【課題】ビア導通めっき作業時にバイポーラ現象の発生を防ぐことができ、信頼性の高い健全なビア導通めっきを施すことができるＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁フィルムの両面に配線層を形成し、一方の配線層から他方の配線層に向けてビア穴を形成したフィルムテープ２の他方の配線層の表面にマスキングテープ６を施し、この状態でめっき槽３を通し、一方の配線層とビア穴内部とにビア導通めっきを施すＴＡＢテープの製造方法において、一方の配線層にめっき側給電ロール９を接触させて通電するとともに、マスキングテープ６を施す前の他方の配線層に非めっき側給電ロール１０を接触させて通電しつつ、フィルムテープ２をめっき槽３に通してビア導通めっきを施す方法である。 （もっと読む）

【課題】冷水二次ポンプと冷凍機の最適な運転制御によりエネルギー効率向上可能な冷水蓄熱槽を含む冷水循環システムを提供する。
【解決手段】送り冷水と戻り冷水を貯える蓄熱槽２と、戻り冷水を蓄熱槽２の高温部２ａから冷凍機３を介して蓄熱槽２の低温部２ｂへ送る冷水一次ポンプ１と、動力インバーター５１を備え、送り冷水を低温部２ｂから負荷設備８１Ａ，８１Ｂへ送る冷水二次ポンプ５と、特定負荷設備８１Ａの必須の機能を満たすことを優先しつつ、送り水の温度と戻り水の温度との温度差を負荷設備８１Ａ，８１Ｂの定格設計温度差に近づけるように動力インバーター５１の運転周波数と冷水二次ポンプ５の運転台数を制御する冷水二次ポンプ運転制御器１３１とを備えた冷水循環システムであり、蓄熱槽２の蓄熱部２ｃに設置の起動温度検出器２１と停止温度検出器２２による検出温度に基づき冷凍機３の運転台数を制御する。 （もっと読む）

【課題】ろう付け後に高温酸化雰囲気中に長時間さらした際、ろう付け部の酸化進行を抑制するろう付け用複合材を提供する。
【解決手段】複数の金属層を積層したろう層３の各金属層が、ＴｉまたはＴｉ合金層４、ＮｉまたはＮｉ合金層５、ＦｅまたはＦｅ合金層６から構成され、ろう層３全体に対してＮｂが０．２〜１．５重量％含まれるものである。 （もっと読む）

【課題】交差部間のピッチのバラツキを抑え、精度よく信号を受信することができ、曲げを有する場所にも敷設すること可能な交差ケーブルを提供する。
【解決手段】絶縁被覆された互いに平行な２本の導体２を所定間隔ｄ４で交差させて形成され、信号の非接触伝送に用いる交差ケーブルにおいて、絶縁被覆された前記２本の導体２の間を連結する連結部５と、連結部５の長手方向に沿って所定間隔ｄ１で形成され、絶縁被覆された２本の導体２を交差させる交差部を有するスロット部６と、絶縁被覆された２本の導体２、連結部５、およびスロット部６を長手方向にわたり挟んで一体化する２枚の固定テープ７ａ、７ｂとを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】コアに多数の添加物を添加しなくとも、希土類元素が添加されたコアとクラッドとの屈折率を同等にし、高い光出力が得られるファイバレーザ用光ファイバを提供する。
【解決手段】希土類元素が添加された希土類元素添加コア２と、希土類元素添加コア２の周囲に形成されたクラッド３と、そのクラッド３内に形成した複数個の空孔４を備え、クラッド３の端部から励起光を入射し、希土類元素を励振させて高出力のレーザ発振光を出力するファイバレーザ用光ファイバ１において、希土類元素添加コア２近傍のクラッド３に、屈折率増加剤が添加されたコア近傍部Ｘが設けられており、コア近傍部Ｘと希土類元素添加コア２との比屈折率差が０．１％より小さいものである。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって、基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、不要な金属層を除去する作業を軽減化する。
【解決手段】電気めっきで使用するめっき液に、添加剤を添加する。添加剤は、めっき反応を抑制する機能を有するが、めっき反応の進行と共に、めっき反応を抑制する機能が減少する特性を有する。添加剤は、金属の析出過電圧を大きくする機能を有するが、反応の進行と共に、金属の析出過電圧を小さくする特性を有する。それによって、基板に形成した溝及び凹部に選択的に金属を析出させることができる。基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、所定の表面粗さを有する溝及び凹部を基板に形成する。 （もっと読む）

【課題】液体封止材を用いた単結晶引上法（ＬＥＣ法）において、再現性よく結晶のラメラ発生を防止することを可能とした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＢＮ製のるつぼ３に、ＧａＡｓ多結晶、液体封止材として三酸化硼素を装入し、ヒータ４により加熱してＢ２Ｏ３、ＧａＡｓ多結晶原料および封止材を溶解させ、種結晶Ｓ先端と原料融液Ｌの接触面の温度を調整することにより結晶増径速度が２０ｍｍ／ｈ以内となるように種付け・増径をおこなう。増径後は結晶成長速度を６〜１２ｍｍ／ｈにして結晶径７５ｍｍ以上のＧａＡｓ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】伝熱性能を向上させる内面溝付伝熱管の製造方法を提供する。
【解決手段】内面に凸部３２を有する内面溝付伝熱管３１に、内面溝付伝熱管３１の最小内径よりも大きい最大外径を有する拡管プラグ１を挿入して前進させることにより、内面溝付伝熱管３１の外径を長手方向にわたり拡大させる内面溝付伝熱管の製造方法において、拡管プラグ１の外面に長手方向に伸びたＶ溝３を形成しておき、拡管プラグ１を内面溝付伝熱管３１内で前進させたときに、凸部３２の一部がＶ溝３によって凸部３２よりも径方向内方に突き出た突起３３に整形されるようにした。 （もっと読む）

【課題】複数枚のＩＩＩ族窒化物単結晶基板を形成することができ、かつ、結晶成長を繰り返してもＩＩＩ族窒化物単結晶基板を切り出すことができる領域が減少しないＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、及びこの製造方法を用いて製造したＩＩＩ族窒化物単結晶からＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法は、成長方向に垂直で第１の所定の面積を有する第１の結晶面１２、及び成長方向に傾斜して第２の所定の面積を有する第２の結晶面１３を有した種結晶を準備する種結晶準備工程と、成長条件を制御して、第１の所定の面積及び第２の所定の面積をそれぞれ所定の面積に維持しつつ、第１の結晶面１２及び第２の結晶面１３上にＩＩＩ族窒化物単結晶を成長させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 十分なキャリア濃度を有するｎ型バッファ層を備えるとともに、ｎ型クラッド層の屈折率の均一性を向上させる。
【解決手段】 基板と、基板上に順にエピタキシャル成長させたｎ型バッファ層及びｎ型クラッド層と、を備えた発光素子用エピタキシャルウェハであって、ｎ型バッファ層中のキャリア濃度は０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３〜１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の範囲であり、ｎ型バッファ層中の水素濃度は２．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）