説明

ソニー株式会社により出願された特許

1,021 - 1,030 / 34,172


【課題】燃料の消費に起因する電池性能の劣化を容易に判断可能なバイオ燃料電池を提供する。
【解決手段】収容容器内に、表面に酸化還元酵素が存在する電極を備えた発電部が設けられているバイオ燃料電池に、燃料溶液のpH変化を色変化により検出するpH検出部を設け、更に、収容容器の少なくとも検出部が見える位置を透明又は半透明とする。pH検出部としては、例えば燃料溶液内にpH試験紙を配置したり、燃料溶液にpH指示薬を添加したりすることができる。 (もっと読む)


【課題】2以上の電極を直列接続して高出力化を実現し得る電力供給装置であって、各電極に対する燃料供給を同時に行うことが可能で、燃料供給後にそのままの状態で発電が可能な構造を有する電力供給装置を提供すること。
【解決手段】負極又は正極の少なくとも一方の電極上に触媒として酵素が固定化された電力供給装置であって、少なくとも2以上の前記負極及び前記正極が直列接続された起電部と、前記負極間を連通し、前記2以上の負極に燃料を同時に供給する燃料供給部と、を少なくとも備え、前記燃料供給部には、前記負極への燃料供給を調節する燃料供給調節部が備えられた電力供給装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 構造の簡素化を確保した上で動作の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 電子機器の筐体に形成されたキー配置孔に一部が挿入されて配置され操作
時に初期位置を基準として所定の方向へ移動可能とされたキートップと、キートップに取
り付けられた可動側マグネットと、可動側マグネットに対向した状態で固定され可動側マ
グネットとの間で発生する吸着力によってキートップに対して初期位置に移動させる方向
への力を付与する磁性体と、可動側マグネットによって発生する磁界によりキートップの
移動状態を検出するホール素子と、ホール素子が搭載された回路基板とを設けた。 (もっと読む)


【課題】2枚の基板の貼り合わせによって電極間接合がなされた構成において、電極材料の拡散を防止しつつも貼り合わせ強度が確保され、これによって信頼性の向上が図られた三次元構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】第1電極33、および第1電極33の拡散防止材料で構成され第1電極33の周囲を覆う第1絶縁膜35を含むと共に、第1電極33と第1絶縁膜35とで貼合せ面41が構成された第1基板2と、第1基板2に貼り合わせて設けられ、第1電極33に接合された第2電極67、および第2電極67の拡散防止材料で構成され第2電極67の周囲を覆う第2絶縁膜69を含むと共に、第2電極67と第2絶縁膜69とで第1基板2に対する貼合せ面71が構成された第2基板7とを備えた。 (もっと読む)


【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、1または複数の第1開口部を有する基板と、この基板の一主面側に設けられると共に、各第1開口部と対向して1または複数の第2開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第1開口部および第2開口部を順に通過することにより、第2開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第2開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 (もっと読む)


【課題】入射光の反射防止のための微細凹凸構造を画素毎に作り分けるに際し、半導体基板にダメージを与えることなく、低コストで高い信頼性と再現性を得る。
【解決手段】単結晶からなる半導体基板の表面に、半導体基板に対してエッチング選択比を有する保護膜を形成する第1の工程と、保護膜上に、所定のピッチで配置されるドット形状のレジストパターンを形成する第2の工程と、第2の工程により形成されたレジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより、保護膜を選択的に除去する第3の工程と、第3の工程により選択的に除去された後に残存する保護膜をマスクとするウェットエッチングにより、半導体基板をエッチング加工することで、半導体基板の表面に所定のピッチで配列される凹凸構造を形成する第4の工程と、第4の工程により凹凸構造を形成した後、半導体基板上に残存する保護膜を除去する第5の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】書込電流と熱安定性をバランスさせた記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる磁化を有する磁化固定層と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有する。そして記憶層、絶縁層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに、記憶層のサイズが磁化の向きの変化が一斉に生じる大きさよりも小さくなっている。 (もっと読む)


【課題】高画質な画像を取得することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部21と電荷保持部23との間の、第1転送ゲート22により制御可能な第1転送経路150と、光電変換部21と電荷保持部23との間の、第1転送ゲート22により制御されない第2転送経路140とを備える。空乏状態において、第1転送経路150の電位は、第2転送経路140より低い電位で、かつ、光電変換部21及び電荷保持部23からみた第1転送経路150及び第2転送経路140以外の障壁より高い電位である。 (もっと読む)


【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジをより拡張することができるようにする。
【解決手段】
画素は、受光した光に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、所定の容量を有し、フォトダイオードから転送されてくる電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの容量に付加される付加容量と、フローティングディフュージョンと付加容量との接続を切り替える薄膜トランジスタとを備える。そして、付加容量および薄膜トランジスタは、フォトダイオードが形成されるシリコン基板から層間絶縁膜を介して配置される配線層中に形成される。本技術は、例えば、撮像装置に適用できる。 (もっと読む)


1,021 - 1,030 / 34,172