【課題】本発明は、電界効果型トランジスタを含む複数の半導体電子部材を有する半導体集積回路装置において、前記電界効果型トランジスタに対するサイドゲート効果せんとするものである。
【解決手段】電界効果型トランジスタを含む複数の半導体電子部材を有する半導体集積回路装置において、素子分離領域におけるバッファ用化合物半導体層内の異種半導体接合界面及び基板とバッファ用化合物半導体層との界面において生じる半導体のエネルギ禁制帯不連続が、電界効果型トランジスタの多数キャリアが基板中へ伝導する際の電位障壁とならないように、前記諸界面においてキャリアの蓄積を抑制する。こうして、電界効果型トランジスタに隣接する抵抗素子などからのサイドゲート効果を大幅に低減出来できる。 （もっと読む）

【課題】アズグロウンの状態での基板の反りを小さくすることにより、基板表面の面方位のばらつきを低減させることができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに当該基板を使用した基板面内均一性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板裏面の転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２以下であり、かつ厚さ方向において基板裏面から表面に至るまで転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２／ｍｍ以下の割合で減少しているＧａＮ自立基板１０を用いて、その上にＧａＮ系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成して発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の長時間動作に対する信頼性を向上させ、１枚のエピウェハから製造される発光素子の歩留まりを改善させる。
【解決手段】 基板と、基板上にエピタキシャル成長させたｎ型クラッド層及びｐ型クラッド層と、を備えた発光素子用エピタキシャルウェハであって、ｎ型クラッド層中の炭素濃度が３．５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】通常の電気コネクタ付電気ケーブルと同等の取り扱い容易性を有すると共に、フレキシブル性に優れる光電気複合配線部品を実現することにある。更に耐ノイズ性に優れると共に、高速・大容量・高品質な情報伝送が可能な光電気複合配線部品を提供すること。
【解決手段】電気配線を有する可撓性の基板と、電気配線に接続される電子部品と、電気配線に接続される光素子とからなる光電気複合配線部品において、光電気複合配線部品の両端に１個以上の端子を有する電気コネクタを設けると共に、光素子と光信号を光学的に結合して光信号を伝送する光導波路を備えた。 （もっと読む）

【課題】 ＴＡＢテープの幅方向における導体層の研磨量をより均一化させる。
【解決手段】 導体層を研磨する薬液を溜める噴出容器をＴＡＢテープの幅方向に複数備えており、複数の噴出容器は、噴出容器内に薬液を供給する薬液導入口と、噴出容器の上端部から薬液を噴出させて搬送中のＴＡＢテープの導体層に接触させる噴出口と、噴出容器内であって噴出口の下方に設けられ薬液の噴出速度を制御する整流板と、をそれぞれ備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉセルとはんだ接続後の熱収縮においてもセルの反りが少なく、かつ高導電率を有する太陽電池用はんだめっき線を提供する。
【解決手段】太陽電池セルに接合すべく、平角状に加工された導体１０の表面にはんだめっきを被覆した太陽電池用はんだめっき線において、導体１０は、その体積抵抗率が３０μΩ・ｍｍ以下で、かつ表層１１と内層１２とからなる２層構造を有し、表層１１の結晶粒径が内層１２の結晶粒径よりも大きくした。 （もっと読む）

【課題】引上げ法により結晶を成長させる際に、成長初期から成長完了までに亘って、融液の温度制御精度を安定に保ち、原料を無駄なく活用しつつ、外径の制御性の良い結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】ルツボ５内に収容した原料８を加熱、融解し、ルツボ５内に得られた原料融液１２に種結晶１０を接触させつつ、種結晶１０を引上げて単結晶１３を得る、ＣＺ法、ＬＥＣ法を含む半導体結晶の製造方法において、ルツボ５とルツボ５を支持する支持部材４の間に、ルツボ５、原料とは異なる材質の介在物６を挿入する。 （もっと読む）

【課題】高速信号を低損失で伝送でき、しかも伝送路をインピーダンス整合が容易な構造にすることで、伝送特性の劣化を防ぎ、さらにドータボード側のみを動かしてコネクタの挿抜を可能とする高速信号伝送装置を提供する。
【解決手段】筐体内において複数枚のドータボード９２Ａ，９２Ｂを並設し、該並設された各ドータボードにボード側コネクタ９１Ａ，９１Ｂを設け、ドータボード間におけるボード側コネクタが挿抜可能である筐体内に固定されたケーブル側コネクタ２間をインピーダンス整合が可能なケーブル群１で接続して構成した高速信号伝送装置。 （もっと読む）

【課題】 薄板部９の波打ち現象の発生を解消して、薄板部９の平坦度を確保することを可能とした段付き異形断面銅条材の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 平板状銅条材６のうち平盤状Ｖ型ダイス１の溝部３を通過した部分を厚板部１０と成し、平盤状Ｖ型ダイス１のＶ字状突起２を経由した部分を薄板部９と成して、段付き異形断面銅条材を形成する、段付き異形断面銅条材の製造方法であって、平盤状Ｖ型ダイス１における少なくともＶ字状突起２の表面に対して、平板状銅条材６の移動方向に対する平行方向での表面粗さと直交方向での表面粗さとの差異を減少させる表面処理を施し、その平盤状Ｖ型ダイス１を用いて、段付き異形断面銅条材を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板のＡｓ抜けを防止することで、結晶欠陥及び特性不良の少ないエピタキシャルウエハを製造するエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料溶液ホルダー２の底面を形成するスライダー３に、ＧａＡｓ基板４を保持する凹部５を形成し、その凹部５にＧａＡｓ基板４を保持させてエピタキシャル成長させるエピタキシャルウエハの製造方法において、上記凹部５にＧａＡｓ多結晶１０を入れ、成長時にそのＧａＡｓ多結晶１０のＡｓを昇華させつつ、エピタキシャル成長させる方法である。 （もっと読む）