【課題】照準距離や天候の影響を受けることなく、一人で照準調整を容易に行うことができるレーザ送信器の照準調整装置を提供する。
【解決手段】模擬銃にレーザ送信器１１及び照準眼鏡１５を取り付けると共に、レーザ送信器１１に撮像装置１６を平行に装着する。照準調整を行う際、撮像装置１６により標的２０の照準校正用十字線２４を撮像してモニタ装置１７に表示し、画面上の照準校正用十字線にフレームグラバの中心が一致するように模擬銃の方向を合わせる。この状態を維持して照準眼鏡１５の眼鏡線３２が標的２０の照準用十字線２３に合うように調整し、模擬銃の引金を操作してレーザ送信器１１からレーザ光３１を照射する。レーザ光３１が標的２０の受光器２１に的中して発光器２２が発光すれば、照準眼鏡１５の眼鏡線３２とレーザ送信器１１から照射されるレーザ光３１の光軸が平行となり、照準調整を終了する。 （もっと読む）

【課題】 キャリア増幅器が飽和する前にピーク増幅器に流れる電流を低減して、増幅器全体としての効率を向上させることができる増幅器を提供する。
【解決手段】 ＡＢ級又はＢ級で動作する増幅素子を備えたキャリア増幅回路４と、Ｂ級又はＣ級で動作する増幅素子を有し、入力レベルに応じて段階的に動作を開始する複数のピーク増幅回路５-1〜５-nとを備え、キャリア増幅回路４とピーク増幅回路５-1〜５-nの出力を合成して出力し、ピーク増幅回路５-1〜５-nの内、最も低い入力レベルで動作を開始するピーク増幅回路の飽和出力がキャリア増幅回路４の飽和出力より小さい増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】装置稼動率の向上に寄与することのできる基板処理装置および半導体装置の製造方法、温度制御方法を提供する。
【解決手段】演算パラメータ算出器４５が、第一演算パラメータ設定器４２が反応容器に累積する膜厚に基づき決定した第一演算パラメータ補正値Ｐ１と、第二演算パラメータ設定器４３が補充基板に累積する膜厚に基づき決定した第二演算パラメータ補正値Ｐ２と、第三演算パラメータ設定器４４が前記補充基板の枚数に基づき決定した第三演算パラメータ補正値Ｐ３とを少なくとも用いて演算パラメータＨを算出し、少なくともこの算出された演算パラメータＨと、設定温度と温度検出器が加熱装置内の温度を検出する温度との偏差とを用いて演算し該演算結果により加熱装置を制御しつつ、反応容器内に製品基板及び補充基板を収容して熱処理する。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を安価に促進させると共に、処理ガスの希釈を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】積層された基板１０を収容して処理する処理室２と、処理室２の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ（２２ｂ）と、処理室２の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って前記処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内２に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ（２２ｄ）と、前記不活性ガス供給ノズルに設けられた不活性ガス噴出口２４ｃ（２４ｄ）と、処理室２内を排気する排気ライン７ａとを有し、前記不活性ガス噴出口は、処理室２の内壁と基板１０の外周部との間の空間に不活性ガスを噴射するように開口されている。 （もっと読む）

【課題】現状の受信電界強度でどの程度安定して受信できているのかを直感的に認識することができ、しかも各種変調方式の相違による受信可能受信電界強度を直感的に認識すること。
【解決手段】ＱＡＭ復調部によりＱＡＭ変調方式による伝送信号が復調され、ＯＦＤＭ復調部によりＯＦＤＭ変調方式による伝送信号が復調され、データ処理部によりＱＡＭ復調部の復調出力から得られる現状の受信電界強度とメモリに記憶されている第１理論特性値との比較結果を出力するか、又はＯＦＤＭ復調部の復調出力から得られる現状の受信電界強度とメモリに記憶されている第２理論特性値との比較結果が出力されると、表示制御部によりデータ処理部からの出力に応じて、メータ表示部１００にＱＡＭ変調方式又はＯＦＤＭ変調方式に依存した受信可能な受信電界強度がグラフィック表示されるようにした。 （もっと読む）

【課題】
監視装置から制御装置に対して、測定プログラムファイルや、測定実行ファイルのアップロード・ダウンロード等のファイル操作と、測定の実行を行うことができる自動測定システムを提供する。
【解決手段】
制御装置９と監視装置１１−１〜１１−Ｎを用いて測定装置２により被試験器１を測定する自動測定システムであって、前記制御装置と前記監視装置は通信可能に接続され、前記制御装置は測定プログラムと、該測定プログラムに基づき測定装置毎、測定項目毎に制御、測定する制御手段及び測定手段を具備し、前記監視装置は測定状況を監視する監視手段と、測定を開始する開始手段と、前記測定プログラムのアップロードやダウンロードを行うファイル操作手段とを具備する。
（もっと読む）

【課題】広帯域な包絡線信号を高効率に増幅することができる電源回路を提供する。
【解決手段】電源回路１０２の入力信号を増幅する線形増幅器９と、線形増幅器９の出力端子に一端が接続され他端が電源回路１０２の出力に接続された抵抗１０と、抵抗１０によって生じる電圧を入力するヒステリシスコンパレータ６と、ヒステリシスコンパレータ６が生成した信号を入力する第１のデジタルアンプ２と、電源回路１０２の入力信号または線形増幅器９の出力信号を入力し、所定の倍率に増幅して出力する増幅器３３と、三角波を生成する三角波生成手段１３と、増幅器３３と三角波生成手段１３からの信号を比較するコンパレータ３２と、コンパレータ３２の出力信号を増幅して出力する第２のデジタルアンプ７と、で構成された電源回路１０２において、第２のデジタルアンプ７の出力を第１のデジタルアンプ２の電源として供給することで線形増幅器９を高効率動作させる。 （もっと読む）

【課題】流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、稼働率を向上させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】弁箱２等の固定部と弁体９等の可動部とを有する弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記弁装置の前記固定部に固定部用ヒータを設けた半導体製造装置とする。これにより、流路壁面に固形膜が形成されるのを防止し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく金属酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。ＨｆＯ_２膜を形成する工程では、ＴＥＭＡＨの加熱温度とＯ_３の加熱温度とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の側壁を熱酸化させて修復する際に、Ｔｉ元素を含む金属材料からなるゲート電極膜の酸化を抑制する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート絶縁膜の側壁にプラズマによって活性化させた反応ガスを供給する工程を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜上にはＴｉ元素を含む金属材料からなるゲート電極膜が形成されており、前記反応ガス中に含まれるＯ_２ガスの流量を、前記反応ガス中に含まれるＨ_２ガスの流量の１／１９以下とする。 （もっと読む）