【課題】単体構造のＨＢＴデバイスと同等の信頼性を得る。
【解決手段】化合物半導体からなる、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）とヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）とを、同一基板上に重ねてエピタキシャル成長した多層構造のトランジスタ素子において、エピ層として内在するインジウムガリウムリン層（ＩｎＧａＰ）のバンドギャップエネルギを１．９１ｅＶ以上にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】効果的にクロストークを低減することのできる空孔を含むマルチコアファイバを比較的容易に製造する。
【解決手段】製造方法は、石英ジャケット管７の多角形孔８に、コア２１、３１及びそれを覆う石英管２２、３２からなるコアロッド２ａ、３ａ、石英ロッド４、及び空孔を有する管状の石英キャピラリー５ａを挿入する工程と、石英ジャケット管７、並びに多角形孔８内の石英ロッド４、コアロッド２ａ、３ａ、及び石英キャピラリー５ａを加熱溶融して一体化させる工程と、を含むマルチコアファイバ１の製造方法が提供される。石英ロッド４は、多角形孔８の多角形の中心に挿入される。コアロッド２ａ、３ａは、多角形孔８の多角形の頂点と石英ロッド４との間に挿入される。また、石英キャピラリー５ａは、隣り合うコアロッド２ａ、３ａの間に挿入される。 （もっと読む）

【課題】コネクタの端子と圧接加工機の圧接パンチとの距離が従来に比べて小さい場合であっても、圧接加工時における外観不良の発生を有効に防止し得る電線、すなわち多様な圧接コネクタの種類や圧接加工の条件に対応して適用可能な電線の絶縁被覆材として好適に用いられるノンハロゲン難燃性樹脂組成物及びそれを用いた絶縁電線を提供する。
【解決手段】（Ａ）樹脂成分［（ａ１）融解ピーク温度が１６０℃以上のポリプロピレン３５〜７０質量％、（ａ２）融解ピーク温度が９０℃以下のエチレン・α−オレフィン共重合体２５〜６０質量％、及び（ａ３）不飽和カルボン酸又はその誘導体で変性されたエチレン系共重合体５〜２０質量％を含む］１００質量部と、（Ｂ）金属水和物１２０〜２５０質量部とを含有するように、樹脂組成物を構成する。 （もっと読む）

【課題】給電線を複数箇所屈曲させて布設する必要のある高層建築物であっても給電線を容易に延線できる給電線用延線装置及び給電線延線方法を提供する。
【解決手段】建築物２に固定される基部３と、基部３に設けられ給電線４を軸方向に送るための送り機構５と、送り機構５に接続され送り機構５を駆動する駆動部６とを備え、送り機構５は、給電線４を挟むように対向して配置された一対の無限軌道１８と、無限軌道１８にその循環方向に沿って複数設けられ給電線４を把持すべく弧状に形成された受部２２を有するケーブル把持部１９とを有し、受部２２は、給電線４の周方向に分割されると共に、ケーブル把持部本体２１に給電線４と平行な軸回りに揺動可能に設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】零点位置の決定やギャップ長の調整を作業者毎にバラツキなく行うことができるギャップ長調整装置を提供する。
【解決手段】金属テープ１１を管状に加工するための成形工具１２と、金属テープ１１の両側突き合わせ箇所１３を溶接するための電極棒１４とを備え、両側突き合わせ箇所１３と電極棒１４とのギャップ長を調整するためのギャップ長調整装置１０であって、金属テープ１１と電極棒１４とに電圧を印加し、金属テープ１１と電極棒１４との接触に伴う電気的接続を検知すると共にその検知に基づいて検知信号を出力する接触確認コントローラ１５と、検知信号が入力されたときにギャップ長が零であることを表示する表示器１６を有し、電極棒１４の変位を測定する変位センサ１７と、検知信号が入力されたときにギャップ長が零であることを作業者に報知するための報知器１８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】任意接続である＋１２Ｖ、−４８Ｖの電源ラインを使用する端末機器を容易かつ低コストに使用可能とするアンテナ制御システム及び給電装置を提供する。
【解決手段】無線基地局のアンテナの制御を行う１台以上の端末機器１１と、端末機器１１に制御信号を送信し、端末機器１１を制御してアンテナの制御を行うと共に、端末機器１１に電源を供給する制御装置１２と、制御装置１２と端末機器１１、および端末機器１１同士を接続するために用いられる制御ケーブル１３と、を備え、ＡＩＳＧ規格に準拠してアンテナの制御を行うアンテナ制御システムにおいて、制御装置１２と別体に、任意接続である＋１２Ｖまたは−４８Ｖの電源ラインに電源を供給する給電装置２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】非鉛の圧電膜を短時間で微細加工することができ、加工後も絶縁性が高く十分な圧電特性を発揮することができる圧電膜素子の製造方法、及び圧電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に下部電極４を形成し、下部電極４上にアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜５を形成し、圧電膜５上にマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンを介して圧電膜５をドライエッチングする工程と、ドライエッチング後にマスクパターンを除去し、圧電膜を酸化雰囲気中で熱処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】一次エネルギーの消費を抑えて省エネルギー化を図り、少ない設備投資で実現可能な空調運転制御システムを提供する。
【解決手段】室内の温度が、所定期間継続して第１設定温度よりも低い温度範囲にあるときは、外気取込み手段３と循環送風手段４と冷房手段５とを停止する第１ステップに切り替え、所定期間継続して第１設定温度以上で第２設定温度よりも低い温度範囲にあるときは、外気取込み手段３を動作させ循環送風手段４と冷房手段５とを停止する第２ステップに切り替え、所定期間継続して第２設定温度以上で第３設定温度よりも低い温度範囲にあるときは、外気取込み手段３と循環送風手段４とを動作させ冷房手段５を停止する第３ステップに切り替え、所定期間継続して第３設定温度以上の温度範囲にあるときは、外気取込み手段３と循環送風手段４と冷房手段５とを動作させる第４ステップに切り替える。 （もっと読む）

【課題】端末機器に十分な電力を供給でき、制御装置と端末機器間の距離を延長することが可能なアンテナ制御システムを提供する。
【解決手段】無線基地局のアンテナの制御を行う１台以上の端末機器１１と、端末機器１１に制御信号を送信し、端末機器１１を制御してアンテナの制御を行うと共に、端末機器１１に電源を供給する制御装置１２と、制御装置１２と端末機器１１および端末機器１１同士を接続するために用いられる制御ケーブル１３とを備え、ＡＩＳＧ規格に準拠してアンテナの制御を行うアンテナ制御システムにおいて、制御装置１２は、必須接続である１０〜３０Ｖの電源ラインと、任意接続である＋１２Ｖまたは−４８Ｖの電源ラインに電源を供給するように構成され、＋１２Ｖまたは−４８Ｖの電源ラインを介して入力された電圧を変換して、１０〜３０Ｖの電源ラインに出力する補助電源装置２を備えた。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、クラック発生を抑制できるIII族窒化物半導体層を有する窒化物
半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にＡｌを含むIII族窒化物半導体のバッファ層を介して成長した、Ｃ
面を表面とするIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体エピタキシャル基板であって
、前記バッファ層が、その表面にインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）