を示す図である。
【図７】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの他の製造方法を示す図である。
【図８】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットのさらに他の製造方法を示す図である。
【図９】本発明の好ましい実施の形態による導電性ピンを刺し込む平面的な位置を示す図である。
【図１０】導電性ピンを用いてＲＦＩＤインレットを構成する場合のバリエーションを示す図である。
【図１１】導電性ピンを用いてＲＦＩＤインレットを構成する場合のバリエーションを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の構成を示す図である。図１（ａ）はＲＦＩＤインレット１０の上面透視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。また、図１（ｃ）は図１（ｂ）に示した領域Ｂの拡大図である。なお、図１（ｂ）（ｃ）は、断面に現れる構成を分かりやすく示すために、図面縦方向に大幅に引き伸ばして描いている。また、図１（ａ）は断面図ではないが、分かりやすくするためにＴＦＴ回路３、アンテナパターン４、及び柱状部材６にハッチングを施している。後掲する各図でも同様である。
【００２２】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＲＦＩＤインレット１０は、基板２と、基板２の上面２ａに形成されたＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４と、これらを封止する保護層５と、保護層５及び基板２を貫通する柱状部材６とを備えている。
【００２３】
ＲＦＩＤインレット１０は紙の中に挿入されて用いられるものであり、抄紙工程で２枚の湿紙の間に挟む形で挿入される。紙とＲＦＩＤインレット１０との接着には、必要に応じて糊が利用される。ＲＦＩＤインレット１０が挿入された紙は、乾燥処理などが施された後、ＲＦＩＤとして出荷されることになる。
【００２４】
抄紙工程で行われる処理のひとつにカレンダ処理がある。図２はカレンダ処理の説明図である。同図に示すように、カレンダ処理では、ＲＦＩＤインレット１０を含む紙ＰをローラーＲに挟む。ローラーＲは、図示したＣ方向に回転することで紙Ｐを図面Ｎ１方向に送るとともに、紙Ｐに図面Ｄ方向（紙送り方向Ｎ１と垂直な方向）の圧力を加える。このとき、ローラーＲ間に激しい静電気放電が発生することがある。本実施の形態では、この静電気放電に耐え得る構造を有するＲＦＩＤインレット１０を提供する。
【００２５】
基板２は、各種のプラスチックフィルム等によって構成される平板状の材料である。具体的には、基板２の材料として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ＰＥＴ−Ｇ（テレフタル酸−シクロヘキサンジメタノール−エチレングリコール共重合体）、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ポリスチレン系、ＡＢＳ樹脂、ポリアクリル酸エステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、アクリル系、耐水紙などの単独フィルム若しくはこれらの複合フィルムを用いることができる。基板２の厚みは規格によって決められており、具体的には１μｍ〜１００μｍ程度である。また、本実施の形態では、縦幅４５ｍｍと横幅７５ｍｍの基板２を用いているが、基板２の大きさはこれに限られるものではない。
【００２６】
ＴＦＴ回路３は、基板２上にＴＦＴ(Thin Film Transistor)を使って形成した集積回路である。本実施の形態ではＴＦＴ回路を用いているが、本発明は、集積回路として半導体基板を用いて作製されたＩＣチップを用いる場合にも適用できる。
【００２７】
ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４は所謂パッシブタグを構成する。すなわち、ＴＦＴ回路３は、主として基板上面２ａに形成されたＴＦＴ、ダイオードなどの能動素子と、キャパシタ、抵抗などの受動素子と、これら素子を相互接続する配線とから構成され、これによって整流回路、メモリ、通信回路などが構成される。アンテナパターン４は図１（ａ）に示すような平面スパイラル構造を有し、その端部４ａ，４ｂはそれぞれ、ＴＦＴ回路３の両端に設けられたアンテナ接続端子３ａ，３ｂに接続している。なお、図１ではＴＦＴ回路３とアンテナパターン４とを同じ基板上面２ａに形成しているが、異なる表面に形成してもよい。この場合、端部４ａ，４ｂとアンテナ接続端子３ａ，３ｂとは、基板２に設けられたスルーホール導体を介して接続する。以下、ＴＦＴ回路３とアンテナパターン４によって構成されるパッシブタグの動作について、簡単に説明する。
【００２８】
まず、リーダ（不図示）が、読み出し命令を含むデータによって変調した電波（変調波）を送出し、その後、無変調の電波（無変調波）を所定時間にわたって送出する。ＴＦＴ回路３の整流回路は、アンテナパターン４を介してこれらの電波を受信し、整流して直流化する。通信回路は、この直流を電源として動作するものであり、まず変調波を解釈し、解釈結果に応じてメモリ内からデータを読み出す。そして、読み出したデータによって無変調波の反射波を変調する。リーダはこの反射波を受信することで、ＴＦＴ回路３内のメモリに記憶されているデータを取得する。
【００２９】
保護層５は、樹脂素材によって構成される。具体的な材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。保護層５を形成する際には、基板２の上側と下側からフィルム状の材料を貼り付け、熱プレス成形によって、基板２、ＴＦＴ回路３、及びアンテナパターン４に密着させる。これにより、保護層５による封止が完成する。保護層５の厚みは片側（基板２の一方側）のみで１μｍ〜１００μｍ程度であり、したがって、ＲＦＩＤインレット１０全体としての厚みは３μｍ〜３００μｍ程度となっている。
【００３０】
柱状部材６は導電材料からなり、少なくとも基板２の上面２ａに配置される。図１の例では、保護層５及び基板２を上面から下面まで貫通する貫通孔内に設けられた導電材料からなり、図１（ａ）に示すように、平面スパイラル構造を有するアンテナパターン４の最外周の外側及び最内周の内側にそれぞれ複数ずつ設けられる。なお、柱状部材６は、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４と接触しないよう、基板２の法線方向から見てこれらと重複しない位置に配置される。
【００３１】
図３（ａ）（ｂ）は、柱状部材６の平面的な配置の好ましいバリエーションを示す図である。これらの図に示すように、柱状部材６は、基板２の表面をＴＦＴ回路３又はアンテナパターン４と交差しつつ横断する任意の横断直線（図３中の破線Ｅ１〜Ｅ５はそれぞれこの横断直線の例である。）が、それぞれ少なくとも１つの柱状部材６と交差するように配置してもよい。こうすることにより、抄紙工程での紙の進行方向に対してＲＦＩＤインレット１０の向きが傾いたとしても、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４を静電気放電から保護することが可能になる。
【００３２】
なお、図１や図３（ｂ）に示した例ではアンテナパターン４の最外周の外側及び最内周の内側にそれぞれ柱状部材６を設けたが、最内周の内側に導体を配置することはアンテナパターン４が発生する磁界をかく乱する要因となることから、最内周の内側に配置する柱状部材６の数及び総断面積はできるだけ小さくすることが好ましい。図３（ａ）に示したように、最外周の外側のみに柱状部材６を配置することとしてもよい。
【００３３】
図１（ｃ）に戻る。ＲＦＩＤインレット１０では、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４は、基板上面２ａの接線方向（図１（ｃ）では横方向）から見て、柱状部材６の上面６ａと下面６ｂに挟まれる領域内に配置されている。言い換えれば、柱状部材６の基板２の上面２ａ側に位置する部分の基板法線方向の長さＬ１が、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４の基板法線方向の長さＬ２に比べて長くなっている。そして、柱状部材６の上面６ａは、ＴＦＴ回路３の上面３ａ及びアンテナパターン４の上面４ａに比べて基板上面２ａから遠い位置にある。また、柱状部材６の下面６ｂから基板上面２ａまでの距離Ｌ３は、ＴＦＴ回路３の下面３ｂ及びアンテナパターン４の下面４ｂから基板上面２ａまでの距離（＝ゼロ）に比べて長くなっている。ＲＦＩＤインレット１０がこのような構成を有することにより、ＲＦＩＤインレット１０の上面側から到来した静電気は、ＴＦＴ回路３やアンテナパターン４ではなく柱状部材６に落ち、柱状部材６を通ってＲＦＩＤインレット１０の下面側に放電される。したがって、直接の静電気放電や、静電気放電に伴う大電流がアンテナパターン４を通じてＴＦＴ回路３に流れ込むことによるＴＦＴ回路３の破壊が、柱状部材６を設けない場合に比べて防止されており、ＲＦＩＤインレット１０は高い耐静電性を有していると言える。
【００３４】
また、ＲＦＩＤインレット１０では柱状部材６が基板２を貫通している。これにより、基板２についても、静電気によって破壊されるおそれが減少している。
【００３５】
次に、ＲＦＩＤインレット１０の製造方法を説明する。
【００３６】
図４〜図６は、ＲＦＩＤインレット１０の製造方法を示す図である。この製造方法は、複数のＲＦＩＤインレット１０を同時に１つのウェハ上に形成するものであり、各図（ａ）はウェハの上面図、（ｂ）はウェハの断面図を示している。図４（ｂ）は図４（ａ）のＦ−Ｆ’線断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＧ−Ｇ’線断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＨ−Ｈ’線断面図である。
【００３７】
まず初めに、ウェハ上の所定位置にＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４を形成し、保護層５で封止する。ここまでの工程には、従来と同様のプロセスを用いることが可能である。封止が完了したら、図４（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４と接触しないよう、保護層５及び基板２を貫通する貫通孔６ａを形成する。
【００３８】
次に、図５（ａ）（ｂ）に示すように、貫通孔６ａを導電材料で埋め、柱状部材６を形成する。なお、図５（ｂ）では、柱状部材６が保護層５の表面から突出しているが、このように突出させてもよいし、図１（ｂ）に示したように、柱状部材６の上下面を保護層５の表面と面一としてもよい。突出させた場合には、突出部分が紙とＲＦＩＤインレット１０との引っかかりとなり、紙の中でＲＦＩＤインレット１０が移動してしまうことが防止される。
【００３９】
最後に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、ダイシングにより個々のＲＦＩＤインレット１０を切り出し、各ＲＦＩＤインレット１０が完成する。
【００４０】
以上説明したように、この製造方法によれば、貫通孔６ａを空けて導電材料で埋めるという簡易な工程により、耐静電性を高めるための柱状部材６を有するＲＦＩＤインレット１０を一度に複数個製造することが可能になる。
【００４１】
なお、上記製造方法では保護層５及び基板２を貫通する貫通孔６ａを形成したが、基板２の上面２ａ側に位置する保護層５のみを貫通する貫通孔を用いてもよい。この場合、柱状部材６は基板２の上面２ａ側のみに配置されることになるが、図１（ｃ）に示したＬ１とＬ２の関係は保たれる。したがって、このようにしても、耐静電性を高めるための柱状部材６を有するＲＦＩＤインレット１０を製造することが可能になる。
【００４２】
以下、ＲＦＩＤインレット１０のその他の製造方法を示しながら、ＲＦＩＤインレット１０の構成のバリエーションについても説明する。
【００４３】
図７（ａ）〜（ｃ）は、ＲＦＩＤインレット１０の他の製造方法を示す図である。図７に示したＲＦＩＤインレット１０では、柱状部材６の平面的な配置は図１に示した例と同様であり、図１（ｂ）に示した領域Ｂに相当する部分を示している。
【００４４】
この製造方法では、まず初めに、基板２の上面２ａのうち、基板２の法線方向から見て互いに重複しない位置に、ＴＦＴ回路３、アンテナパターン４、及び柱状部材６の一部となる導電材料７を同時に形成する（図７（ａ））。この過程で形成される導電材料７の膜厚は、図７（ａ）に示すように、ＴＦＴ回路３の膜厚と同程度になる。
【００４５】
次に、スパッタやスクリーン印刷などの方法により、導電材料７の上面がＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４の上面より高くなるよう、導電材料７の膜厚を増加させる（図７（ｂ）（ｃ））。この際、図１（ｃ）のように積層する各導電材料７の間に、糊などの薄い非導電層が形成されても構わない。以上の工程により柱状部材６を形成し、最後に、図７（ｃ）に示すように、全体を保護層５で封止することにより、ＲＦＩＤインレット１０が完成する。
【００４６】
図７（ｃ）に示す柱状部材６では、図１で説明した柱状部材６と同様、柱状部材６の基板２の上面２ａ側に位置する部分の基板法線方向の長さＬ１が、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４の基板法線方向の長さＬ２に比べて長くなっている。言い換えると、柱状部材６の上面６ａは、ＴＦＴ回路３の上面３ａ及びアンテナパターン４の上面４ａに比べて基板上面２ａから遠い位置にある。また、柱状部材６の下面６ｂから基板上面２ａまでの距離（＝ゼロ）は、ＴＦＴ回路３の下面３ｂ及びアンテナパターン４の下面４ｂから基板上面２ａまでの距離（＝ゼロ）と等しくなっている。したがって、本製造方法によっても、耐静電性を高めるための柱状部材６を有するＲＦＩＤインレット１０を製造することが可能になる。
【００４７】
なお、図７（ｃ）の例における保護層５は、図１（ｂ）の例とは異なり、柱状部材６の上面も覆っている。このようにしても、ＲＦＩＤインレット１０の耐静電性は確保される。
【００４８】
また、図７（ｄ）に示すように、基板２の下面２ｂにも柱状部材６を配置してよいのはもちろんである。こうすることで、ＲＦＩＤインレット１０の上面側から到来した静電気を、より確実に下面側に放電することが可能になる。
【００４９】
図８（ａ）〜（ｃ）は、ＲＦＩＤインレット１０のさらに他の製造方法を示す図である。この製造方法では、導電性のピンによって柱状部材６を構成する。以下、詳しく説明する。
【００５０】
この製造方法では、まず初めに、基板２上の所定位置にＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４を形成し、保護層５で封止する。ここまでの工程には、従来と同様のプロセスを用いることが可能である。封止が完了したら、一方表面側から、治具９ａ，９ｂを用いて、保護層５及び基板２を貫通する導電性ピン８を刺し込む（図８（ａ）（ｂ））。このとき、導電性ピン８がＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４と接触しないようにする。
【００５１】
図９（ａ）（ｂ）は、導電性ピン８を刺し込む平面的な位置を示している。図９（ａ）は、図１（ａ）などと同様に集積回路としてＴＦＴ回路３を用いる例を示し、図９（ｂ）は、集積回路としてＩＣチップ２０を用いる例を示している。これらの図に示すように、導電性ピン８は、集積回路及びアンテナパターン４を取り囲むように配置することが好ましい。また、集積回路としてＩＣチップ２０を用いる場合には、図９（ｂ）に示すように、ＩＣチップ２０の周囲に重点的に配置することが好ましい。
【００５２】
最後に、治具９ａ，９ｂを取り去れば、図８（ｃ）に示すように、静電気放電からＲＦＩＤインレット１０を保護する柱状部材６としての導電性ピン８を有するＲＦＩＤインレット１０が完成する。
【００５３】
なお、導電性ピン８は、図８（ｃ）に示すように、保護層５の表面から少し突出させることが好ましい。こうすることにより、突出部分が紙とＲＦＩＤインレット１０との引っかかりとなり、紙の中でＲＦＩＤインレット１０が移動してしまうことが防止される。
【００５４】
導電性ピン８を用いてＲＦＩＤインレット１０を構成する場合のバリエーションについて説明する。
【００５５】
図１０（ａ）（ｂ）は、導電性ピン８を基板２に対して斜めに刺し込んだ例である。この場合、図１０（ｂ）に示すように、互いに交差する複数の導電性ピン８が含まれていても構わない。このように傾けて刺し込むことにより紙とＲＦＩＤインレット１０との引っかかりがよくなり、紙の中でＲＦＩＤインレット１０が移動してしまうことが、より効果的に防止される。
【００５６】
図１０（ｃ）は、ＲＦＩＤインレット１０の上下面から導電性ピン８を刺し込むようにした例である。この例のように、導電性ピン８は必ずしもＲＦＩＤインレット１０の上面のみから刺し込まなくてはいけないわけではない。また、導電性ピン８は、ＲＦＩＤインレット１０を上面から下面まで貫通していなくてもよく、少なくとも基板２の一方側に位置する樹脂層５を貫通していればよい。
【００５７】
図１１（ａ）は、導電性ピン８の一方端に、裁縫で用いる待ち針の飾りと同様の球形物８ａを取り付けた例である。また、図１１（ｂ）の例では、さらに導電性ピン８の他方端に釣り針の返しと同様の返し部８ｂを取り付けている。また、図１１（ｃ）では、導電性ピン８の両端に返し部８ｂを設けた例を示している。これらのように、導電性ピン８の端部に球形物８ａや返し部８ｂを設けることにより、導電性ピン８の抜けを防止できる。
【００５８】
図１１（ｄ）は、導電性ピン８としてステープラーの針を用いた例である。同図に示すように、導電性ピン８としてステープラーの針を用いてもよく、その場合にはステープラーを用いて柱状部材６を形成することが可能になる。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。
【符号の説明】
【００６０】
２ 基板
３ 集積回路
３ ＴＦＴ回路
３ａ，３ｂ アンテナ接続端子
４ アンテナパターン
４ａ，４ｂ 端部
５ 保護層
６ 柱状部材
６ａ 貫通孔
７ 導電材料
８ 導電性ピン
８ａ 球形物
８ｂ 返し部
９ａ，９ｂ 治具
１０ ＲＦＩＤインレット
２０ ＩＣチップ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤインレット、ＲＦＩＤ、及びＲＦＩＤインレットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＲＦＩＤインレットを挟み込んだＲＦＩＤの需要が増している。需要の増加に伴い、挿入されるＲＦＩＤインレットの種類も増し、近年ではゴマ粒大のＩＣタグからクレジットカード大のＩＣカードまで多岐にわたるＲＦＩＤインレットがＲＦＩＤの中に挟み込まれている。特許文献１には、ＩＣカードの例が開示されている。
【０００３】
ＲＦＩＤインレットを挟み込むための材料としては紙や布、樹脂、フィルムなど種々の材料が用いられるが、例えば紙を用いる場合、ＲＦＩＤインレットは、抄紙工程で２枚の湿紙の間に挿入されることになる。抄紙工程には乾燥処理やカレンダ処理が含まれるが、これらの処理はＲＦＩＤインレットが挟み込まれた状態で行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１０８９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＲＦＩＤインレットの周囲では、様々な場面で静電気による放電（静電気放電）が発生し、この放電によってＲＦＩＤインレットが破壊されてしまう場合がある。例えば、上述したカレンダ処理ではローラー間に比較的強力な静電気放電が発生するが、この静電気放電によりＲＦＩＤインレット内のＩＣ（集積回路）に大電流が流れ、破壊されてしまう場合がある。また、ＩＣカードの使用中にも、衣服のこすれやドアノブとの接触など通常の生活の中で発生する静電気放電により、ＲＦＩＤインレット内の集積回路が破壊されてしまうおそれがある。したがって、これらの静電気放電に対する耐性（耐静電性）を有するＲＦＩＤインレットが求められる。
【０００６】
特許文献１には、ＩＣカード作成装置内で発生する帯電によるＩＣチップの破損を防止するための技術が開示されている。この技術では、ＩＣカードの表面付近に帯電防止層が設けられる。しかしながら、このように表面付近に帯電防止層を設けるだけでは静電気を十分に逃がすことができず、十分な耐静電性を得ることは困難である。
【０００７】
したがって、本発明の目的の一つは、高い耐静電性を有するＲＦＩＤインレット、ＲＦＩＤ、及びＲＦＩＤインレットの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明によるＲＦＩＤインレットは、基板及びアンテナパターンと、前記基板の表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう配置された導電性の柱状部材とを備え、前記集積回路及び前記アンテナパターンは、前記基板表面の接線方向から見て、前記柱状部材の上面と下面に挟まれる領域内に配置されることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、ＲＦＩＤインレットの上面側から到来した静電気は、柱状部材を通って下面側に放電される。これにより、高い耐静電性が実現される。
【００１０】
また、上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記柱状部材は前記基板を貫通していることとしてもよい。これによれば、ＲＦＩＤインレットの上面側から到来した静電気を、より確実に下面側に放電することが可能になる。また、静電気放電による基板へのダメージを軽減することが可能になる。
【００１１】
また、上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記柱状部材は、前記基板の上面と下面にそれぞれ配置されることとしてもよい。これによれば、ＲＦＩＤインレットの上面側から到来した静電気を、より確実に下面側に放電することが可能になる。
【００１２】
また、上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記基板、前記アンテナパターン、及び前記集積回路を封止する樹脂層をさらに備え、前記柱状部材は、前記樹脂層を貫通していることとしてもよい。
【００１３】
また、上記ＲＦＩＤインレットにおいて、前記アンテナパターンは平面スパイラル構造を有し、前記柱状部材は、前記アンテナパターンの最外周の外側及び最内周の内側に設けられることとしてもよい。
【００１４】
また、本発明によるＲＦＩＤは、上記各ＲＦＩＤインレットのいずれかを挟み込んだＲＦＩＤであることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の一側面によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、基板及びアンテナパターンと、前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、前記アンテナパターン及び前記集積回路を形成し、樹脂層で封止する工程と、前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう、少なくとも前記基板の前記一方側表面側に位置する前記樹脂層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を導電材料で埋めることにより、前記柱状部材を形成する工程とを備えることを特徴とする。なお、前記貫通孔は、前記樹脂層及び前記基板を貫通することとしてもよい。
【００１６】
また、本発明の他の一側面によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、基板及びアンテナパターンと、前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、前記基板の前記一方側表面のうち、前記基板の法線方向から見て互いに重複しない位置に、前記集積回路及び前記アンテナパターンと前記柱状部材の一部となる導電材料とを形成する工程と、前記導電材料の上面が前記集積回路の上面より高くなるよう、前記導電材料の膜厚を増加させることにより、前記柱状部材を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のさらに他の一側面によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、基板及びアンテナパターンと、前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、前記アンテナパターン及び前記集積回路を形成し、樹脂層で封止する工程と、前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう、少なくとも前記基板の前記一方側表面側の前記樹脂層を貫通する導電性のピンを刺し込む工程とを備えることを特徴とする。なお、前記ピンは、前記樹脂層及び前記基板を貫通することとしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ＲＦＩＤインレットの一方表面側から到来した静電気は、柱状部材を通って他方表面側に放電される。これにより、高い耐静電性が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの構成を示す図である。
【図２】カレンダ処理の説明図である。
【図３】本発明の好ましい実施の形態による柱状部材の平面的な配置の説明図である。
【図４】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造方法を示す図である。
【図５】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造方法を示す図である。
【図６】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの製造方法を示す図である。
【図７】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットの他の製造方法を示す図である。
【図８】本発明の好ましい実施の形態によるＲＦＩＤインレットのさらに他の製造方法を示す図である。
【図９】本発明の好ましい実施の形態による導電性ピンを刺し込む平面的な位置を示す図である。
【図１０】導電性ピンを用いてＲＦＩＤインレットを構成する場合のバリエーションを示す図である。
【図１１】導電性ピンを用いてＲＦＩＤインレットを構成する場合のバリエーションを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態によるＲＦＩＤインレット１０の構成を示す図である。図１（ａ）はＲＦＩＤインレット１０の上面透視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。また、図１（ｃ）は図１（ｂ）に示した領域Ｂの拡大図である。なお、図１（ｂ）（ｃ）は、断面に現れる構成を分かりやすく示すために、図面縦方向に大幅に引き伸ばして描いている。また、図１（ａ）は断面図ではないが、分かりやすくするためにＴＦＴ回路３、アンテナパターン４、及び柱状部材６にハッチングを施している。後掲する各図でも同様である。
【００２２】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＲＦＩＤインレット１０は、基板２と、基板２の上面２ａに形成されたＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４と、これらを封止する保護層５と、保護層５及び基板２を貫通する柱状部材６とを備えている。
【００２３】
ＲＦＩＤインレット１０は紙の中に挿入されて用いられるものであり、抄紙工程で２枚の湿紙の間に挟む形で挿入される。紙とＲＦＩＤインレット１０との接着には、必要に応じて糊が利用される。ＲＦＩＤインレット１０が挿入された紙は、乾燥処理などが施された後、ＲＦＩＤとして出荷されることになる。
【００２４】
抄紙工程で行われる処理のひとつにカレンダ処理がある。図２はカレンダ処理の説明図である。同図に示すように、カレンダ処理では、ＲＦＩＤインレット１０を含む紙ＰをローラーＲに挟む。ローラーＲは、図示したＣ方向に回転することで紙Ｐを図面Ｎ１方向に送るとともに、紙Ｐに図面Ｄ方向（紙送り方向Ｎ１と垂直な方向）の圧力を加える。このとき、ローラーＲ間に激しい静電気放電が発生することがある。本実施の形態では、この静電気放電に耐え得る構造を有するＲＦＩＤインレット１０を提供する。
【００２５】
基板２は、各種のプラスチックフィルム等によって構成される平板状の材料である。具体的には、基板２の材料として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ＰＥＴ−Ｇ（テレフタル酸−シクロヘキサンジメタノール−エチレングリコール共重合体）、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ポリスチレン系、ＡＢＳ樹脂、ポリアクリル酸エステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、アクリル系、耐水紙などの単独フィルム若しくはこれらの複合フィルムを用いることができる。基板２の厚みは規格によって決められており、具体的には１μｍ〜１００μｍ程度である。また、本実施の形態では、縦幅４５ｍｍと横幅７５ｍｍの基板２を用いているが、基板２の大きさはこれに限られるものではない。
【００２６】
ＴＦＴ回路３は、基板２上にＴＦＴ(Thin Film Transistor)を使って形成した集積回路である。本実施の形態ではＴＦＴ回路を用いているが、本発明は、集積回路として半導体基板を用いて作製されたＩＣチップを用いる場合にも適用できる。
【００２７】
ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４は所謂パッシブタグを構成する。すなわち、ＴＦＴ回路３は、主として基板上面２ａに形成されたＴＦＴ、ダイオードなどの能動素子と、キャパシタ、抵抗などの受動素子と、これら素子を相互接続する配線とから構成され、これによって整流回路、メモリ、通信回路などが構成される。アンテナパターン４は図１（ａ）に示すような平面スパイラル構造を有し、その端部４ａ，４ｂはそれぞれ、ＴＦＴ回路３の両端に設けられたアンテナ接続端子３ａ，３ｂに接続している。なお、図１ではＴＦＴ回路３とアンテナパターン４とを同じ基板上面２ａに形成しているが、異なる表面に形成してもよい。この場合、端部４ａ，４ｂとアンテナ接続端子３ａ，３ｂとは、基板２に設けられたスルーホール導体を介して接続する。以下、ＴＦＴ回路３とアンテナパターン４によって構成されるパッシブタグの動作について、簡単に説明する。
【００２８】
まず、リーダ（不図示）が、読み出し命令を含むデータによって変調した電波（変調波）を送出し、その後、無変調の電波（無変調波）を所定時間にわたって送出する。ＴＦＴ回路３の整流回路は、アンテナパターン４を介してこれらの電波を受信し、整流して直流化する。通信回路は、この直流を電源として動作するものであり、まず変調波を解釈し、解釈結果に応じてメモリ内からデータを読み出す。そして、読み出したデータによって無変調波の反射波を変調する。リーダはこの反射波を受信することで、ＴＦＴ回路３内のメモリに記憶されているデータを取得する。
【００２９】
保護層５は、樹脂素材によって構成される。具体的な材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。保護層５を形成する際には、基板２の上側と下側からフィルム状の材料を貼り付け、熱プレス成形によって、基板２、ＴＦＴ回路３、及びアンテナパターン４に密着させる。これにより、保護層５による封止が完成する。保護層５の厚みは片側（基板２の一方側）のみで１μｍ〜１００μｍ程度であり、したがって、ＲＦＩＤインレット１０全体としての厚みは３μｍ〜３００μｍ程度となっている。
【００３０】
柱状部材６は導電材料からなり、少なくとも基板２の上面２ａに配置される。図１の例では、保護層５及び基板２を上面から下面まで貫通する貫通孔内に設けられた導電材料からなり、図１（ａ）に示すように、平面スパイラル構造を有するアンテナパターン４の最外周の外側及び最内周の内側にそれぞれ複数ずつ設けられる。なお、柱状部材６は、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４と接触しないよう、基板２の法線方向から見てこれらと重複しない位置に配置される。
【００３１】
図３（ａ）（ｂ）は、柱状部材６の平面的な配置の好ましいバリエーションを示す図である。これらの図に示すように、柱状部材６は、基板２の表面をＴＦＴ回路３又はアンテナパターン４と交差しつつ横断する任意の横断直線（図３中の破線Ｅ１〜Ｅ５はそれぞれこの横断直線の例である。）が、それぞれ少なくとも１つの柱状部材６と交差するように配置してもよい。こうすることにより、抄紙工程での紙の進行方向に対してＲＦＩＤインレット１０の向きが傾いたとしても、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４を静電気放電から保護することが可能になる。
【００３２】
なお、図１や図３（ｂ）に示した例ではアンテナパターン４の最外周の外側及び最内周の内側にそれぞれ柱状部材６を設けたが、最内周の内側に導体を配置することはアンテナパターン４が発生する磁界をかく乱する要因となることから、最内周の内側に配置する柱状部材６の数及び総断面積はできるだけ小さくすることが好ましい。図３（ａ）に示したように、最外周の外側のみに柱状部材６を配置することとしてもよい。
【００３３】
図１（ｃ）に戻る。ＲＦＩＤインレット１０では、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４は、基板上面２ａの接線方向（図１（ｃ）では横方向）から見て、柱状部材６の上面６ａと下面６ｂに挟まれる領域内に配置されている。言い換えれば、柱状部材６の基板２の上面２ａ側に位置する部分の基板法線方向の長さＬ１が、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４の基板法線方向の長さＬ２に比べて長くなっている。そして、柱状部材６の上面６ａは、ＴＦＴ回路３の上面３ａ及びアンテナパターン４の上面４ａに比べて基板上面２ａから遠い位置にある。また、柱状部材６の下面６ｂから基板上面２ａまでの距離Ｌ３は、ＴＦＴ回路３の下面３ｂ及びアンテナパターン４の下面４ｂから基板上面２ａまでの距離（＝ゼロ）に比べて長くなっている。ＲＦＩＤインレット１０がこのような構成を有することにより、ＲＦＩＤインレット１０の上面側から到来した静電気は、ＴＦＴ回路３やアンテナパターン４ではなく柱状部材６に落ち、柱状部材６を通ってＲＦＩＤインレット１０の下面側に放電される。したがって、直接の静電気放電や、静電気放電に伴う大電流がアンテナパターン４を通じてＴＦＴ回路３に流れ込むことによるＴＦＴ回路３の破壊が、柱状部材６を設けない場合に比べて防止されており、ＲＦＩＤインレット１０は高い耐静電性を有していると言える。
【００３４】
また、ＲＦＩＤインレット１０では柱状部材６が基板２を貫通している。これにより、基板２についても、静電気によって破壊されるおそれが減少している。
【００３５】
次に、ＲＦＩＤインレット１０の製造方法を説明する。
【００３６】
図４〜図６は、ＲＦＩＤインレット１０の製造方法を示す図である。この製造方法は、複数のＲＦＩＤインレット１０を同時に１つのウェハ上に形成するものであり、各図（ａ）はウェハの上面図、（ｂ）はウェハの断面図を示している。図４（ｂ）は図４（ａ）のＦ−Ｆ’線断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＧ−Ｇ’線断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＨ−Ｈ’線断面図である。
【００３７】
まず初めに、ウェハ上の所定位置にＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４を形成し、保護層５で封止する。ここまでの工程には、従来と同様のプロセスを用いることが可能である。封止が完了したら、図４（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４と接触しないよう、保護層５及び基板２を貫通する貫通孔６ａを形成する。
【００３８】
次に、図５（ａ）（ｂ）に示すように、貫通孔６ａを導電材料で埋め、柱状部材６を形成する。なお、図５（ｂ）では、柱状部材６が保護層５の表面から突出しているが、このように突出させてもよいし、図１（ｂ）に示したように、柱状部材６の上下面を保護層５の表面と面一としてもよい。突出させた場合には、突出部分が紙とＲＦＩＤインレット１０との引っかかりとなり、紙の中でＲＦＩＤインレット１０が移動してしまうことが防止される。
【００３９】
最後に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、ダイシングにより個々のＲＦＩＤインレット１０を切り出し、各ＲＦＩＤインレット１０が完成する。
【００４０】
以上説明したように、この製造方法によれば、貫通孔６ａを空けて導電材料で埋めるという簡易な工程により、耐静電性を高めるための柱状部材６を有するＲＦＩＤインレット１０を一度に複数個製造することが可能になる。
【００４１】
なお、上記製造方法では保護層５及び基板２を貫通する貫通孔６ａを形成したが、基板２の上面２ａ側に位置する保護層５のみを貫通する貫通孔を用いてもよい。この場合、柱状部材６は基板２の上面２ａ側のみに配置されることになるが、図１（ｃ）に示したＬ１とＬ２の関係は保たれる。したがって、このようにしても、耐静電性を高めるための柱状部材６を有するＲＦＩＤインレット１０を製造することが可能になる。
【００４２】
以下、ＲＦＩＤインレット１０のその他の製造方法を示しながら、ＲＦＩＤインレット１０の構成のバリエーションについても説明する。
【００４３】
図７（ａ）〜（ｃ）は、ＲＦＩＤインレット１０の他の製造方法を示す図である。図７に示したＲＦＩＤインレット１０では、柱状部材６の平面的な配置は図１に示した例と同様であり、図１（ｂ）に示した領域Ｂに相当する部分を示している。
【００４４】
この製造方法では、まず初めに、基板２の上面２ａのうち、基板２の法線方向から見て互いに重複しない位置に、ＴＦＴ回路３、アンテナパターン４、及び柱状部材６の一部となる導電材料７を同時に形成する（図７（ａ））。この過程で形成される導電材料７の膜厚は、図７（ａ）に示すように、ＴＦＴ回路３の膜厚と同程度になる。
【００４５】
次に、スパッタやスクリーン印刷などの方法により、導電材料７の上面がＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４の上面より高くなるよう、導電材料７の膜厚を増加させる（図７（ｂ）（ｃ））。この際、図１（ｃ）のように積層する各導電材料７の間に、糊などの薄い非導電層が形成されても構わない。以上の工程により柱状部材６を形成し、最後に、図７（ｃ）に示すように、全体を保護層５で封止することにより、ＲＦＩＤインレット１０が完成する。
【００４６】
図７（ｃ）に示す柱状部材６では、図１で説明した柱状部材６と同様、柱状部材６の基板２の上面２ａ側に位置する部分の基板法線方向の長さＬ１が、ＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４の基板法線方向の長さＬ２に比べて長くなっている。言い換えると、柱状部材６の上面６ａは、ＴＦＴ回路３の上面３ａ及びアンテナパターン４の上面４ａに比べて基板上面２ａから遠い位置にある。また、柱状部材６の下面６ｂから基板上面２ａまでの距離（＝ゼロ）は、ＴＦＴ回路３の下面３ｂ及びアンテナパターン４の下面４ｂから基板上面２ａまでの距離（＝ゼロ）と等しくなっている。したがって、本製造方法によっても、耐静電性を高めるための柱状部材６を有するＲＦＩＤインレット１０を製造することが可能になる。
【００４７】
なお、図７（ｃ）の例における保護層５は、図１（ｂ）の例とは異なり、柱状部材６の上面も覆っている。このようにしても、ＲＦＩＤインレット１０の耐静電性は確保される。
【００４８】
また、図７（ｄ）に示すように、基板２の下面２ｂにも柱状部材６を配置してよいのはもちろんである。こうすることで、ＲＦＩＤインレット１０の上面側から到来した静電気を、より確実に下面側に放電することが可能になる。
【００４９】
図８（ａ）〜（ｃ）は、ＲＦＩＤインレット１０のさらに他の製造方法を示す図である。この製造方法では、導電性のピンによって柱状部材６を構成する。以下、詳しく説明する。
【００５０】
この製造方法では、まず初めに、基板２上の所定位置にＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４を形成し、保護層５で封止する。ここまでの工程には、従来と同様のプロセスを用いることが可能である。封止が完了したら、一方表面側から、治具９ａ，９ｂを用いて、保護層５及び基板２を貫通する導電性ピン８を刺し込む（図８（ａ）（ｂ））。このとき、導電性ピン８がＴＦＴ回路３及びアンテナパターン４と接触しないようにする。
【００５１】
図９（ａ）（ｂ）は、導電性ピン８を刺し込む平面的な位置を示している。図９（ａ）は、図１（ａ）などと同様に集積回路としてＴＦＴ回路３を用いる例を示し、図９（ｂ）は、集積回路としてＩＣチップ２０を用いる例を示している。これらの図に示すように、導電性ピン８は、集積回路及びアンテナパターン４を取り囲むように配置することが好ましい。また、集積回路としてＩＣチップ２０を用いる場合には、図９（ｂ）に示すように、ＩＣチップ２０の周囲に重点的に配置することが好ましい。
【００５２】
最後に、治具９ａ，９ｂを取り去れば、図８（ｃ）に示すように、静電気放電からＲＦＩＤインレット１０を保護する柱状部材６としての導電性ピン８を有するＲＦＩＤインレット１０が完成する。
【００５３】
なお、導電性ピン８は、図８（ｃ）に示すように、保護層５の表面から少し突出させることが好ましい。こうすることにより、突出部分が紙とＲＦＩＤインレット１０との引っかかりとなり、紙の中でＲＦＩＤインレット１０が移動してしまうことが防止される。
【００５４】
導電性ピン８を用いてＲＦＩＤインレット１０を構成する場合のバリエーションについて説明する。
【００５５】
図１０（ａ）（ｂ）は、導電性ピン８を基板２に対して斜めに刺し込んだ例である。この場合、図１０（ｂ）に示すように、互いに交差する複数の導電性ピン８が含まれていても構わない。このように傾けて刺し込むことにより紙とＲＦＩＤインレット１０との引っかかりがよくなり、紙の中でＲＦＩＤインレット１０が移動してしまうことが、より効果的に防止される。
【００５６】
図１０（ｃ）は、ＲＦＩＤインレット１０の上下面から導電性ピン８を刺し込むようにした例である。この例のように、導電性ピン８は必ずしもＲＦＩＤインレット１０の上面のみから刺し込まなくてはいけないわけではない。また、導電性ピン８は、ＲＦＩＤインレット１０を上面から下面まで貫通していなくてもよく、少なくとも基板２の一方側に位置する樹脂層５を貫通していればよい。
【００５７】
図１１（ａ）は、導電性ピン８の一方端に、裁縫で用いる待ち針の飾りと同様の球形物８ａを取り付けた例である。また、図１１（ｂ）の例では、さらに導電性ピン８の他方端に釣り針の返しと同様の返し部８ｂを取り付けている。また、図１１（ｃ）では、導電性ピン８の両端に返し部８ｂを設けた例を示している。これらのように、導電性ピン８の端部に球形物８ａや返し部８ｂを設けることにより、導電性ピン８の抜けを防止できる。
【００５８】
図１１（ｄ）は、導電性ピン８としてステープラーの針を用いた例である。同図に示すように、導電性ピン８としてステープラーの針を用いてもよく、その場合にはステープラーを用いて柱状部材６を形成することが可能になる。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。
【符号の説明】
【００６０】
２ 基板
３ 集積回路
３ ＴＦＴ回路
３ａ，３ｂ アンテナ接続端子
４ アンテナパターン
４ａ，４ｂ 端部
５ 保護層
６ 柱状部材
６ａ 貫通孔
７ 導電材料
８ 導電性ピン
８ａ 球形物
８ｂ 返し部
９ａ，９ｂ 治具
１０ ＲＦＩＤインレット
２０ ＩＣチップ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及びアンテナパターンと、
前記基板の表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、
前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう配置された導電性の柱状部材とを備え、
前記集積回路及び前記アンテナパターンは、前記基板表面の接線方向から見て、前記柱状部材の上面と下面に挟まれる領域内に配置されることを特徴とするＲＦＩＤインレット。
【請求項２】
前記柱状部材は前記基板を貫通していることを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項３】
前記基板、前記アンテナパターン、及び前記集積回路を封止する樹脂層をさらに備え、
前記柱状部材は、前記樹脂層を貫通していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項４】
前記アンテナパターンは平面スパイラル構造を有し、
前記柱状部材は、前記アンテナパターンの最外周の外側及び最内周の内側に設けられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＲＦＩＤインレットを挟み込んだＲＦＩＤ。
【請求項６】
基板及びアンテナパターンと、
前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、
導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
前記アンテナパターン及び前記集積回路を形成し、樹脂層で封止する工程と、
前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう、少なくとも前記基板の前記一方側表面側に位置する前記樹脂層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を導電材料で埋めることにより、前記柱状部材を形成する工程とを備えることを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔は、前記樹脂層及び前記基板を貫通することを特徴とする請求項６に記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項８】
基板及びアンテナパターンと、
前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、
導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
前記基板の前記一方側表面のうち、前記基板の法線方向から見て互いに重複しない位置に、前記集積回路及び前記アンテナパターンと前記柱状部材の一部となる導電材料とを形成する工程と、
前記導電材料の上面が前記集積回路の上面より高くなるよう、前記導電材料の膜厚を増加させることにより、前記柱状部材を形成する工程とを備えることを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項９】
基板及びアンテナパターンと、
前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、
導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
前記アンテナパターン及び前記集積回路を形成し、樹脂層で封止する工程と、
前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう、少なくとも前記基板の前記一方側表面側の前記樹脂層を貫通する導電性のピンを刺し込む工程とを備えることを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項１０】
前記ピンは、前記樹脂層及び前記基板を貫通することを特徴とする請求項９に記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項１】
基板及びアンテナパターンと、
前記基板の表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、
前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう配置された導電性の柱状部材とを備え、
前記集積回路及び前記アンテナパターンは、前記基板表面の接線方向から見て、前記柱状部材の上面と下面に挟まれる領域内に配置されることを特徴とするＲＦＩＤインレット。
【請求項２】
前記柱状部材は前記基板を貫通していることを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項３】
前記基板、前記アンテナパターン、及び前記集積回路を封止する樹脂層をさらに備え、
前記柱状部材は、前記樹脂層を貫通していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項４】
前記アンテナパターンは平面スパイラル構造を有し、
前記柱状部材は、前記アンテナパターンの最外周の外側及び最内周の内側に設けられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＲＦＩＤインレット。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＲＦＩＤインレットを挟み込んだＲＦＩＤ。
【請求項６】
基板及びアンテナパターンと、
前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、
導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
前記アンテナパターン及び前記集積回路を形成し、樹脂層で封止する工程と、
前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう、少なくとも前記基板の前記一方側表面側に位置する前記樹脂層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を導電材料で埋めることにより、前記柱状部材を形成する工程とを備えることを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔は、前記樹脂層及び前記基板を貫通することを特徴とする請求項６に記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項８】
基板及びアンテナパターンと、
前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、
導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
前記基板の前記一方側表面のうち、前記基板の法線方向から見て互いに重複しない位置に、前記集積回路及び前記アンテナパターンと前記柱状部材の一部となる導電材料とを形成する工程と、
前記導電材料の上面が前記集積回路の上面より高くなるよう、前記導電材料の膜厚を増加させることにより、前記柱状部材を形成する工程とを備えることを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項９】
基板及びアンテナパターンと、
前記基板の一方側表面に形成され、前記アンテナパターンに接続された集積回路と、
導電性の柱状部材とを備えるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
前記アンテナパターン及び前記集積回路を形成し、樹脂層で封止する工程と、
前記アンテナパターン及び前記集積回路と接触しないよう、少なくとも前記基板の前記一方側表面側の前記樹脂層を貫通する導電性のピンを刺し込む工程とを備えることを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
【請求項１０】
前記ピンは、前記樹脂層及び前記基板を貫通することを特徴とする請求項９に記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−６５５９６（Ｐ２０１１−６５５９６Ａ）
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２１８００７（Ｐ２００９−２１８００７）
【出願日】平成２１年９月１８日（２００９．９．１８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月１８日（２００９．９．１８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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