説明

富士電機株式会社により出願された特許

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【課題】半導体基板の所定の表面を疎水性処理するための所要時間を短縮することができ、その疎水性処理により表面形状に影響されることなくレジスト材料の良好な密着性を得ることのできる半導体素子の製造装置を提供する。
【解決手段】HMDSなどの疎水性液体11を注入した発泡用容器1と、先端に多孔質のキャップ6を付設するなどした一端を疎水性液体11の中に浸漬して発泡用容器1から引き出された他端には窒素ガスなどの送気用気体12を供給するための気体供給機構2が連結された送気配管3と、半導体基板10が収納された処理用容器4と発泡用容器1の上部との間を連結した通気配管5とを備えた半導体素子の製造装置を用い、送気配管3から疎水性液体11の中へ送気用気体12を圧送し、発泡用容器1の上部空間から疎水性液体11を含有した気体を処理用容器4内の半導体基板10の表面に浮遊移動させて付着する。 (もっと読む)


【課題】放熱フィン13にねじ固定されて用いられる発熱部品11の内部温度上昇を安価に低減できる構造を提供する。
【解決手段】プリント配線板1に、発熱部品11のいずれかの端子11tと放熱フィン13の端子13tをはんだ31によって固着する銅箔のパターン1pを形成する。 (もっと読む)


【課題】 検体上を所望の光強度分布をもって照明できるように、照明手段の改良を図る。
【解決手段】 照明系を発光体1A,すりガラス1Bおよびフィルタ1Cから構成し、フィルタ1Cを微小面積の遮光部分と透光部分とが隣接するようにし、かつ、照明光の光軸と直交する方向に光軸から離れるに従って遮光部分(黒く塗りつぶした部分)の密度が高くなるようにすることで、すりガラス等の拡散体だけの場合よりも、所望の光強度分布となるようにする。 (もっと読む)


【課題】取り付けられるべき電子機器の放熱と、静電遮蔽と、コネクタへの容易な挿入接続を併せて図りうる電子機器の取付台を提供する。
【解決手段】取付台1は、枠2と、プリント配線板としてのマザーボード4と、多目的板3からなる。枠2は金属の板状部材である。マザーボード4には、シーケンサ10用のコネクタ5が、シーケンサ10の取付け個数に応じて(図では5個)並べて実装される。多目的板3は、金属の方形板状部材で、コネクタ5に接続された時のシーケンサ10の近くに位置するように、またその挿入方向と平行にして枠2に立設され、シーケンサ10からの放熱と電磁遮蔽の機能をもつとともに、シーケンサ10をコネクタ5に挿入接続させるときに、上下の各縁がシーケンサ10のケース側に形成された案内レール(ここには図示してない)に係合する構成である。 (もっと読む)


【課題】メンテナンスが簡単で、かつ排出ガス量が少なく、放射性核種を含むものも放射性核種の飛散を抑えて処理できるものとする。
【解決手段】放電容器1の内部を、排気配管7の減圧ポンプ6で排気し、ガス導入口5より酸素を導入して、減圧酸素含有雰囲気とし、外側に巻装したソレノイドコイル9を励磁して磁界を発生し、導波管8よりμ波を投入してμ波放電を形成し、放電により生じた活性酸素を反応容器2の内部の処理皿4の上に備えたイオン交換樹脂3へと導き、これを減容処理する。 (もっと読む)


【課題】SiCを用いた縦型MOSFETの高耐圧化を図る。
【解決手段】幅の広いマスク36aを使用した燐イオン34aの選択的なイオン注入の後、より幅の狭いマスク36bを使用したほう素イオン33aの選択的なイオン注入をおこない、マスク36bを除去し熱処理してpベース領域33およびnソース領域34を形成する。その後熱酸化によりゲート酸化膜35を形成し、多結晶シリコンのゲート電極層36を形成する。チャネル領域40の長さと、pベース領域33の厚さとをそれぞれ独立に設計でき、例えばチャネル領域でのパンチスルーが避けられる高耐圧に適する構造とすることができる。特に、スペーサを利用する方法により、チャネル領域の長さが精度よく形成され、安定した特性が歩留まりよく得られる。 (もっと読む)


【課題】表面実装部品がハンダのぬれの力によって放熱リードの側により強く引っ張られて位置ずれを起こすのを防止する。
【解決手段】表面実装部品10の放熱リード12用パッド2は、放熱導体パターン3の、主部2aと副部2bからなる特定領域部分で、主部2aは図で右側の縁に隣接し放熱リード12に対応する形状と寸法をもつ方形領域、副部2bは主部2aの左辺中間部から左側に突出する方形領域である。この特定領域部分を除く全表面がレジスト4によって被覆される。ハンダ付けの際、リード11と放熱リード12にそれぞれハンダのぬれの力、つまりハンダを各パッド1,2の銅箔1a,2b の表面に沿って広げる界面張力が作用し、しかもリード11より放熱リード12の方で相対方向の周辺長が長いからより強く働くが、放熱リード11は外周端面の上下各箇所で障壁の形をとるレジスト4の端面と当接し、表面実装部品10の移動が阻止される。 (もっと読む)


【課題】 熟練運用者に依存することなく、電力需要量の年増加分に留まらずに予測モデルの表現しきれていない非線形分まで含めて、高精度な電力需要量の予測を行う。
【解決手段】 予測モデルによる電力需要量予測値を補正する方法において、予測対象日よりも前の一定期間の予測モデルの出力、電力需要量の実績値等を用いて学習した補正用ニューロにより、予測モデルの出力を補正する。基準日に対する電力需要量の低減率が一定値以上の日を、補正用ニューロの学習対象日として選択する。補正用ニューロの学習対象期間を、電力需要量の変化特性に応じて変化させる。いわゆる外挿の発生時に、他の補正手法を組み合わせて電力需要量を補正する。 (もっと読む)


【課題】災害発生時に報知する必要のある緊急データを、電子広告塔自動販売機を利用して報知できるようにする。
【解決手段】放送局50から送信されて電波は、広告出力装置10の受信I/F部43で同調、復号されて制御部12に出力される。制御部12は、送られてきたデータの種類を調べ、緊急データであることが分かったなら、その緊急データを記憶部11に格納すると共に、緊急データを表示装置13に送り、他のデータより優先して表示する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの外周部に設けたガードリング部とコンタクト端子体との間の放電を防止する。
【解決手段】第1位置決めガイド5aをコレクタ基板3の溝11に挿入し、この第1位置決めガイド5aをガイドとして、はんだシートと半導体チップ1とを挿入し、第2位置決めガイド5bを第1位置決めガイド5aにセットする。第2位置決めガイド5bにはコンタクト端子体2を位置決めする四角形の孔が開いており、その孔にコンタクト端子体2を挿入して位置決めする。その後でリフロー炉などのはんだ付け炉を通して、半導体チップ1とコレクタ基板3とをはんだ4で固着する。 (もっと読む)


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