【課題】本発明は、小規模な回路構成でありながら、適切にチャージポンプのステート制御を行うことが可能な電源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電源装置は、出力電圧Ｖｏｕｔに応じた帰還電圧Ｖｆｂ（図１ではＶｃ１〜Ｖｃｎの最低電圧）が参照電圧Ｖｒｅｆと一致するように、出力トランジスタＴｒの開閉制御を行うレギュレータ２１と；レギュレータ２１からの入力電圧Ｖｉｎ’を昇圧して出力電圧Ｖｏｕｔを生成するチャージポンプ２２と；出力トランジスタＴｒの制御電圧Ｓａが閾値電圧Ｖｔｈに達したか否かを検出する検出部２３と；検出部２３の比較結果信号Ｓｂに基づいてチャージポンプ２２の昇圧倍率を切り替えるステート制御部２４と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードからの光による通信における通信可能範囲をレーザダイオードからの光が通過する領域以上に拡大することができる、光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光通信モジュール４は、送信側の光通信モジュール１から出射される平行光を受光する受光素子としてのフォトダイオード５と、平行光をフォトダイオード５に集光させるための集光レンズ６とを備えている。集光レンズ６は、送信側の光通信モジュール１から出射される平行光の光束の径よりも大きな径を有している。 （もっと読む）

【課題】 光学窓のクリーニング効果を従来よりもさらに高めて、メインテナンス周期を飛躍的に増大させることができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空処理装置は、真空処理室１０と、真空処理室１０の壁部１２に配置された透光性部材２２を有する光学窓２０と、真空処理室の内側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４を有する接地電極１２と、真空処理室１０の外側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４と対向する第２開口３２を有するＲＦ電極３０とを有する。真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な構成で、液体の保持及び通過を制御可能なマイクロチップを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のマイクロチップは、液体を導入する導入部１１と、バルブ１３と、液体を排出する排出部１５とを有する。ここで、導入部１１は、導入部本体１１ａ、導入部入口１１ｂ、及び導入部出口１１ｃを備える。また、排出部１５は、第１排出流路１５−１と、下流側の第２排出流路１５−２を有する。バルブ１３は、前記導入部出口１１ｃと第１排出流路１５−１とを接続し、液体の表面張力により前記排出部１５に液体を排出させないように保持する。 （もっと読む）

【課題】複数の負荷を、制御回路を共有して駆動する。
【解決手段】スイッチング回路１０は、トランス１２の１次巻き線１２ａに接続された複数のトランジスタを含み、各トランジスタのオンオフに応じて、１次巻き線１２ａに入力電圧Ｖｉｎおよび接地電圧を交互に印加する。複数のキャパシタＣ１ａ〜Ｃ１ｄは、複数の蛍光ランプ２１０ごとに設けられ、一端がトランス１２の２次巻き線１２ｂに共通に接続され、他端が蛍光ランプ２１０にそれぞれ接続される。制御回路２０は、インバータ１００および蛍光ランプ２１０を含む回路全体の電流経路のうち、ひとつの所定の電流経路１８に流れる電流をモニタし、モニタした電流が所定の状態を保つように、スイッチング回路１０の複数のトランジスタのオンオフ状態を帰還制御し、トランス１２の１次巻き線１２ａへのスイッチング電力の供給を調節する。 （もっと読む）

【課題】配向性が高く、配向した領域が大きい有機半導体膜を製造できる有機半導体膜の製造方法を提供する。性能に優れた有機デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の有機半導体膜の製造方法は、溶融した有機半導体化合物Ａを支持板１０ａ，２０ａに接触させた状態で冷却して固化させる方法であって、下記（１）〜（３）を採用したものである。（１）支持板が、有機半導体化合物Ａに接触する側の面に多数の溝が形成されたものである、（２）冷却の際に、支持板表面に略平行な一方向に沿った温度勾配を有機半導体化合物Ａに付与する、（３）支持板が、ポリイミド製である。本発明の有機デバイスは、上述した有機半導体膜の製造方法により製造された有機半導体膜を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の回数を増やすことなく、高温高出力動作可能なモノリシック型半導体レーザを提供する。
【解決手段】一の基板１上にＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子１０ａとＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子１０ｂとが形成されている。両半導体レーザ素子のｐ形半導体層４ａ、４ｂのリッジ部の両側には第１電流狭窄層５ａ、５ｂと第２電流狭窄層１１ａ、１１ｂが積層して形成されている。少なくともＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子１０ａの電流狭窄層をＩｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘＡｌ_ｘ）_１−ｙＰ（０.６≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表わされる材料からなる層とＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０.５≦ｚ≦１．０）で表される材料からなる層の積層構造にする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ流体チップのラテックス保持室内において、ラテックス粒子の内壁面への吸着を抑制し、ラテックス凝集比濁法の測定精度を高める。
【解決手段】本発明のマイクロ流体チップは、ラテックス試薬により液状検体の微量分析を行なうラテックス凝集比濁法において使用するマイクロ流体チップであって、ラテックス試薬の保持室を備え、保持室の少なくとも１つの内壁面における表面ゼータ電位の絶対値が２０ｍＶ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトカップラを用いずに、負荷を安定に駆動する。
【解決手段】１次側領域４０２および２次側領域４０４は、電気的に絶縁される。第１、第２パルストランス３０、３２は、スイッチング回路１０内部のトランジスタごとに設けられ、その２次巻き線３０ｂ、３２ｂがトランジスタの制御端子に接続される。制御回路２０は、フィードバックライン１６により帰還された帰還信号Ｖｆｂにもとづき、パルストランスの１次巻き線３０ａ、３２ａに、スイッチング電圧Ｖｓｗ１、Ｖｓｗ２を供給する。１次側領域４０２に、トランス１２の１次巻き線１２ａ、スイッチング回路１０、２次巻き線３０ｂ、３２ｂと、を配置し、２次側領域４０４に、トランス１２の２次巻き線１２ｂと、１次巻き線３０ａ、３２ａと、フィードバックライン１６と、制御回路２０と、を配置する。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を向上することができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、支持基板１７０と、支持基板１７０上に設けられたｐ型窒化物半導体層１４０と、該ｐ型窒化物半導体層１４０上に設けられたＭＱＷ活性層１３０と、該ＭＱＷ活性層１３０上に設けられたｎ型窒化物半導体層１２０とからなる窒化物半導体層１００と、ｎ型窒化物半導体層１２０上に設けられたコンタクト電極１６１と、コンタクト電極１６１上に設けられた光透過性の第２透明電極１６５と、支持基板１７０上に設けられ、第２透明電極１６５と電気的に接続されている第２パッド電極１６６とを備え、ＭＱＷ活性層１３０の主面に対して平行な面である投影面Ｓにおいて、ＭＱＷ活性層１３０の主面が投影された領域と第２パッド電極１６６が投影された領域とが重ならない。
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