【課題】１００サイクル経過後の電気容量が１００ｍＡｈ／ｇ以上と大きく、かつ１００サイクル経過後の容量維持率が９０％以上に維持した容量の低下の少ない非水二次電池用正極活物質の製造方法を提供すること。
【解決手段】リチウム化合物と、比表面積が１０ｍ²／ｇ以上１００ｍ²／ｇ以下の炭酸マンガン、及びアルミニウム化合物を混合し、これを３５０℃以上６８０℃以下の温度で１時間以上焼成反応させ、次いで解砕後、生成物を７３０℃以上９００℃以下の温度で加熱処理することにより、上記課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】ササクレ状凸欠陥のない表面品質に優れた感光ドラム基体用アルミニウム管を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム製の押出素管Ｐ１を引抜加工して感光ドラム基体用アルミニウム管を製造するに当たり、引抜加工の前処理として、所定速度で軸方向移動する押出素管Ｐ１の外周面に削ぎ取り刃体６の刃先６０を摺接させつつ、刃先６０を押出素管Ｐ１の周方向に相対移動させることにより、押出素管Ｐ１の外周面の凸状欠陥を削ぎ取ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】４級アンモニウム塩や、鉱酸共存下で過酸化物により二重結合を有する有機化合物（オレフィン）の二重結合を酸化してエポキシ化合物を合成した系で、安定的に蒸留精製を行えるエポキシ化合物の精製方法を提供すること。
【解決手段】過酸化物を用いて二重結合を有する有機化合物の二重結合をエポキシ化反応させて得られた反応物を含むエポキシ化反応粗液に、炭素数が８〜２６である長鎖アルキル基及び／又は炭素数が８〜２６であるアルケニル基を１つのみ有する３級アミンを共存させて蒸留を行うことを特徴とするエポキシ化合物の精製方法。 （もっと読む）

【課題】半導体層を構成する材料と異なる材料からなる基板を用い、この上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する工程を有し、得られる半導体発光層の発光波長分布σを小さくすることが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、基板上に少なくとも１つの化合物半導体層を成膜し、反り量Ｈが５０μｍ≦Ｈ≦２５０μｍの範囲である化合物半導体基板を形成する化合物半導体基板形成工程と、形成された前記化合物半導体基板上に複数のＩＩＩ族化合物半導体層からなる発光層を形成する発光層形成工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カスの回収を簡単に行えるアルミニウム溶湯処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、アルミニウム溶湯が貯留される貯湯槽１と、貯湯槽１の中央部に設けられ、軸心回りに回転駆動しつつ、溶湯液面Ｌ１よりも下方に配置された下端部から溶湯中に処理ガスが気泡状態で放出される処理ガス吹き込み用シャフト２と、下端が溶湯液面Ｌ１よりも下方に配置され、上端が溶湯液面Ｌ１よりも上方に配置され、シャフト２の周囲を覆うように設けられた筒状シャフトカバー３と、貯湯槽１の内周壁面における下側部に上下方向に沿って設けられ、シャフト２の回転に伴って貯湯槽１内を回転流動するアルミニウム溶湯を上方に流動させる整流板７１〜７３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い不純物の活性化率を保ちながら平滑な炭化珪素の表面が得られる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板の表面層に不純物領域を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、炭化珪素基板の表面層に不純物を注入する工程と、炭化珪素基板の表面にカーボン膜を成膜する工程と、カーボン膜を保護膜として炭化珪素基板を予備加熱する工程と、カーボン膜を保護膜として炭化珪素基板を活性化熱処理する工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】モールドの汚染を簡単に検出することができるインプリント装置およびモールドの汚染検出方法を提供する。
【解決手段】インプリント装置によれば、基板２５の表面に保持される液状の樹脂材料２８に透明なモールド２９が重ね合わせられる。樹脂材料２８は、モールド２９の表面に規定されるナノパターン３１の形状に倣う。こうしたインプリント処理のたびにモールド２９の画像が撮影される。例えばモールド２９の表面に異物が付着すると、モールド２９および樹脂材料２８の間では異物の周囲に空気が溜まる。異物の周囲に空間が形成される。こういった空間は異物を拡大する。したがって、異物３２は画像上で簡単に検出される。こうした画像と基準画像とが比較されると、モールド２９の汚染は簡単に検出される。インプリント装置は常に清浄度の高いモールド２９を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】電極の接合性に優れている半導体発光素子、その製造方法およびランプを提供する。
【解決手段】基板１０１と、積層半導体層２０と、積層半導体層２０の上面１０６ｃに形成された一方の電極１１１と、積層半導体層２０の一部が切り欠けられてなる半導体層露出面１０４ｃ上に形成された他方の電極１０８とを具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１が、底面に積層半導体層２０の上面１０６ｃの露出された穴部を有する透明電極１０９と、穴部の底面上および内壁上に形成された接合層１１０と、接合層１１０を覆うように形成されたボンディングパッド電極１２０とを備える半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】異常報知手段の動作の一時停止やその解除を自動的に行うことができる、寝床上の被験者の情報検出システムを提供する。
【解決手段】システム１は、寝床２１上の被験者３０の状態に関する情報を検出する情報検出手段２と、情報検出手段２により検出された検出情報に基づいて被験者３０の状態が異常状態であるか否かを判定する判定手段６と、判定手段６により被験者３０の状態が異常状態であると判定された場合、その旨の情報を報知する異常報知手段１０と、被験者３０に対する介護従事者３１又は医療従事者に携帯される被検知体１５と、被検知体１５が所定の検知領域内にある場合に被検知体１５を検知する検知手段８と、検知手段８の検知結果に基づいて異常報知手段１０の動作を一時停止させる一時停止手段９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の評価に対する迅速性及び正確性を高めた磁気記録媒体の評価方法を提供する。
【解決手段】磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の評価方法であって、評価対象となる磁気記録媒体を所定の回転数で回転させる工程と、磁気記録媒体に対する信号の記録再生を行う磁気ヘッドが先端部に取り付けられた支持アームを、磁気記録媒体の半径方向に移動させながら、磁気ヘッドを磁気記録媒体の面上に位置決めする工程と、磁気ヘッドを用いて磁気記録パターンからの信号の再生を行う工程と、再生信号を用いて磁気記録媒体の面上における磁気ヘッドの位置を特定する工程と、磁気ヘッドの特定位置における磁気記録パターンの評価を行う工程とを含む。 （もっと読む）