【課題】 個別通話が可能な電話機を用いて、新たなハードウェアを追加することなく、音声一斉の放送を実現する通信システムを提供する。
【解決手段】 ＩＰ電話制御装置３が、放送メッセージを送信するまでの間、放送開始を知らせるトーキ音をオフフックした電話機に出力し、統制台１から電話機４ａに対する音声一斉放送の正常受令、受令失敗を電話機のオフフック、オンフックに対応する信号で監視して、各電話機の受令状態の情報を音声一斉管理テーブルに記憶して認識し、受令失敗の電話機には放送メッセージを再送する通信システムである。 （もっと読む）

【課題】放射温度計の故障およびパラメータ設定ミス等を検知できる基板処理装置と基板製造方法を提供する。
【解決手段】基板が配置される処理室と、処理室又は加熱部の温度を検出する第１放射温度計６３０ｂ、第２放射温度計６３０ａ、及び、第３放射温度計６３０ｃと、第１放射温度計による第１検出結果、第２放射温度計による第２検出結果、第３放射温度計による第３検出結果が入力され、加熱部を制御する温度制御部と、を具備し、温度制御部は、第１放射温度計による第１検出結果に基づく温度と第２放射温度計による第２検出結果に基づく温度とを比較し、所定の温度より差が離れていると判断し、かつ、第１放射温度計による第１検出結果に基づく温度と第３放射温度計による第３検出結果に基づく温度とを比較し、所定の温度より差が離れていると判断した場合、第１放射温度計が故障している判断する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長のような１５００℃から１７００℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１４の処理を行う反応室４４と、複数の基板１４を保持する基板保持具１５と、反応室４４内に設けられ、反応室４４内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部３４と、を備え、基板保持具１５の最下部に保持された基板よりも下方に空間３４０を有する基板処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＥＭ−ＣＣＤのＣＭＧ駆動回路からＥＭ−ＣＣＤの出力信号への飛び込みを低減しながら、負荷容量ＣＭＧ電圧の振幅の減衰を防ぎ、矩形波特性を改善する。
【解決手段】論理バッファとＰｃｈＭＯＳとＮｃｈＭＯＳのゲート間にフェライトビーズとダイオードの並列接続を挿入し、ＭＯＳがターンオフする方向にダイオードが接続されているスイッチング回路において、ＰｃｈＭＯＳのドレインソース間導通抵抗が２オーム以上あり、ＰｃｈＭＯＳのドレインとＮｃｈＭＯＳのドレインとが１オーム以上の抵抗で接続され、ＰｃｈＭＯＳのドレインと容量負荷間に、スイッチング基本波周波数におけるインピーダンスがスイッチング基本波周波数における前記容量性負荷のインピーダンスの１／２より低いインピーダンスのフェライトビーズを直列接続する。 （もっと読む）

【課題】大径基板に対応した搬送系を構成する基板収容器（フープ）に、サイズダウンした基板を格納できるようにする。
【解決手段】８インチウェーハを支持し得る第１支持溝１６ｅに支持される上部板４０１および下部板４０２と、上部板４０１および下部板４０２に設けられ、２インチウェーハであるウェーハ１４（必要に応じて、ウェーハホルダ１００およびホルダ部材４０５を介して）を支持し得る第２支持溝４０４を有する各保持柱４０３ａ〜４０３ｃとを備える。８インチウェーハに対応したポッド１６に、２インチウェーハであるウェーハ１４を格納でき、搬送系であるポッド１６を共通化して半導体製造装置のコストを削減できる。各ガス供給ノズルから各ウェーハ１４までを遠ざけて、各ウェーハ１４に到達する前に反応ガスを充分に混合させることができ、各ウェーハ１４への成膜精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 移動局装置におけるデータ送信待ち時間を短くすることができる無線通信システムを提供する。
【解決手段】 基地局装置２への「送信問い合わせ」を行う期間である「通常状態」の期間内を複数のブロック時間帯に分割し、送信待ちの回数の多い順に時間的に早いブロック時間帯を割り当て、移動局装置１が自己の送信待ち回数をカウントして記憶しており、その送信待ち回数に対応したブロック時間帯のタイミングで「送信問い合わせ」を行うものであり、長く待たされている移動局装置１が優先して「送信問い合わせ」を行うことができる無線通信システムである。 （もっと読む）

【課題】地震発生時の振動等により温度検出管が破損することを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、前記反応管と前記加熱部との間に鉛直方向に延在するように設置され、温度検出素子が内蔵された温度検出管と、前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置を、前記温度検出管の一端側が当該基板処理装置に固定されるとともに、前記温度検出管の他端側であって該温度検出管の周囲に、前記反応管との衝突を抑制するための第１の緩衝材が取り付けられるように構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の撮像素子からの画像信号ごとになされる水平画素サンプリング位相調整や内部干渉を考慮した回路構成とする必要がある。
【解決手段】複数の固体撮像素子に対して、回路を一部共通として位相調整して部品点数あるいは回路構成を減らすこと、各個体撮像素子からの伝送遅延は位相調整能力を持つ回路で吸収すること、サンプリング回路周辺から位相の異なるパルス信号を減らすことにより、複数の固体撮像素子を組み合わせた撮像装置の構成において、部品点数を少なく、かつ良好な内部位相を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】管理センタにおいて、車両の遅延状況を容易に把握することができる車両運行システムを提供する。
【解決手段】管理センタと、管理センタとネットワークにより接続された基地局と、基地局と無線により接続された複数の移動局とを備える車両運行システムを、次のように構成する。管理センタは、依頼者から配車依頼を受けると移動局に対して配車指示を送信し、移動局は、配車指示を受信すると、第１の到着予想時刻を算出して管理センタへ送信し、管理センタは、移動局からの第１の到着予想時刻を依頼者へ通知し、移動局は、移動中に第２の到着予想時刻を算出して管理センタへ送信し、管理センタは、第１の到着予想時刻と第２の到着予想時刻の差が所定値以上である場合に、第２の到着予想時刻を配車時刻として依頼者へ通知する。 （もっと読む）

【課題】装置稼働率を向上することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に向かってマイクロ波を供給する
マイクロ波供給部、及び、基板の表面に向かって不活性ガスを供給するガス供給部を少な
くとも備える処理室と、前記処理室において処理がなされた基板を冷却する冷却機構を備
える搬送室、及び、前記冷却機構によって冷却された基板を搬送する搬送機構を少なくと
も備える搬送室とより少なくとも構成される。 （もっと読む）