【課題】熱容量の大きな厚いシリコンウエハなどの基板において不純物の活性化処理などの熱処理をレーザアニールにより効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】基板３０表面を熱処理するレーザアニール装置１であって、立ち上がり時間が緩やかでパルス幅の長いパルスレーザを発生するパルス発振レーザ光源１０と、アニールをアシストする近赤外レーザを発生する連続発振レーザ光源２０と、前記２種類のレーザのビーム１５、２５をそれぞれ整形して前記基板３０表面に照射するべく導く光学系１２、２２と、前記基板３０と前記レーザビーム１５、２５を相対的に移動させて前記２種類のレーザビームの複合照射の走査を可能にする移動装置３を備え、光侵入長と熱拡散長を十分に確保して熱容量の大きな厚い半導体基板における不純物を深くまで活性化できる。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素を発生させることなく低級炭化水素の直接分解プロセスを実行することを可能にする。
【解決手段】低級炭化水素の直接分解プロセスシステムとして、低級炭化水素を導入して、触媒によって水素と炭素に分解反応させ、生成された水素および残ガスを取り出す反応管１と、水素を燃焼ガスとして前記反応管を加熱する加熱手段１３と、前記生成水素を前記加熱手段に供給する供給路１１と、前記供給路に設けられた流量調整器１２とを備える。水素と炭素に分解反応させる際に、反応で生成した水素を燃料として燃焼させ、その燃焼熱を前記反応に利用することで、外部からの熱供給を必要としないでエネルギー的に自立したプロセスを二酸化炭素を発生させることなく実行できる。 （もっと読む）

【課題】耐久性を低下させることなく高い温調能力を有するシート成形用ロールを提供する。また、外セルの内面に溝を設けてセルの柔軟性が溝方向で異なる成形ロールを得る。
【解決手段】シートを加圧成形するための円筒状の外セルと、外セルの内部に該外セルの内径よりも小さい外径を有する内セルと、を備える。外セルが、該外セルと内セルとの間の空間を回流する温調液によって温調されるシート成形用ロールにおいて、外セルの内周面に凹部または凸部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】成形品の着磁の良否判定を可能とするとともに、射出待機時間を容易に設定可能な射出制御システムおよび射出制御方法を提供する。
【解決手段】所望の着磁が行える電流値である目標電流値Ｉ_Tを設定する。目標電流値Ｉ_Tに達するまでに許容される最長時間である上限設定時間ｔ_Hを設定する。設定された下限設定時間ｔ_Lを経過した後の時間となるように射出待機時間ｔ_Wを設定する。設定された上限設定時間ｔ_Hと、実時間ｔ_Rとを比較し、実時間ｔ_Rが上限設定時間ｔ_Hよりも短い場合は着磁良好と判定し、実時間ｔ_Rが上限設定時間ｔ_Hよりも長い場合は着磁不良と判定する。 （もっと読む）

【課題】強度、耐熱性又は光学特性に優れた微細構造を有する積層体、または、微細構造体内の機械的歪や残留応力の少ない、あるいはガスバリヤ性能や水蒸気バリヤ性能に優れた微細構造を有する積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】微細構造を有する下金型１０と平面部又は微細構造を有する上金型２０を用い、所定温度に保持された下金型１０の上面に、溶融樹脂４５を所定厚さにつぎつぎに塗り重ねた後、その塗り重ねた多層の溶融樹脂４５の上面から上金型２０を押しつけることにより、各層の境界部が接着剤層を含まずに融着され表面又は表と裏の両面に微細構造１６が転写成形された積層体４０を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の不純物を活性化させる際に、表面に荒れを生じさせることなく効果的に不純物の活性化を行うことを可能にする。
【解決手段】半導体基板の、不純物を含む表層部に、波長３９０ｎｍ以下の高調波レーザビームを照射し、前記不純物を活性化させるので、波長４００〜６５０ｎｍの光吸収係数よりも大きな吸収係数を持つレーザ光を使用して半導体基板の表面を集中的に加熱することができ、半導体基板の１００ｎｍよりも浅い領域に導入した不純物を効率よく活性化できる。また、波長３９０ｎｍ以下の固体レーザ発振器を使用することで、エキシマレーザと同様の紫外域の波長のレーザを、固体レーザならではの６〜１２ｋＨｚの高い繰返し周波数、高いパルス間安定性で照射することができ、高いスループットで安定した品質の半導体基板を製造できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、混練部に１条幅広スクリュ又はダムフライトスクリュを用い、副原料の分散性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明による二軸スクリュ式押出機の混練方法及び装置は、シリンダ(1)内に内設された一対のスクリュ(7)の第２混練部(11)のフライトを上流から下流にかけて順方向に捻ることにより形成された１条幅広スクリュ(13A)又はダムフライトスクリュ(13B)を用いて主原料(3)と副原料(5)の混練を行うようにした方法と構成である。 （もっと読む）

【課題】非単結晶半導体膜をレーザアニールする際に、適切な走査ピッチと照射回数によって前記半導体膜を結晶化することを可能にする。
【解決手段】非単結晶半導体膜上にラインビーム形状のパルスレーザを照射して結晶化を行う結晶半導体膜の製造方法において、パルスレーザは、走査方向のビーム断面形状に強度の均一な平坦部（ビーム幅ａ）を有し、パルスレーザ照射によって結晶化した半導体膜により形成されるトランジスタのチャンネル領域幅をｂとして、パルスレーザは、非単結晶半導体膜に微結晶化が生じる照射パルスエネルギ密度よりも低い照射パルスエネルギ密度Ｅを有し、パルスレーザの照射回数ｎは、照射パルスエネルギ密度Ｅのパルスレーザの照射によって結晶粒径成長が飽和する照射回数ｎ０として（ｎ０−１）以上とし、パルスレーザの走査方向における移動量ｃをｂ／２以下とする。 （もっと読む）

【課題】原料の漏れを抑制するとともに金成形品の質を向上させる。
【解決手段】射出成形機用の金型装置は、第１の型部（３１）と第２の型部（３２）と第３の型部（３３）と嵌合部材（１８）とを有する。第１の型部は、ノズル（４）が挿入されるスプルーブッシュ（６）を有し、スプルーブッシュに挿入されたノズルが第１の型部を貫通するように構成されている。第２の型部は、第１の型部の、ノズル挿入方向（Ｔ）の下流側における一面（２０ａ）に接触および離間可能に構成されており、ノズルから射出される原料を導入するための湯口（１５ａ）が設けられている。第３の型部は、第２の型部の、ノズル挿入方向（Ｔ）の下流側における一面（２０ｂ）に接触および離間可能に構成され、第２の型部と共同して、湯口と連通したキャビティを形成する。嵌合部材は、第１の型部の、ノズル挿入方向（Ｔ）の下流側から着脱され、ノズルから射出される原料の漏れを防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、射出成形機に故障が発生した場合、故障の診断に必要なデータがコントローラ内部メモリに記憶され、このデータを外部に容易に取り出すことを目的とする。
【解決手段】本発明による射出成形機の故障診断方法及びコントローラは、射出成形機(50)に故障が発生した場合、コントローラ画面(21)上に故障箇所(40)及び故障内容(41)が表示され、故障の診断に必要なデータ(22a)がコントローラ内部メモリ(22)に記憶され、故障診断出力スイッチ(23)のオン動作により、故障の診断に必要なデータ(22a)のみが出力ポート(24)から出力される方法と構成である。 （もっと読む）