【課題】長期間、減圧状態を維持することができる封着容器を提供する。
【解決手段】封着容器２は、底板１１と、スペーサ１２と、封着材１３と、カソード基板１４と、スペーサ１５と、封着材１６と、アノード基板１７と、押圧部材１８とを備えている。押圧部材１８は、底板１１とアノード基板１７とを常に押圧するためのものであって、押圧部３１と、先端部にネジ部３４が形成された４本の脚部３２と、４つのナット３３を備えている。押圧部材１８の脚部３２が、底板１１及びカソード基板１４の位置決め孔１１ａ、１４ａに挿通されると共に、ネジ部３４にナット３３が螺合される。これによって、底板１１とアノード基板１７が押圧部材１８によって常時押圧される。 （もっと読む）

【課題】高輝度かつ均一な光を照射することにより鮮明な画像を読み取ることが可能な画像読取装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】主走査方向ｘに延びた部分を有する基板１と、基板１に搭載された光源２と、光源２からの光を主走査方向ｘに延びた線状光として出射するための導光部材４と、主走査方向ｘに沿って基板１に搭載された複数のセンサＩＣチップ３と、を備えた画像読取装置Ａ１であって、基板１は、複数のセンサＩＣチップ３が搭載された長尺部１１と、光源２が搭載され、かつ光源２が搭載された面が主走査方向ｘを向く短尺部１２とを有しており、光源２は、短尺部１２に直接搭載されたＬＥＤチップ２１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率の低下を極力招かない形で、負荷に所望の駆動電流を供給することが可能な駆動電流生成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る駆動電流生成部２２は、ＬＥＤ３１に所望の駆動電流ｉを供給する駆動電流生成装置であって、ＬＥＤ３１の一端と接地端との間に直列接続された駆動トランジスタＮ０と；リファレンス抵抗Ｒ１に流れる電流ｉ１に応じた参照電圧Ｖ１が所定の基準電圧Ｖｒｅｆと一致するように、駆動トランジスタＮ０の開閉制御を行うとともに、駆動電流ｉと同様の挙動を示す中間電流ｉ２を生成する第１電流制御部ＣＣ１と；所定の比率をもって中間電流ｉ２に応じたミラー電流ｉ１を生成し、これをリファレンス抵抗Ｒ１に帰還入力させるカレントミラー部ＣＭ１と；駆動電流ｉと中間電流ｉ２との比率を所定値に維持する第２電流制御部ＣＣ２と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】迅速に且つ確実に封着室を減圧することが可能な封着容器の製造方法を提供する。
【解決手段】アノード基板１８を一対のバネ６３によって支持し、アノード基板１８と封着材１７との間に隙間Ｇを形成する。この状態で、減圧室に搬送して設置して減圧室を減圧する。ここで、隙間Ｇを介してゲッタ室２２及び撮像室２３も減圧される。その後、アノード基板１８を底板１１の方向に押圧して、アノード基板１８を封着材１７によって封着する。これによって、底板１１とアノード基板１８の間にゲッタ室２２及び撮像室２３が形成された封着容器２が完成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、キュベット部を通過する透過光を精度良く制御し、かつ製造工程の簡単化及び製造コストの低下を図ることができるマイクロチップを提供することを目的とする。
【解決手段】基板内部に形成され、試料が導入される検出路２３と、検出路２３の一端の基板により形成され、検出路２３に光を入射する入射端部２９と、検出路２３の他端の基板により形成され、検出路２３を通過後の光を基板外部に出射する出射端部３１とを含み、出射端部３１は、検出路２３の一端に対応する基板の外壁の切り欠き部３３を有して形成されており、切り欠き部３３及は、検出路２３から出射される光の出射面積を制限するマイクロチップを提供する。 （もっと読む）

【課題】保護機能を有する昇圧回路および、この昇圧回路を備える電気機器を提供する。
【解決手段】電気機器は昇圧回路２を備える。スイッチ制御回路８は昇圧回路２が電圧ＶＣＣを昇圧している際に電圧ＶＧが異常低下したことを検知すると、スイッチＳＷを導通状態から非導通状態に切換える。よってダイオードＤ１のアノードと電源ノードとの電気的接続が遮断される。たとえば端子Ｔ２（あるいは端子ＣＰ）の地絡時に電圧ＶＧ，ＶＤ１は低下する。このときにスイッチ制御回路８はスイッチＳＷを導通状態から非導通状態に切換える。よって端子Ｔ２（または端子ＣＰ２）の地絡時にダイオードＤ１，Ｄ２に過大な電流が流れることを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】高輝度化および低出力化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＮを含む井戸層３１、および井戸層３１を挟みかつＩｎＧａＮまたはＧａＮを含むバリア層３２を有する量子井戸構造とされた活性層３と、活性層３を挟むｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４と、を備える半導体発光素子Ａであって、井戸層３１の全体と、バリア層３２のうちｐ−ＧａＮ層４寄りのドープ部３２ａとには、Ｓｉがドープされており、バリア層３２のうちｎ−ＧａＮ層寄りのアンドープ部３２ｂは、アンドープとされている。 （もっと読む）

【課題】サイズが大型化しても、樹脂パッケージを容易に製造することができる、光通信モジュールおよびそのような光通信モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】光通信モジュール４は、長方形板状の基板１１を備えている。この基板１１の一方面１３上に、フォトダイオードが配置されており、その基板１１の一方面１３およびフォトダイオードは、樹脂パッケージ１２により封止されている。また、樹脂パッケージ１２の基板１１に接する面と反対側の光入射面１４には、送信側の光通信モジュールから出射される平行光をフォトダイオードに集光させるための集光レンズ６が配置されている。樹脂パッケージ１２の長手方向に沿った両側面１６，１７には、光入射面１４を垂直に見下ろしたときの形状が矩形状である溝１８が形成されている。この溝１８は、樹脂パッケージ１２の原型の成型時にすでに形成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上を図ることができる、フォトニック結晶を用いた光学素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】自己クローニング法により成長基板７上に形成されたフォトニック結晶積層体９に対して、その成長基板７側と反対側の面に、成長基板７とは別の支持基板２が接合される。そして、フォトニック結晶積層体９は、成長基板７に支持される積層体残存部分１０と、支持基板２に支持されるフォトニック結晶３とに分割される。これにより、支持基板２とこれに支持されたフォトニック結晶３とを備える光学素子１が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小規模な回路構成でありながら、適切にチャージポンプのステート制御を行うことが可能な電源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電源装置は、出力電圧Ｖｏｕｔに応じた帰還電圧Ｖｆｂ（図１ではＶｃ１〜Ｖｃｎの最低電圧）が参照電圧Ｖｒｅｆと一致するように、出力トランジスタＴｒの開閉制御を行うレギュレータ２１と；レギュレータ２１からの入力電圧Ｖｉｎ’を昇圧して出力電圧Ｖｏｕｔを生成するチャージポンプ２２と；出力トランジスタＴｒの制御電圧Ｓａが閾値電圧Ｖｔｈに達したか否かを検出する検出部２３と；検出部２３の比較結果信号Ｓｂに基づいてチャージポンプ２２の昇圧倍率を切り替えるステート制御部２４と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）