説明

セイコーインスツル株式会社により出願された特許

891 - 900 / 3,629


【課題】電池保護ICの端子数を少なくできる電池パックを提供する。
【解決手段】電池15が過放電状態になる場合、電池パック10の温度スイッチIC12は、電池保護IC11の通信用の端子の電圧をモニタせず、外部接続用端子EB−に設けられる電圧モニタ端子VM2の電圧をモニタすることにより、シャットダウンする。よって、電池パック10の電池保護IC11は、温度スイッチIC12との通信用の新たな端子を必要としない。 (もっと読む)


【課題】水素発生物質を反応室の雰囲気から遮断すると共に、水素を発生させた際には必要な水素を反応室に流通させる。
【解決手段】フィルム状の弾性膜8により水素発生物質5を反応室3の雰囲気から遮断すると共に、水素の発生に伴う発生圧力の上昇により弾性膜8を破壊させ、未使用の水素発生物質5と反応室3の雰囲気中に存在する水(水蒸気)との接触をなくし、不測の混合による水素発生を防止し、必要な時に水素を反応室3に流通させる。 (もっと読む)


【課題】温度保護を容易に実施できる電池パックを提供する。
【解決手段】電池保護IC11に電池パック10の温度保護のための端子が存在してもしなくても、N型FET15及び抵抗17によって電池パック10は温度保護を実施できるので、この端子の存在に電池パック10の温度保護の実施は関係しない。よって、電池パック10は温度保護を容易に実施できる。 (もっと読む)


【課題】本体ユニットと着脱ユニットとの確実な組み合わせと、着脱ユニットのスムーズな着脱操作と、を行うことができるうえ、小型化を図り易く、着脱操作時に指先への干渉を抑制でき安全性を高めること。
【解決手段】対向壁62を有する本体ユニット10と、本体ユニットに対して着脱自在に組み合わされる着脱ユニット11と、を備え、着脱ユニットには、プラテンローラ5のプラテン軸に対して非同軸で且つ平行な軸線に沿って突出した係合ピン50と、係合ピンに対して相対移動可能とされたロックピン51と、が設けられ、対向壁には、係合ピン及びロックピンが離脱可能に嵌め込まれる第1の凹部65及び第2の凹部66と、が形成され、係合ピンは、ロックピンが第2の凹部内に嵌め込まれているときに第1の凹部内から離脱不能とされていると共にロックピンが第2の凹部内から離脱した後に第1の凹部内から離脱可能とされているプリンタを提供する。 (もっと読む)


【課題】クラックなどを生じさせずに平坦度の高い形状精度に優れた貫通電極付きのベース基板を容易に製造する。
【解決手段】ベース基板用ウェハ41の一方の表面41aにベース基板用ウェハ41を貫通しない挿入孔55、56を形成する挿入孔形成工程と、挿入孔55、56に金属材料からなる導電性の芯材部31を挿入する芯材部挿入工程と、ベース基板用ウェハ41の一方の表面41a側を受型62で保持するとともにベース基板用ウェハ41の他方の表面41bを平坦な加圧型63で押圧しつつ、ベース基板用ウェハ41をガラス材料の軟化点より高温に加熱してベース基板用ウェハ41を芯材部31に溶着させる溶着工程と、ベース基板用ウェハ41を冷却する冷却工程と、ベース基板用ウェハ41の両面を研磨する研磨工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 占有面積の増加もなく、十分なESD保護機能を持たせたESD保護用のN型のMOSトランジスタを有する半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 絶縁膜が埋め込まれたトレンチ素子分離領域と、凹部に周囲をゲート絶縁膜で覆われたゲート電極が埋め込まれたトレンチチャネル領域と、絶縁膜が埋め込まれた凹部の周囲を濃いN型の拡散層で覆ったトレンチドレイン領域とが形成されており、ESD保護用のN型MOSトランジスタのチャネル領域には、トレンチチャネル領域が形成され、なおかつESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域には、トレンチドレイン領域が形成されている。 (もっと読む)


【課題】簡便な回路で複数の容量を測定することが可能なCV変換回路を提供する。
【解決手段】反転入力端子が出力端子に接続された演算増幅器1と、抵抗9と、第一の容量2Aと、第二の容量2Bと、第三の容量3Aと、第四の容量3Bと、を有するCV変換回路において、第一の容量2Aは、第一の信号電圧源4に接続され、インバータ6の入力は第一の信号電圧源4に接続されており、そのインバータ6の出力は、第二の容量2Bの接続され、第三の容量3Aは、第二の信号電圧源5に接続され、インバータ7の入力は第二の信号電圧源5に接続されており、そのインバータ7の出力は、第四の容量3Bに接続され、第一の信号電圧源4と、第二の信号電圧源5が、時分割的に信号パルスを発生するとともに、信号パルスに同期して検波する。 (もっと読む)


【課題】 占有面積の大きな増加なく、十分なESD保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するESD保護素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護素子を有する半導体装置において、ESD保護素子は、中央に外部接続端子からの信号を受けるN型の領域が配置され、外部接続端子からの信号を受けるN型の領域の側面ならびに底面を囲むようにP型の領域が配置され、P型の領域の側面および底面を囲むように埋め込みN型の領域が配置され、埋め込みN型の領域の周囲にP型の基板端子領域が配置され、P型の基板端子領域の周囲にトレンチ分離領域が配置された半導体装置とした。 (もっと読む)


【課題】 ウエハレベルで組立て可能な薄型CSPを提供する。
【解決手段】 ウエハ裏面側に、スクライブライン上の特定箇所に形成したスルーホールの側面を利用して,ウエハ表裏間の電気接合を取り、基板実装用の電極を配置する。そしてスルーホールは半導体基板のスクライブライン上をハーフエッチングした凹部を、バックグラインドを用いて裏面研磨することで形成する。 (もっと読む)


【課題】ムーブメントの構成が簡単であって、日付表示が大きくて見やすいカレンダ機構付き時計を提供する。
【解決手段】本発明のカレンダ機構付き時計は、一の位を表示する第一日車512と、第一日ジャンパ514と、十の位を表示することができ、単独で1桁の日付を表示する第二日車522と、第二日ジャンパ524とを備える。第一日文字表示面512fには、日付のうちの一の位を表示する数字が設けられる。第二日文字表示面522fには、単独で1桁の日付を表示する数字が設けられ、かつ、十の位だけを表示する数字が設けられる。第二日車522には窓部が形成される。第二日文字表示面522fは、第一日文字表示面512fよりも文字板404に近い位置に配置される。 (もっと読む)


891 - 900 / 3,629