説明

信越化学工業株式会社により出願された特許

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【解決手段】下記一般式(1)
CH2=CH−R1 (1)
(式中、R1はノルボルネニル基を除く炭素数1〜18の非置換又は置換の1価炭化水素基、1価複素環含有基、オルガノキシシリル基又はオルガノシロキサニル基である。)
で示される不飽和結合含有化合物と下記一般式(2)
HSiR2n(OR33-n (2)
(式中、R2は炭素数1〜10の非置換又は置換の1価炭化水素基である。R3は炭素数1〜10の非置換又は置換の1価炭化水素基である。nは0〜2の整数である。)
で示されるハイドロジェンオルガノキシシラン化合物を無機酸のアンモニウム塩存在下に白金化合物含有触媒を用いてヒドロシリル化することを特徴とするオルガノキシシラン化合物の製造方法。
【効果】本発明の製造方法によれば、目的とするオルガノキシシラン化合物を反応性と位置選択性が高く、効率よく製造することができる。 (もっと読む)


【課題】保存安定性に優れ、室温でも優れた接着性を発現する、エラストマー状硬化物(シリコーンゴム硬化物)を与える付加硬化型シリコーン接着剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)付加反応触媒、
(D)ゼオライト、
(E)有機チタニウム化合物及び有機ジルコニウム化合物から選ばれる少なくとも1種
を含むことを特徴とする付加硬化型シリコーン接着剤組成物。 (もっと読む)


【解決手段】5−ビニル−2−ノルボルネンに下記一般式(1)
HSiR1n(OR23-n (1)
(R1は炭素数1〜10の非置換又は置換の1価炭化水素基又はシロキシ基。R2は炭素数1〜10の非置換又は置換の1価炭化水素基又はシリル基。R1とR2は各々同一又は異なってもよい。nは0〜2の整数。)
で示されるハイドロジェンオルガノキシシラン又はシロキシ化合物を、アンモニウム塩存在下に白金化合物含有触媒を用いてヒドロシリル化する下記一般式(2)


(R1、R2、nは上記の通り。)
で示されるオルガノキシシリル基又シロキシ基含有エチルノルボルネン化合物の製造方法。
【効果】本発明によれば、アンモニウム塩存在下に5−ビニル−2−ノルボルネンとハイドロジェンオルガノキシシラン又はシロキシ化合物を反応することで、目的とするオルガノキシシリル基又はシロキシ基含有エチルノルボルネン化合物を、高い反応性・選択性で、効率よく製造できる。 (もっと読む)


【課題】ペリクルをフォトマスクに貼り付けるに際して圧力を掛けても、マスク接着剤4がペリクルの内方にはみ出さないようにマスク接着剤の成形形状を調整したリソグラフィ用ペリクルを提供する。
【解決手段】ペリクル膜3、ペリクル膜を展張するためのペリクルフレーム1、ペリクルフレームの一端面に形成しペリクル膜を接着するための膜接着剤2、膜接着剤と反対側の一端面に形成してなるフォトマスク接着用粘着剤4とからなり、前記フォトマスク接着用粘着剤4の断面形状が矩形ないしは台形であり、かつ、その側壁面がフレーム面となす角αが90°以下である。 (もっと読む)


【解決手段】透明基板と、透明基板上に設けられ、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜と、光学膜を精密加工するためのハードマスク膜とを有するフォトマスクブランクであって、ハードマスク膜がクロム系材料からなる多層膜であり、多層膜が、光学膜と接して設けられ、酸素を20〜60原子%含有するクロム系材料からなり、厚さ0.5nm以上5.0nm未満である第1層と、第1層に接して設けられ、クロムを50原子%以上含有し、第1層よりも酸素含有率が低いクロム系材料からなる第2層を有し、ハードマスク膜の全体の厚さが2.0nm以上10nm未満であるフォトマスクブランク。
【効果】ハードマスク膜のフッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性を向上させることができ、より薄いハードマスク膜を用いた場合にも、ハードマスクパターンにより加工される遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜の高精度な加工が可能となる。 (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して1〜30質量%であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】透明で水不溶性部分が少ない非イオン性水溶性セルロースエーテルの製造方法を提供する。
【解決手段】シート状パルプをシート状のまま又はチップ状とした後に乾燥する工程と、乾燥したパルプをアルカリ金属水酸化物溶液と接触させてアルカリセルロースを得る接触工程と、上記アルカリセルロースを脱液する脱液工程と、脱液されアルカリセルロースとエーテル化剤と反応させる工程とを少なくとも含む非イオン性水溶性セルロースエーテルの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】硬化物の変色が抑制され、反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】銀メッキされた銅製のリードフレーム6に接続された光半導体素子3を、付加硬化型シリコーン樹脂組成物7で封止した光半導体装置1−1であって、前記付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、(A)アリール基及びアルケニル基を含有し、エポキシ基を含有しないオルガノポリシロキサン、(B)一分子中にヒドロシリル基(SiH基)を少なくとも2個有し、かつアリール基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、HRSiO0.5単位を構成単位のうち30モル%以上含むオルガノハイドロジェンポリシロキサン:前記成分(A)中のアルケニル基に対する前記成分(B)中のヒドロシリル基のモル比が0.70〜1.00となる量、及び(C)ヒドロシリル化触媒:触媒量を含有するものであることを特徴とする光半導体装置。 (もっと読む)


【課題】金属、特に金属被覆鋼材用として最適であり、クロムを含まず、塗料などのコーティングの前処理として、優れた加工性、密着性、耐食性を付与することができるノンクロメート金属表面処理剤、該処理剤により表面処理された表面処理鋼材及びその表面処理方法、並びにその上に上層被膜を有する塗装鋼材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】配位性官能基を含有するシランカップリング剤必須成分とし、これを水及び/又は有機溶媒に溶解してなることを特徴とする金属表面処理剤。 (もっと読む)


【課題】ガス透過膜を用いた空調システムにおいて、ガス透過膜における大気中の浮遊物質の遮断性能および気体透過性能を保ちつつ圧力などの外部応力に対する耐久性を向上させる空調システムを提供する。
【解決手段】空調対象空間への気体の供給及び/又は空調対象空間からの気体の排出が透過膜13を通して行われる空調システムにおける透過膜として、環状オレフィン官能性シロキサン、該環状オレフィン官能性シロキサンと、環状オレフィン化合物とを付加重合することにより得られ、環状オレフィン官能性シロキサンに由来する構造単位の割合が、付加重合体中5〜100モル%であり、テトラヒドロフランを溶媒とするGPCで測定されるポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)が10,000〜2,000,000である環状オレフィン付加重合体によって形成されている非対称膜を用いる。 (もっと読む)


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