【課題】切断端面に切粉や異物の付着を阻止する機能を有する切断部構造を持つことで、金属箔のスリット作業における切断部の切粉再付着を大幅に減少させることができ、スリット後に設置した粘着ロールによる集電体シート表面の付着物除去のみで銅粉等の異物付着量が少ないリチウムイオン電池用金属箔を提供する。
【解決手段】本発明に係るリチウムイオン電池用金属箔は、金属箔の長手方向の切断端部構造がダレ部と、剪断部と、破断部と、かえり部とからなり、ダレ部の切断端部構造中に占める割合が５０％以上であることを特徴とするリチウムイオン電池用金属箔である。 （もっと読む）

【課題】コアキシャルインターフェイス方式で伝送する電源以外の電源を使用することが可能なアンテナ制御システム及びアンテナモデムを提供する。
【解決手段】アンテナ１０の制御を行うＡＩＳＧデバイス１７と、ＡＩＳＧデバイス１７に制御信号とＡＩＳＧ規格にて規定される一の電圧の電源信号を送信する制御装置１６と、アンテナ１０の給電線１２の途中に設けられ、制御装置１６から入力された制御信号を変調して生成した変調信号と電源信号を給電信号に重畳して出力するＢＳモデム１３と、ＢＳモデム１３から入力された給電信号から変調信号と電源信号を分離し、変調信号を復調した制御信号と電源信号をＡＩＳＧデバイス１７に出力するアンテナモデム２とを備え、アンテナモデム２は、入力された電源信号からＡＩＳＧ規格にて規定される他の電圧の電源信号を生成してＡＩＳＧデバイス１７に出力するＤＣ／ＤＣコンバータ３を備えた。 （もっと読む）

【課題】雄ハウジングと雌ハウジングとが不完全な嵌合状態で固定されることを抑制すると共に、嵌合が適切になされているか否かを外観から判断することが可能なコネクタ嵌合構造を提供する。
【解決手段】雄ハウジング２０を有する雄コネクタ２と、雌ハウジング３０を有する雌コネクタ３と、雄ハウジング２０と雌ハウジング３０とが離間する方向への移動を規制するボルト４とを備え、雄ハウジング２０は、本体部２０ａの外面に、雌ハウジング３０との嵌合方向に対して交差する方向に延びるねじ孔２３ｃが形成されたナット部材２３を有し、ボルト４は、ねじ孔２３ｃに螺合するねじ部４１と、ねじ部４１の一端に形成された頭部４２とを有し、雌ハウジング３０は、雄ハウジング２０と嵌合されたとき、ねじ孔２３ｃと連通してボルト４のねじ部４１ｃを挿通させると共に頭部４２を収容することが可能となる貫通孔３０ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】２段構成のネットワークシステムにおいて、下位スイッチがＬＡＧを自動的に設定することができるネットワークシステムを提供する。
【解決手段】ネットワークシステム(10)は、複数の下位スイッチ(34)と、複数の上位スイッチ(32)とを備える。上位スイッチ(32)は、上位スイッチ(32)に接続されている下位スイッチ(34)の接続台数情報(54f)を含む接続情報通知フレーム(54)を、下位スイッチ(34)へ送信する。下位スイッチ(34)は、受信した接続情報通知フレーム(54)に含まれる接続台数情報(54f)のうち最大の数の接続台数情報(54f)を含む接続情報通知フレーム(54)を受信したポート(58)に対してＬＡＧ(72)を設定する。 （もっと読む）

【課題】温度変化によるレーザダイオードの波長シフト（温度ドリフト）が生じた場合でも、光損失を低く抑えることができる導波路型合波器を提供する。
【解決手段】導波路型合波器２０は、マッハツェンダ干渉計２０ｂを構成する導波路５０，５２を用いて異なる波長λ_１，λ_３の光信号を合波する。ある波長λ_１に対応する第１ポート２００ａに着目すると、導波路型合波器２０の透過中心波長は材料の屈折率によって変化することが分かる。したがって、温度条件の変化に応じて屈折率が変化する材料を予め選定しておけば、レーザダイオードの発振波長に温度ドリフトが生じても、導波路型合波器２０の透過中心波長を追従して変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したｎ型基板１００上にIII族原料ガス及びＶ族原料ガスを供給し、ｎ型基板１００上に少なくともｎ型クラッド層５、活性層７、ｐ型クラッド層９，１１及びコンタクト層１３からなるIII−Ｖ族半導体層２を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ１において、III−Ｖ族半導体層２のいずれかの層に不可避不純物として混入するＳ（硫黄）の濃度を１．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を６２０℃以上とし、かつＶ族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を１３０以上とした。 （もっと読む）

【課題】鉄の添加方法を工夫して銅鉄合金溶湯中の未固溶鉄の残存による鋳塊組織中の鉄の異常晶出を防止し、健全な鋳塊を製造することができる銅鉄合金の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素を含有する被覆材２０で湯面を被覆した銅合金溶湯中に鉄を添加する銅鉄合金の製造方法において、銅合金溶湯中に鉄材投入用パイプ１６を挿入し、鉄材投入用パイプ１６の内圧を高めて鉄材投入用パイプ１６内の湯面位置を下げ、鉄材投入用パイプ１６の内圧を維持しつつ銅合金溶湯中に鉄材投入用パイプ１６を通じて鉄材１５を挿入するものである。 （もっと読む）

【課題】コアキシャルインターフェイス方式で伝送する電源電圧にかかわらず、所定の電圧の電源を使用することが可能なアンテナ制御システム及びアンテナモデムを提供する。
【解決手段】アンテナ１０の制御を行うＡＩＳＧデバイス１７と、ＡＩＳＧデバイス１７に制御信号と電源信号を送信する制御装置１６と、制御装置１６から入力された制御信号を変調して生成した変調信号と電源信号を給電信号に重畳して出力するＢＳモデム１３と、ＢＳモデム１３から入力された給電信号から変調信号と電源信号を分離し、変調信号を復調した制御信号と電源信号をＡＩＳＧデバイス１７に出力するアンテナモデム２とを備え、アンテナモデム２は、正負両電源入力対応の第１ＤＣ／ＤＣコンバータ３を備え、第１ＤＣ／ＤＣコンバータ３により、入力された電源信号からＡＩＳＧ規格にて規定される所定の電圧の電源信号を生成して、ＡＩＳＧデバイス１７に出力するように構成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板の表面にダメージを与えることなく、平坦な表面を有する窒化物半導体基板を製造できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれか、又はこれらいずれかの金属の窒化物から形成される表面を有する定盤を用い、前記定盤の前記表面と窒化物半導体基板の平坦化する表面とを対向して近接して配置し、対向配置の前記定盤および前記窒化物半導体基板を９００℃以上の高温状態とし、前記定盤の表面と前記窒化物半導体基板の表面との間に少なくとも水素とアンモニアを含むガスを供給することにより、前記定盤に対向する前記窒化物半導体基板の表面をエッチングして平坦化する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス光ファイバ母材製造工程後の線引き工程におけるコア/クラッド間の構造不整の増大を抑制することができるロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法を提供する。
【解決手段】コアロッド１０１をクラッド管１０３に挿入する工程と前記クラッド管１０３を縮径して前記コアロッド１０１と前記クラッド管１０３とを一体化する工程とを有するロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法であって、前記コアロッド１０１をクラッド管１０３に挿入する工程の前または後に、前記コアロッド１０１の外表面および前記クラッド管１０３の内表面の少なくとも一方に１層以上のガラス層２０１ａ，２０１ｂを堆積形成する工程を有し、前記１層以上のガラス層２０１ａ，２０１ｂは、前記コアロッド１０１を構成するガラスの粘性率と前記クラッド管１０３を構成するガラスの粘性率との中間の粘性率を有することを特徴とする。 （もっと読む）