【目的】 ６４Ｍビット以上の高集積化に対応できる上、簡単に駆動できるシェアード・センス型オープンビット線方式のＤＲＡＭを提供する。
【構成】 センスアンプＳＡをビット線が延在する方向に１つ置きにずらして配置して第１の列と第２の列を構成する。第１の列のセンスアンプＳＡの右側に延在するビット線対ＢＬ０,ＢＬ１,…と、第２の列のセンスアンプＳＡの左側に延在するビット線対ＢＬ２,ＢＬ３,…とを交互に隣接させて、１つのビット線群ＢＬ０,…,ＢＬ７,…を構成する。ワード線ＷＬおよびダミーワード線ＤＷＬは、それぞれ上記ビット線群を構成する各ビット線に交差する。動作時に、ダミーワード線ＤＷＬにワード線ＷＬと逆相の信号を印加して、活性化されるビット線につながるダミーセルＤＣを参照する制御手段(図示せず)を有する。 （もっと読む）

【構成】 中間転写体１０を支持する導電性薄膜１８ｃ’を被覆した支持ローラ１８ｃと、この支持ローラ１８ｃに中間転写体１０を介在して押圧する転写ローラ２２と、支持ローラ１８ｃの転写ローラ２２と反対側の面に当接するアースローラ１８ｄとを有し、中間転写体１０上の転写電流を支持ローラ１８ｃの導電性薄膜１８ｃ’を介してアースローラ１８ｄに流すことを特徴とするものである。
【効果】 中間転写体に直に圧接するアース用ローラを１つなくすことができ、中間転写体上の作像を乱すことなく、支持ローラの中間部でも圧力の低下がなく、中間転写体の寿命を長く保ち、転写性能の向上をはかることができる。 （もっと読む）

【目的】 複写画像の背景部のかぶりを定量的に推測して、熱履歴等によって劣化したトナーが供給された場合においても背景部のかぶりの発生やトナーの飛散等の問題を生じることのない複写機を提供する。
【構成】 現像後の感光体の素地濃度と、クリーニング後の感光体の素地濃度を検出する第１と第２の光学センサ９，１０と、その両センサの出力比の大きさに基づいて複写プロセスのパラメータを制御する制御回路（マイクロコンピュータ１３等）を備え、上記出力比が許容範囲を満足しないとき、コピーランプ電圧、現像バイアス電圧の少なくともいずれかを変化させ、かつ、この変化後にも上記出力比が改善されない場合には用紙補給とトナー補給を一時的に禁止して現像槽の攪拌を行うよう構成する。 （もっと読む）

【目的】 記録装置本体側およびスキャナ側のメンテナンスの簡易化ならびにサプライ品交換作業の容易・迅速化を図るとともに、装置構造の単純化を果たす。
【構成】 装置本体１には、電源部５、記録部４が設けられ、メンテナンス操作が及ばない個所である下部にスキャナ収納部６が本体外面に開口して設けられる。装置本体１は、原稿ガイド部材１０、繰出しローラ１１などの原稿搬送系装置ならびに光源１８、反射板１９、受像素子列２０など光学系装置が、ケーシング１５に組付けられて、スキャナ収納部６に引出し方式による着脱可能に組込まれるユニット化されるスキャナ２とを含んで記録装置を構成する。このスキャナ２を引出し・押込む操作によって装置本体１とスキャナ２との電気的断続が成される。 （もっと読む）

【目的】 ソース・ドレイン電極間の短絡の無い薄膜トランジスタを提供する。
【構成】 絶縁性基板上に形成されるゲート電極２と、ゲート電極を覆って形成されるゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜上に形成され、ゲート電極の上に位置する第１の半導体膜４と、第１の半導体膜上に形成され、複数の絶縁膜層からなる多層絶縁膜と５，６、上記第１の半導体膜及び多層絶縁膜を覆い、所定の間隙をもって形成されるソース電極８及びドレイン電極９とからなり、上記多層絶縁膜を構成する複数の絶縁膜層は、最上部にある絶縁膜層に比べてそれ以下の絶縁膜層のエッチング速度が小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 閾値電流が低く、安定な単一横モード発振が得られる、信頼性に優れた半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【構成】 電流狭窄構造を有する埋め込みストライプ型の半導体レーザ装置は、電流ブロック層を成長させる工程と、活性層５を含むダブルヘテロ構造の半導体層を成長させる工程との２回の成長工程からなる。１回目の成長工程で電流ブロック層２と再成長界面制御層３を成長させることにより、逆バイアス界面が再成長界面になることを防ぐことができる。従って、電流狭窄構造が強固に形成できるので、無効電流が低減できる。また、２回目の成長工程で、活性層５を含むダブルヘテロ構造の側面とその底面とのなす角度は、（１１１）Ｂ面と（１００）面とがなす角度である約54.7°となるので、再現性よく約1.5〜２μｍに形成することができる。 （もっと読む）

【目的】一方の親機に対応する子機を用いて他方の親機に接続された外線の使用を可能にする。
【構成】第１の親機３には、第１の外線１が接続されかつ第１の子機５ａ、５ｂとの無線接続を行う第１の親機通信部を設け、第２の親機４には、第１の親機通信部との無線接続を行う第３の親機通信部および第３の親機通信部または第２の外線２が接続されかつ第２の子機６ａ、６ｂとの無線接続を行う第２の親機通信部を設け、第２の子機６ａ、６ｂが第１の外線１を使用するときには、第２の親機通信部に第３の親機通信部を接続すると共に第３の親機通信部と第１の親機通信部とを無線接続し、第２の親機通信部と第３の親機通信部と第１の親機通信部とを介することによって第２の子機６ａ、６ｂを第１の外線１に接続する。 （もっと読む）

【目的】 膜成長すべき基板の温度を正確に測定でき、基板温度を均一性良く正確に制御できる分子線エピタキシャル成長装置用基板加熱機構を提供する。
【構成】 基板ホルダ２に取り付けられた基板１０から所定の距離だけ離間した位置に、基板１０に平行に面状の加熱ヒータ３を設ける。この加熱ヒータ３に、基板１０側へ突出するように熱電対６を貫設する。基板１０と加熱ヒータ３との間に、基板１０から離間する一方、熱電対６に接触する状態で、熱伝導性を有する材料からなる均熱板１を設ける。 （もっと読む）