【課題】圧縮機の破損や消費電力量の増大を抑制することができる冷媒回路装置を提供すること。
【解決手段】蒸発器１３と、圧縮機１１と、凝縮器１２と、電子膨張弁２０とを冷媒配管１４にて順次接続して構成した冷媒回路装置において、所定のタイムスケジュールに従って冷却が必要な商品収容庫１〜３の蒸発器１３の蒸発温度から各電子膨張弁２０の弁開閉割合を決定し、駆動対象となる電子膨張弁２０のうち任意に選択した第１優先膨張弁については、弁閉時間が、予め設定され、かつすべての電子膨張弁２０が全閉状態となる場合において圧縮機１１の駆動許容時間として決められる弁閉限界時間以下となる態様で弁開閉割合に応じた運転周期で駆動させ、その他の電子膨張弁２０については、予め決められた運転周期上限時間の範囲内で弁開閉割合に応じた運転周期で駆動させる制御手段５０を備えている。 （もっと読む）

【課題】チョッパ回路を１台として回路が大型化しないようにし、これが故障した場合でも、架線がない区間での自力走行を可能とする
【解決手段】複数台設けられるインバータの、例えば６２の出力に接続される交流電動機７２の巻線の中性点と蓄電装置９との間にスイッチ１１を設け、少なくともチョッパ回路８およびその制御装置が故障したときは、スイッチ１０ａ，１０ｂをオフにしてチョッパ回路８を切り離すとともに、スイッチ１１をオフにしインバータ出力をスイッチ１２を介して蓄電装置９に接続し、インバータ６２をチョッパ回路として動作させるようにする。 （もっと読む）

【課題】多様な高品質の半導体装置を効率的に製造する。
【解決手段】半導体装置１は、放熱部材１０と、放熱部材１０上に形成され、回路パターン２１と、樹脂を含む絶縁層２２とを含む配線層２０と、配線層２０上に実装され、電子素子とそれを封止する封止樹脂とを含む半導体素子３０，４０とを有している。半導体素子３０，４０実装後の封止工程が不要であり、また、形成する回路パターン２１と、用いる半導体素子３０，４０の変更により、様々な機能の半導体装置１を効率的に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】原子層レベルで膜厚（薄膜層数）を自在にしてグラフェン薄膜を得ることを可能にする。
【解決手段】グラファイトを酸化して酸化グラファイトを得る工程と、酸化グラファイトを溶媒に分散し、該酸化グラファイトを層状に剥離して酸化グラフェン１２を含む懸濁液を得る工程と、前記懸濁液に基板１１を浸漬して酸化グラフェン薄膜を形成し、該酸化グラフェン１２を還元してグラフェン薄膜を形成する工程とを含むグラフェン薄膜の製造方法であって、前記グラフェン薄膜を成膜する工程において、基板１１にカチオン材料１０の薄膜をあらかじめ形成し、前記基板表面を正に帯電させ、前記基板を酸化グラフェン１２を含む懸濁液に浸漬し、カチオン材料１０の正電荷と酸化グラフェン１２の負電荷による静電気力により酸化グラフェン１２を吸着させることで酸化グラフェン薄膜を形成し、ついで酸化グラフェン薄膜を還元してグラフェン薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】パルス入力回路の異常の有無を自己診断可能なインバータ装置を提供する。
【解決手段】通常動作モードでは、パルス入力回路２を外部のパルス発生器１０に接続し、パルス発生器１０が出力するパルス信号をパルス入力回路２に入力して誘導電動機の速度制御を行う。一方、異常診断モードでは、パルス入力回路２をパルス出力回路４に接続し、パルス出力回路４が出力する異常診断用パルス信号をパルス入力回路２に入力する。そして、インバータ装置１内部で生成した異常診断用パルス信号（指令パルス）と、パルス入力回路２を介して入力した異常診断用パルス信号（帰還パルス）とが不一致であるとき、パルス入力回路２に異常が発生していると判断する。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気記録媒体の製造において、耐久性および磁気転写性能の向上した磁気転写用マスター基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】当該磁気転写用マスター基板は、表面に信号配列に対応した凹部を有する非磁性基体と、前記凹部内に埋め込まれ、前記非磁性基体の表面より一部が突出している強磁性体と、前記非磁性基体表面および前記強磁性体の少なくとも一部を覆う非磁性保護膜とを含み、前記強磁性体の非磁性基体表面より突出した部分の基板に垂直に切断した際の断面における角部における曲率半径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記強磁性体の非磁性基体表面より突出した部分の高さが２ｎｍ以上であり、前記非磁性保護膜表面から前記強磁性体頂部までの高さが前記曲率半径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】通常動作への影響（消費電流やＲｏｎ）を低減しつつ、デバイスの誤オンの防止と高速ターンオフとを実現することができる絶縁ゲート型デバイスの駆動回路を提供する。
【解決手段】パワーＭＯＳＦＥＴ８のゲート−ソース間にパワーＭＯＳＦＥＴ８のゲート電圧を下げるためのゲート電圧制御用ＭＯＳＦＥＴ１４を設け、ゲート電圧制御用ＭＯＳＦＥＴ１４のゲート−ドレイン間にプルアップ素子としてＮ型デプレッションＭＯＳＦＥＴ２５を設ける。そして、Ｎ型デプレッションＭＯＳＦＥＴ２５を、パワーＭＯＳＦＥＴ８のドレイン電圧Ｖｄが急激に持ち上げられたときに発生する、パワーＭＯＳＦＥＴ８のゲート−ドレイン間の寄生容量Ｃｇｄの充電電流Ｉｒによって駆動されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減化を図りながら、分配ヘッダから冷媒管の冷媒通路に流入する冷媒の均一化を図ることができる熱交換器を提供すること。
【解決手段】一端部の流入口２４１１を通じて流入した冷媒を、閉塞された他端部に向けて通過させる分配流路２４１２が内部に形成された管状の分配ヘッダ２４１と、それぞれが複数の冷媒通路２４３１を水平方向に沿って並設させた扁平状を成し、各冷媒通路２４３１の入口２４３１ａが分配流路２４１２を臨む態様で、分配ヘッダ２４１の管軸方向に沿って挿入されて取り付けられた複数の冷媒管２４３とを備え、分配ヘッダ２４１から各冷媒管２４３のそれぞれの冷媒通路２４３１に冷媒を分配して冷媒通路２４３１を通過する冷媒と、自身の周囲を通過する流体との熱交換を行う蒸発器２４において、一端部側の冷媒管２４３の分配ヘッダ２４１に対する挿入量よりも他端部側の冷媒管２４３の挿入量を大きくしたものである。 （もっと読む）

【課題】外形寸法の大型化を招来することなく、ベース部材とカバー部材との間の水密性及び部品の搭載領域を確保すること。
【解決手段】部品搭載面１１ａに部品Ｐを搭載する部品搭載板部１１を有したベース部材１０と、部品搭載板部１１との接合部にシール手段３０を介在させた状態でベース部材１０を覆うことにより、ベース部材１０との間に部品Ｐの収容空間を確保するカバー部材２０とを備えた筐体１であって、シール手段３０は、部品搭載面１１ａの縁部に形成したガスケット収容溝３１と、外表面が部品搭載面１１ａ以下となる状態でガスケット収容溝３１の内部に配設したガスケット３４と、カバー部材２０においてベース部材１０のガスケット収容溝３１に対応する部位に形成し、ベース部材１０を覆った場合にガスケット収容溝３１に進入することにより、ガスケット３４の外表面３４ａを押圧する内壁部３３ｂとを備えた。 （もっと読む）

【課題】外気温度に関係なく良好に加熱単独運転が可能な冷媒回路装置を提供すること。
【解決手段】庫内熱交換器２４、圧縮機２１、庫外熱交換器２２を冷媒配管２５で接続した主経路２０と、高圧導入バルブ３２１，３２２の開成により圧縮機２１で圧縮した冷媒を導入して所定の庫内熱交換器２４に供給する高圧冷媒導入経路３０と、庫内熱交換器２４で凝縮した冷媒を加熱側熱交換器４２に供給する放熱経路４０と、加熱側熱交換器４２で放熱した冷媒を主経路２０に戻す戻経路５０とを備え、庫外熱交換器２２と加熱側熱交換器４２とが、それぞれを通過する冷媒が互いに熱交換可能な態様で配設してあり、バイパスバルブ６２１が開成して加熱側熱交換器４２で放熱した冷媒を導入して庫外熱交換器２２に供給するバイパス経路６０と、帰還バルブ７２が開成することにより庫外熱交換器２２で蒸発させた冷媒を圧縮機２１に帰還させる帰還経路７０とを備えたものである。 （もっと読む）