【課題】 薄膜太陽電池による修正のためのレーザー加工を容易にする。
【解決手段】 本発明のある態様の太陽電池１００においては、基板５の一方の面に、接続のためまたは電極のための導電体の層として、金属からなる第１接続配線層７と中間透光層１１と金属からなる第２接続配線層１０とを含む積層構成の接続配線層か形成される。第２接続配線層１０は、好ましくは一部透過性、一部反射性とされる。集積型の太陽電池を形成する加工用のレーザーの波長に対する接続配線層の反射率が低減するため、レーザーのパワーを弱めても接続配線層を除去する加工が可能になり、分離部４にて露出する基板５に対するレーザーの影響が軽減される。 （もっと読む）

【課題】所定の構造部材に、締結部材による締付応力に起因して生じるウィスカーの成長を抑制し、隣接する他の構造部材のウィスカーとの接触を防止して短絡を防ぐことができる、複数の構造部材からなる組付体及び構造部材又は締結部材の製造方法を提供する。
【解決手段】この組立体１０は、複数の構造部材２０，３０が互いに接触して、締結部材５０を介して組付けられてなり、構造部材２０，３０どうしの接触部Ｃ１の周縁、或いは、構造部材２０，３０と締結部材５０との接触部Ｃ２，Ｃ３の周縁に、少なくとも一方の部材に設けた段差部２７，３７，５２，５６により、隙間を介して対向する内面が設けられており、隙間を介して対向する内面の少なくとも一方に、相手部材よりも標準電極電位の高い金属膜２８，３８，５３，５７が、相手部材に接触しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 対象物と撮像装置との距離に応じて、高精度、高速に対象物の３次元情報を取得する。
【解決手段】 対象物を撮像する撮像装置と、同一の対象物を複数の方向から撮像した複数の高解像度画像を取得する画像取得部と、低解像度画像を生成する低解像度画像生成部と、基準画像上の点に対応する比較画像上の対応点を探索する対応点探索部と、対応点の探索結果に基づいて３次元情報を演算する３次元情報演算部と、低解像度画像に基づく３次元情報から高解像度画像における探索点の距離範囲を決定する距離範囲決定部と、距離範囲に基づいて高解像度画像における探索ウィンドウサイズを決定するウィンドウサイズ決定部と、距離範囲により定まる視差範囲に基づいて高解像度画像における前記対応点の探索範囲を限定する探索範囲限定部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】極性判定が確実にできる箇所の電流検出値を用いて欠相判定を行なうことにより、誤判定を生じないようにする。
【解決手段】電力変換器（インバータ）５の出力電流を検出器２〜４にて検出するとともにその極性を判定器２１〜２３にて判定し、出力電流がそのゼロクロス点と極性で６分割される領域のいずれにあるかを判定器２５で判定し、この各領域が或る一定の順序で遷移するかどうかを回路２６で判定し、一定の順序で遷移しないときは少なくとも１相が欠相しているものと判定する。 （もっと読む）

【課題】光透過率の高いフィルム基板を用いた場合でも、背面電極を分離する溝形成加工時の光電変換部の電極へのダメージを抑える薄膜太陽電池の製造方法。
【解決手段】
薄膜太陽電池の光電変換部を分離する溝形成加工にレーザーを用い、背面電極の溝形成加工に非光学的加工手段を用いる。これにより、薄膜太陽電池を高い歩留まりで生産することが可能になるになる。 （もっと読む）

【課題】帯状可撓性基板を縦姿勢で横方向に往復搬送させつつ成膜を行う薄膜積層体製造装置において、各搬送方向に対応した搬送高さ制御を低コストかつ簡単な操作で実施可能な基板位置制御装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１の縁部を挟持する一対の挟持ローラ（３１，３２）と、前記一対の挟持ローラを回転可能かつ相互に接離可能に支持する支持機構（３３〜３６）と、前記支持機構を介して前記一対の挟持ローラに挟圧力を付与するスプリング４２と、を備え、前記基板の縁部に、前記一対の挟持ローラの挟圧力に応じた展張力を作用させるものにおいて、前記スプリングの付勢力を前記支持機構にトルクとして伝達する伝達部材（３７〜３９）と、前記一対の挟持ローラの挟圧力を調整すべく、前記スプリングの支持点（４１ｂ）を前記伝達部材との連結点（３９ａ）の周りで角変位させる操作部材（４１）と、前記操作部材を所定の角変位に保持可能な保持手段（４４〜４６）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】外気温度に関係なく良好に加熱単独運転が可能な冷媒回路装置を提供すること。
【解決手段】庫内熱交換器２４、圧縮機２１及び庫外熱交換器２２を冷媒配管２５で接続して構成した主経路２０と、高圧導入バルブ３２１，３２２の開成により圧縮機２１で圧縮した冷媒を導入して所定の庫内熱交換器２４に供給する高圧冷媒導入経路３０と、庫内熱交換器２４で凝縮した冷媒を加熱側熱交換器４２に供給する放熱経路４０と、加熱側熱交換器４２で放熱した冷媒を主経路２０に戻す戻経路５０とを備え、庫外熱交換器２２と加熱側熱交換器４２とが、それぞれを通過する冷媒が互いに熱交換可能な態様で配設してあり、バイパスバルブ６２１が開成して加熱側熱交換器４２で放熱した冷媒を導入して庫外熱交換器２２に供給するバイパス経路６０と、帰還バルブ７２が開成することにより庫外熱交換器２２で蒸発させた冷媒を圧縮機２１に帰還させる帰還経路７０とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 三相ブリッジ接続された半導体電力変換回路を２組用いてなる入出力三相３線式の電源装置として好適な三相電力変換装置を提供する。
【解決手段】 コンバータ主回路２４の半導体スイッチへのＰＷＭ信号に基づくスイッチング動作を行うコンバータと、平滑コンデンサ２５の両端に接続され、インバータ主回路２７半導体スイッチへのＰＷＭ信号に基づくスイッチング動作を行うインバータとにより構成された三相電力変換装置７の負荷電流に対応した振幅を有する前記インバータの出力電圧基本波の３倍調波成分を生成し、この３倍調波成分を前記それぞれへのＰＷＭ信号に加算することにより、平滑コンデンサ２５の両端電圧を前記負荷電流に関係なくほぼ一定値で、従来の三相電力変換装置２に比して、より低い値にすることが可能となる。その結果、コンバータ主回路２４およびインバータ主回路２７を構成する半導体スイッチのスイッチング動作に伴う損失・発熱を最小に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】工程数を大幅に増加させることなしに、エピタキシャル層の成長レートを早くすることができる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】２層目以降のアライメントマーク２０の形成に代えて、２層目以降のレジストの選択的イオン注入用パターニングをする際に、同時に新規アライメントマーク用のパターニングをして新規アライメントマーク２１を前回のアライメントマーク２０の位置とは異なる位置に形成することを、複数回の前記並列ｐｎ層の形成工程のうち、少なくとも１回、実施する超接合半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】接合品質を向上することができる安価なアルミニウム管と銅管の接合方法および接合構造ならびにこの接合構造を有する熱交換器を提供する。
【解決手段】アルミニウム管３と銅管４とをステンレス管１を介して接合する接合方法であって、ステンレス管１の両端２ａ，２ｂは縮管加工され、ステンレス管１の一端２ａを銅管４内に嵌挿配置して銅管４とステンレス管１とを炉中ろう付する第一ステップと、第一ステップの後に、ステンレス管１の他端２ｂをアルミニウム管３内に嵌挿配置してアルミニウム管３とステンレス管１とをアルミニウムろう付する第二ステップとからなる。 （もっと読む）