【課題】ＧａＮ系化合物半導体による電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極及びソース電極間及び／又はゲート電極及びドレイン電極間に、外部負荷からの逆起電力等のサージ電圧や静電気からトランジスタを有効に保護するためのダイオードを内蔵させる。
【解決手段】基板上に少なくともバッファ層を含む下部半導体層１０４と、電子走行層及び電子供給層により形成された半導体動作層１０５と、当該半導体動作層１０５の上に形成されたソース電極１３、ドレイン電極１２及びゲート電極１４を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極１４及びソース電極１３間と、ゲート電極１４及びドレイン電極１２間と、の何れか一方又は両方に並列接続されるダイオードが、前記の各電極間であって半導体動作層１０５から下部半導体層１０４に至る溝により形成される。 （もっと読む）

【課題】スリッタ装置において、長尺体の品質を維持しながら発生した切り粉を容易に除去することである。
【解決手段】上刃と下刃からなる一対のスリッタ刃を噛み合わせ、該噛み合わせ部に長尺体を通過させて、長尺体を切断するスリッタ装置であって、前記下刃は中空回転軸に装着され、該回転軸に装着の内側リングと円筒体間に前記下刃と上刃が噛み合う部分に上刃が入り込む隙間が設けられて狭持されており、前記内側リングの下刃と対向する面に複数の溝を設け、該溝は前記中空回転軸に設けられた中空孔と導通し、中空回転軸の中空孔を通して減圧することで上刃と下刃の噛み合い部分を減圧吸引し、切り粉を除去するように構成したスリッタ装置である。 （もっと読む）

【課題】この発明は、電気接続性及び機械接続性を向上することができる圧着端子を提供することを目的とする。
【解決手段】圧着端子１において被覆電線１００の芯線１０２を圧着するワイヤーバレル部１０を、芯線１０２を載置するバレル底部１１と、バレル底部１１部の幅方向両側から延出するワイヤーバレル片１２とで構成し、バレル底部１１には、長手方向Ｘ及び幅方向Ｙに対して交差する交差方向ＺのＶ字型セレーション２０を、長手方向Ｘに所定間隔を隔てて３本配置し、平面視Ｖ字型のＶ字型セレーション２０の幅方向端部２４のうち、右側端部２４ａと、左側端部２４ｂとの長手方向Ｘの位置が一致するよう配置した。 （もっと読む）

【課題】元板ガラスの後端に次の元板ガラスの先端を順次溶着して元板ガラスを連続供給して薄板ガラスを連続して製造する場合であっても、均質な薄板ガラスを得ることができる。
【解決手段】元板ガラス２の後端に次の元板ガラス３の先端を順次溶着して前記元板ガラスを連続供給し、前記元板ガラスを加熱し延伸して薄板ガラスを連続して製造する薄板ガラス製造方法において、前記元板ガラス２と次の元板ガラス３との溶着時に、前記溶着接続部分が前記元板ガラスの軟化点近傍のガラス粘度となるように加熱して溶着させるとともに、前記溶着接続部分から先端側および後端側に面的に広がる所定範囲が前記溶着接続部分から先端側および後端側に向けて徐々に温度が低くなるように加熱する。 （もっと読む）

【課題】面方向のズレも含めて半嵌合を検出できる検査ユニット１を提供し、検査精度の向上を図る。
【解決手段】検査ユニット１は、複数のアース端子８０ａ，８０ｂ同士が積層状態で機械的に嵌合された接続部８１に端子孔８３が設けられているアース端子組立体８０を検査するものである。この検査ユニット１に、アース端子組立体８０を位置決めする止定部材２０および規制部材１０と、位置決めしたアース端子組立体８０のアース端子８０ａ，８０ｂ同士の積層方向へ移動する挟み込み部材３０と、該挟み込み部材３０に設けられて該挟み込み部材３０が止定部材２０および規制部材１０へ向かって移動するとアース端子組立体８０の端子孔８３に挿入される直径検出部材３３と、端子孔８３への直径検出部材３３の挿入可否状態によりアース端子組立体８０の嵌合状態の正否を検出する検出部材３４とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】多連発泡パイプにおける発泡パイプ間の融着力の強弱を数値化することが可能なパイプ間融着力の測定装置及びその測定方法を提供する。
【解決手段】融着力測定装置１０は、２連発泡パイプ３０の融着部３３に裂け目を入れ、引き裂くための裂き棒１１と、２連発泡パイプ３０を把持する把持具１５と、把持具１５とともに２連発泡パイプ３０を牽引する牽引機構２０と、牽引機構２０によって２連発泡パイプ３０を引っ張っている間に２連発泡パイプ３０に掛かる力を測定する張力計１９と、パイプ設置台１７に２連発泡パイプ３０を保持する保持具１６と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】マトリクスコンバータのスイッチング素子として使用するＧａＮ系化合物半導体による電界効果トランジスタに、スイッチングオン時の順方向電圧降下が小さいショットキーバリアダイオードを内蔵させる。
【解決手段】
窒化ガリウム系化合物材料による半導体層１１の上に形成されたソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及びゲート電極Ｇを有する電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極Ｄ及びドレイン電極Ｄ間の電子供給層１３と、ドレイン電極Ｄと、の夫々とショットキー接合するショットキー電極１４を形成させる。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での課電劣化を抑制し、かつ課電寿命を向上させることができる絶縁電線を提供する。
【解決手段】絶縁電線Ｔ１は、導体４の外周に被覆された比誘電率ε１の第１の樹脂層１と、第１の樹脂層１の外周に被覆された比誘電率ε２の第２の樹脂層２とを有し、１５０℃以上で、ε１／ε２＞１、望ましくは、ε１／ε２＞１．１の関係にある。第１の樹脂層１及び第２の樹脂層２は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上の非晶性樹脂又は融点（Ｔｍ）が１５０℃以上の結晶性樹脂から選択される物質で作られている。 （もっと読む）

【課題】整流子片と導線との接合強度が高く、かつその強度のバラツキも少なくでき、安定かつ信頼性のあるスポット接合強度に優れたモータ用整流子部材を提供すること。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる基体１上に、巻線コイルとの接合部にＳｎまたはＳｎ合金からなる皮膜３が形成されたモータ用整流子部材であって、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基体１とＳｎまたはＳｎ合金からなる皮膜３の中間に、Ｎｉ若しくはＮｉ合金またはＣｏ若しくはＣｏ合金が中間層２として設けられ、その中間層厚さが０．００５〜０．１μｍであるスポット接合強度に優れたモータ用整流子部材。 （もっと読む）

【課題】この発明は、導体のキンク不良の発生を防いで、弓線ガイドの回転抵抗を低減して生産性を向上できる撚線機の弓線ガイド構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ガイド治具２は、弓本体１の下面中央に形成した凹状溝部３の内部に接着等によって設置している。特に、この設置位置は、ガイド治具２の下端２ａが、弓本体１の下面１ｄよりも下方に突出しない程度に設定している。 （もっと読む）