【課題】低転位であり、クラック発生を抑制できるIII族窒化物半導体層を有する窒化物
半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にＡｌを含むIII族窒化物半導体のバッファ層を介して成長した、Ｃ
面を表面とするIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体エピタキシャル基板であって
、前記バッファ層が、その表面にインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】端末機器に十分な電力を供給でき、制御装置と端末機器間の距離を延長することが可能なアンテナ制御システムを提供する。
【解決手段】制御装置１２は、必須接続である１０〜３０Ｖの電源ラインに電源を供給するように構成され、制御装置１２から１０〜３０Ｖの電源ラインを介して入力された電圧を、より高い電圧に変換して、任意接続である＋１２Ｖまたは−４８Ｖの電源ラインに出力する第１変換器２と、第１変換器２から＋１２Ｖまたは−４８Ｖの電源ラインを介して入力された電圧を変換して、制御装置１２の出力電圧と等しい電圧に戻し、１０〜３０Ｖの電源ラインに出力する第２変換器３と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】複数の電源に対応でき、外部から供給されている電源の状況に応じて、電力効率が高い電源ラインを自動的に選択可能なＡＩＳＧデバイス用電源回路及びＡＩＳＧデバイスを提供を提供する。
【解決手段】ＡＩＳＧ規格に準拠してアンテナの制御を行うＡＩＳＧデバイス１に搭載され、外部から供給された電源の電圧を、ＡＩＳＧデバイス１の内部回路３用に調整して出力するＤＣ／ＤＣコンバータ４を備えると共に、ＤＣ／ＤＣコンバータ４の入力端子の正極を必須接続である１０〜３０Ｖの電源ラインに、入力端子の負極をＤＣリターンラインにそれぞれ電気的に接続したＡＩＳＧデバイス用電源回路において、外部から−４８Ｖ電源が供給されているとき、ＤＣ／ＤＣコンバータ４の入力端子の負極の接続先を、ＤＣリターンラインから−４８Ｖの電源ラインに切り替える切替回路１０を備えた。 （もっと読む）

【課題】膜厚が大きく圧電特性に優れたアルカリニオブ酸化物系の圧電膜を備える圧電膜素子、圧電膜デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、前記基板２上に形成される下地層３と、前記下地層３上に形成されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜４と、を備える圧電膜素子において、前記圧電膜４が、（００１）面方位に優先配向した第１の圧電膜５と、前記第１の圧電膜５上に水熱合成法により結晶成長され、結晶構造が擬立方晶、正方晶、斜方晶のいずれか、またはそれらが共存した状態であって、特定の面方位に優先配向した第２の圧電膜６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】吸水膨潤状態での粒子径が均一で小さく、膨潤率が大きい吸水性微粒子を提供する。
【解決手段】予め吸水させた吸水膨潤状態の吸水性微粒子であって、不飽和有機酸、不飽和有機酸塩、不飽和アミド、架橋剤、および重合開始剤を含む組成物から重合され、重合の際に、前記組成物重量の１０倍重量以上の水を含水している吸水性微粒子である。 （もっと読む）

【課題】基板のサイズを大きくしてもウェハの反りを低減できるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】基板上に、前記基板と線膨張係数の異なるエピタキシャル多層膜が形成されたエピタキシャルウェハにおいて、前記エピタキシャル多層膜が、エピタキシャル成長時に溝部を隔てて独立して形成された複数の多層区分膜からなるものである。 （もっと読む）

【課題】
高周波信号遮断後の回復が早く、素子分離特性のよい化合物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】
半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保護剤が脱離しやすく、かつ劣化寿命が長い金属ペーストを提供する。
【解決手段】表面が保護剤３で被覆された金属微粒子２と、前記保護剤３を前記金属微粒子２の表面から脱離させる感光性化合物４と、前記金属微粒子２および前記感光性化合物４を含む溶剤組成物５と、を備える金属ペースト１である。 （もっと読む）

【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）

【課題】リング型ネットワークシステムに片方向の断線が発生した場合でも、ループの発生が論理的に防止され、且つ、フレームロスの発生が防止される、リング型ネットワークシステムを提供する。
【解決手段】マスターノード１２ａは、片方向の断線が発生した方向にて、片断箇所マーキングフレームＢ４を送信し、その後、片方向の断線が発生していない方向にて、片断箇所特定フレームＢ５を送信する。リングノード１２ｂは、片断箇所マーキングフレームＢ４を受信したか否かを示す受信フラグを格納する受信フラグ格納部６８と、片断箇所マーキングフレームＢ４を送信したか否かを示す送信フラグを格納する送信フラグ格納部６４とを有する。リングノードは、片断箇所特定フレームＢ５の受信と、受信フラグ、送信フラグに基づいて、両方向の断線を発生させる動作を行う。 （もっと読む）