【課題】ｐ側電極をリッジストライプに対して適切に接合しつつ、パッド電極とｐ型半導体層とを十分に絶縁することが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】リッジストライプ４ａが形成されたｐ−ＧａＮ層４と、リッジストライプ４ａと接するｐ側電極６Ａと、少なくともその一部がｐ−ＧａＮ層４のうちリッジストライプ４ａ以外の部分とｐ側電極６Ａの一部との間に介在する第１絶縁膜５Ａと、ｐ側電極６Ａを覆うパッド電極６Ｂと、を備えた半導体発光素子Ａ１であって、第１絶縁膜５Ａおよびｐ側電極６Ａのリッジストライプ４ａに対して遠方に位置する外縁５Ａａ，６Ａａが互いに一致しており、第１絶縁膜５Ａおよびｐ側電極６Ａの外縁５Ａａ，６Ａａよりもリッジストライプ４ａに対して離間した位置において、ｐ−ＧａＮ層４とパッド電極６Ｂとの間に介在する第２絶縁膜５Ｂをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】処理を効率化する。
【解決手段】ＣＰＵ３０は、ボイス単位で表現されたメッセージデータＭＳＧを、順番に解析して、アサイナ処理を行い、ボイス単位のパラメータデータＰＲＭとして出力する。ＤＳＰ３２は、パラメータデータＰＲＭに応じて、ボイスごとのウェーブ波形を生成し、合成して出力する。第１演算処理部４２は、パラメータデータに応じた音色のデータをウェーブメモリ４４から読み出し、波形を構築する。第２演算処理部４８は、第１演算処理部４２から出力されるデータに対して、所定の第２処理を実行する。ミキサ部５０は、第２演算処理部４８から出力されるデータをすべてのボイスについて合成し、サンプル時間単位で出力する。第１演算処理部４２、第２演算処理部４８は、デュアルポートの作業用メモリ４６を共有してボイス単位のパイプライン処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】効率よい信号処理が可能な音源処理技術を提供する。
【解決手段】音源ＬＳＩは、入力されたメッセージデータにもとづいて、再生すべき音声波形データを生成して出力する。ＣＰＵ３０は、ボイス単位で表現されたメッセージデータを、順番に解析して、アサイナ処理を行い、ボイス単位のパラメータデータとして出力する。パラメータバンク３６には、ＣＰＵ３０から出力されるパラメータデータが書き込まれる。ＤＳＰ３２は、パラメータバンク３６から、パラメータデータを読み出し、当該パラメータデータに応じて、ボイスごとのウェーブ波形を生成し、合成して出力する。ＣＰＵ３０は、メッセージデータを、サンプリング時間を所定数倍したフレーム時間を単位として処理し、フレーム時間ごとにパラメータデータをメモリに書き込む。ＤＳＰ３２は、ボイスごとのウェーブ波形を合成した信号を、サンプリング時間ごとに出力する。 （もっと読む）

【課題】低い抵抗値を有するチップ抵抗器を，低コストで製造する。
【解決手段】高抵抗の金属と低抵抗の金属との合金にて直方体にした抵抗体１２の多数個を並べて一体化して成る抵抗体用合金板Ｂ１に，低抵抗の金属による接続端子電極用金属板Ｂ２を重ね接合して積層素材金属板Ｂにし，前記抵抗体用合金板の上面に純金属によるメッキ層１５を形成したのち前記接続端子電極用金属板のうち接続端子電極１３以外の部分を除去するか，或いは，前記接続端子電極用金属板のうち接続端子電極１３以外の部分を除去したのち前記抵抗体用合金板の上面に純金属によるメッキ層１５を形成し，次いで，前記抵抗体用合金板の下面のうち前記両接続端子電極１３以外の部分を絶縁体１４′にて被覆したち前記積層素材金属板を各抵抗体１２ごとに切断する。 （もっと読む）

【課題】製造効率を高めるとともに、小型化を図ることが可能な受光モジュールを提供すること。
【解決手段】受光素子２と、受光素子２を制御するための集積回路素子３と、受光素子２および集積回路素子３を封止する樹脂パッケージ４と、グランド端子１２ａを含む端子群１２と、を備える受光モジュールＡであって、受光素子２をまたぎ、グランド端子１２ａに導通し、かつ樹脂パッケージ４に封止された１以上の第１シールドワイヤ５１と、集積回路素子３をまたぎ、グランド端子１２ａに導通し、かつ樹脂パッケージ４に封止された１以上の第２シールドワイヤ５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】活性層の輝度の向上を図ることができる、半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この半導体発光素子１では、ｐ型ＧａＮ層５およびｐ型ＡｌＧａＮ層６がｐ型クラッド層をなす。そして、ｐ型クラッド層上にＭＱＷ活性層７が設けられ、ＭＱＷ活性層７上にｎ型クラッド層としてのｎ型ＧａＮ層８が設けられている。ｐ型ＧａＮ層５を成長させる工程の初期の段階では、成長室の内面などにｐ型不純物であるＭｇが付着して奪われるが、それ以降は、成長室の内面などへのＭｇの新たな付着はない。したがって、ｐ型クラッド層の上層部には、十分な量のＭｇが取り込まれる。ｐ型クラッド層上にＭＱＷ活性層７が設けられるので、ｐ型クラッド層のＭＱＷ活性層７との界面付近のＭｇ濃度を十分に高くすることができる。その結果、ＭＱＷ活性層７の輝度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】スティッキングの発生を抑制することが可能なサーマルプリントヘッドを提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に形成された発熱抵抗体３と、発熱抵抗体３に通電するための電極２Ａ，２Ｂと、発熱抵抗体３および電極２Ａ，２Ｂを覆う保護膜４と、を備えたサーマルプリントヘッドＡであって、保護膜４は、発熱抵抗体３および電極２Ａ，２Ｂを直接覆う第１層４１と、第１層４１上に形成された第２層４２とを含んでおり、第２層４２は、離散的に配置された複数の凸状要素４２ａからなる。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流を抑制することが可能な固体電解コンデンサを提供すること。
【解決手段】弁作用金属の多孔質焼結体１と、多孔質焼結体１の表面に積層された誘電体層２および固体電解質層３と、を備えた固体電解コンデンサＡであって、固体電解質層３は、１以上の導電性高分子層３１と１以上の樹脂層３２とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】スクライブブレイク法を用いても、いわゆる斜め割れを生じることなく製造することができる、フラットパネルディスプレイおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスガラス母基板５の一方面に、格子状に設定されたスクライブ線７に沿って、各スクライブ線７の両側に樹脂材料を塗布する。この樹脂材料が硬化することにより、デバイスガラス母基板５の一方面において、各スクライブ線７の両側に樹脂部材４が形成される。その後、デバイスガラス母基板５の樹脂部材４が形成された一方面に、封止ガラス母基板６が対向して接合される。そして、スクライブブレイク法により、デバイスガラス母基板５および封止ガラス母基板６がスクライブ線７に沿って分断されて、有機ＥＬディスプレイ１の個片が得られる。 （もっと読む）

【課題】スティッキングの発生を抑制することが可能なサーマルプリントヘッドを提供すること。
【解決手段】基板と、上記基板に形成された発熱抵抗体３と、発熱抵抗体３に通電するための電極と、発熱抵抗体３および上記電極を覆う保護膜４と、を備えるサーマルプリントヘッドＡであって、保護膜４は、発熱抵抗体３および上記電極を直接覆う第１層４１と、第１層４１上に積層された第２層４２および第３層４３とを含んでおり、第１層４１は、ガラスからなり、第２層４２は、複数の細孔４２ａを有する多孔質のガラスからなり、第３層４３は、撥水性を有するとともに、複数の細孔４２ａを埋めない厚さとされている。 （もっと読む）