【課題】本発明は、簡単な構成で、液体の保持及び通過を制御可能なマイクロチップを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のマイクロチップは、液体を導入する導入部１１と、バルブ１３と、液体を排出する排出部１５とを有する。ここで、導入部１１は、導入部本体１１ａ、導入部入口１１ｂ、及び導入部出口１１ｃを備える。また、排出部１５は、第１排出流路１５−１と、下流側の第２排出流路１５−２を有する。バルブ１３は、前記導入部出口１１ｃと第１排出流路１５−１とを接続し、液体の表面張力により前記排出部１５に液体を排出させないように保持する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電源装置の効率低下や規模拡大を招くことなく、負電圧の出力禁止時に出力キャパシタを急速放電することが可能な負電圧放電回路の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る負電圧放電回路Ｘは、一端が出力用キャパシタＣｏの負極端に接続された抵抗Ｒ１と；ソースが抵抗Ｒ１の他端に接続され、ドレインが接地端に接続されたトランジスタＮ１と；ソースが出力用キャパシタＣｏの負極端に接続され、ドレインがトランジスタＮ１のゲートに接続され、ゲートが接地端に接続されたトランジスタＮ２と；ソースが電源電圧Ｖｂａｔの入力端に接続され、ドレインがトランジスタＮ１のゲートに接続され、ゲートが制御信号Ｓ１の入力端に接続されたトランジスタＰ１と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】ＦＭ送信機の回路規模を縮小する。
【解決手段】ＦＭ送信機１００は、入力オーディオ信号Ｓ１をステレオコンポジット信号Ｓ２に変換し、周波数変調して出力する。フィルタ回路５０は、入力オーディオ信号Ｓ１が入力され、帯域を補正して出力する。ステレオ変調器１０は、フィルタ回路５０の出力信号Ｓ１’をステレオ変調し、ステレオコンポジット信号Ｓ２に変換する。周波数変調器２０は、ステレオ変調器１０から出力されるステレオコンポジット信号Ｓ２にもとづいて、周波数変調を実行する。フィルタ回路５０は、たとえばプリエンファシス回路やローパスフィルタを含む。フィルタ回路５０の少なくとも一部、すなわちローパスフィルタあるいはプリエンファシス回路を、スイッチドキャパシタフィルタで構成する。 （もっと読む）

【課題】装置全体のサイズの大型化を招くことなく、発光面積を拡大することができる、半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１では、複数個のトランジスタ６が２列に並べて形成されている。各トランジスタ６は、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。配線１６により、一方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、他方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。また、配線１７により、他方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、一方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】耐電圧を向上させた加熱体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る加熱体Ａは、ＡｌＮ基板１と、ＡｌＮ基板１上に帯状に形成された発熱抵抗体３と、発熱抵抗体３を覆うように形成された保護膜４とを有する加熱体Ａであって、保護膜４は、発熱抵抗体３を覆う第１保護膜４１と、この第１保護膜４１を覆う第２保護膜４２とを有しており、第１保護膜４１は、結晶化温度がガラス軟化点よりも５０℃以上高い結晶化ガラスまたは半結晶化ガラスを上記ガラス軟化点よりも高温でかつその差が７０℃以内である焼成温度で焼成されており、第２保護膜４２は、非晶質ガラスで形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その電力効率を改善することができ、かつ、入出力電圧差が小さいときでも、その同期整流動作を支障なく行うことが可能な昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータ２０は、出力トランジスタＮ１及び同期整流トランジスタＮ２として、いずれも、Ｎチャネル型電界効果トランジスタを用いており、かつ、接地電圧ＧＮＤと入力電圧Ｖｉｎとの間でトランジスタＮ１のゲート電圧Ｇ１をパルス駆動する第１の駆動手段（ＤＲＶ１）と；スイッチング電圧Ｖ１と当該スイッチング電圧Ｖ１を少なくともトランジスタＮ２のオンスレッショルド電圧分だけ高めたブートストラップ電圧Ｖ２との間で、トランジスタＮ２のゲート電圧Ｇ２をパルス駆動する第２の駆動手段（ＤＲＶ２、Ｃ３、Ｄ１）と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】ロータ位置に応じて、適切に正弦波駆動する。
【解決手段】逆起検出回路２０は、コイルＬｕの相電圧Ｖｕを、中点電圧Ｖｃｏｍと比較してゼロクロス点を検出し、逆起検出信号ＢＥＭＦ＿ＥＤＧＥを出力する。パルス信号生成回路４２は、逆起検出信号ＢＥＭＦ＿ＥＤＧＥと同期して、周波数がｎ倍（ｎは２以上の整数）のパルス信号ＰＵＬＳＥを生成する。正弦波信号生成回路７０は、パルス信号ＰＵＬＳＥに応じて正弦波状の制御信号ＣＮＴを出力する。ＰＷＭ信号生成回路８０は、制御信号ＣＮＴを、トルク信号Ｓｔｒｑと合成し、パルス幅変調したパルス幅変調信号Ｓｐｗｍを生成する。スイッチング制御回路３０は、逆起検出信号ＢＥＭＦ＿ＥＤＧＥにもとづき、スイッチング回路１０のシーケンスを制御するとともに、ＰＷＭ信号Ｓｐｗｍにもとづき、スイッチング回路１０に含まれるスイッチをスイッチング制御する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ断線を抑制することが可能なワイヤボンディング方法を提供すること。
【解決手段】キャピラリＣｐに挿通されたワイヤＷの一端を接合するファーストボンディング工程と、ワイヤＷの他端をパッド１２に接合するセカンドボンディング工程と、を有するワイヤボンディング方法であって、上記セカンドボンディング工程は、ワイヤＷの上記他端を接合した後に、キャピラリＣｐから突出したワイヤＷに溶融ボールを形成する工程と、キャピラリＣＰをパッド１２に接近させることにより、上記溶融ボールをワイヤＷの上記他端に付着させる工程と、ワイヤＷを送り出しながらキャピラリＣｐをパッド１２から離間させる工程と、キャピラリＣｐをパッド１２から離間する方向に対して直角な方向にスライドさせることにより、ワイヤＷにくびれ部Ｗ２ｃを形成する工程と、キャピラリＣｐをパッド１２から離間させることにより、ワイヤＷを切断する工程と、をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＮを含む活性層３と、活性層３を挟んで積層されたｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４と、を備える半導体発光素子Ａであって、ｐ−ＧａＮ層４は、活性層３に直接接しているとともに、ＧａＮにｐ型不純物がドープされており、かつその少なくとも一部にドープ濃度１×１０¹⁶〜１×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³でＩｎがさらにドープされている。 （もっと読む）

【課題】充電速度と効率のバランスのとれたキャパシタ充電装置を提供する。
【解決手段】オフ信号生成部３０は、１次コイル１２に流れる電流が、所定のピーク電流まで増加すると、所定レベルのオフ信号Ｓｏｆｆを出力する。第１オン信号生成部４０は、トランス１０の１次コイル１２の両端の電圧ΔＶが、所定の第１しきい値電圧Ｖｔｈ１まで低下すると、所定レベルの第１オン信号Ｓｏｎ１を出力する。第２オン信号生成部５０は、オフ信号生成部３０から所定レベルのオフ信号Ｓｏｆｆが出力されてから、出力電圧Ｖｏｕｔに応じた監視電圧Ｖｏｕｔ’にもとづき設定されるオフ時間Ｔｏｆｆが経過した後に、所定レベルとなる第２オン信号Ｓｏｎ２を出力する。スイッチング制御部６０は、オフ信号Ｓｏｆｆに応じてスイッチングトランジスタＴｒ１をオフし、第１オン信号Ｓｏｎ１、第２オン信号Ｓｏｎ２に応じてスイッチングトランジスタＴｒ１をオンする。 （もっと読む）