【課題】乾電池１本乃至２本程度の低い電圧レベルで動作可能なＭＯＳトランジスタによるＤＣ／ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【解決策】電池からの電力を受けて所定の電圧まで昇圧した電圧の電力を発生して負荷に供給するＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、負荷に対して直列あるいは並列に挿入され電池の電源供給ラインに対してスイッチングを行う、寄生バイポーラトランジスタが出力電極側において並列に形成されたＭＯＳトランジスタと、負荷側に出力する電力の一部を受けてこのＭＯＳトランジスタのスイッチングの期間を負荷側の電圧に応じてこの電圧が所定の一定値になるように制御する制御回路と、電池からの電力を受け、制御回路がＭＯＳトランジスタをＯＮ／ＯＦＦさせることができる所定電圧値より負荷の電圧が低いときに、寄生バイポーラトランジスタをスイッチングさせて負荷側に昇圧電圧を発生させる起動回路とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 従来の光通信装置においては、エネルギー効率のよい光通信を実現するために、指向性の強い光ビームを用いている。しかし、指向性の強い光ビームは限られた方向でしか受光できないため、移動体への光通信は困難である。
【解決手段】 本発明に係る光通信装置においては、光ビーム（Ｂ）を発する光信号送信部３と、位置情報送信部２からの位置情報（Ａ）に従って移動し光ビーム（Ｂ）を受光する移動体１とを有する光通信装置において、位置情報送信部２は光信号送信部３にも位置情報（Ａ）を送信し、光信号送信部３は位置情報（Ａ）に従って前記光ビームの進行方向を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 マイグレーションの発生を抑制することのできるガラスシールダイオードを提供する。
【解決手段】 半導体層６と、これの表面に形成された表面電極７と、半導体層６の裏面に形成された裏面電極８とを有するダイオードチップ１がガラス３によってシールされたガラスシールダイオードであって、裏面電極８は、水の存在によるイオン化のしにくい金属材料によって形成された。 （もっと読む）

【課題】集積度の向上を可能とした半導体チップおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント配線基板１０の表面１１に、半導体チップ２０がフェースアップ方式で接合される。半導体チップ２０の側壁面２４には、溝２５が形成されている。溝２５内には、導電ペースト２６が配置されており、この導電ペースト２６は、表面配線２８を介して、機能領域２２内の接続パッドＰに接続されている。プリント配線基板１０の表面の半田バンプ１２と、接続パッドＰとは、導電ペースト２６および表面配線２８を介して電気接続される。
【効果】スクライブライン領域２３を利用することにより、ワイヤボンディングを行うことなく、プリント配線基板１０への半導体チップ２０の接合が達成されている。 （もっと読む）

【課題】 ドライバ回路の回路構成、および伝送線路の特性インピーダンスを特定することによりバス配線系の信号伝送を高速化できる電子装置を提供する。
【解決手段】 差動相補ディジタル信号を伝達する伝送線路１と、それに整合した終端回路である終端抵抗２とからなるバス配線系に、カレントスイッチ型の差動ドライバ３を組み合わせた入出力回路を構成し、伝送線路１および終端抵抗２などを有する配線基板に、差動ドライバ３などを有する集積回路チップが搭載されて構成される電子装置であって、差動ドライバ３をカレントスイッチ型とし、かつ伝送線路１を２５Ω以下の特性インピーダンスを有する線路の並列等長配線とすることで、伝送中の信号エネルギの減衰を抑え、かつ近接する伝送線路１間の電磁界干渉を抑制することができる。 （もっと読む）

【構成】 高耐圧ＣＭＯＳＦＥＴ１６におけるチャネル領域２８ｃおよび２８ｄの不純物濃度が低くされ、低耐圧ＣＭＯＳＦＥＴ１４におけるチャネル領域２８ａおよび２８ｂの不純物濃度がそれらよりも高くされる。したがって、高耐圧ＣＭＯＳＦＥＴ１６においてはドレイン耐圧が高くなり、低耐圧ＣＭＯＳＦＥＴ１４においては寄生容量が小さくなるとともに空乏層の広がりが抑えられる。
【効果】 高耐圧ＣＭＯＳＦＥＴ１６においては十分な高耐圧性を得ることができ、低耐圧ＣＭＯＳＦＥＴ１４においては動作速度を速くすることができるとともに素子サイズを小型化できる。 （もっと読む）

【課題】 小さい基板と大きい基板とが貼着されて、小さい基板の側縁部に形成される角部の狭い範囲に樹脂を塗布して保護膜を形成する場合に、簡単に、しかも確実に狭い範囲に保護膜を形成することができ、製造コストを下げることができる液晶表示素子の製法を提供する。
【解決手段】 電極パターンの端部１３ａが露出する部分に形成される小さい基板１２の側縁部１２ａと大きい基板１１の表面１１ａとの接合部に樹脂による保護膜４を形成する場合に、小さい基板１２の側縁部１２ａに弾力性のあるニードル５を用いて樹脂を塗布しながら、該塗布された樹脂にエアー供給管６によりエアーを吹き付けて大きい基板１１の表面１１ａにその樹脂を垂らしてから硬化させることにより、２枚の基板１１、１２の接合部に樹脂による保護膜４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電極パターンの位置に対して精度よくカラーフィルターを設け、繊細なカラー画像を得ることができるカラー液晶表示素子の製法を提供する。
【解決手段】 液晶セル１の基板１２の外表面に混合により発色する材料をそれぞれカプセル２ａ〜４ａ化して混ぜ込まれた樹脂を塗布して発色樹脂層２〜４を形成し、液晶セル１の点灯表示により電極パターン１４の位置を確認し、所望の場所の発色材料のカプセル２ａ〜４ａを破壊して発色させることによりカラーフィルタを形成する。液晶セル１は、電極パターンおよび配向膜を形成した基板１１、１２を２枚一定間隙を有するようにシール剤１７により貼着して、その間隙に液晶材料１８を充填することにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 実質的に電圧損失がない、良好な昇圧効率を有する昇圧回路を提供する。
【解決手段】 第ｍコンデンサＣ_m（ｍ＝１、２、…、ｎ−１）のスイッチング素子に接続されていない側（Ｓ_m）への印加電圧がローレベルからハイレベルに切り換わる際、及び、第（ｍ＋１）スイッチング素子Ｐ_m+1がＯＦＦからＯＮに切り換わる際には、第ｍスイッチング素子Ｐ_mがＯＦＦであり、また、第ｍコンデンサＣ_mのスイッチング素子に接続されていない側（Ｓ_m）への印加電圧がハイレベルからローレベルに切り換わる際、及び、第ｍスイッチング素子Ｐ_mがＯＦＦからＯＮに切り換わる際には、第（ｍ＋１）スイッチング素子Ｐ_m+1がＯＦＦであることを特徴としている。 （もっと読む）