【課題】後でエッチングによる除去が必要となるシード膜を用いることなくめっき被膜によって形成した引出配線を備えた半導体チップ、及びこの半導体チップにおける引出配線の形成方法を提供する。
【解決手段】所定の回路を形成した半導体基板上に、外部との接続に用いる外部接続端子に接続した引出配線が形成された半導体チップ、及びこの半導体チップにおける引出配線の形成方法において、引出配線は、半導体基板上に形成した所定パターンのレジストマスク上に金属膜を蒸着して、レジストマスクを除去することにより金属膜を引出配線の形状とし、この金属膜上にめっき処理によって形成しためっき被膜で引出配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数種類のプログラム処理を適切に実行し得るものでありながら、ワークＲＡＭのメモリ容量および占有面積を極力抑えることのできる情報処理装置および電子機器を提供する。
【解決手段】データを格納するワークＲＡＭと；実行プログラムを格納するプログラム格納手段と；を備えており、前記実行プログラムに基づいた前記データの処理であるプログラム処理を、複数種類行う情報処理装置であって、現在実行中のプログラム処理；または前回に実行したプログラム処理；とは異なるプログラム処理を実行する場合に、前記ワークＲＡＭのメモリマップを更新するメモリマップ更新手段を備えた情報処理装置、もしくは、当該情報処理装置を備えた電子機器とする。 （もっと読む）

【課題】小型化および大容量化を図ることが可能な固体電解コンデンサを提供すること。
【解決手段】弁作用金属からなる多孔質焼結体１と、誘電体層３および固体電解質層４と、多孔質焼結体１から突出する陽極ワイヤ２と、面実装用の実装面６Ａａを有する陽極端子６Ａと、実装面６Ａａと面一とされた実装面６Ｂａを有する陰極端子６Ｂと、樹脂パッケージ８と、を備える固体電解コンデンサＡであって、陽極ワイヤ２は、多孔質焼結体１から陽極端子６Ａの実装面６Ａａに対して垂直に突出しており、多孔質焼結体１と陽極端子６Ａとの間には、陽極ワイヤ２の少なくとも一部を囲うしみ上がり防止板７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】多くの基準電圧発生回路に適用することができ、出力電圧のみを容易に変化させることができる電圧発生回路及びその電圧発生回路を備えた電気機器を提供する。
【解決手段】電気機器Ｅに搭載される電圧生成回路１は、基準電圧発生回路２が接続される電圧可変回路３と、電圧分圧回路４と、レギュレータ回路５と、電圧検出回路６と、バッファ回路７とを備えている。電圧可変回路３は、可変抵抗Ｒ_１及びＲ_２を有し、可変抵抗Ｒ_１及びＲ_２を制御することによって、基準電圧発生回路２から出力される基準電圧Ｖｂをレギュレータ回路５及び電圧検出回路６に入力される可変電圧Ｖ_Ａに変換する。 （もっと読む）

【課題】視感度特性に近い分光感度特性を有し、分光感度特性を視感度特性に近づけるための光学フィルタを不要とすることができる、受光素子を提供すること。
【解決手段】受光素子１では、ｎ型基板２の表層部にｐ型層３が埋設され、そのｐ型層３の表層部にｎ型層４が埋設されている。そして、ｐ型層３に接続された第２アノード電極８とｎ型層４に接続された第２カソード電極９とが配線１４で接続されることにより、ｐ型層３とｎ型層４とのｐｎ接合からなる第２のフォトダイオードＰＤ２は、そののアノード−カソード間が短絡されている。これにより、受光素子１からは、ｎ型基板２とｐ型層３とのｐｎ接合からなる第１のフォトダイオードＰＤ１での光電変換によって生じる光電流のみが、ｎ型基板２に接続された第１カソード電極６から光検出信号として出力される。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護機能を備えた充電回路を提供する。
【解決手段】外部電源２１０からの電源電圧Ｖｄｄにもとづいて電池２２０を充電する充電回路２００ａにおいて、充電トランジスタＴｒ１は、外部電源２１０から電池２２０への経路上に設けられる。充電制御回路１００ａは、半導体基板上に集積化され、充電トランジスタＴｒ１のオン状態を調節して、電池２２０に供給する充電電流Ｉｃｈｇを調節する。電圧調節回路１１０は、外部電源２１０から充電制御回路１００ａの電源端子１０４への電力供給の経路上に設けられ、必要な電圧降下を生成する。電流調節回路２０は、電池２２０の電圧が、所定の電圧値に近づくように、充電トランジスタＴｒ１のオン状態を調節する。クランプ回路１０は、充電制御回路１００ａの電源端子１０４の電圧を、所定のクランプ電圧以下にクランプする。 （もっと読む）

【課題】所望の信号を安定にモニタする。
【解決手段】テストセレクト回路１０は、半導体集積回路に集積化され、半導体集積回路のテスト時において、内部に現れる複数のデジタル信号から、ひとつを選択して外部にテスト出力端子１１４を介して出力する。選択レジスタ１２は、リセット機能を無効化することが可能な複数のフリップフロップ回路ＦＦ１〜ＦＦ７を含む。制御回路１６は、フリップフロップ回路ＦＦ１〜ＦＦ７のデータ端子それぞれに、外部からの制御信号Ｓｃｎｔに応じた制御データＤｃｎｔを出力する。セレクタ回路１４は、デジタル信号ＳＩＧ１〜ＳＩＧｎから、選択信号Ｓｓｅｌの論理レベルに対応付けられたひとつを選択して出力する。フリップフロップ回路ＦＦ１〜ＦＦ７のリセット機能は、少なくとも、通常テスト時において無効化される。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性の劣化を伴うことなくサイドウォールを形成することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に高誘電率膜よりなるゲート絶縁膜５とポリシリコン膜を形成する。そして、ポリシリコン膜をパターニングすることにより、シリコンゲート電極６ａ、６ｂを形成する。続いて、半導体基板１上に酸化アルミニウム膜７および窒化シリコン膜よりなる積層膜を形成する。その後、窒化シリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、シリコンゲート電極６ａ、６ｂの側壁にだけ窒化シリコン膜８ａを残す。このとき、窒化シリコン膜の下層に形成されている酸化アルミニウム膜７がエッチングストッパとして機能する。次に、露出した酸化アルミニウム膜７を希フッ酸でウェットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】監視電圧の状態に応じて、適切に起動シーケンスを実行する。
【解決手段】電圧比較部２０は、電池電圧Ｖｂａｔを、所定のしきい値電圧Ｖｔｈと比較し、比較信号Ｓ＿ＵＶＬＯを出力する。シーケンス回路１６は、比較信号Ｓ＿ＵＶＬＯと、ＵＶＬＯ回路１０が搭載される機器の起動を指示する起動信号ＰＷＲ＿ＯＮと、を受け、電池電圧Ｖｂａｔがしきい値電圧Ｖｔｈより高い状態において、起動信号ＰＷＲ＿ＯＮにより起動が指示されると、所定のシーケンスを実行する。電圧制御部１８は、比較信号Ｓ＿ＵＶＬＯおよび起動信号ＰＷＲ＿ＯＮにもとづき、しきい値電圧Ｖｔｈを切り換える。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることが可能な半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具を提供すること。
【解決手段】それぞれがｎ−ＧａＮ層２、活性層３、およびｐ−ＧａＮ層４を有する複数の半導体発光素子Ｅｄを備えた半導体発光素子アレイＡであって、複数の半導体発光素子Ｅｄは、ＳｉＣからなる基板１上に形成されており、基板１のうち複数の半導体発光素子Ｅｄが搭載された面とは反対側の面が、光出射面１ａとされている。 （もっと読む）