【課題】電極に対するハンダの接触の仕方によって抵抗値に大きなばらつきが発生するといった不具合を解消しまたは抑制することが可能なチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】一様な金属材料からなるチップ状の抵抗体１と、この抵抗体１の片面に設けられ、かつ互いに離間して並んだ少なくとも一対の電極３と、を備えているチップ抵抗器であって、上記一対の電極３は、これらが並ぶ方向において上記抵抗体の端縁から離間しており、上記抵抗体１の上記片面のうち、上記一対の電極３の間の領域、および上記抵抗体の端縁から離間した上記各電極３と上記抵抗体の上記端縁との間は、上記絶縁層４によって覆われており、上記各電極３の端縁は、上記絶縁層４上にオーバラップしている。 （もっと読む）

【課題】白色光を効率よく発光可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に積層されたｎ型半導体層３、活性層４、およびｐ型半導体層５とを備えており、活性層４は、その波長が４３０〜５７０ｎｍである青色光、青緑色光、または緑色光を発光する半導体発光素子Ａ１であって、基板１は、Ｃｒが添加されたサファイアからなり、基板１とｎ型半導体層３との間には、ＡｌＮからなるバッファ層２が介在しており、ｎ型半導体層３は、その組成がｎ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）で表され、かつバッファ層２側の端部よりも活性層４側の端部の方がＡｌの含有量が小とされている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低下させるとともに、漏れ電流を抑制することが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４に挟まれた活性層３と、ｎ側電極５と、ｐ側電極６と、絶縁層７と、を備える半導体発光素子Ａであって、ｎ側電極５は、ｎ−ＧａＮ層２と接するＡｌ層５１と、Ａｌ層５１上に形成されたＮｉ層５２とによって構成されており、ｐ側電極６は、ｐ−ＧａＮ層４と接するＡｕ層６１と、Ａｕ層６１上に形成されたＮｉ層６２とによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換素子から得られる電気量を無駄なく利用することで、受光感
度の向上や受光信号のＳ／Ｎ改善を実現することが可能な光電変換回路、及び、これを用
いた固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光電変換回路Ｐｍｎは、受光量に応じた検出電流ｉ１を生成す
る光電変換素子ＰＤと；一端が光電変換素子ＰＤの一端に接続され、該一端から検出電流
ｉ１の積分値に応じた端子電圧Ｖａが引き出されるキャパシタＣ１と；キャパシタＣ１の
端子電圧Ｖａが入力され、これに応じた増幅信号を生成するアンプＡＭＰ１と；を有して
成り、アンプＡＭＰ１の増幅信号を用いて最終的な受光信号（出力電流ｉｏ）の出力を行
う光電変換回路であって、キャパシタＣ１の充放電経路となり得る電流経路として、光電
変換素子ＰＤを介する電流経路のみを有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】組み立て不良や漏れ電流の発生を抑制することが可能な固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】陽極ワイヤ１１が突出し、かつ弁作用金属からなる多孔質焼結体１の表面に誘電体層２を形成する工程と、誘電体層２上に固体電解質層３Ａを形成する工程と、を有する固体電解コンデンサの製造方法であって、固体電解質層３Ａを形成する工程の後に、固体電解質層３Ａのうち陽極ワイヤ１１とは反対側に位置する厚肉部３ａの厚さを減じる工程をさらに有している。 （もっと読む）

【課題】スーパージャンクション構造を有する高耐圧の半導体装置を提供すること。
【解決手段】素子活性領域２において、ｎ型ドリフト層７とｐ型柱状リサーフ部１４とによってスーパージャンクション構造が形成されている。また、素子活性領域２を取り囲む外周領域４では、外周領域４の内周縁と外周縁との対向方向に延びるｐ型ライン状リサーフ部１５が複数設けられており、その対向方向と交差する方向において、ｎ型ドリフト層７とｐ型ライン状リサーフ部１５とが交互に並ぶ。そして、各ｐ型ライン状リサーフ部１５は、ＥＱＲ電極５に接続されている。これにより、オフ状態で、ｎ型ドリフト層７とｐ型ライン状リサーフ部１５との界面からも空乏層が拡がる。このとき、各ｐ型ライン状リサーフ部１５がＥＱＲ電極５に接続されているので、ｐ型ライン状リサーフ部１５からＥＱＲ電極５に正孔を逃がすことができる。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧の変動に対して良好な耐性を有し、且つ起動時間を短縮可能とする。
【解決手段】 制御ノードｎ₁に流れる電流に応じて、定電流Ｉｃｏｎｓｔを発生する定電流発生回路１２と、電源ＶＤＤと制御ノードｎ₁との間に接続され、電源電圧の変動に対して定電流Ｉｃｏｎｓｔを安定させるコンデンサＣ₁と、コンデンサＣ₁に強制的に電流を流すことでコンデンサＣ₁を充電するコンデンサ充電回路１３と、電源投入時から所定の条件が成立するまでの期間において、コンデンサ充電回路１３を動作させる制御回路１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、高強度、軽量である上に、熱膨張係数が極めて小さく、高弾性で破壊エネルギー（破壊歪）が非常に大きな繊維樹脂複合材料を提供する。
【解決手段】ナノファイバーシートに非結晶性合成樹脂を含浸させてなる繊維樹脂複合材料。非結晶性合成樹脂の５０μｍ厚での平行光線透過率が７０％以上であり、ナノファイバーシートのヤング率が非結晶性合成樹脂のヤング率の９倍以上である。ナノファイバーシートに光透過性に優れた非結晶性合成樹脂を含浸させてなるものであるため、透明性が高い。ナノファイバーシートと樹脂との複合材料であることから、軽量であると共に高強度、高弾性である。ヤング率が大きく異なるナノファイバーシートと非結晶性合成樹脂とを複合化することにより、弾性率（ヤング率）が高く、しかも線熱膨張係数がナノファイバーに近い極めて低熱膨張性であり、かつ透明な材料を実現することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】正孔および電子の注入効率を低下させることなく緑色などの所望の波長のレーザ光を出射することが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層３Ａ、活性層４Ａ、およびｐ型半導体層５Ａを含んでおり、ｎ型半導体層３Ａ、活性層４Ａ、およびｐ型半導体層５Ａの積層方向に対して垂直である方向に活性層４Ａからレーザ光が出射されるレーザダイオード部２Ａを備える半導体発光素子Ａ１であって、レーザダイオード部２Ａに対してその光出射方向に配置されており、少なくともその一部に希土類元素が添加されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる波長変換部２Ｂをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】ｐ側電極をリッジストライプに対して適切に接合しつつ、パッド電極とｐ型半導体層とを十分に絶縁することが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】リッジストライプ４ａが形成されたｐ−ＧａＮ層４と、リッジストライプ４ａと接するｐ側電極６Ａと、少なくともその一部がｐ−ＧａＮ層４のうちリッジストライプ４ａ以外の部分とｐ側電極６Ａの一部との間に介在する第１絶縁膜５Ａと、ｐ側電極６Ａを覆うパッド電極６Ｂと、を備えた半導体発光素子Ａ１であって、第１絶縁膜５Ａおよびｐ側電極６Ａのリッジストライプ４ａに対して遠方に位置する外縁５Ａａ，６Ａａが互いに一致しており、第１絶縁膜５Ａおよびｐ側電極６Ａの外縁５Ａａ，６Ａａよりもリッジストライプ４ａに対して離間した位置において、ｐ−ＧａＮ層４とパッド電極６Ｂとの間に介在する第２絶縁膜５Ｂをさらに備えている。 （もっと読む）