【課題】 半導体層とコンタクトを取るためにサファイア基板に設けられる孔が、半導体層が完全に露出し、かつ、半導体層をエッチングし過ぎないように精密に形成され、しかも、電流が均一に広がりながら機械的強度も充分に得られるように形成され得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１と、該絶縁基板上に発光層を形成すべく積層される半導体層２〜５と、該半導体層の上面に形成される上部電極８と、前記絶縁基板の裏面側に設けられ、該基板のコンタクト孔１ｃを介して前記積層される半導体層の下層部に接続される下部電極９とからなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔１ｃが設けられている。 （もっと読む）

【目的】 チッ化ガリウム系半導体層のエッチングをマスクとの選択比を大きくとれるようにするとともに、エッチング面などにコンタミネーションが付着しないようにして高特性の半導体発光素子がえられる製法を提供する。
【構成】 基板１上に少なくともｎ型層３、４およびｐ型層６、７を含み発光（活性）層５を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをフッ素系ガスプラズマにより生じるフッ素イオンビームでドライエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】乾電池１本程度の電圧レベルで動作可能で、かつ、通常のプロセスで製造されたＣＭＯＳ回路を使用して消費電力を低減することができる、ＩＣ化に適したＤＣ／ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【構成】負荷に供給する電源電圧がＭＯＳトランジスタをＯＮ／ＯＦＦさせることができる電圧値以下のとき、バイポーラトランジスタをスイッチングさせて負荷に供給する昇圧電圧を発生させ、昇圧電圧が本来のＭＯＳトランジスタのＤＣ／ＤＣコンバータのスイッチング制御回路を動作させる電圧になると、バイポーラトランジスタ側のスイッチング動作を停止させてＭＯＳトランジスタのＤＣ／ＤＣコンバータを動作させるものである。 （もっと読む）

【目的】 過電流によって溶断するヒューズを備えた面実装型回路保護素子において、その低コスト化と、小型・軽量化を図る。
【構成】 セラミック製チップ片１５の内部に、細いトンネル１６を、当該トンネルがチップ片における一端面１５ａと他端面１５ｂとの両方に開口するように形成し、このトンネル内に低融点金属１９を充填する一方、前記チップ片における一端面と他端面との両方に、前記トンネル内における低融点金属に電気的に導通する端子電極１７，１８を各々形成する。 （もっと読む）

【目的】 コーナヘッドの利点を損なうことなく、共通電極の抵抗値の低減を安価に実現し、ヒータ数の多い大型のコーナヘッド型サーマルヘッドを提供する。
【構成】 ヒータ領域１３から絶縁基板１０のヒータ領域１３に近接した端縁側の側面１７にかけて傾斜面１８が設けられており、傾斜面１８上に抵抗膜層１２及び共通電極１５が設けられている。そして傾斜面１８には、抵抗膜層１２の下に共通電極１５に沿った補強導体２０が埋め込まれている。これにより、ヒータ領域１３への電力の供給を、共通電極１５と補強導体２０とを協働させて行うことができる。 （もっと読む）

【目的】 半導体チップおよびリードの先端部が樹脂で封入成形され、リードが細く狭ピッチ化された半導体装置であっても、リードが樹脂から抜けないようにし、半導体装置の信頼性を向上させる。
【構成】 ダイパッドに半導体チップがダイボンディングされ、該半導体チップおよびダイパッドの周囲に配設されるリード12の先端のワイヤボンディング部が樹脂20で封入され、前記リードの樹脂の内部に封入される部分にダイパッドの面と角度をなす方向に屈曲して形成される折曲げ部124 が形成されてなる半導体装置。 （もっと読む）