【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】
含フッ素（α置換）アクリル化合物を含有する硬化性組成物の硬化方法であり、表面特性に優れた塗膜を形成する事ができる硬化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、含フッ素（α置換）アクリル化合物を含む硬化性組成物を硬化する方法において、
（ii）該組成物を５０℃以上の温度で加熱する工程、そして
（iv）不活性ガス雰囲気下で紫外線を照射して該組成物を硬化する工程を含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性及び耐光性の硬化物を与える熱硬化性樹脂組成物及び該組成物を用いて成形したプレモールドパッケージを提供する。
【解決手段】 下記成分（Ａ）〜（Ｅ）を含む熱硬化性の樹脂組成物
（Ａ）一分子中に少なくとも１個のエポキシ基を有するイソシアヌル酸誘導体 １００質量部
（Ｂ）一分子中に少なくとも１個のエポキシ基を有するシリコーン樹脂
１０〜１，０００質量部
（Ｃ）酸無水物硬化剤
［（Ａ）成分と（Ｂ）成分中のエポキシ基の合計当量数／（Ｃ）成分中のカルボキシル基の当量数］が０．６〜２．２となる量
（Ｄ）硬化促進剤 成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の合計１００質量部に対して、０．０５〜５質量部
（Ｅ）無機質充填剤 成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の合計１００質量部に対して、２００〜１０００質量部。 （もっと読む）

【課題】室温硬化性フルオロポリエーテル系ゴム組成物を調製する際の、両末端にエステル構造を有するパーフルオロポリエーテルポリマーと無機充填剤との混合物を主成分とする、粘度を低下させ、吐出性及び混合作業性を向上させたフルオロポリエーテル系組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）１分子中に少なくとも２個のエステル基を有し、かつ主鎖中に２価のパーフルオロアルキルエーテル構造を有する数平均分子量３，０００〜１００，０００である直鎖状フルオロポリエーテル化合物：１００質量部、
（ｂ）１分子中にカルボン酸塩を少なくとも１個含有し、かつ主鎖中に炭素数４以上のパーフルオロアルキルもしくはアルキレン構造又は１価もしくは２価のパーフルオロアルキルエーテル構造を有する数平均分子量２００〜３０，０００である化合物：０．１〜５０質量部、
（ｃ）無機充填剤：０．５〜３００質量部
を含有してなるフルオロポリエーテル系組成物。 （もっと読む）

【課題】凝集性が少なく、分散性及び経時安定性に優れた粉体を与える粉体処理剤、該粉体処理剤で処理された処理粉体、該処理粉体を油剤に分散してなる油中粉体分散物を提供する。
【解決手段】主鎖を構成するオルガノポリシロキサンセグメントのケイ素原子の少なくとも一つに、下記一般式（１）で表されるグリセロール基含有置換基が結合してなるグリセロール基含有オルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とする粉体処理剤。


（上記一般式（１）中、Ｚは下記一般式（２）で表される有機基を示す。）
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【解決手段】外径が８０〜２００ｍｍ、厚みが０．１〜１．０ｍｍで、内穴の直径が３０〜８０ｍｍの寸法を有する超硬合金製のドーナツ状穴あき円形薄板からなる台板の外周部に、ヤング率が０．７×１０¹¹〜４．０×１０¹¹Ｐａ、かつビッカース硬度が１００〜５２８の金属結合材を用いてダイヤモンド砥粒、ｃＢＮ砥粒又はダイヤモンド砥粒とｃＢＮ砥粒との混合砥粒を保持させると共に、該砥粒と金属結合材とからなる切り刃部の厚みが上記台板厚みより０．０１ｍｍ以上厚いことを特徴とする外周切断刃。
【効果】本発明で提供される外周刃を用いることで、切断精度が高く、切断加工代の少ない切断を実施することが可能となり、加工歩留まりの向上と加工の低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導特性に優れた材料が、均一に分散した硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及びその製造する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を１分子中に２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｃ）融点が０〜７０℃のガリウム及び／又はその合金、（Ｄ）平均粒径が０．１〜１００μｍの熱伝導性充填剤、（Ｅ）白金系触媒、及び（Ｇ）下記一般式（１）


（式中、Ｒ¹は同一もしくは異種の一価の炭化水素基であり、Ｒ²はアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基又はアシル基であり、ａは５〜１００の整数であり、ｂは１〜３の整数である。）で表されるポリシロキサンを含むグリース状又はペースト状の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示される置換又は非置換のナフトール基を有するトルクセン化合物を含有するものであることを特徴とするレジスト下層膜形成材料。


（一般式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、及びＲ^１２は、水素原子等であり、Ｒ^２、Ｒ^５、及びＲ^８は、酸不安定基等であり、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^９は、炭素数６〜２０のアリール基等である。） （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 良好な透明性を有する硬化物を与える光半導体封止用硬化性組成物、及び該光半導体封止用硬化性組成物を硬化して得られる硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）直鎖状ポリフルオロ化合物、（Ｂ）SiH基及び含フッ素有機基を有する環状オルガノシロキサン、（Ｃ）白金族金属系触媒、（Ｄ）SiH基、含フッ素有機基及びエポキシ基を有する環状オルガノシロキサン、（Ｅ）SiH基、含フッ素有機基及び環状無水カルボン酸残基を有する環状オルガノシロキサンを含有する光半導体封止用硬化性組成物。 （もっと読む）