【課題】シリカヒドロゾル形成時に、酸触媒、及び場合により極性水溶性有機化合物を使用せず、有機珪素封止化合物でシリカヒドロゾルを封止することにより、廃棄物が少なく、効率よく、所定の構造を持つＭＱレジンを得る製造方法、及びそれにより得られるシリコーン樹脂を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの流路を有し、各流路の断面積がそれぞれ１０ｍｍ²以下であるマイクロリアクター装置を用いたシリコーン樹脂の製造方法であって、一方の流路より水ガラス水溶液を、もう一方の流路より水と混合したときに酸を発生する有機珪素化合物と、炭化水素系溶剤及び／又は極性水溶性有機化合物との混合物をマイクロリアクター中に導入し、酸触媒を用いずに、該マイクロリアクター中で混合しながら連続的に反応を行い、シリコーン樹脂を得ることを特徴とするシリコーン樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 良好な透明性を有する硬化物を与える光半導体封止用硬化性組成物、及び該光半導体封止用硬化性組成物を硬化して得られる硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）直鎖状ポリフルオロ化合物、（Ｂ）SiH基及び含フッ素有機基を有する環状オルガノシロキサン、（Ｃ）白金族金属系触媒、（Ｄ）SiH基、含フッ素有機基及びエポキシ基を有する環状オルガノシロキサン、（Ｅ）SiH基、含フッ素有機基及び環状無水カルボン酸残基を有する環状オルガノシロキサンを含有する光半導体封止用硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの反り及び変形を抑制することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハをドナーウェーハとして用い、前記シリコンウェーハの表面と、ハンドルウェーハの表面とを貼り合わせて貼り合わせウェーハを得る工程と、前記貼り合わせ後に、前記シリコンウェーハの一部からなるシリコン薄膜を剥離して前記ハンドルウェーハ上に転写する剥離工程とを少なくとも含むＳＯＩウェーハの製造方法であって、前記貼り合わせる工程が、前記シリコンウェーハ又は前記ハンドルウェーハのうちどちらか一方のウェーハを加熱器具の上面に載置することによって１００〜４００℃に加熱し、他方のウェーハを前記一方のウェーハから一定の間隔をおいて接触させずに該一方のウェーハの上方で保持し、前記載置されたウェーハと前記保持されたウェーハの温度差が５０℃以下となったときに、該載置されたウェーハの表面と該保持されたウェーハの表面とを貼り合わせるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、スルホン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤と、カルボン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
【効果】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基をアセタール保護した繰り返し単位を含む高分子化合物と、高エネルギー線でスルホン酸を発生する化合物及びカルボン酸を発生する化合物を含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴と、ナノエッジラフネスを低減する特徴を有し、このことにより微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することを可能とする。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び／又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び／又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と酸発生剤を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】仮接着材としての使用に耐える特性を有する仮接着材組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表される環状オレフィン官能性シロキサンの付加重合か、又は環状オレフィン官能性シロキサンと下記式（１）のシロキサンを有さない環状オレフィン化合物との付加重合のいずれかにより得られる付加重合体であって、下記式（１）に由来する構造単位の割合が前記付加重合体中５〜１００モル％であり、ＴＨＦを溶媒とするＧＰＣで測定されるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）が１０，０００〜２，０００，０００であるシロキサン環状オレフィン付加重合体と、（Ｂ）炭化水素系有機溶剤とを含むものであることを特徴とする仮接着材組成物。
（もっと読む）

【課題】 電気・電子部品及びこれらを搭載した回路基板を含むモジュール内に充填可能で、かつ硬化後には、優れた熱伝導性と部材に発生する変位を吸収できるシリコーン組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）Ｒ_ａＲ^１_ｂＳｉＯ_{（４−ａ−ｂ）／２}で表され、珪素原子結合アルケニル基を１分子中に１個以上有するポリシロキサン、（Ｂ）（ＨＲ^２_２ＳｉＯ_１／２）_ｃ（Ｒ^３_３ＳｉＯ_１／２）_ｄ（Ｒ^４_２ＳｉＯ）_ｅ（Ｒ^５ＳｉＯ_３／２）_ｆで示され、分子鎖末端Ｓｉ−Ｈを３個以上有し、かつ、１個以上の（Ｒ^５ＳｉＯ_３／２）単位を有する分岐状ポリシロキサン、（Ｃ）Ｒ^６_ｇＨ_ｈＳｉＯ_{（４−ｇ−ｈ）／２}で表され、Ｓｉ−Ｈを２個以上有するポリシロキサン、（Ｄ）熱伝導性充填剤、（Ｅ）白金系金属触媒を含有し、硬化物のアスカＣ硬度が１〜１００であることを特徴とする熱伝導性シリコーンゴム組成物。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


（式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁶はフッ素化１価炭化水素基を示す。）
【効果】本発明により、高撥水性かつ高滑水性の含フッ素環状アセタールを含む繰り返し単位を有するレジスト保護膜材料が提供される。 （もっと読む）