【課題】クラックの発生が抑制され、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光デバイスが形成された第１の基板と、第２の基板とがガラスフリットを用いて封止された発光装置において、ガラスフリットを溶融、固化して形成された封止材と重なる領域に用いる配線材料には、発光装置に用いる基板の材料と線熱膨張係数の近い導電性材料を用いればよい。より具体的には、基板材料の線熱膨張係数との差が、０℃から５００℃の範囲において、５ｐｐｍ以下の線熱膨張係数を有する導電性材料を配線材料として用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】クロストークの発生を抑制する。
【解決手段】第１の表示領域、第２の表示領域、及び非発光領域を有し、非発光領域が第１の表示領域及び第２の表示領域の間に設けられた画素部と、第１の光制御領域、第２の光制御領域、及び透光領域を有し、第１の光制御領域が第１の表示領域に重畳し、第２の光制御領域が第２の表示領域に重畳し、透光領域が第１の光制御領域及び第２の光制御領域の間に設けられ、透光領域の幅の中央が非発光領域に重畳する視差バリアと、を含む。 （もっと読む）

【課題】１フレーム期間以上のデータの保持が可能であり、少ない素子数で差分演算を行うことができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素にフォトセンサを設け、該画素は１フレーム期間以上にわたってデータ保持部に電荷を蓄積し、該データ保持部に蓄積された電荷によってフォトセンサの出力を変化させる。データ保持部の書き込みスイッチ素子としては、リーク電流の小さい（１×１０^−１４Ａより十分に小さい）トランジスタを用いる。リーク電流の小さいトランジスタとしては、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上することができるＥＬ表示装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線と有するＥＬ表示装置である。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果が抑制され、微細化を実現しつつ、安定した電気的特性を付与する半導体装置を提供する。また、上記半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物絶縁層に設けたトレンチに、トレンチに沿って成膜される酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有する半導体装置（トランジスタ）を設ける。該トレンチは下端コーナ部に曲面を有し、側部が酸化物絶縁層上面に対して略垂直な側面を有する。また、トレンチの上端の幅がトレンチの側面の幅の１倍以上１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】緑色〜青色の波長域に発光領域を示す信頼性が高い新規な有機金属錯体を提供する。該有機金属錯体を用いた発光素子、該発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ｇ１）で表される構造を含む有機金属錯体を提供する。一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体は、緑色〜青色の波長域に発光領域を示す信頼性が高い新規な有機金属錯体である。さらに、該有機金属錯体を含む発光素子、該発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置を提供する。
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【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 （もっと読む）

【課題】時間階調方式で表示するときに発生する擬似輪郭の低減を課題とする。
【解決手段】１つの画素をｍ個（ｍはｍ≧２の整数）のサブ画素に分割し、ｓ番目（ｓは１〜ｍの整数）のサブ画素の面積比を２^ｓ−１とする。また、１フレームに、複数のサブフレームから構成されるｋ個（ｋはｋ≧２の整数）のサブフレーム群を設けるとともに、１フレームをｎ個（ｎはｎ≧２の整数）のサブフレームに分割し、ｔ番目（ｔは１〜ｎの整数）のサブフレームの点灯期間の長さの比率を２^{（ｔ−１）ｍ}とする。そしてさらに、ｎ個の各サブフレームを、概ね１／ｋの長さの点灯期間を有するｋ個のサブフレームに分割し、ｋ個の各サブフレーム群に１個ずつ配置する。このとき、ｋ個のサブフレーム群で、サブフレームの出現順序が概ね同じになるように、サブフレームを配置する。 （もっと読む）

【課題】大電力用途の半導体装置に用いるトランジスタには、高いドレイン電流を確保するためのチャネル領域を有する構造が必要である。その一例のトランジスタとして、縦型（トレンチ型）トランジスタも検討されているが、ドレイン電流のオンオフ比がとれず、良好なトランジスタ特性が得られないという課題がある。
【解決手段】導電性を有する基板上において、側面がテーパー形状の断面を有する複数の島状の領域が表面にドット状に設けられた酸化物半導体層を、基板と酸化物半導体層の間に設けられた第１の電極と酸化物半導体層上に設けられた第２の電極とで挟持し、絶縁層を介した酸化物半導体層の島状の領域の側面上に、ゲート電極としての機能を有する導電層を設ける。 （もっと読む）