【目的】簡単且つ確実に出力側からの誘導によるノイズの発生を除去できるようにしたＳＡＷフィルタ取り付け用のプリント配線基板を提供することを目的とする。
【構成】本発明では、一対の差動の入力端子と少なくとも１つの出力端子を有するＳＡＷフィルタを取り付けるプリント配線基板において、前記一対の入力端子がそれぞれ接続される第１入力パタ−ン６と第２入力パタ−ン７を前記出力端子が接続される出力パタ−ン１１に対し同じ結合条件となるように結合コンデンサＣ１、Ｃ２を用いて非接触に交差させた構成としている。 （もっと読む）

【目的】 ドライエッチングにおいて、エッチング試料である絶縁基板上の全域にわたってエッチングレートを均一にするとともに、絶縁基板に反応生成物が付着するのを防止する。
【構成】 一対の電極１，２間に電圧を印加して両電極１，２間に電界を生じさせることにより、一方の電極２上に配置したエッチング対象の絶縁基板３上にプラズマをスパッタリングさせてエッチングする。このとき、基板配置側の電極２上にこの電極全体を覆う絶縁体５を配置し、この絶縁体５の表面に形成した凹部５ａに前記絶縁基板３をその表面が絶縁体５の表面と面一となるように配置して行う。 （もっと読む）

【目的】有機絶縁膜にピンホールが形成されても、これの両側の各メタル配線が互いに電気的短絡することのない多層配線構造を提供する。
【構成】有機絶縁膜（７）を、これの下層のメタル配線（３）上に有機絶縁物を塗布した後に該有機絶縁物中の溶剤を蒸発させて形成された第１層目絶縁膜部（８）と、この第１層目絶縁膜部上に有機絶縁物を塗布した後に該有機絶縁物中の溶剤を蒸発させて形成された第２層絶縁膜部（９）とによる２層構造とする。従って、両絶縁膜部の各ピンホールが重合して発生する確率は極めて低いので、一方の絶縁膜部にピンホールが発生しても他方の絶縁膜部により阻止されて両側のメタル配線（３），（５）の電気的短絡を確実に防止できる。 （もっと読む）

【構成】 複数のアナログ信号Ａ_x （Ｘ＝1,2 …）の一つを選択するマルチプレクサ１とＡ／Ｄ変換回路４との間に、選択されたアナログ信号Ａ_x を減衰して所定のダイナミックレンジに調整するレンジ調整手段８が設けられる。レンジ調整手段８は、上記アナログ信号Ａ_x をディジタル信号Ｂに基づいて減衰させる乗算型ＤＡＣ２と、この乗算型ＤＡＣ２にディジタル信号Ｂを出力するディジタル信号出力回路３とから成る。ディジタル信号出力回路３からは、マイコン５に制御されて、アナログ信号Ａ_x に応じたディジタル信号Ｂが出力される。
【効果】 一つのレンジ調整手段８で、ダイナミックレンジの異なる全てのアナログ信号Ａ_x を、所定のダイナミックレンジに調整することができ、部品点数の削減が図れ、装置の小型化および低コスト化を実現できる。 （もっと読む）

【目的】 グラフィックディスプレイなどの表示画面上において、３次元形状を、投影法をもって様々な方向から見た平面図形として表示する３次元表示装置において、３次元形状の方向を容易に認識できるようにする。
【構成】 ３次元表示装置は、基本方向指定チップ定義部11と、方向指定チップ記憶装置12と、記憶装置13と、読み出し部14と、書き込み部15と、演算形状生成部16と、表示部17とを備えている。基本方向指定チップ定義部11は、基本の３次元方向を示す方向指定チップを使用者の定義指令により定義し、方向指定チップ記憶装置12に記憶する。記憶装置13には、基本となる３次元のイメ−ジデ−タが予め記憶され、この基本イメ−ジデ−タと方向指定チップ記憶装置12の基本方向指定チップが書き込み部15により記憶装置13に登録され、また、表示部17により表示される。演算形状生成部16は、表示画面21の方向指定チップをＸＹＺ軸の各方向に90度、45度等で回転することにより他の方向の方向指定チップを生成し、その方向のイメ−ジデ−タと共に表示部17に表示する。 （もっと読む）

【構成】 被エッチング膜である層間絶縁膜３上に、第１レジスト膜６，ＳＯＧ膜７，第２レジスト膜８を順に堆積し、前記第２レジストを用いて、前記ＳＯＧ膜７を所定の形成に開口する。次に、該ＳＯＧ膜７をマスクとして、Ｏ₂プラズマエッチングにより、第１レジスト膜６を等方性エッチングを行った後、ＲＩＥ法により、異方性エッチングを行う。その後、該第１レジスト６をマスクとして、層間絶縁膜３を異方性エッチングする。
【効果】 第１レジストを異方性エッチングする量が減少するため、アスペクト比が従来技術の場合に比べて減少するため、よりエッチングレートの安定した、制御性に優れた加工方法を提供できる。 （もっと読む）

【構成】 光磁気記録媒体は、情報を光磁気記録する記録層を備えている。この記録層４の上には、読み出し層３が設けられている。この読み出し層３は、記録層４より十分高いキュリー温度を有すると共に、室温とキュリー温度の間に補償温度を有し、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により所定温度以上温度が上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する特性を有している。この光磁気記録媒体を使用すれば、光強度変調された２レベルの光ビームの照射により、情報の記録、重ね書きを容易に行える。
【効果】 再生動作時、光ビームによる温度分布を利用して、その中心付近である、所定温度以上の温度を有する領域のみを再生に関与させるので、光ビームの径より小さい記録ビットの再生が行え、記録密度を著しく向上させることができると共に、再生信号レベルを高くし、且つ隣接トラックからのクロストークを低減できる。 （もっと読む）

【構成】 基板（１）上に酸化膜（２）を介して電極（３）が積層され、さらにその上にＰＺＴ膜（４）が積層されてなる半導体装置（５）において、電極（３）が鉛を含有する白金よりなる半導体装置。
【効果】 アニール処理時にＰＺＴ膜（４）からＰｂＯの状態で揮発し、特に電極（３）／ＰＺＴ膜（４）界面で不足していたＰｂを、鉛を含有する白金電極（３）によって電極（３）／ＰＺＴ膜（４）界面に供給することができ、深さ方向に対して組成の均一なＰＺＴ膜（４）を作製することができる。従って、信頼性の高いＰＺＴ膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）