【課題】成形性に優れた脂肪族ポリエステル樹脂及びその製造方法を提供する。
【解決手段】脂肪族ポリエステル樹脂に含有する特定の構成単位の量を、最適な量に調節することにより、成形時の溶融張力が十分あり、従来よりも成形性に優れた脂肪族ポリエステル樹脂及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れ、耐熱性があり、屈折率が小さく、アッベ数が大きく、複屈折が小さく、透明性に優れたポリカーボネートを提供する。
【解決手段】分子内に少なくとも一つの連結基−ＣＨ_２−Ｏ−を有するジヒドロキシ化合物を含むジヒドロキシ化合物と、炭酸ジエステルとを溶融重縮合して得られ、還元粘度が０．４０ｄｌ／ｇ以上１．７０以下であり、蟻酸含有量が５重量ｐｐｍ未満であることを特徴とするポリカーボネート。 （もっと読む）

【課題】リチウム二次電池正極材料として用いた場合、低コスト化及び高安全性化と高負荷特性、粉体取り扱い性向上の両立を図ることが可能なリチウム二次電池正極材料用リチウム遷移金属系化合物粉体を提供する。
【解決手段】リチウムイオンの挿入・脱離が可能な機能を有するリチウム遷移金属系化合物を主成分とし、該主成分原料に、Ｂ及びＢｉから選ばれる少なくとも１種以上の元素（以下「添加元素１」と称す。）を含有する化合物（以下「添加剤１」と称す。）と、Ｍｏ及びＷから選ばれる少なくとも１種以上の元素（以下「添加元素２」と称す。）を含有する化合物（以下「添加剤２」と称す。）をそれぞれ１種以上、主成分原料中の遷移金属元素の合計モル量に対して、添加剤１と添加剤２の合計で０．０１モル％以上、２モル％未満の割合で併用添加した後、焼成されたものであることを特徴とするリチウム二次電池正極材料用リチウム遷移金属系化合物粉体。 （もっと読む）

【課題】フッ化有機オニウム塩を用いて、テトラフルオロアルミン酸有機オニウム塩を高収率で得る製造方法を提供すること。
【解決手段】フッ化有機オニウム塩とフッ化アルミニウム水和物を、溶媒の存在下で反応させることを特徴とするテトラフルオロアルミン酸有機オニウムの製造方法である。本方法により新規化合物として、テトラフルオロアルミン酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリニウム又はテトラフルオロアルミン酸１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリニウムを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】高い電気特性を有しながら耐光性にも優れた電子写真感光体、該感光体を用いたカートリッジ、及び該感光体を用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、その感光層に、下記式（１）で表される化合物Ａを含有させることによって、上記課題を解決する。式（１）中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数２０以下の有機基、置換基を有してもよい芳香族基の何れかを表す。ただし、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^０のうち少なくとも１つは置換基を有してもよい芳香族基を表す。本発明の電子写真感光体は、好ましくは波長３８０ｎｍ〜５００ｎｍの単色光で露光することにより静電潜像が形成される。
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【課題】高温環境下に保管された場合であっても、経時的に剥離力が増大することなく良好な離型特性を有する、新規な離型剤を提供する。
【解決手段】下記一般式［１］で表される脂肪酸ビスアミド化合物を１種以上含む脂肪酸ビスアミド組成物であって、該脂肪酸ビスアミド組成物を加水分解した後の脂肪酸成分をガスクロマトグラフ／水素炎イオン化検出法にて分析した際の、主たる脂肪酸成分の含有量が９０面積％以上であり、かつ、主たる脂肪酸成分の脂肪族基（［１］式中のＲ）の炭素数が１９以上２３以下であることを特徴とする脂肪酸ビスアミド組成物である。
Ｒ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ₂）_n−ＮＨＣＯ−Ｒ ［１］
（式中、ｎは１〜６の整数を表す。Ｒは直鎖の脂肪族基を表す。） （もっと読む）

【課題】空隙率と化学修飾率をコントロールした不織布を得ることで、それを複合材料にした際の、高透明性、非着色性、低線膨張係数化を実現する。
【解決手段】化学修飾されたセルロース不織布であって、化学修飾率がセルロースの全水酸基に対して８〜６５ｍｏｌ％で、空隙率が３５体積％以上、好ましくは３５〜６０体積％であるセルロース不織布。セルロースを不織布とした後に、化学修飾することにより、このセルロース不織布を製造する。このセルロース不織布とセルロース以外の樹脂とを含む複合材料。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の単結晶中に含まれる不純物元素の含有量を選択的に制御させることができる方法を提供する。
【解決手段】不純物としてＬｉを８７ｐｐｍ含有するＧａＮ単結晶（未処理）４と、ＧａＣｌ3を含むＫＣｌ溶液５とＧａ金属６とを、石英アンプル管１に真空封入して横型炉にセットし、石英ガラス反応管２を加熱し９００℃で２００時間保持した後、石英ガラス反応管２を取り出し、空気中で急冷する。石英アンプル管１の内部から固体状となった試料を取り出して１００℃の温水処理を間施し、次いで、塩酸を用いて酸処理を行い、内容物を溶解することにより溶液中にＧａＮ単結晶が沈殿して残る。これを蒸留水で洗浄し、乾燥することにより、処理前に比較して不純物元素であるＬｉ含有量の低いＧａＮ単結晶が得られる。逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れ、耐熱性があり、屈折率が小さく、アッベ数が大きく、複屈折が小さく、透明性に優れた、植物由来原料を含むポリカーボネートの製造方法およびその成形物を提供する。
【解決手段】分子内に少なくとも一つの連結基−ＣＨ_２−Ｏ−を有するジヒドロキシ化合物を少なくとも含むジヒドロキシ化合物を、重合触媒の存在下、炭酸ジエステルと反応させる工程を含むポリカーボネートの製造方法であって、分子内に少なくとも一つの連結基−ＣＨ_２−Ｏ−を有するジヒドロキシ化合物の蟻酸含有量が２０ｐｐｍ未満であるポリカーボネートの製造方法、分子内に少なくとも一つの連結基−ＣＨ_２−Ｏ−を有するジヒドロキシ化合物に由来する構成単位を含むポリカーボネートであり、該ポリカーボネートのアッベ数が５０以上であり、且つ５％熱減量温度が３４０℃以上であるポリカーボネート又は該ポリカーボネートの組成物からなる成形物。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の上に第１バッファー層３０を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層３０の上に、複数の開口を有するマスク４０を形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層３０の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層６０a、６０bを形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層６０a、６０bの上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）