【課題】薄い接合膜であっても比較的低温での溶融接合が可能な電子装置およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１は、半導体基板１１と、この半導体基板１１の表面に形成され、ＡｕからなるバンプＢ１と、このバンプＢ１の頂面の全域に形成され、ＴｉＷからなる拡散防止膜１４と、この拡散防止膜１４上に形成され、他の装置の電気接続部との接合のための接合膜１５とを有している。接合膜１５は、Ｓｎからなる。Ｓｎは、単体の状態の融点がＡｕ−Ｓｎ合金の融点よりも低いが、Ａｕに対する拡散係数が高い。ＴｉＷは、Ａｕに対する拡散係数が低く、バンプＢ１の材料であるＡｕと接合膜１５の材料であるＳｎとの拡散を防止するから、接合膜１５はＳｎ単体の状態に保持される。 （もっと読む）

【課題】チップ型発光素子に用いられたときに、発せられた光を効率よく外部に取り出すことができる発光ダイオードチップを提供する。
【解決手段】この発光ダイオードチップ４は、半導体基板１１の上に下クラッド層１２、活性層１３、電流遮断層１５、および上クラッド層が順に積層されてなる。電流遮断層１５は、ＬＥＤチップ４の中央部から側面の１つに至る領域に形成されており、ＬＥＤチップ４の他の３つの側面の近傍（非遮断領域１６）を回避して設けられている。 （もっと読む）

【課題】 高効率を維持しつつ、安定した回路動作が実現可能なスイッチングレギュレータを提供する。
【解決手段】 電源装置１００は、スイッチングレギュレータ１０、リニアレギュレータ１６、タイマ回路１８、制御回路２０、インバータ２２、スイッチＳＷ１を含む。この電源装置１００は、入力端子１０２に入力された入力電圧Ｖｉｎを降圧して出力端子１０４に出力電圧Ｖｏｕｔを降圧して出力する降圧型ＤＣ／ＤＣコンバータである。タイマ回路１８は、制御信号Ｖｃｎｔにより電源装置の起動が指示された時刻からの経過時間をカウントし、予め決められた一定時間Ｔｐが経過するとその出力信号Ｖｔｉｍｅをハイレベルとする。出力信号Ｖｔｉｍｅがハイレベルとなると、スイッチＳＷ１がオンして制御回路２０の電源端子３０には、出力電圧Ｖｏｕｔが供給される。 （もっと読む）

【課題】 回路の安定性を損なうことなく迅速に過電流状態を検出して電流制限を行うことが可能な過電流保護回路およびそれを用いた電圧レギュレータを提供する。
【解決手段】 電圧生成回路１００は、レギュレータ１０、第１検出回路２０、第２検出回路３０とを含む。第１検出回路２０は、第１トランジスタ２２と、第１抵抗Ｒ１と、誤差増幅器２４とを含む。誤差増幅器２４は、Ｖ１＞Ｖｔｈのとき過電流状態を検知して演算増幅器１２に出力電流を制限する帰還を行う。第２検出回路３０は、第２トランジスタ３２と、第２抵抗Ｒ２と、検出トランジスタ３４とを含む。検出トランジスタ３４は、出力電流Ｉｏｕｔが検出しきい値電流を超えるとオンして演算増幅器１２に出力電流を制限する帰還を行う。第２検出回路３０の検出しきい値電流は、第１検出回路２０の検出しきい値電流よりも高く設定し、その検出動作速度は第１検出回路２０の検出動作速度よりも速く設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、任意の波長の光を発生させる発光素子を提供するか、該発光素子を作製するか、或いは該発光素子に備わる半導体結晶の微粒子を作製することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、半導体結晶からなる微粒子を、微粒子よりもエネルギーギャップの大きな導電性媒質で充填した構造となっている。本発明の発光素子に備わる微粒子層は、微粒子のエネルギーギャップに比べて大きなエネルギーギャップを有する導電性媒質で微粒子の周囲を包囲している。これにより、微粒子内に効率よく正孔と電子を閉じ込めることが可能になる。このような状態の微粒子が導電性媒質内に複数分布しており、導電性媒質に供給された正孔と電子を微粒子内に閉じ込める。これにより、効率よく再結合発光させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤチップに近接して発光色変換部材が設けられ、ＬＥＤチップからの波長の短い光や輝度の大きい光の発光色を変換させても、長時間に亘って色調や発光色が変化せず、また、輝度が低下しない安定した特性で信頼性を向上することができる半導体発光装置、それに用いる発光色変換部材、安定な蛍光体粉末を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤチップ６の少なくとも光発射面側に発光色変換部材５が設けられ、発光色変換部材５は、蛍光体粒子１の周りにＰｂまたはＢｉを含まないガラス被膜２が設けられる蛍光体含有ガラス粉末３を有している。また、発光色変換部材は、蛍光体含有ガラス粉末３がＰｂを含むガラス体４内に分散されることにより形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤチップに直接半導体超微粒子を内包した発光色変換部材を設けることにより、変換効率が優れ、高輝度の白色などの可視光に変換し、さらには紫外光がそのまま照射されて半導体発光装置を観察するものに害を及ぼさない構造とした半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤチップ１の少なくとも光発射面側に発光色変換部材２が設けられ、その発光色変換部材２は、直径が２〜２０ｎｍの蛍光発光性半導体超微粒子２１ａ〜２１ｃを内包するガラス体２２からなっている。さらには、その外表面に紫外光吸収膜３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードチップから発せられた光を効率よく外部に取り出すことができる側面発光型のチップ型発光素子を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１の一方表面には、内部電極２Ａ，２Ｂが形成されており、絶縁性基板１の他方表面には、外部電極３Ａ，３Ｂが形成されている。内部電極２Ａ上には、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ４がダイボンディングされている。ＬＥＤチップ４は、半導体基板１１の上に、下クラッド層１２、活性層１３、および上クラッド層１４が順に形成されてなる。ＬＥＤチップ４は、活性層１３が絶縁性基板１にほぼ平行になるように配されている。下クラッド層１２および上クラッド層１４は、Ａｌ_x1Ｇａ_(1-x1)Ａｓ（ｘ１＝０．２８）からなり、活性層１３は、Ａｌ_x2Ｇａ_x3Ｉｎ_(1-x2-x3)Ｐ（ｘ２＝０．１２）からなる。 （もっと読む）

【課題】 間欠動作の印加動作を開始するときの冷陰極管のオーバシュート電流を抑止することが可能な圧電トランス駆動回路の提供。
【解決手段】 この圧電トランス駆動回路が備える誤差増幅回路１は、一の入力端子に抵抗１０を介して検波回路の出力電圧、他の入力端子に誤差基準電圧Ｖ_ＲＥＦ１を入力してそれらを比較し、差電圧を増幅して出力する差動オペアンプ１１と、差動オペアンプ１１により制御される可変電流源１２と、電源電圧Ｖ_ＤＤと接地電位の間に可変電流源１２と直列に接続された定電流源１５及びスイッチ手段１３と、両端が可変電流源１２の出力と差動オペアンプ１１の一の入力端子に接続されたコンデンサ１４と、を備え、スイッチ手段１３は間欠動作の印加動作停止時には非導通状態、印加動作時には導通状態となり、誤差基準電圧Ｖ_ＲＥＦ１は間欠動作の停止時には第１の値、動作が開始されると徐々に第２の値に遷移する。 （もっと読む）

【課題】半田ボールの仮固定を確実に行うとともに、リフローによる溶着を確実に行えるようにする。
【解決手段】樹脂モールドされる半導体チップを設けた基板の裏面に有底凹部を形成し、同有底凹部に半田ボールを着設してバンプを形成したＢＧＡ型半導体装置において、前記有底凹部は半田ボールの載置部分の周りに設けた溝とし、この溝に半田ボールに塗布したフラックスを噛み込ませて半田ボールを安定保持させるとともに、リフロー時には半田ボールが溶融した溶融半田を溝内に流入させるようにした。 （もっと読む）