説明

住友電気工業株式会社により出願された特許

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【課題】ヒューズ交換を容易に行うことができる配線モジュールを提供する。
【解決手段】正極の電極端子12A及び負極の電極端子12Bを有する複数の単電池11が並べられてなる単電池群13に取り付けられる配線モジュール20であって、電極端子12A,12Bに電気的に接続されて単電池11の状態を検知する検知端子21と、検知端子21が保持される合成樹脂製の樹脂プロテクタ28と、検知端子21に接続された検知電線Wと、樹脂プロテクタ28に備えられると共に検知電線Wに電気的に接続されるヒューズ52が着脱可能に装着されるヒューズブロック50と、を備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチング周波数が高くても、適切にトランジスタの保護を行うことが可能なトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路10は、駆動回路30によって電源40の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ20の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路10は、トランジスタ20の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源40の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部12を備える。 (もっと読む)


【課題】三層を一度に溶着することが可能なレーザ溶着方法および積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に従ったレーザ溶着方法は、樹脂を含むフレーム部1にCO2レーザを照射することでフレーム部の透過率を調整する工程と、フレーム部を、樹脂を含む天板および底板ではさんでフレーム部にレーザを照射することにより、これらを溶着する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットをスライスすることより得られる炭化珪素基板、ならびにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、(0001)面に対してオフ角が1°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板1を準備する工程と、ベース基板1の表面4上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を10℃/cm以下とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面9について中央部を含むほぼ全面がファセット面5になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面5となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】超硬合金スクラップを活用しても、強度と靭性の両特性がバランスよく両立できる超硬合金とその製造方法およびそれで形成された工具を提供する。
【解決手段】表面層および内層の少なくとも二層のWC基超硬合金層が積層された積層構造型超硬合金であって、内層のAl含有率が表面層のAl含有率よりも高く、前記表面層の厚さが50μm以上1500μm以下であることを特徴とする積層構造型超硬合金、それを用いた切削用工具、金型用工具などの工具、超硬合金スクラップから得られる超硬のリサイクル粉末を用いて超硬合金を製造する方法である。 (もっと読む)


【課題】絶縁層を低誘電率化してコロナ放電開始電圧を高くできると共に、耐溶接性に優れる絶縁電線、及びそれを用いた電機コイル、モータを提供する。
【解決手段】導体3及び該導体を被覆する第1の絶縁層1及び該第1の絶縁層を被覆する第2の絶縁層2を有する絶縁電線であって、前記第1の絶縁層は4、4’−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸二無水物とを反応して得られる第1のポリイミド前駆体を主成分とする第1のポリイミド樹脂ワニスを塗布、焼き付けして形成されたものであり、前記第2の絶縁層は、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とを反応して得られ、イミド化後のイミド基濃度が33.0%未満である第2のポリイミド前駆体を主成分とするポリイミド樹脂ワニスを塗布、焼き付けして形成されたものである絶縁電線。 (もっと読む)


【課題】絶縁層を低誘電率化してコロナ放電開始電圧を高くできると共に、耐溶接性及び耐加工性に優れる絶縁電線、及びそれを用いた電機コイル、モータを提供する。
【解決手段】導体及び該導体を被覆する2層以上の絶縁層を有する絶縁電線であって、前記絶縁層の最も外側にある第1の絶縁層は、4、4’−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸二無水物とを反応して得られる第1のポリイミド前駆体を主成分とする第1のポリイミド樹脂ワニスを1回塗布、焼き付けして形成されたものであり、前記最外層に接する第2の絶縁層は、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とを反応して得られ、イミド化後のイミド基濃度が33.0%未満である第2のポリイミド前駆体を主成分とするポリイミド樹脂ワニスを複数回塗布、焼き付けして形成されたものである絶縁電線。 (もっと読む)


【課題】過電流保護機能を確保しつつ、コネクタ全体の小型化およびコストダウンを図る。
【解決手段】本発明は、過電流保護機能を有した端子金具11であって、溶断部21が設けられた端子本体20と、芯線31が絶縁被覆32によって覆われてなる電線30と、溶断部21の先端部21Bを芯線31の内部に挿入した状態で端子本体20と電線30とを接続させるかしめリング40と、溶断部21を保護する熱収縮チューブ50とを備えた構成としたところに特徴を有する。 (もっと読む)


【課題】過電流保護機能を有した端子金具において低コスト化と小型化を実現する。
【解決手段】本発明は、エレメント41が設けられた端子本体TBと、エレメント41に接する消弧砂44と、ガラス繊維からなり、消弧砂44を内部に収容するガラススリーブ45と、ガラススリーブ45を弾性的に覆うことで消弧砂44とエレメント41を接触させるようにガラススリーブ45を加圧する熱収縮チューブ46とを備えた構成としたから、熱収縮チューブ46によって消弧砂44とエレメント41が接触状態に保持されるから、消弧砂44の粒径や形状を最適化したり、消弧砂44の充填率を高めるべく振動を加える必要がなく、低コスト化が可能になる。また、耐熱性のガラス繊維からなるガラススリーブ45によって消弧砂44をガラススリーブ45の内部に収容しているため、ガラスやセラミックなどを用いて消弧砂44を収容するよりも端子金具10を小型化できる。 (もっと読む)


【課題】2軸結晶配向したCu層上にNi又はNi合金を成膜する方法として、めっきによる方法が知られている。結晶配向性の高いNi層を生成するには、一般に低電流密度(1〜4A/dm)でめっきを行う必要があるが、低電流密度ではめっき処理に要する時間が長くなって生産性が低下し、特に、長尺の金属基板をリールtoリールで生産する場合には、積層材である金属基板の過熱が起こり得るという問題点があった。そのため、結晶配向性を保持しつつ、電流密度を上げて生産効率を向上させることができる作製条件の確立が望まれていた。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のエピタキシャル成長用基板は、2軸結晶配向したCu層と、前記Cu層上に設けられた保護層とを有するエピタキシャル成長用基板であって、前記保護層のめっき歪εが15×10−6以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


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