【課題】グリッドアレイ端子構造の半導体装置において、スイッチ回路がつながる端子の発熱を低減して溶解の危険性を少なくすること。
【解決手段】ＢＧＡなどのグリッドアレイ端子構造の半導体装置に内蔵されるスイッチ回路の出力端を、グリッドアレイ端子のうちの複数の端子に接続する。これにより、１つのアレイ端子に流れる電流を許容電流レベル内に低減し、また、ＩＣソケットとの接触抵抗による発熱量を低減する。また、複数の端子の各端子間に１つ以上の他の端子が存在するように配置し、また、複数の端子の全てをグリッドアレイ端子のうちの最外周に配置する。 （もっと読む）

【課題】 プリント配線基板５に、固体電解コンデンサを実装する場合に、スペースを縮小して、小型・軽量化を図る。
【解決手段】 弁作用金属粉末によるチップ体２及びこのチップ体の一端面から突出する陽極棒３並びに前記チップ体の表面に形成した陰極膜４にて構成されるコンデンサ素子１を、前記陽極棒の軸線と直角方向の厚さ寸法Ｔ０を前記プリント配線基板における板厚さＴと略等しくするかこの板厚さ以下に薄くした扁平な形状にする一方、前記プリント配線基板５には、抜き孔１０を、その表面における一対の配線パターン６，７の各々に電気的に導通するように設けたスルーホール８，９が当該抜き孔内に露出するように穿設し、この抜き孔内に、前記コンデンサ素子を、その陽極棒及び陰極膜が前記各スルーホールに電気的に接続するように装填する。 （もっと読む）

【課題】シリーズ型にチャージポンプ型昇圧回路を併用した電源装置において、過電流制限動作における垂下特性を緩やかにして、電流制限値を超えた負荷電流をも安定して供給可能にし、また電流制限時の発振状態を抑制すること。
【解決手段】調整電圧Ｖｃｐを出力するシリーズレギュレータ（１２、３０、２１、２２）と、この調整電圧Ｖｃｐを昇圧して出力電圧Ｖｏｕｔを出力するチャージポンプ型昇圧回路２０とを直列に接続し、出力電圧Ｖｏｕｔを定電圧にするようにシリーズレギュレータを制御する。そして、電流検出回路４０によりシリーズレギュレータの主回路電流Ｉ１を電流制限の対象とし、超過電流作成回路５０は、電流検出値が電流制限基準値を超過した分に応じた超過信号を発生し、この超過信号に応じて電圧制御信号を低減する。 （もっと読む）

【課題】携帯電話機等の音声の入出力機能を有するモバイル型電子機器に好適なＡＬＣを有する増幅装置において、アタック動作時とリカバリ動作時の両方で自然な聴感を得ることができるとともに、頻繁なアタック動作とリカバリ動作の繰り返しをさけること。
【解決手段】第１所定時間Ｔ１毎にアタックタイミングＴａを出力するアタック用カウンタ５０と、第２所定時間Ｔ２毎（Ｔ１＜Ｔ２）にリカバリタイミングＴｒを出力するリカバリ用カウンタ７０とをそれぞれ設ける。これにより、増幅利得を下げるアタック動作が、増幅利得を上げるリカバリ動作より速く行われるから、アタック動作時とリカバリ動作時の両方で自然な聴感を得る。 （もっと読む）

【課題】 処理速度を低下させることなく、共有されるメモリの使用効率の向上を実現する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数のタスクを切換えて行う半導体装置１０であって、行われるタスクに応じて夫々に所定の演算処理を行う複数のＣＰＵ１、２と、ＣＰＵ１、２の間で共有される１つのメモリ空間を全体として有するメモリＭＥＭ１、２、３、４とを備えている。割当制御回路３は、タスク毎にＣＰＵ１、２が必要とするメモリサイズを記憶しており、行われるタスクに応じてセレクタＳＥＬ１、２、３、４及びマルチプレクサＭＵＸ１、２を制御することにより、ＣＰＵ１、２の夫々に必要なメモリサイズ分のメモリを割り当てる。 （もっと読む）

【課題】共通のΣΔＤＡＣ装置を用いて、異なるサンプリングレートでサンプリングされた複数のディジタル入力信号を変換する際のＳ／Ｎ比を向上する、マルチサンプリングレートΣΔＤＡＣシステムを提供すること。
【解決手段】可聴周波数領域のほぼ上限側周波数の２倍以下のサンプリング周波数でサンプリングされた第１ディジタル入力信号をサンプリングレート変換して第１アップディジタル入力信号を形成する。この第１アップディジタル入力信号と高サンプリング周波数の第２ディジタル入力信号とを選択して、ΣΔＤＡＣ装置に供給して、アナログ信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有した半導体装置の製造方法において、工程を簡略化して製造コストを極力低く抑えると共に、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０の表面に第１の絶縁膜１１を形成し、その一部をエッチングして、半導体基板１０の一部を露出する開口部１１ａを形成する。次に、開口部１１ａ内から第１の絶縁膜１１上に延びるパッド電極１２を形成する。半導体基板１０の裏面上には第２の絶縁膜１５を形成する。次に、開口部１１ａよりも大きい開口径を有したビアホール１６を形成する。そして、ビアホール１６内から第２の絶縁膜１５上に延びる第３の絶縁膜１７を形成し、ビアホール１６の底部の第３の絶縁膜１７をエッチングしてパッド電極１２を露出する。その後、ビアホール１６内に貫通電極１９及び配線層２０を形成する。最後に、半導体基板１０を複数の半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤチップから出射される光を効率よく正面側に反射させて明るい輝度を得ることができると共に、樹脂成形体からの出っ張りを無くして非常に小形化することができる、サイドビュー型の半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 板状体から形成され、先端部に椀状の凹部１ａが設けられる第１のリード１と、第２のリード２とが並設され、第１のリード１の先端部の一部が板状体の面と平行に変位して第１の実装面１ｂとされ、第２のリード２の先端部も板状体の面と平行に変位して第２の実装面２ｂとされている。凹部１ａ内には、ＬＥＤチップ３がマウントされ、その２つの電極は第１および第２のリード１、２と接続手段４により電気的に接続されている。そして、第１および第２の実装面１ｂ、２ｂ並びにリードの切断面を除いて全面が樹脂成形体５により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】 レンズを具備せずに適切に画像を形成することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】 本発明により提供される画像形成装置は、光透過性を有する基板３１と複数の表示素子３３とを有する有機ＥＬパネル３を、感光性記録媒体２２を露光するための手段として備える。基板３１は、感光性記録媒体２２に対向するための第１面３１ａ、これとは反対の第２面３１ｂ、並びに当該第１面３１ａおよび第２面３１ｂにより規定される厚さＴを有している。複数の表示素子３３は、相互に離隔して第２面３１ｂ上に設けられ、且つ、各々、感光性記録媒体２２に向けて光を出射可能である。基板３１の屈折率をｎとし、複数の表示素子３３において隣り合う表示素子３３間の最小離隔距離をＳとすると、基板３１の厚さＴは下記の式（１）を満たしている。
【数１】
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【課題】 大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅配線層３０と、銅配線層３０に比べ酸素による腐食の少ないアルミ配線層３２を銅配線層３０の上に形成した積層構造の配線層３３を形成する。したがって、配線層３３が銅配線層３０を有するため、エレクトロマイグレーションによる断線が生じ難く、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性を向上させることができる。また、配線層３３形成後に配線層３３が露出した状態で酸素を含む雰囲気中における処理を行なう場合でも、配線層３３が腐食されにくい。すなわち、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線層３３を得ることができる。 （もっと読む）