説明

日立金属株式会社により出願された特許

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【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ3は、前記スイッチポートを切替える制御信号CNTに応答し、スイッチ7を制御するためのスイッチ制御信号SWCNTを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号SWCNTに応答し、スイッチ切替え検出信号t_swを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号t_swに応答し、周波数制御信号ICONT、CCONTを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ICONT、CCONTに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を2つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号NVG_OUTを生成し、スイッチ7は、スイッチ制御信号SWCNTと前記負電圧出力信号NVG_OUTに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 (もっと読む)


【課題】HDDR法を用いて良好な角型性と高い保磁力を有するR−T−B系永久磁石を提供する。
【解決手段】50%体積中心粒径が1μm以上10μm未満であり、R214B相を含むR−T−B系合金粉末(RはNdおよび/またはPrを50原子%以上含む希土類元素、TはFe、またはFeとCo)と、粒径75μm未満のR’(R’はNd、Pr、Dy、Tbから選ばれる1種以上)、またはR’−M系合金(MはAl、Ga、Cu、Co、Ni、Cr、Fe、Si、Geから選ばれる1種以上)の粉末との混合粉末の圧粉体を200℃以上600℃以下の水素雰囲気中で熱処理を施す第一熱処理工程と、圧粉体に対し水素雰囲気中で650℃以上1000℃以下の温度で熱処理を施す第二熱処理工程と、真空または不活性雰囲気中で圧粉体に対し650℃以上1000℃以下の温度で熱処理を施す第三熱処理工程とを実行する。 (もっと読む)


【課題】 高い温度域でも結晶膜化を抑制可能な垂直磁気記録媒体等に用いられるFe−Co系合金軟磁性膜およびそのFe−Co系合金軟磁性膜形成用粉末焼結スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が((Fe−Co100−X100−Y−Ni100−a−b−M−B、10≦X≦70、0≦Y≦25、7≦a、1≦b≦5、13≦a+b≦25で表され、前記組成式のM元素がNbおよび/またはTaからなる粉末焼結ターゲット材をスパッタリングして、膜厚20〜300nmに成膜されてなる垂直磁気記録媒体用Fe−Co系合金軟磁性膜である。 (もっと読む)


【課題】 目封止部を形成し、乾燥、焼成しても、端面に変色が生じ難いセラミックハニカムフィルタの製造方法を得る。
【解決手段】 隔壁で区画された流路を有するセラミックハニカム構造体の端面において、前記流路の一部をマスクで覆い、前記セラミックハニカム構造体の端面を目封止材スラリーに浸漬し、前記マスクで覆われていない流路に前記目封止材スラリーを導入し、導入された目封止材を乾燥、焼成するセラミックハニカムフィルタの製造方法であって、前記目封止材が導入された前記セラミックハニカム構造体の端面を、端面保護部材を介して加熱部材に所定時間載置し、所定時間経過後、前記加熱部材から取り出し、前記端面保護部材を除去し、乾燥炉において80℃以上で目封止材を乾燥させ、その後、目封止材を焼成するセラミックハニカムフィルタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】低消費電力で動作するスイッチモジュールを提供する。
【解決手段】高周波スイッチモジュールは、当該スイッチモジュールはスイッチ回路、負電圧発生回路、インターフェース回路、分周回路を具備して成り、前記スイッチ回路は、インターフェース回路からスイッチ制御信号を入力され、負電圧発生回路から負電圧を入力され、前記スイッチ制御信号によって送受信動作を切り替え、前記インターフェース回路は、ベースバンド部から電源電圧、バスクロック信号、データ信号を受信して、前記スイッチ回路にスイッチ制御信号を出力し、前記バスクロック信号を前記分周回路に出力し、前記分周回路は、前記バスクロック信号を分周して負電圧動作クロックを前記負電圧発生回路に出力し、前記負電圧発生回路は、前記負電圧動作クロックを入力され、負電圧を前記スイッチ回路に出力する。 (もっと読む)


【課題】焼結磁石体の表層領域においても重希土類元素RHが主相粒内部に拡散することを抑制し、Brを実質的に低下させずにHcJを向上させたR−T−B系焼結磁石を製造する方法及びそれに用いる製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のR−T−B系焼結磁石の製造装置は、少なくとも1つの開口部8を有し、複数個のR−T−B系焼結磁石9が挿入される処理容器3と、処理容器3の外部に配置されたRH供給源5および処理容器3を加熱する加熱装置7、17と、RH供給源5が複数個のR−T−B系焼結磁石9の一部に対向し、かつ離間した状態で、RH供給源5と複数個のR−T−B系焼結磁石9との配置関係を変化させるように複数個のR−T−B系焼結磁石9を移動させる駆動装置4とを備える。 (もっと読む)


【課題】 ラチェット機構を適用した回転伝達装置の歯跳びの問題が解決できる簡易な機械的構造でなる回転伝達装置、およびこれを用いたシート材穿孔装置を提供する。
【解決手段】 回転軸と、該回転軸に設けられた駆動歯車と、前記回転軸に回転自在かつ前記回転軸方向に移動可能に設けられた従動歯車と、該従動歯車を前記駆動歯車に向かって付勢する付勢手段とを有し、前記駆動歯車と前記従動歯車には前記回転軸方向に対向して噛み合い可能かつラチェット機構を発現する傾斜を備えた歯が形成されており、一方向の回転では前記歯により前記従動歯車が前記駆動歯車に対して噛み合い、他方向の回転では前記歯の傾斜により前記従動歯車が前記駆動歯車から前記回転軸上を離間移動される回転伝達装置であって、所定期間において前記従動歯車の前記回転軸上の離間移動を阻止する移動制限手段を有する回転伝達装置である。これを用いたシート材穿孔装置である。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、熱間圧延で生じるフィッシュテールを抑制し、素材の端切り量の増大を低減できる、粉末焼結圧延素材の製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、長手方向の一方または両方の端面が外側に膨出した凸形状をなすキャビティを有する加圧容器に金属粉末を充填し、該加圧容器を脱気封止した後、熱間静水圧プレスを施し、次いで該加圧容器に前記長手方向を圧延方向とする熱間圧延を施す粉末焼結圧延素材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】SnTiOより格段に圧電特性のすぐれたSnZrO―SnTiO固溶体からなる非鉛圧電材料を提供する。
【解決手段】SnZrO―SnTiO固溶体(Sn(ZrTi1−x)O)である非鉛圧電材料の組成(xの値)を調整して組成相境界の状態を作り出すことにより、温度依存性のほとんどないきわめてすぐれた圧電特性を実現する。組成相境界となるxの値は、第一原理計算による正方晶、単斜晶、菱面体晶の全エネルギー解析から決定できる。これを実施した結果、下記の一般式:Sn(ZrxTi1−x)O{xは0<x<1を満たす数を示す}で表されるペロブスカイト型酸化物からなる非鉛圧電材料が得られた。ここで一般式中、xが0.2≦x≦0.4あるいは0.5<x≦0.7を満たす数であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】希土類元素の組成比率がR2Fe14Bの化学量論組成より少ない磁石粉末を用いて比較的低い熱間成形圧力で残留磁束密度Brの高い等方性磁石を製造する。
【解決手段】本発明のバルク磁石の製造方法では、まず、希土類元素R(RはLaおよびCeを実質的に含まない少なくとも1種の希土類元素)の含有量が2原子%以上12原子%以下の組成であるR−Fe−B系急冷合金磁石粉末の粒子と、希土類元素R’(R’は、Nd、Pr、DyおよびTbからなる群から選択された少なくとも1種の元素)を含有する希土類含有粉末の粒子とが混合した混合粉末であって、前記希土類含有粉末の割合が全体の1質量%以上30質量%以下の範囲にある混合粉末を用意する。この混合粉末を加圧しながら500℃以上850℃以下の温度に加熱して成形し、バルク磁石を形成する。 (もっと読む)


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