【課題】 過マンガン酸塩／硫酸タイプのクロムフリーエッチング液の利用や、十分なエッチングが困難であるＰＣ／ＡＢＳ樹脂等の利用にあっても実用に耐えうる密着強度を与えるダイレクトプレーティング法を提供すること。
【解決手段】 プラスチック被めっき素材を、エッチングした後、その表面に触媒を付与し、これを導電化処理した後、直接電気めっきを行い、当該めっき素材上に金属被膜を形成させるダイレクトプレーティング法において、導電化処理工程と電気めっき工程の間に、４５ないし７０℃の温度で３から７分間乾燥を行う工程を設けたことを特徴とするプラスチック被めっき素材上への金属皮膜形成方法およびプラスチック被めっき素材を、当該金属皮膜形成方法で形成した金属被膜で被覆してなるめっき製品。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板等の銅めっきに際して、ウィスカーの発生を確実に抑制できると共に、めっき面の光沢外観も良好なウィスカー抑制方法を提供する。
【解決手段】電源電圧反転法を用いた銅めっき処理に際して、電解条件として次の〔条件１〕、〔条件２〕を採用するとともに、さらに被めっき物のＸ軸、Ｙ軸方向の揺動条件も規定した。
〔条件１〕印加する直流電源
(i)正電解時 電流値＝0.5〜20Ａ／dm^２、通電時間＝0.1〜1000ms
(ii)逆電解時 電流値＝0.5〜60Ａ／dm^２ 、通電時間＝0.01〜100ms
(iii)電流比 正電解の電流値：逆電解の電流値＝1：1〜1：3
(iv)通電時間比 正電解の通電時間：逆電解の通電時間＝20：1〜100：1
〔条件２〕電極間距離＝3〜300mm （もっと読む）

【課題】高分子樹脂からなる基材の表面に無電解めっき処理を行って、被膜を形成した場合であっても、この被膜と基材との密着信頼性を高めることができる無電解めっき処理方法を提供する。
【解決手段】不飽和結合を有する高分子樹脂の基材の処理表面に有機化合物を含む溶液を接触させて、前記処理表面を含む表面層を膨潤させる工程とＳ１１、前記膨潤した表面層を加熱して、前記表面層に残留する前記溶液を除去する工程Ｓ１２と、前記溶液を除去した表面層の前記処理表面にオゾン水を接触させて、前記処理表面にオゾン水処理する工程Ｓ１４と、前記オゾン水処理した処理表面を無電解めっきする工程Ｓ１９と、を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】処理時間を延ばすことなく、樹脂の表面に安定して均一なめっき被膜を形成することができる無電解めっき処理方法を提供する。
【解決手段】不飽和結合を有する樹脂の表面にオゾン水処理を行う工程と、該オゾン水処理を行った樹脂表面に界面活性剤を少なくとも含むアルカリ溶液を接触させてアルカリ処理を行う工程と、該アルカリ処理後の樹脂の表面に金属触媒を吸着させる工程と、該金属触媒を吸着させた樹脂の表面に無電解めっきを行う工程と、を少なくとも含む、無電解めっき処理方法であって、前記アルカリ水溶液に含む界面活性剤は、陽イオン界面活性剤及び陰イオン界面活性剤を含む界面活性剤である。 （もっと読む）

【課題】ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできる酸性銅めっき前処理剤ならびにその前処理剤を使用しためっき方法を提供する。
【解決手段】次の成分（Ａ）ないし（Ｃ）（Ａ）有機酸または無機酸、（Ｂ）酸性銅めっき用添加剤、（Ｃ）還元剤を含有することを特徴とする酸性銅めっき用前処理剤および酸性電解銅めっきを行うに先立ち、被めっき物を上記の酸性銅用前処理剤に浸漬する銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】めっき工程に過マンガン酸を含む酸性のエッチング液で処理する工程がある場合であっても、めっき処理中のめっき皮膜とプラスチック表面の良好な密着性や生産性が得られるプラスチック表面への金属めっき方法を提供すること。
【解決手段】プラスチック表面を過マンガン酸を含む酸性のエッチング液でエッチング処理し、次いで、プラスチック表面に触媒付与処理および触媒活性化処理し、最終的に電気金属めっきを行うプラスチック表面への金属めっき方法であって、何れかの処理の後にプラスチック表面を温水溶液で処理することを特徴とするプラスチック表面への金属めっき方法。 （もっと読む）

【課題】
ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできる技術を開発すること。
【解決手段】
少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液であって、更に還元剤を添加した酸性電解銅めっき液および当該酸性電解銅めっき液を用い、電気めっきにより被めっき物上のレジストで形作られた配線回路部分に銅を充填する微細配線回路の作製方法。 （もっと読む）

【課題】従来のめっき装置における給電方法では解決することができない電解による数十μ〜数百μの金属粉の発生を防止するめっき装置における給電方法及びその給電装置の提供にある。
【解決手段】めっき装置の処理槽に沿って配置された給電レール２０と、被処理物を取り付け該被処理物を処理槽に没入・引上げ及び搬送する搬送ハンガー１２と、給電レール２０から被処理物に給電するための給電部材１８と、搬送ハンガー１２に被処理物が取り付けられている場合には給電部材１８を給電位置へ切り替えて被処理物に給電し、被処理物が取り付けられていない場合には給電部材１８を非給電位置へ切り替えて被処理物に給電しないようにするスイッチ機構３０と備えた。 （もっと読む）

【課題】ワークに均一に成膜を行う。
【解決手段】ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。ワークＷまたはワークＷを保持するワークホルダ８には、バイアス電源２６によってマイナスのバイアスが与えられ、イオン化されたスパッタ粒子を吸着する。バイアス電源２６に流れる電流は、付着したスパッタ粒子が直ちに電気的に中性とならないように制限される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの成膜効率の向上を図る。
【解決手段】円筒形の支持筒の外周のターゲット層を形成してあり、中空部内に磁石ユニット２４を配してある。磁石ユニット２４は、各磁石２４ｂのＮ極で構成される第１磁極面がジグザグ状に配してあり、その周囲を各磁石２４ｃのＳ極で構成される第２磁極面が囲むようになっており、ターゲット層の表面近傍に現れる磁界の向きをその母線方向と傾斜したものとし、ターゲット層２７の母線方向の長さに対する磁力線を多くし、ターゲット層の表面近傍での磁界の分布を広げる。 （もっと読む）