説明

日立電線株式会社により出願された特許

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【課題】エナメル層におけるクラックの発生を防止する水中モータ用電線の製造方法を提供する。
【解決手段】導体2の外周にエナメル層3を形成し、該エナメル層3の外周に絶縁層4を形成してなる水中モータ用電線1の製造方法において、上記エナメル層3の外周に架橋剤を配合した絶縁性組成物を連続押出架橋することにより上記絶縁層4を形成し、その後、上記エナメル層3の初期ガラス転移温度Tg(℃)に対して乾燥温度T(℃)を、
T≦Tg−30(℃)
にして上記絶縁層4の乾燥作業を行う。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置との電気的接続の信頼性を厳しく要求されることの多いフレキシブルプリント配線板の先端および後端におけるボンディングパッドの表面などに施されるAuめっきやAu/Ni2層めっき等の厚さが厚くなる方向でばらつくことを解消する。
【解決手段】 このダミーテープ13は、フレキシブルプリント配線板11を巻回してなるロール15の先端および後端にそれぞれ接合され、導体パターン12と電気的に接続されるダミー導体パターン9を備えており、かつそのダミー導体パターン9が、フレキシブルプリント配線板11における電解めっきの対象となる導体パターン12の導体断面積よりも大きな断面積を有するものとなるように、導体パターン12の厚さよりも予め厚く形成されている。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の発生を低減すると共に反りの発生を防止することにより、品質と生産性に優れた窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】GaNからなる基板1上に第一の窒化物半導体層10を成長させ、その第一の窒化物半導体層10に多数の微細なボイド2aを有する多孔質層2を形成した後、その上に第二の窒化物半導体層を成長させ、上記基板1或いは上記基板1及びボイドを有する多孔質層2を剥離する窒化物半導体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 十分なキャリア濃度を有するn型バッファ層を備えるとともに、n型クラッド層の屈折率の均一性を向上させる。
【解決手段】 基板と、基板上に順にエピタキシャル成長させたn型バッファ層及びn型クラッド層と、を備えた発光素子用エピタキシャルウェハであって、n型バッファ層中のキャリア濃度は0.7×1018atoms/cm〜1.3×1018atoms/cmの範囲であり、n型バッファ層中の水素濃度は2.0×1017atoms/cm以下である。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率の向上ができると共に、駆動電圧の上昇を抑制できる発光装置をを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、支持基板と、支持基板上に形成された発光層を有する半導体積層構造と、支持基板と半導体積層構造との間に配置されたイオン液体層とを備える。 (もっと読む)


【課題】二酸化炭素の低圧冷媒のドライアウトを抑制し、かつ伝熱性能を向上でき、コンパクト化が図れる二酸化炭素冷媒用の内部熱交換器を提供する。
【解決手段】二酸化炭素の高温高圧冷媒と低温低圧冷媒との間で熱交換を行う冷凍サイクルの二重管式の内部熱交換器20であって、低温低圧冷媒が流れる前記二重管の内管22の内面には、1条または多条のフィンが設けられ、前記フィンはネジレ角が45°以上であり、かつ前記フィンの先端部には空洞部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】材料供給用押出機の上流側のホッパヘガスが逆流することを防ぎつつ、押出機によって効率よくポリマーに圧力を加えながら高温高圧の反応容器への原料供給して高分子化合物と薬剤を反応させることができる高分子化合物の処理方法とその装置を提供する。
【解決手段】材料供給用押出機1を用いて高分子化合物を押出しながら薬剤を高分子化合物に注入し、高分子化合物と薬剤の混合物を高温高圧の反応容器100の中へ連続的に流通させて反応させる際に、前記材料供給用押出機1と反応容器100の間に昇圧用ギアポンプ30を設け、反応容器100の吐出部に減圧用ギアポンプ29を設け、その昇圧用ギアポンプ30と減圧用ギアポンプ29により反応容器100内部の圧力を調整するものである。 (もっと読む)


【課題】密着露光時の密着圧力を下げることなくレジスト剥がれが生じにくく、かつフォトマスクを頻繁に洗浄することなく、作業効率を向上させることを可能とする。
【解決手段】パターンを形成したマスク面全体に、ガラス膜を被膜させたフォトマスク4を使用し、このフォトマスク4と、表面にレジスト膜3を設けた半導体ウエハ1とを密着させ、前記フォトマスク4のパターンを前記半導体ウエハ1のレジスト膜3上に露光する。 (もっと読む)


【課題】優れた圧電特性を有するニオブ酸カリウムナトリウム薄膜を用いた圧電薄膜素子を提供する。
【解決手段】圧電薄膜素子は、基板1上に、下部電極2と、KNbO薄膜3と、ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム((KNa1−x)NbO(0<x<1))で、膜厚が0.2μm〜10μm、且つ比誘電率が50以上200以下の範囲にある圧電薄膜4と、上部電極5とを有する。 (もっと読む)


【課題】85℃もしくはそれ以上もの高温環境になりうる自動車などに使用する、価格低減および導体強度維持した平角導体を提供する。
【解決手段】導体が導電率95%以上のCu濃度99.9%以上の純銅からなり、その引張強さが350MPa以上400MPa以下の範囲とするものである。 (もっと読む)


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