【課題】光ファイバアレイに負荷がかかりづらく、信頼性の高い複合ケーブルを提供する。
【解決手段】複数の光ファイバ２を一列に並べてなる光ファイバアレイ３と複数の電気線４とが被覆層５で一括被覆された複合ケーブル１において、光ファイバアレイ３の幅方向の両側に複数の電気線４が配置されたものである。 （もっと読む）

【課題】粗研磨を実施したときのクラックの発生率を低下することができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板は、異種基板上にファセット面で成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の第１の領域と、異種基板上に所定の面方位で成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の第２の領域とを有し、第１の領域は、第２の領域に対して１０％以下の面積比を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた圧電特性を有するニオブ酸カリウムナトリウム薄膜を用いた圧電薄膜素子を提供する。
【解決手段】圧電薄膜素子は、基板１上に、下部電極２と、ＫＮｂＯ_３薄膜３と、ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム（（Ｋ_ｘＮａ_１−ｘ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１））で、膜厚が０.２μｍ〜１０μｍ、且つ比誘電率が５０以上２００以下の範囲にある圧電薄膜４と、上部電極５とを有する。 （もっと読む）

【課題】８５℃もしくはそれ以上もの高温環境になりうる自動車などに使用する、価格低減および導体強度維持した平角導体を提供する。
【解決手段】導体が導電率９５％以上のＣｕ濃度９９．９％以上の純銅からなり、その引張強さが３５０ＭＰａ以上４００ＭＰａ以下の範囲とするものである。 （もっと読む）

【課題】レーザバーからのレーザ光を簡単な構造で効率良く光ファイバへ入射することができる光導波路型光結合機構を提供する。
【解決手段】半導体レーザバー１０と、該半導体レーザバー１０の各発光素子１１から出射された光を導光させるコア部２１および該コア部２１の周囲に形成されたクラッド部２２からなる光導波路２０と、コア３１および該コア３１の周囲に形成され、前記コア３１へ光を閉じ込めるクラッド３２からなる光ファイバ３０とを備え、前記光導波路２０が、前記光ファイバ３０の側面に接合されており、前記半導体レーザバー１０から出射された光が前記光導波路２０のコア部２１を介して前記光ファイバ３０のコア３１の側面へ入射されるものである。 （もっと読む）

【課題】緑色単色の発光が得られる閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板および、当該閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いた発光装置とを提供する。
【解決手段】（００１）面を有するＧａＡｓ基板１０の裏面にＳｉＯ２保護層２０を、表面に約１０ｎｍのＧａＮバッファ層１２を成長させる。アニールのあと、ＧａＮバッファ層１２上に１８００ｎｍのＧａＮ層１４を成長させる。つづいて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ層１４の上に所定膜厚のＧａＮ層１６を成長させたあと、成長基板１のＧａＡｓ基板１０及びＧａＮバッファ層１２を研磨、エッチング等により除去してＧａＮ自立基板を得た。ＧａＮ層１６の厚さが２００μｍでＧａＮ層１４の表面のウルツ鉱構造の割合が５％、ＧａＮ層１６の厚さが５００μｍでウルツ鉱構造の割合が１．５％まで低下した。これらの閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いることにより、発光の単色性のよい発光装置の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡易にエピタキシャル層への酸素等の不純物汚染を低減できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】成長炉（１）内に成長用器具（３，５）を用いて基板（４）を設置し、加熱された基板（４）上に必要とするIII族原料、Ｖ族原料、希釈用ガス及びドーパント原料
を供給し、基板（４）上に化合物半導体のエピタキシャル層を積層して成長させる気相成長方法において、前記成長用器具（３，５）に、かさ密度が１.８０〜１.８５Ｍｇ／ｍ^３の範囲のカーボン製のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】薬剤を効果的に回収できる薬剤の液化回収方法及び薬剤の液化回収装置を提供する。
【解決手段】高分子化合物と薬剤とを混練して反応させ、反応後の高分子化合物から上記薬剤をガス状態で分離し、その薬剤ガスを真空ポンプ１０３でコンデンサ１０４に送り込み、該コンデンサ１０４にて上記薬剤ガスを液化させ、該コンデンサ１０４内で液化されなかった薬剤ガスを上記真空ポンプ１０３に戻して再び上記コンデンサ１０４に送り込むようにした。 （もっと読む）

【課題】無給電素子によって交差偏波識別度を改善する偏波ダイバーシティアンテナを提供する。
【解決手段】鉛直に立てられた基板２の面を覆う金属膜３に形成され互いに交差する２つのスロット４，５からなる給電素子６，７と、該給電素子６，７の正面方向に少なくとも１段設けられ上記基板２と平行で鉛直線Ｖに沿った長辺を有する長方形の無給電素子８とを備えた。 （もっと読む）

【課題】光取出効率を向上できる発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型の基板（１）上に、化合物半導体からなる、第１導電型の第１のクラッド層（３）と、第２導電型の第２のクラッド層（５）と、前記第１のクラッド層（３）と前記第２のクラッド層（５）の間に設けられた発光層（４）とを具備する発光素子（１０）において、前記第２のクラッド層（５）側の発光素子（１０）の主表面に、前記発光層（４）の発光波長に対して透明な材質から形成される半球面状の凸面部（９）あるいは凹面部が周期的に配列されている。 （もっと読む）