表示装置及び表示装置の駆動方法
【課題】クロストークの発生を抑制する。
【解決手段】第１の表示領域、第２の表示領域、及び非発光領域を有し、非発光領域が第１の表示領域及び第２の表示領域の間に設けられた画素部と、第１の光制御領域、第２の光制御領域、及び透光領域を有し、第１の光制御領域が第１の表示領域に重畳し、第２の光制御領域が第２の表示領域に重畳し、透光領域が第１の光制御領域及び第２の光制御領域の間に設けられ、透光領域の幅の中央が非発光領域に重畳する視差バリアと、を含む。
【解決手段】第１の表示領域、第２の表示領域、及び非発光領域を有し、非発光領域が第１の表示領域及び第２の表示領域の間に設けられた画素部と、第１の光制御領域、第２の光制御領域、及び透光領域を有し、第１の光制御領域が第１の表示領域に重畳し、第２の光制御領域が第２の表示領域に重畳し、透光領域が第１の光制御領域及び第２の光制御領域の間に設けられ、透光領域の幅の中央が非発光領域に重畳する視差バリアと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、擬似的に三次元画像の視認が可能な表示装置の開発が進められている。
【０００３】
上記表示装置としては、例えば視差バリアを用いる方式（視差バリア方式又はパララックスバリア方式ともいう）などが挙げられる（例えば特許文献１）。
【０００４】
上記視差バリア方式の表示装置は、人間における左右の眼の視差を利用して二次元画像を三次元画像に知覚させる方式の表示装置である。上記視差バリア方式の表示装置は、画素部及び視差バリアを含む構成である。上記視差バリア方式の表示装置では、例えば、画素部において、右眼用画像と左眼用画像を表示し、視差バリアにより、右眼への左眼用画像の光の入射を遮断し、左眼への右眼用画像の光の入射を遮断することにより、二次元の画像を擬似的に三次元の画像として視認することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１３３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の視差バリア方式の表示装置では、視認者と表示装置との距離が一定の範囲内でなければ擬似的な三次元画像の視認が難しいといった問題があった。
【０００７】
例えば、視認者が表示装置から一定の距離以上近づいたり離れたりすると、左眼に右眼用画像の光が入射してしまい、右眼に左眼用画像の光が入射してしまう。このため、クロストークが発生し、擬似的な三次元画像の視認が困難になる。
【０００８】
本発明の一態様では、クロストークを抑制することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様では、画素部における複数の表示領域の間に、所定の幅の非発光領域を設けることにより、クロストークを抑制し、擬似的に三次元画像の視認が可能となる、視認者と表示装置との距離の範囲の拡大を図る。
【００１０】
本発明の一態様は、第１の表示領域、第２の表示領域、及び非発光領域を有し、非発光領域が第１の表示領域及び第２の表示領域の間に設けられ、非発光領域の幅が非発光領域の幅方向と平行な方向における画素の幅の３０％以上７０％以下である画素部と、第１の光制御領域、第２の光制御領域、及び透光領域を有し、第１の光制御領域が第１の表示領域に重畳し、第２の光制御領域が第２の表示領域に重畳し、透光領域が第１の光制御領域及び第２の光制御領域の間に設けられ、透光領域の幅の中央が非発光領域に重畳する視差バリアと、を含む表示装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様により、視認者と表示装置との距離が変化した場合であってもクロストークを低減することができる。よって、擬似的に三次元画像の視認が可能となる、視認者と表示装置との距離の範囲を拡大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１における表示装置の例を説明するための図。
【図２】実施の形態１における表示装置の例を説明するための図。
【図３】実施の形態１における表示装置の例を説明するための図。
【図４】実施の形態１における表示装置の例を説明するための図。
【図５】実施の形態２の表示装置における画素部の構成例を説明するための図。
【図６】実施の形態２の表示装置における画素回路の構成例を説明するための図。
【図７】実施の形態２の表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を説明するための平面模式図及び断面模式図。
【図８】実施の形態２における表示装置の構造例を説明するための断面模式図。
【図９】実施の形態３における電子機器を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を説明するための実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。なお、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく実施の形態の内容を変更することは、当業者であれば容易である。よって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定されない。
【００１４】
なお、各実施の形態の内容を互いに適宜組み合わせることができる。また、各実施の形態の内容を互いに置き換えることができる。
【００１５】
また、構成要素の混同を避けるために第１、第２などの序数を付している。よって、各構成要素の数は、序数の数に限定されない。
【００１６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、擬似的に三次元画像の視認が可能な表示装置の例について説明する。
【００１７】
本実施の形態における表示装置の例について図１を用いて説明する。
【００１８】
図１（Ａ）は、表示装置１００における画素部の中央部Ｃを視認者が視認している状態を示す模式図である。このとき、視認者の左眼Ｌと右眼Ｒの間隔をＬａとし、視認者と表示装置との距離をＬｂとし、左眼Ｌ又は右眼Ｒと中央部Ｃとの角度をＲｘとする。
【００１９】
図１（Ｂ）は、表示装置１００の断面模式図である。表示装置１００は、画素部１０１と、視差バリア１０２と、を含む。なお、画素部１０１と視差バリア１０２との間隔をＬｄとする。
【００２０】
画素部１０１は、表示領域１１１ａと、表示領域１１１ｂと、表示領域１１１ａ及び表示領域１１１ｂの間に設けられた非発光領域１１２と、を有する。なお、図１（Ｂ）では、表示領域１１１ａ、表示領域１１１ｂ、及び非発光領域１１２の幅方向の断面を示している。
【００２１】
表示領域１１１ａ及び表示領域１１１ｂのそれぞれは、画素内において表示を行う領域である。例えば、表示装置１００が液晶表示装置の場合、液晶素子が設けられた領域が表示領域となり、表示装置１００がエレクトロルミネセンス表示装置（ＥＬ表示装置ともいう）の場合、発光素子が設けられた領域が表示領域となる。
【００２２】
非発光領域１１２は、自発光しない領域又は遮光性の領域である。例えば、表示装置１００が液晶表示装置又はＥＬ表示装置の場合、配線などが設けられた領域、遮光層が形成された領域、又は自発光せず、且つ外部から光が入射しない領域が非発光領域となる。
【００２３】
また、非発光領域１１２は、図１（Ｂ）に示すように、画素Ｐｉｘ＿ａ及び画素Ｐｉｘ＿ｂの両方に延在して設けられてもよい。このとき、画素Ｐｉｘ＿ａは、表示領域１１１ａ及び非発光領域１１２の一部を含み、画素Ｐｉｘ＿ｂは、表示領域１１１ｂ及び非発光領域１１２の一部を含む。
【００２４】
また、視認者が表示装置を手に持って視認する際のＬｂを考慮すると、非発光領域１１２の幅は、一定の範囲内であることが好ましい。例えば、非発光領域１１２の幅をＬｂｍとし、非発光領域の幅方向に平行な方向における画素の幅をＬｐｉｘとすると、Ｌｂｍは、Ｌｐｉｘの３０％以上７０％以下、又は４０％以上６０％以下、又は５０％であることが好ましい。例えば、Ｌｐｉｘが１００μｍであれば、Ｌｂｍは３０μｍ以上７０μｍ以下となる。例えば、Ｌｂｍを５μｍ乃至７μｍまで狭くすることもできるが、本実施の形態における表示装置では、Ｌｂｍを上記範囲内にすることにより、クロストークの発生を抑制することができる。
【００２５】
視差バリア１０２は、図１（Ｂ）に示すように、光制御領域１２１ａと、光制御領域１２１ｂと、透光領域１２２を有する。なお、図１（Ｂ）では、光制御領域１２１ａ、光制御領域１２１ｂ、及び透光領域１２２の幅方向の断面を示している。
【００２６】
視差バリア１０２としては、例えば固定スリットを備える視差バリア、又はスリットを形成するための複数の液晶シャッターを備える視差バリアなどを用いることができる。
【００２７】
光制御領域１２１ａ及び光制御領域１２１ｂは、光の透過を制御する領域である。視差バリア１０２では、例えば、光制御領域１２１ａ及び光制御領域１２１ｂを遮光領域にすることができる。
【００２８】
透光領域１２２は、光を透過する領域である。透光領域１２２の幅をＬｓｌｔとする。さらに、透光領域１２２の幅の中央（Ｍ）は、画素部１０１における非発光領域１１２に重畳する。
【００２９】
透光領域１２２の幅の中央を非発光領域１１２に重畳させると、例えば、表示領域１１１ａに左眼用画像を表示させ、表示領域１１１ｂに右眼用画像を表示させた場合に、右眼に左眼用画像の光が入りにくくなり、左眼に右眼用画像の光が入りにくくなる。よって、視認者と表示装置１００との間隔を変化させてもクロストークの発生を抑制することができる。さらに、透光領域１２２の幅の中央（Ｍ）を、画素部１０１における非発光領域１１２の幅の中央に重畳させることにより、クロストークの発生を抑制する効果をより高めることができる。
【００３０】
また、表示装置１００がＥＬ表示装置の場合、非発光領域１１２の面積を大きくした場合であっても、消費電力の増大を抑制することができる。なぜならば、ＥＬ表示装置では、非発光領域により表示領域の面積が小さくなった場合であっても、単位面積あたりの電流密度が増大するため、発光輝度の低下が少ないためである。よって、例えば透光領域１２２の幅の中央を非発光領域１１２（好ましくは非発光領域１１２の中央部）に重畳させ、非発光領域１１２の幅を上記範囲内にすることにより、消費電力の増大を抑制しつつ、クロストークを低減することができる。
【００３１】
さらに、図１に示す表示装置の画素部１０１において、実際に画像を視認する場合について、図２乃至図４を用いて詳細に説明する。
【００３２】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、Ｌａを６．５ｃｍとし、Ｌｂを３９ｃｍとし、Ｒｘを４．８°とし、Ｌｄを６００μｍとし、Ｌｐｉｘを１００μｍとし、Ｌｓｌｔを１００μｍとし、Ｌｂｍを５０μｍとし、表示領域１１１ａに左眼用の画像を表示させ、表示領域１１１ｂに右眼用の画像を表示させた場合の模式図である。
【００３３】
この場合、図２（Ｂ）に示すように、右眼Ｒの視野を示す太字の２本の実線に挟まれた領域には、表示領域１１１ｂからの光のみが通過し、左眼Ｌの視野を示す太字の２本の点線に挟まれた領域には、表示領域１１１ａのみの光が通過する。
【００３４】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、Ｌａを６．５ｃｍとし、Ｌｂを２６ｃｍとし、Ｒｘを７．１°とし、Ｌｄを６００μｍとし、Ｌｐｉｘを１００μｍとし、Ｌｓｌｔを１００μｍとし、Ｌｂｍを５０μｍとし、表示領域１１１ａに左眼用の画像を表示させ、表示領域１１１ｂに右眼用の画像を表示させた場合の模式図である。
【００３５】
この場合も、図３（Ｂ）に示すように、右眼Ｒの視野を示す太字の２本の実線に挟まれた領域には、表示領域１１１ｂからの光のみが通過し、左眼Ｌの視野を示す太字の２本の点線に挟まれた領域には、表示領域１１１ａからの光のみが通過する。
【００３６】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、Ｌａを６．５ｃｍとし、Ｌｂを５９ｃｍとし、Ｒｘを３．１°とし、Ｌｄを６００μｍとし、Ｌｐｉｘを１００μｍとし、Ｌｓｌｔを１００μｍとし、Ｌｂｍを５０μｍとし、表示領域１１１ａに左眼用の画像を表示させ、表示領域１１１ｂに右眼用の画像を表示させた場合の模式図である。
【００３７】
この場合も、図４（Ｂ）に示すように、右眼Ｒの視野を示す太字の２本の実線に挟まれた領域には、表示領域１１１ｂからの光のみが通過し、左眼Ｌの視野を示す太字の２本の点線に挟まれた領域には、表示領域１１１ａからの光のみが通過する。
【００３８】
以上が図１に示す表示装置の説明である。
【００３９】
図１乃至図４を用いて説明したように、本実施の形態における表示装置の一例では、一定の範囲内の幅である非発光領域を、視差バリアにおける透光領域の幅の中央に重畳するように設けることにより、視認者と表示装置１００との間隔を変化させてもクロストークを抑制することができる。よって、擬似的に三次元画像の視認が可能となる、視認者と表示装置との距離の範囲を拡大させることができる。
【００４０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態の表示装置における画素部の構成例について説明する。
【００４１】
本実施の形態の表示装置における画素部の構成例について、図５を用いて説明する。
【００４２】
図５（Ａ）に示す画素部は、マトリクス状に配列された赤（ｒ）、緑（ｇ）、青（ｂ）の複数の画素３１１を有する。なお、図５（Ａ）に示す画素部では、同じ色の画素が行方向に配列される。また、例えば奇数列の画素が左眼用画素としての機能を有し、偶数列の画素が右眼用画素としての機能を有してもよい。
【００４３】
例えば、画素３１１の形状を図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように矩形状にすることができ、また、視差バリアにおける光制御領域３３１を図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように短冊状にすることができる。このとき、赤、青、及び緑の画素３１１は、光制御領域３３１（点線部）と直交する。赤、青、及び緑の画素３１１と光制御領域３３１を直交させることにより、視認位置による表示画像の色ずれを抑制することができる。なお、図５（Ｂ）に示すように、複数の光制御領域３３１を用いて一つの遮光領域を形成してもよい。
【００４４】
また、複数の画素３１１のそれぞれは、表示電極３１２を備える。表示電極３１２を用いて構成される表示素子が設けられた領域が表示領域３２１となる。また、同じ行の隣り合う２つの表示領域３２１の間の領域が非発光領域３２２となる。このとき、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、透光領域の幅の中央（Ｍ）が非発光領域３２２に重畳する。
【００４５】
さらに、画素３１１の回路構成例について、図６を用いて説明する。なお、回路として表した画素を画素回路ともいう。
【００４６】
図６（Ａ）に示す画素回路は、トランジスタ３６１ａと、容量素子３６２ａと、液晶素子３６３と、を備える。
【００４７】
なお、図６（Ａ）に示す画素回路において、トランジスタ３６１ａは、電界効果トランジスタである。
【００４８】
また、液晶素子は、少なくとも第１の表示電極、第２の表示電極、並びに第１の表示電極及び第２の表示電極に重畳する液晶層を含む。液晶層は、第１の表示電極及び第２の表示電極の間に印加される電圧に応じて液晶の配向が制御される。
【００４９】
トランジスタ３６１ａのソース及びドレインの一方には、信号ＤＤが入力され、トランジスタ３６１ａのゲートには、信号ＤＳＥＬが入力される。信号ＤＳＥＬは、パルス信号であり、例えばゲートドライバなどの駆動回路を介して入力される。信号ＤＤは、画像データ信号であり、例えば、ソースドライバなどの駆動回路を介して入力される。
【００５０】
容量素子３６２ａの第１の容量電極は、トランジスタ３６１ａのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、容量素子３６２ａの第２の容量電極には、電圧Ｖｃが入力される。なお、必ずしも容量素子３６２ａを設けなくてもよい。
【００５１】
液晶素子３６３の第１の表示電極は、トランジスタ３６１ａのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、液晶素子３６３の第２の表示電極には、電圧Ｖｃが入力される。電圧Ｖｃの値は、適宜設定することができる。
【００５２】
また、図６（Ｂ）に示す画素回路は、トランジスタ３６１ｂと、容量素子３６２ｂと、トランジスタ３６４と、発光素子（ＬＥＥともいう）３６５と、を備える。
【００５３】
なお、図６（Ｂ）に示す画素において、トランジスタ３６１ｂ及びトランジスタ３６４は、電界効果トランジスタである。
【００５４】
また、発光素子は、第１の電流端子と、第２の電流端子と、第１の電流端子及び第２の電流端子に重畳する発光層と、を含む。発光素子は、第１の電流端子及び第２の電流端子の間に印加される電圧に応じて第１の電流端子及び第２の電流端子の間に電流が流れることにより発光する。
【００５５】
トランジスタ３６１ｂのソース及びドレインの一方には、信号ＤＤが入力され、トランジスタ３６１ｂのゲートには、信号ＤＳＥＬが入力される。
【００５６】
容量素子３６２ｂの第１の容量電極には、電圧Ｖｂが入力され、容量素子３６２ｂの第２の容量電極は、トランジスタ３６４のゲートに電気的に接続される。
【００５７】
トランジスタ３６４のソース及びドレインの一方には、電圧Ｖａが入力され、トランジスタ３６４のゲートは、トランジスタ３６１ｂのソース及びドレインの他方に電気的に接続される。
【００５８】
発光素子３６５の第１の電流端子は、トランジスタ３６４のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、発光素子３６５の第２の電流端子には、電圧Ｖｂが入力される。
【００５９】
なお、電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの一方は、高電源電圧Ｖｄｄであり、電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの他方は、低電源電圧Ｖｓｓである。電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの値は、例えばトランジスタの極性などにより互いに入れ替わる場合がある。
【００６０】
さらに、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す画素回路の各構成要素について説明する。
【００６１】
トランジスタ３６１ａ及びトランジスタ３６１ｂは、信号入力選択トランジスタとしての機能を有する。
【００６２】
容量素子３６２ａ及び容量素子３６２ｂは、第１の容量電極及び第２の容量電極の間に信号ＤＤに応じた値の電圧が印加される保持容量としての機能を有する。
【００６３】
液晶素子３６３における液晶層としては、例えば第１の表示電極及び第２の表示電極に印加される電圧が０Ｖのときに液晶素子３６３が光を透過する液晶層を用いることができ、例えば電気制御複屈折型液晶（ＥＣＢ型液晶ともいう）、二色性色素を添加した液晶（ＧＨ液晶ともいう）、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶を含む液晶層などを用いることができる。また、液晶層としては、ブルー相を発現する液晶層を用いてもよい。ブルー相を発現する液晶層は、例えばブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により構成される。ブルー相を発現する液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。よって、ブルー相を発現する液晶を用いることにより、動作速度を向上させることができる。
【００６４】
トランジスタ３６４は、駆動トランジスタである。
【００６５】
なお、トランジスタ３６１ａ、トランジスタ３６１ｂ、及びトランジスタ３６４としては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第１４族の半導体（シリコンなど）を含有する半導体層、又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。
【００６６】
上記酸化物半導体層に適用可能な酸化物半導体としては、例えばＩｎ系酸化物（例えば酸化インジウムなど）、Ｓｎ系酸化物（例えば酸化スズなど）、又はＺｎ系酸化物（例えば酸化亜鉛など）などを用いることができる。
【００６７】
また、上記金属酸化物としては、例えば、四元系金属酸化物、三元系金属酸化物、二元系金属酸化物などの金属酸化物を用いることもできる。なお、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとしてガリウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてスズを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてハフニウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてアルミニウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムの一つ又は複数を含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。
【００６８】
四元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物などを用いることができる。
【００６９】
また、三元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、又はＩｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物などを用いることができる。
【００７０】
また、二元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ系酸化物、又はＩｎ−Ｇａ系酸化物などを用いることができる。
【００７１】
発光素子３６５としては、例えばＥＬ素子、発光ダイオード、又は発光トランジスタなどを用いることができる。例えばＥＬ素子の場合、ＥＬ素子のアノード及びカソードの一方が発光素子の第１の電流端子に相当し、ＥＬ素子のアノード及びカソードの他方が発光素子の第２の電流端子に相当する。
【００７２】
次に、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例について説明する。
【００７３】
まず、図６（Ａ）に示す画素回路の駆動方法例について、図６（Ｃ）を用いて説明する。図６（Ｃ）は、図６（Ａ）に示す画素回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号ＤＤ、信号ＤＳＥＬ、及びトランジスタ３６１ａのそれぞれの状態を示す。
【００７４】
図６（Ａ）に示す画素回路の駆動方法例では、期間Ｔ１１において、信号ＤＳＥＬのパルス（ｐｌｓともいう）を入力し、トランジスタ３６１ａをオン状態（状態ＯＮともいう）にする。
【００７５】
トランジスタ３６１ａがオン状態のとき、画素回路に信号ＤＤが入力され、液晶素子３６３の第１の表示電極及び容量素子３６２ａの第１の容量電極の電圧が信号ＤＤの電圧（ここでは電圧Ｄ１１）と同等の値になる。
【００７６】
このとき、液晶素子３６３は、液晶が信号ＤＤに応じた配向状態になることにより、信号ＤＤのデータに応じた表示状態になる。
【００７７】
さらに、信号ＤＳＥＬのパルスの入力が終わるとトランジスタ３６１ａがオフ状態（状態ＯＦＦ）になる。その後期間Ｔ１２において、画素回路は、電圧Ｄ１１に応じた表示状態に維持される。
【００７８】
次に、図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例について、図６（Ｄ）を用いて説明する。図６（Ｄ）は、図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号ＤＤ、信号ＤＳＥＬ、及びトランジスタ３６１ｂのそれぞれの状態を示す。
【００７９】
図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例では、期間Ｔ２１において、信号ＤＳＥＬのパルスを入力し、トランジスタ３６１ｂをオン状態にする。
【００８０】
トランジスタ３６１ｂがオン状態のとき、画素回路に信号ＤＤが入力され、トランジスタ３６４のゲートの電圧及び容量素子３６２ｂにおける第２の容量電極の電圧が信号ＤＤの電圧（ここでは一例として電圧Ｄ２１）と同等の値になる。
【００８１】
このとき、トランジスタ３６４のゲートの電圧に応じてトランジスタ３６４のソース及びドレインの間に電流が流れ、さらに、発光素子３６５の第１の電流端子及び第２の電流端子の間に電流が流れ、発光素子３６５が発光する。このとき、発光素子３６５の第１の電流端子の電圧は、信号ＤＤの電圧（ここでは電圧Ｄ２１）に応じた値になり、発光素子３６５の発光輝度は、信号ＤＤに応じて設定された第１の電流端子の電圧、及び電圧Ｖｂに応じた値になる。
【００８２】
さらに、信号ＤＳＥＬのパルスの入力が終わるとトランジスタ３６１ｂがオフ状態になる。その後期間Ｔ２２において、画素回路は、電圧Ｄ２１に応じた表示状態が維持される。以上が図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例である。
【００８３】
さらに、本実施の形態における表示装置の構造例について説明する。なお、ここでは一例として画素回路の構成が図６（Ｂ）に示す回路構成であるとする。
【００８４】
本実施の形態における表示装置は、トランジスタなどの半導体素子が設けられた第１の基板（アクティブマトリクス基板ともいう）と、第２の基板と、第１の基板及び第２の基板の間に設けられた発光素子と、を含む。
【００８５】
まず、本実施の形態の表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例について、図７を用いて説明する。図７は、本実施の形態の表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を示す図であり、図７（Ａ）は、平面模式図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）における線分Ａ−Ｂの断面模式図である。なお、図７では、実際の寸法と異なる構成要素を含む。また、便宜のため、図７（Ｂ）では、図７（Ａ）における線分Ａ−Ｂの断面の一部を省略している。
【００８６】
図７に示すアクティブマトリクス基板は、基板５００と、絶縁層５０１と、半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂと、絶縁層５１３と、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄと、絶縁層５１５と、導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆと、を含む。
【００８７】
半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂのそれぞれは、絶縁層５０１を介して基板５００の一平面に設けられる。
【００８８】
半導体層５１１ａは、Ｐ型又はＮ型の導電型を付与する不純物元素を含有する不純物領域５１２ａ乃至不純物領域５１２ｄを有する。半導体層５１１ａは、画素回路における信号入力選択トランジスタのチャネルが形成される層（チャネル形成層ともいう）及び画素回路における保持容量の第２の容量電極としての機能を有する。
【００８９】
なお、半導体層５１１ａにおいて、不純物領域５１２ａと不純物領域５１２ｂとの間、及び不純物領域５１２ｂと不純物領域５１２ｃとの間には画素回路における信号入力選択トランジスタのチャネル形成領域が存在する。
【００９０】
半導体層５１１ｂは、Ｐ型又はＮ型の導電型を付与する不純物元素を含有する不純物領域５１２ｅ及び不純物領域５１２ｆを有する。半導体層５１１ｂは、画素回路における駆動トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。
【００９１】
なお、半導体層５１１ｂにおいて、不純物領域５１２ｅと、不純物領域５１２ｆとの間には画素回路における駆動トランジスタのチャネル形成領域が存在する。
【００９２】
絶縁層５１３は、半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂの上に設けられる。絶縁層５１３は、画素回路における信号入力選択トランジスタ及び駆動トランジスタのゲート絶縁層、画素回路における保持容量の誘電体層としての機能を有する。
【００９３】
導電層５１４ａは、絶縁層５１３を介して半導体層５１１ａの一部に重畳する。なお、導電層５１４ａと重畳する半導体層５１１ａの領域が画素回路における信号入力選択トランジスタのチャネル形成領域になる。導電層５１４ａは、画素回路における信号入力選択トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、図７において、導電層５１４ａは、複数の箇所で半導体層５１１ａの一部に重畳している。必ずしも導電層５１４ａが複数の箇所で半導体層５１１ａの一部に重畳していなくてもよいが、導電層５１４ａが複数の箇所で半導体層５１１ａの一部に重畳することにより、画素回路における信号入力選択トランジスタのスイッチング特性を向上させることができる。なお、導電層５１４ａと重畳する半導体層５１１ａの領域が半導体層５１１ａに設けられた不純物領域５１２ａ乃至不純物領域５１２ｄの不純物元素の濃度より低い濃度でＰ型又はＮ型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。
【００９４】
導電層５１４ｂは、絶縁層５１３を介して半導体層５１１ａの一部の上に重畳する。導電層５１４ｂは、画素回路における保持容量の第１の容量電極としての機能を有する。なお、導電層５１４ｂと重畳する半導体層５１１ａの領域が不純物領域５１２ａ乃至不純物領域５１２ｄの不純物元素の濃度より低い濃度でＰ型又はＮ型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。
【００９５】
導電層５１４ｃは、絶縁層５１３を介して半導体層５１１ｂの一部の上に設けられる。導電層５１４ｃは、画素回路における駆動トランジスタのゲートとしての機能を有する。
【００９６】
導電層５１４ｄは、行方向の複数の画素回路に延在する。導電層５１４ｄは、電圧Ｖｂが入力される電源線としての機能を有する。
【００９７】
絶縁層５１５は、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄの上及び絶縁層５１３の上に設けられる。
【００９８】
導電層５１６ａは、絶縁層５１３及び絶縁層５１５を貫通する第１の開口部を介して、不純物領域５１２ａに電気的に接続される。導電層５１６ａは、画素回路における信号入力選択トランジスタのソース及びドレインの一方、並びに表示データ信号が入力される配線としての機能を有する。
【００９９】
導電層５１６ｂは、絶縁層５１３及び絶縁層５１５を貫通する第２の開口部を介して、不純物領域５１２ｄに電気的に接続され、絶縁層５１５を貫通する第３の開口部を介して導電層５１４ｃに電気的に接続される。導電層５１６ｂは、画素回路における信号入力選択トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。
【０１００】
導電層５１６ｃは、絶縁層５１３及び絶縁層５１５を貫通する第４の開口部を介して不純物領域５１２ｅに電気的に接続され、絶縁層５１５を貫通する第５の開口部を介して導電層５１４ｄに電気的に接続される。導電層５１６ｃは、画素回路における駆動トランジスタのソース及びドレインの一方、及び電圧Ｖａが入力される電源線としての機能を有する。
【０１０１】
導電層５１６ｄは、絶縁層５１３及び絶縁層５１５を貫通する第６の開口部を介して不純物領域５１２ｆに電気的に接続される。導電層５１６ｄは、画素回路における駆動トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。
【０１０２】
導電層５１６ｅは、絶縁層５１５を貫通する第７の開口部を介して導電層５１４ｂに電気的に接続される。導電層５１６ｅは、画素回路における保持容量の容量線としての機能を有する。
【０１０３】
導電層５１６ｆは、絶縁層５１５を貫通する第８の開口部及び第９の開口部を介して導電層５１４ａに電気的に接続される。導電層５１６ｆを設けることにより、配線抵抗を小さくすることができる。
【０１０４】
さらに、本実施の形態における表示装置の構造例について、図８を用いて説明する。図８は、本実施の形態における表示装置の構造例を示す断面模式図である。なお、本実施の形態では、表示装置における発光素子が上面方向に光を射出する構造であるが、これに限定されず、下面方向に光を射出する構造でもよい。
【０１０５】
図８に示す表示装置は、図７に示すアクティブマトリクス基板に加え、絶縁層５１７と、導電層５１８と、絶縁層５２１と、発光層５２２と、導電層５２３と、基板５２４と、着色層５２５と、絶縁層５２６と、絶縁層５２７と、遮光層５２８ａと、遮光層５２８ｂと、を含む。
【０１０６】
絶縁層５１７は、導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆの上及び絶縁層５１５の上に設けられる。
【０１０７】
導電層５１８は、絶縁層５１７の上に設けられ、絶縁層５１７を貫通して設けられた第１０の開口部を介して導電層５１６ｄに電気的に接続される。導電層５１８は、画素回路における発光素子の第１の電極（第１の電流端子）としての機能を有する。
【０１０８】
絶縁層５２１は、導電層５１８の上に設けられる。
【０１０９】
発光層５２２は、絶縁層５２１の上に設けられ、絶縁層５２１を貫通して設けられた第１１の開口部を介して導電層５１８に電気的に接続される。発光層５２２は、画素回路における発光素子の発光層としての機能を有する。
【０１１０】
導電層５２３は、発光層５２２の上に設けられ、発光層５２２に電気的に接続される。導電層５２３は、画素回路における発光素子の第２の電極（第２の電流端子）としての機能を有する。
【０１１１】
着色層５２５は、発光層５２２からの光のうち、特定の波長の光を透過するように、基板５２４の一平面に設けられる。
【０１１２】
遮光層５２８ａ及び遮光層５２８ｂは、基板５２４の一平面に設けられる。遮光層５２８ａ及び遮光層５２８ｂは、上記実施の形態の表示装置における非発光領域の一部又は全部となる。なお、必ずしも遮光層５２８ａ及び遮光層５２８ｂを設けなくてもよい。
【０１１３】
絶縁層５２６は、着色層５２５、遮光層５２８ａ、及び遮光層５２８ｂを介して基板５２４の一平面に設けられる。
【０１１４】
絶縁層５２７は、絶縁層５２６と導電層５２３の間に設けられる。
【０１１５】
さらに、図７及び図８を用いて説明した表示装置の各構成要素について説明する。
【０１１６】
基板５００及び基板５２４としては、例えばガラス基板又はプラスチック基板を用いることができる。なお、必ずしも基板５００及び基板５２４を設けなくてもよい。
【０１１７】
絶縁層５０１としては、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を用いることができる。例えば、絶縁層５０１としては、酸化シリコン層又は酸化窒化シリコン層などを用いることができる。また、上記酸化絶縁層がハロゲンを含んでいてもよい。また、絶縁層５０１に適用可能な材料の積層により絶縁層５０１を構成することもできる。また、必ずしも絶縁層５０１を設けなくてもよい。
【０１１８】
半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂとしては、例えば非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、又は単結晶半導体を含む層を用いることができる。また、半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂとしては、例えば元素周期表における第１４族の半導体（例えばシリコンなど）を含有する半導体層を用いることができる。また、これに限定されず、半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂとしては、例えば酸化物半導体層を用いることができる。
【０１１９】
絶縁層５１３としては、例えば絶縁層５０１に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層５１３に適用可能な材料の積層により絶縁層５１３を構成してもよい。
【０１２０】
導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、マグネシウム、銀、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカンジウムなどの金属材料を含む材料の層を用いることができる。また、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄとしては、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する場合がある）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）などの金属酸化物、又はシリコン、酸化シリコン、窒素を含む該金属酸化物を用いることができる。また、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄに適用可能な材料の積層により、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄを構成することもできる。例えば、窒化タンタル層及びタングステン層の積層により導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄを構成することもできる。
【０１２１】
絶縁層５１５としては、例えば絶縁層５０１に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層５１５に適用可能な材料の積層により絶縁層５１５を構成してもよい。例えば、窒化酸化シリコン層及び酸化窒化シリコン層の積層により絶縁層５１５を構成することもできる。
【０１２２】
導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆとしては、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆに適用可能な材料の積層により導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆを構成することもできる。例えば、チタン層、アルミニウム層、及びチタン層の積層により導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆを構成することもできる。なお、導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆの側面は、テーパ状でもよい。
【０１２３】
絶縁層５１７としては、例えば絶縁層５１３に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層５１７に適用可能な材料の積層により絶縁層５１７を構成してもよい。
【０１２４】
導電層５１８としては、例えば導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層５１８に適用可能な材料の積層により導電層５１８を構成することもできる。
【０１２５】
絶縁層５２１としては、例えば有機絶縁層又は無機絶縁層を用いることができる。なお、絶縁層５２１は、隔壁ともいう。
【０１２６】
発光層５２２は、特定の色の光を呈する単色光を射出する層である。発光層５２２としては、例えば特定の色を呈する光を射出する発光材料を用いた発光層を用いることができる。なお、互いに異なる特性の色を呈する光を射出する発光層の積層を用いて発光層５２２を構成してもよい。発光材料としては、蛍光材料又は燐光材料などのエレクトロルミネセンス材料を用いることができる。また、複数のエレクトロルミネセンス材料を含む材料を用いて発光材料を構成してもよい。例えば青色を呈する光を射出する蛍光材料の層、橙色を呈する光を射出する第１の燐光材料の層、及び橙色を呈する光を射出する第２の燐光材料の層の積層により、白色を呈する光を射出する発光層を構成してもよい。また、エレクトロルミネセンス材料としては、有機エレクトロルミネセンス材料又は無機エレクトロルミネセンス材料を用いることができる。また、上記発光層に加え、例えばホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の一つ又は複数を設けて発光層を構成してもよい。
【０１２７】
導電層５２３としては、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄに適用可能な材料の層のうち、光を透過する材料の層を用いることができる。また、導電層５２３に適用可能な材料の積層により導電層５２３を構成することもできる。
【０１２８】
着色層５２５としては、例えば赤色を呈する波長の光、緑色を呈する波長の光、又は青色を呈する波長の光を透過し、染料又は顔料を含む層を用いることができる。また、着色層５２５として、シアン、マゼンタ、又はイエローの色を呈する光を透過し、染料又は顔料を含む層を用いてもよい。例えば、染料を含む場合、着色層５２５は、例えばフォトリソグラフィ法、印刷法、又はインクジェット法を用いて形成され、顔料を含む場合、着色層５２５は、フォトリソグラフィ法、印刷法、電着法、又は電子写真法などを用いて形成される。例えばインクジェット法を用いることにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができる。また、レジストマスクを用いなくても製造することができるため、製造コスト及び製造工程数を低減することができる。
【０１２９】
絶縁層５２６としては、例えば絶縁層５０１に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層５２６に適用可能な材料の積層により絶縁層５２６を構成してもよい。なお、絶縁層５２６を必ずしも設けなくてもよいが、絶縁層５２６を設けることにより、着色層５２５からの発光素子への不純物の侵入を抑制することができる。
【０１３０】
絶縁層５２７としては、例えば絶縁層５０１に適用可能な材料の層又は樹脂材料の層を用いることができる。また、絶縁層５２７に適用可能な材料の積層により絶縁層５２７を構成してもよい。
【０１３１】
遮光層５２８ａ及び遮光層５２８ｂとしては、例えば遮光性を有する無機材料などの層を用いることができる。
【０１３２】
図５乃至図８を用いて説明したように、本実施の形態の表示装置における画素部の一例では、行方向に同じ色の画素を配置し、列方向に異なる色の画素を配置し、視差バリアにおける光制御領域を画素と直交する構造にすることにより、視認位置による画像の色ずれを抑制することができる。
【０１３３】
また、本実施の形態における表示装置の一例は、発光素子として特定の色の光を呈する単色光を射出する発光素子と、発光素子が射出する光のうち、特定の波長を有する光を透過する着色層を含む構造である。上記構造にすることにより、互いに異なる色を呈する光を射出する複数の発光素子を形成せずにカラー画像を表示することができるため、作製工程を容易にし、歩留まりを向上させることができる。例えば、メタルマスクを用いなくても表示素子を作製することができるため、作製工程が容易になる。また、画像のコントラストを向上させることができる。
【０１３４】
また、本実施の形態における表示装置の一例では、画素回路と同一基板上に駆動回路を設けてもよい。このとき、駆動回路などの回路におけるトランジスタの構造を、画素回路におけるトランジスタの構造と同じにしてもよい。画素回路と同一基板上に駆動回路などの回路を設けることにより、画素回路及び駆動回路の接続配線の数を低減することができる。
【０１３５】
また、本実施の形態における表示装置の一例では、ＥＬ表示装置にすることにより、非発光領域の面積を大きくした場合であっても、消費電力の増大を抑制することができる。なぜならば、ＥＬ表示装置では、非発光領域により表示領域の面積が小さくなった場合であっても、単位面積あたりの電流密度が増大するため、発光輝度の低下が少ないためである。よって、例えば透光領域の幅の中央を非発光領域（好ましくは非発光領域の中央部）に重畳させ、非発光領域の幅を上記範囲内にすることにより、消費電力の増大を抑制しつつ、クロストークを低減することができる。
【０１３６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態における表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
【０１３７】
本実施の形態における電子機器の構成例について、図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）を用いて説明する。図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）は、本実施の形態における電子機器の構成例を説明するための模式図である。
【０１３８】
図９（Ａ）に示す電子機器は、携帯型情報端末の例である。図９（Ａ）に示す携帯情報端末は、筐体１００１ａと、筐体１００１ａに設けられた表示部１００２ａと、を具備する。
【０１３９】
なお、筐体１００１ａの側面１００３ａに外部機器に接続させるための接続端子、図９（Ａ）に示す携帯型情報端末を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよい。
【０１４０】
図９（Ａ）に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ａの中に、ＣＰＵと、メインメモリと、外部機器とＣＰＵ及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、外部機器との信号の送受信を行うアンテナと、を備える。なお、筐体１００１ａの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。
【０１４１】
また、本発明の一態様である表示装置を表示部１００２ａに用いることにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。
【０１４２】
図９（Ａ）に示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
【０１４３】
図９（Ｂ）に示す電子機器は、折り畳み式の携帯型情報端末の例である。図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ｂと、筐体１００１ｂに設けられた表示部１００２ｂと、筐体１００４と、筐体１００４に設けられた表示部１００５と、筐体１００１ｂ及び筐体１００４を接続する軸部１００６と、を具備する。
【０１４４】
また、図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末では、軸部１００６により筐体１００１ｂ又は筐体１００４を動かすことにより、筐体１００１ｂを筐体１００４に重畳させることができる。
【０１４５】
なお、筐体１００１ｂの側面１００３ｂ又は筐体１００４の側面１００７に外部機器に接続させるための接続端子、図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよい。
【０１４６】
また、表示部１００２ｂ及び表示部１００５に、互いに異なる画像又は一続きの画像を表示させてもよい。なお、表示部１００５を必ずしも設けなくてもよく、表示部１００５の代わりに、入力装置であるキーボードを設けてもよい。
【０１４７】
図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ｂ又は筐体１００４の中に、ＣＰＵと、メインメモリと、外部機器とＣＰＵ及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。また、筐体１００１ｂ又は筐体１００４の中に、特定の機能を有する集積回路を１つ又は複数設けてもよい。また、図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。
【０１４８】
また、本発明の一態様である表示装置を表示部１００２ｂ及び表示部１００５の少なくとも一つに用いることにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。
【０１４９】
図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
【０１５０】
図９（Ｃ）に示す電子機器は、設置型情報端末の例である。図９（Ｃ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｃと、筐体１００１ｃに設けられた表示部１００２ｃと、を具備する。
【０１５１】
なお、表示部１００２ｃを、筐体１００１ｃにおける甲板部１００８に設けることもできる。
【０１５２】
また、図９（Ｃ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｃの中に、ＣＰＵと、メインメモリと、外部機器とＣＰＵ及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。なお、筐体１００１ｃの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図９（Ｃ）に示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。
【０１５３】
さらに、図９（Ｃ）に示す設置型情報端末における筐体１００１ｃの側面１００３ｃに券などを出力する券出力部、硬貨投入部、及び紙幣挿入部の一つ又は複数を設けてもよい。
【０１５４】
また、本発明の一態様である表示装置を表示部１００２ｃに用いることにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。
【０１５５】
図９（Ｃ）に示す設置型情報端末は、例えば現金自動預け払い機、券などの注文をするための情報通信端末（マルチメディアステーションともいう）、又は遊技機としての機能を有する。
【０１５６】
図９（Ｄ）は、設置型情報端末の例である。図９（Ｄ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｄと、筐体１００１ｄに設けられた表示部１００２ｄと、を具備する。なお、筐体１００１ｄを支持する支持台を設けてもよい。
【０１５７】
なお、筐体１００１ｄの側面１００３ｄに外部機器に接続させるための接続端子、図９（Ｄ）に示す設置型情報端末を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよい。
【０１５８】
また、図９（Ｄ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｄの中に、ＣＰＵと、メインメモリと、外部機器とＣＰＵ及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備えてもよい。また、筐体１００１ｄの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図９（Ｄ）に示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。
【０１５９】
また、本発明の一態様である表示装置を表示部１００２ｄに用いることにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。
【０１６０】
図９（Ｄ）に示す設置型情報端末は、例えばデジタルフォトフレーム、出力モニタ、又はテレビジョン装置としての機能を有する。
【０１６１】
上記実施の形態の表示装置は、例えば電子機器の表示部として用いられ、例えば図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）に示す表示部１００２ａ乃至表示部１００２ｄとして用いられる。また、図９（Ｂ）に示す表示部１００５として上記実施の形態の表示装置を用いてもよい。
【０１６２】
図９を用いて説明したように、本実施の形態における電子機器の一例は、上記実施の形態における表示装置が用いられた表示部を具備する構成である。上記構成にすることにより、表示部の画像を、擬似的に三次元の画像として視認することができる。
【０１６３】
また、本実施の形態における電子機器の一例では、筐体に、入射する光の照度に応じて電源電圧を生成する光電変換部、表示装置を操作する操作部のうち、一つ又は複数を設けてもよい。例えば光電変換部を設けることにより、外部電源が不要となるため、外部電源が無い場所であっても、該電子機器を長時間使用することができる。
【符号の説明】
【０１６４】
１００ 表示装置
１０１ 画素部
１０２ 視差バリア
１１１ａ 表示領域
１１１ｂ 表示領域
１１２ 非発光領域
１２１ａ 光制御領域
１２１ｂ 光制御領域
１２２ 透光領域
３１１ 画素
３１２ 表示電極
３２１ 表示領域
３２２ 非発光領域
３３１ 光制御領域
３６１ａ トランジスタ
３６１ｂ トランジスタ
３６２ａ 容量素子
３６２ｂ 容量素子
３６３ 液晶素子
３６４ トランジスタ
３６５ 発光素子
５００ 基板
５０１ 絶縁層
５１１ａ 半導体層
５１１ｂ 半導体層
５１２ａ 不純物領域
５１２ｂ 不純物領域
５１２ｃ 不純物領域
５１２ｄ 不純物領域
５１２ｅ 不純物領域
５１２ｆ 不純物領域
５１３ 絶縁層
５１４ａ 導電層
５１４ｂ 導電層
５１４ｃ 導電層
５１４ｄ 導電層
５１５ 絶縁層
５１６ａ 導電層
５１６ｂ 導電層
５１６ｃ 導電層
５１６ｄ 導電層
５１６ｅ 導電層
５１６ｆ 導電層
５１７ 絶縁層
５１８ 導電層
５２１ 絶縁層
５２２ 発光層
５２３ 導電層
５２４ 基板
５２５ 着色層
５２６ 絶縁層
５２７ 絶縁層
５２８ａ 遮光層
５２８ｂ 遮光層
１００１ａ 筐体
１００１ｂ 筐体
１００１ｃ 筐体
１００１ｄ 筐体
１００２ａ 表示部
１００２ｂ 表示部
１００２ｃ 表示部
１００２ｄ 表示部
１００３ａ 側面
１００３ｂ 側面
１００３ｃ 側面
１００３ｄ 側面
１００４ 筐体
１００５ 表示部
１００６ 軸部
１００７ 側面
１００８ 甲板部
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、擬似的に三次元画像の視認が可能な表示装置の開発が進められている。
【０００３】
上記表示装置としては、例えば視差バリアを用いる方式（視差バリア方式又はパララックスバリア方式ともいう）などが挙げられる（例えば特許文献１）。
【０００４】
上記視差バリア方式の表示装置は、人間における左右の眼の視差を利用して二次元画像を三次元画像に知覚させる方式の表示装置である。上記視差バリア方式の表示装置は、画素部及び視差バリアを含む構成である。上記視差バリア方式の表示装置では、例えば、画素部において、右眼用画像と左眼用画像を表示し、視差バリアにより、右眼への左眼用画像の光の入射を遮断し、左眼への右眼用画像の光の入射を遮断することにより、二次元の画像を擬似的に三次元の画像として視認することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１３３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の視差バリア方式の表示装置では、視認者と表示装置との距離が一定の範囲内でなければ擬似的な三次元画像の視認が難しいといった問題があった。
【０００７】
例えば、視認者が表示装置から一定の距離以上近づいたり離れたりすると、左眼に右眼用画像の光が入射してしまい、右眼に左眼用画像の光が入射してしまう。このため、クロストークが発生し、擬似的な三次元画像の視認が困難になる。
【０００８】
本発明の一態様では、クロストークを抑制することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様では、画素部における複数の表示領域の間に、所定の幅の非発光領域を設けることにより、クロストークを抑制し、擬似的に三次元画像の視認が可能となる、視認者と表示装置との距離の範囲の拡大を図る。
【００１０】
本発明の一態様は、第１の表示領域、第２の表示領域、及び非発光領域を有し、非発光領域が第１の表示領域及び第２の表示領域の間に設けられ、非発光領域の幅が非発光領域の幅方向と平行な方向における画素の幅の３０％以上７０％以下である画素部と、第１の光制御領域、第２の光制御領域、及び透光領域を有し、第１の光制御領域が第１の表示領域に重畳し、第２の光制御領域が第２の表示領域に重畳し、透光領域が第１の光制御領域及び第２の光制御領域の間に設けられ、透光領域の幅の中央が非発光領域に重畳する視差バリアと、を含む表示装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様により、視認者と表示装置との距離が変化した場合であってもクロストークを低減することができる。よって、擬似的に三次元画像の視認が可能となる、視認者と表示装置との距離の範囲を拡大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１における表示装置の例を説明するための図。
【図２】実施の形態１における表示装置の例を説明するための図。
【図３】実施の形態１における表示装置の例を説明するための図。
【図４】実施の形態１における表示装置の例を説明するための図。
【図５】実施の形態２の表示装置における画素部の構成例を説明するための図。
【図６】実施の形態２の表示装置における画素回路の構成例を説明するための図。
【図７】実施の形態２の表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を説明するための平面模式図及び断面模式図。
【図８】実施の形態２における表示装置の構造例を説明するための断面模式図。
【図９】実施の形態３における電子機器を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を説明するための実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。なお、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく実施の形態の内容を変更することは、当業者であれば容易である。よって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定されない。
【００１４】
なお、各実施の形態の内容を互いに適宜組み合わせることができる。また、各実施の形態の内容を互いに置き換えることができる。
【００１５】
また、構成要素の混同を避けるために第１、第２などの序数を付している。よって、各構成要素の数は、序数の数に限定されない。
【００１６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、擬似的に三次元画像の視認が可能な表示装置の例について説明する。
【００１７】
本実施の形態における表示装置の例について図１を用いて説明する。
【００１８】
図１（Ａ）は、表示装置１００における画素部の中央部Ｃを視認者が視認している状態を示す模式図である。このとき、視認者の左眼Ｌと右眼Ｒの間隔をＬａとし、視認者と表示装置との距離をＬｂとし、左眼Ｌ又は右眼Ｒと中央部Ｃとの角度をＲｘとする。
【００１９】
図１（Ｂ）は、表示装置１００の断面模式図である。表示装置１００は、画素部１０１と、視差バリア１０２と、を含む。なお、画素部１０１と視差バリア１０２との間隔をＬｄとする。
【００２０】
画素部１０１は、表示領域１１１ａと、表示領域１１１ｂと、表示領域１１１ａ及び表示領域１１１ｂの間に設けられた非発光領域１１２と、を有する。なお、図１（Ｂ）では、表示領域１１１ａ、表示領域１１１ｂ、及び非発光領域１１２の幅方向の断面を示している。
【００２１】
表示領域１１１ａ及び表示領域１１１ｂのそれぞれは、画素内において表示を行う領域である。例えば、表示装置１００が液晶表示装置の場合、液晶素子が設けられた領域が表示領域となり、表示装置１００がエレクトロルミネセンス表示装置（ＥＬ表示装置ともいう）の場合、発光素子が設けられた領域が表示領域となる。
【００２２】
非発光領域１１２は、自発光しない領域又は遮光性の領域である。例えば、表示装置１００が液晶表示装置又はＥＬ表示装置の場合、配線などが設けられた領域、遮光層が形成された領域、又は自発光せず、且つ外部から光が入射しない領域が非発光領域となる。
【００２３】
また、非発光領域１１２は、図１（Ｂ）に示すように、画素Ｐｉｘ＿ａ及び画素Ｐｉｘ＿ｂの両方に延在して設けられてもよい。このとき、画素Ｐｉｘ＿ａは、表示領域１１１ａ及び非発光領域１１２の一部を含み、画素Ｐｉｘ＿ｂは、表示領域１１１ｂ及び非発光領域１１２の一部を含む。
【００２４】
また、視認者が表示装置を手に持って視認する際のＬｂを考慮すると、非発光領域１１２の幅は、一定の範囲内であることが好ましい。例えば、非発光領域１１２の幅をＬｂｍとし、非発光領域の幅方向に平行な方向における画素の幅をＬｐｉｘとすると、Ｌｂｍは、Ｌｐｉｘの３０％以上７０％以下、又は４０％以上６０％以下、又は５０％であることが好ましい。例えば、Ｌｐｉｘが１００μｍであれば、Ｌｂｍは３０μｍ以上７０μｍ以下となる。例えば、Ｌｂｍを５μｍ乃至７μｍまで狭くすることもできるが、本実施の形態における表示装置では、Ｌｂｍを上記範囲内にすることにより、クロストークの発生を抑制することができる。
【００２５】
視差バリア１０２は、図１（Ｂ）に示すように、光制御領域１２１ａと、光制御領域１２１ｂと、透光領域１２２を有する。なお、図１（Ｂ）では、光制御領域１２１ａ、光制御領域１２１ｂ、及び透光領域１２２の幅方向の断面を示している。
【００２６】
視差バリア１０２としては、例えば固定スリットを備える視差バリア、又はスリットを形成するための複数の液晶シャッターを備える視差バリアなどを用いることができる。
【００２７】
光制御領域１２１ａ及び光制御領域１２１ｂは、光の透過を制御する領域である。視差バリア１０２では、例えば、光制御領域１２１ａ及び光制御領域１２１ｂを遮光領域にすることができる。
【００２８】
透光領域１２２は、光を透過する領域である。透光領域１２２の幅をＬｓｌｔとする。さらに、透光領域１２２の幅の中央（Ｍ）は、画素部１０１における非発光領域１１２に重畳する。
【００２９】
透光領域１２２の幅の中央を非発光領域１１２に重畳させると、例えば、表示領域１１１ａに左眼用画像を表示させ、表示領域１１１ｂに右眼用画像を表示させた場合に、右眼に左眼用画像の光が入りにくくなり、左眼に右眼用画像の光が入りにくくなる。よって、視認者と表示装置１００との間隔を変化させてもクロストークの発生を抑制することができる。さらに、透光領域１２２の幅の中央（Ｍ）を、画素部１０１における非発光領域１１２の幅の中央に重畳させることにより、クロストークの発生を抑制する効果をより高めることができる。
【００３０】
また、表示装置１００がＥＬ表示装置の場合、非発光領域１１２の面積を大きくした場合であっても、消費電力の増大を抑制することができる。なぜならば、ＥＬ表示装置では、非発光領域により表示領域の面積が小さくなった場合であっても、単位面積あたりの電流密度が増大するため、発光輝度の低下が少ないためである。よって、例えば透光領域１２２の幅の中央を非発光領域１１２（好ましくは非発光領域１１２の中央部）に重畳させ、非発光領域１１２の幅を上記範囲内にすることにより、消費電力の増大を抑制しつつ、クロストークを低減することができる。
【００３１】
さらに、図１に示す表示装置の画素部１０１において、実際に画像を視認する場合について、図２乃至図４を用いて詳細に説明する。
【００３２】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、Ｌａを６．５ｃｍとし、Ｌｂを３９ｃｍとし、Ｒｘを４．８°とし、Ｌｄを６００μｍとし、Ｌｐｉｘを１００μｍとし、Ｌｓｌｔを１００μｍとし、Ｌｂｍを５０μｍとし、表示領域１１１ａに左眼用の画像を表示させ、表示領域１１１ｂに右眼用の画像を表示させた場合の模式図である。
【００３３】
この場合、図２（Ｂ）に示すように、右眼Ｒの視野を示す太字の２本の実線に挟まれた領域には、表示領域１１１ｂからの光のみが通過し、左眼Ｌの視野を示す太字の２本の点線に挟まれた領域には、表示領域１１１ａのみの光が通過する。
【００３４】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、Ｌａを６．５ｃｍとし、Ｌｂを２６ｃｍとし、Ｒｘを７．１°とし、Ｌｄを６００μｍとし、Ｌｐｉｘを１００μｍとし、Ｌｓｌｔを１００μｍとし、Ｌｂｍを５０μｍとし、表示領域１１１ａに左眼用の画像を表示させ、表示領域１１１ｂに右眼用の画像を表示させた場合の模式図である。
【００３５】
この場合も、図３（Ｂ）に示すように、右眼Ｒの視野を示す太字の２本の実線に挟まれた領域には、表示領域１１１ｂからの光のみが通過し、左眼Ｌの視野を示す太字の２本の点線に挟まれた領域には、表示領域１１１ａからの光のみが通過する。
【００３６】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、Ｌａを６．５ｃｍとし、Ｌｂを５９ｃｍとし、Ｒｘを３．１°とし、Ｌｄを６００μｍとし、Ｌｐｉｘを１００μｍとし、Ｌｓｌｔを１００μｍとし、Ｌｂｍを５０μｍとし、表示領域１１１ａに左眼用の画像を表示させ、表示領域１１１ｂに右眼用の画像を表示させた場合の模式図である。
【００３７】
この場合も、図４（Ｂ）に示すように、右眼Ｒの視野を示す太字の２本の実線に挟まれた領域には、表示領域１１１ｂからの光のみが通過し、左眼Ｌの視野を示す太字の２本の点線に挟まれた領域には、表示領域１１１ａからの光のみが通過する。
【００３８】
以上が図１に示す表示装置の説明である。
【００３９】
図１乃至図４を用いて説明したように、本実施の形態における表示装置の一例では、一定の範囲内の幅である非発光領域を、視差バリアにおける透光領域の幅の中央に重畳するように設けることにより、視認者と表示装置１００との間隔を変化させてもクロストークを抑制することができる。よって、擬似的に三次元画像の視認が可能となる、視認者と表示装置との距離の範囲を拡大させることができる。
【００４０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態の表示装置における画素部の構成例について説明する。
【００４１】
本実施の形態の表示装置における画素部の構成例について、図５を用いて説明する。
【００４２】
図５（Ａ）に示す画素部は、マトリクス状に配列された赤（ｒ）、緑（ｇ）、青（ｂ）の複数の画素３１１を有する。なお、図５（Ａ）に示す画素部では、同じ色の画素が行方向に配列される。また、例えば奇数列の画素が左眼用画素としての機能を有し、偶数列の画素が右眼用画素としての機能を有してもよい。
【００４３】
例えば、画素３１１の形状を図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように矩形状にすることができ、また、視差バリアにおける光制御領域３３１を図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように短冊状にすることができる。このとき、赤、青、及び緑の画素３１１は、光制御領域３３１（点線部）と直交する。赤、青、及び緑の画素３１１と光制御領域３３１を直交させることにより、視認位置による表示画像の色ずれを抑制することができる。なお、図５（Ｂ）に示すように、複数の光制御領域３３１を用いて一つの遮光領域を形成してもよい。
【００４４】
また、複数の画素３１１のそれぞれは、表示電極３１２を備える。表示電極３１２を用いて構成される表示素子が設けられた領域が表示領域３２１となる。また、同じ行の隣り合う２つの表示領域３２１の間の領域が非発光領域３２２となる。このとき、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、透光領域の幅の中央（Ｍ）が非発光領域３２２に重畳する。
【００４５】
さらに、画素３１１の回路構成例について、図６を用いて説明する。なお、回路として表した画素を画素回路ともいう。
【００４６】
図６（Ａ）に示す画素回路は、トランジスタ３６１ａと、容量素子３６２ａと、液晶素子３６３と、を備える。
【００４７】
なお、図６（Ａ）に示す画素回路において、トランジスタ３６１ａは、電界効果トランジスタである。
【００４８】
また、液晶素子は、少なくとも第１の表示電極、第２の表示電極、並びに第１の表示電極及び第２の表示電極に重畳する液晶層を含む。液晶層は、第１の表示電極及び第２の表示電極の間に印加される電圧に応じて液晶の配向が制御される。
【００４９】
トランジスタ３６１ａのソース及びドレインの一方には、信号ＤＤが入力され、トランジスタ３６１ａのゲートには、信号ＤＳＥＬが入力される。信号ＤＳＥＬは、パルス信号であり、例えばゲートドライバなどの駆動回路を介して入力される。信号ＤＤは、画像データ信号であり、例えば、ソースドライバなどの駆動回路を介して入力される。
【００５０】
容量素子３６２ａの第１の容量電極は、トランジスタ３６１ａのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、容量素子３６２ａの第２の容量電極には、電圧Ｖｃが入力される。なお、必ずしも容量素子３６２ａを設けなくてもよい。
【００５１】
液晶素子３６３の第１の表示電極は、トランジスタ３６１ａのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、液晶素子３６３の第２の表示電極には、電圧Ｖｃが入力される。電圧Ｖｃの値は、適宜設定することができる。
【００５２】
また、図６（Ｂ）に示す画素回路は、トランジスタ３６１ｂと、容量素子３６２ｂと、トランジスタ３６４と、発光素子（ＬＥＥともいう）３６５と、を備える。
【００５３】
なお、図６（Ｂ）に示す画素において、トランジスタ３６１ｂ及びトランジスタ３６４は、電界効果トランジスタである。
【００５４】
また、発光素子は、第１の電流端子と、第２の電流端子と、第１の電流端子及び第２の電流端子に重畳する発光層と、を含む。発光素子は、第１の電流端子及び第２の電流端子の間に印加される電圧に応じて第１の電流端子及び第２の電流端子の間に電流が流れることにより発光する。
【００５５】
トランジスタ３６１ｂのソース及びドレインの一方には、信号ＤＤが入力され、トランジスタ３６１ｂのゲートには、信号ＤＳＥＬが入力される。
【００５６】
容量素子３６２ｂの第１の容量電極には、電圧Ｖｂが入力され、容量素子３６２ｂの第２の容量電極は、トランジスタ３６４のゲートに電気的に接続される。
【００５７】
トランジスタ３６４のソース及びドレインの一方には、電圧Ｖａが入力され、トランジスタ３６４のゲートは、トランジスタ３６１ｂのソース及びドレインの他方に電気的に接続される。
【００５８】
発光素子３６５の第１の電流端子は、トランジスタ３６４のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、発光素子３６５の第２の電流端子には、電圧Ｖｂが入力される。
【００５９】
なお、電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの一方は、高電源電圧Ｖｄｄであり、電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの他方は、低電源電圧Ｖｓｓである。電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの値は、例えばトランジスタの極性などにより互いに入れ替わる場合がある。
【００６０】
さらに、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す画素回路の各構成要素について説明する。
【００６１】
トランジスタ３６１ａ及びトランジスタ３６１ｂは、信号入力選択トランジスタとしての機能を有する。
【００６２】
容量素子３６２ａ及び容量素子３６２ｂは、第１の容量電極及び第２の容量電極の間に信号ＤＤに応じた値の電圧が印加される保持容量としての機能を有する。
【００６３】
液晶素子３６３における液晶層としては、例えば第１の表示電極及び第２の表示電極に印加される電圧が０Ｖのときに液晶素子３６３が光を透過する液晶層を用いることができ、例えば電気制御複屈折型液晶（ＥＣＢ型液晶ともいう）、二色性色素を添加した液晶（ＧＨ液晶ともいう）、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶を含む液晶層などを用いることができる。また、液晶層としては、ブルー相を発現する液晶層を用いてもよい。ブルー相を発現する液晶層は、例えばブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により構成される。ブルー相を発現する液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。よって、ブルー相を発現する液晶を用いることにより、動作速度を向上させることができる。
【００６４】
トランジスタ３６４は、駆動トランジスタである。
【００６５】
なお、トランジスタ３６１ａ、トランジスタ３６１ｂ、及びトランジスタ３６４としては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第１４族の半導体（シリコンなど）を含有する半導体層、又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。
【００６６】
上記酸化物半導体層に適用可能な酸化物半導体としては、例えばＩｎ系酸化物（例えば酸化インジウムなど）、Ｓｎ系酸化物（例えば酸化スズなど）、又はＺｎ系酸化物（例えば酸化亜鉛など）などを用いることができる。
【００６７】
また、上記金属酸化物としては、例えば、四元系金属酸化物、三元系金属酸化物、二元系金属酸化物などの金属酸化物を用いることもできる。なお、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとしてガリウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてスズを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてハフニウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてアルミニウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムの一つ又は複数を含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。
【００６８】
四元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物などを用いることができる。
【００６９】
また、三元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、又はＩｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物などを用いることができる。
【００７０】
また、二元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ系酸化物、又はＩｎ−Ｇａ系酸化物などを用いることができる。
【００７１】
発光素子３６５としては、例えばＥＬ素子、発光ダイオード、又は発光トランジスタなどを用いることができる。例えばＥＬ素子の場合、ＥＬ素子のアノード及びカソードの一方が発光素子の第１の電流端子に相当し、ＥＬ素子のアノード及びカソードの他方が発光素子の第２の電流端子に相当する。
【００７２】
次に、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例について説明する。
【００７３】
まず、図６（Ａ）に示す画素回路の駆動方法例について、図６（Ｃ）を用いて説明する。図６（Ｃ）は、図６（Ａ）に示す画素回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号ＤＤ、信号ＤＳＥＬ、及びトランジスタ３６１ａのそれぞれの状態を示す。
【００７４】
図６（Ａ）に示す画素回路の駆動方法例では、期間Ｔ１１において、信号ＤＳＥＬのパルス（ｐｌｓともいう）を入力し、トランジスタ３６１ａをオン状態（状態ＯＮともいう）にする。
【００７５】
トランジスタ３６１ａがオン状態のとき、画素回路に信号ＤＤが入力され、液晶素子３６３の第１の表示電極及び容量素子３６２ａの第１の容量電極の電圧が信号ＤＤの電圧（ここでは電圧Ｄ１１）と同等の値になる。
【００７６】
このとき、液晶素子３６３は、液晶が信号ＤＤに応じた配向状態になることにより、信号ＤＤのデータに応じた表示状態になる。
【００７７】
さらに、信号ＤＳＥＬのパルスの入力が終わるとトランジスタ３６１ａがオフ状態（状態ＯＦＦ）になる。その後期間Ｔ１２において、画素回路は、電圧Ｄ１１に応じた表示状態に維持される。
【００７８】
次に、図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例について、図６（Ｄ）を用いて説明する。図６（Ｄ）は、図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号ＤＤ、信号ＤＳＥＬ、及びトランジスタ３６１ｂのそれぞれの状態を示す。
【００７９】
図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例では、期間Ｔ２１において、信号ＤＳＥＬのパルスを入力し、トランジスタ３６１ｂをオン状態にする。
【００８０】
トランジスタ３６１ｂがオン状態のとき、画素回路に信号ＤＤが入力され、トランジスタ３６４のゲートの電圧及び容量素子３６２ｂにおける第２の容量電極の電圧が信号ＤＤの電圧（ここでは一例として電圧Ｄ２１）と同等の値になる。
【００８１】
このとき、トランジスタ３６４のゲートの電圧に応じてトランジスタ３６４のソース及びドレインの間に電流が流れ、さらに、発光素子３６５の第１の電流端子及び第２の電流端子の間に電流が流れ、発光素子３６５が発光する。このとき、発光素子３６５の第１の電流端子の電圧は、信号ＤＤの電圧（ここでは電圧Ｄ２１）に応じた値になり、発光素子３６５の発光輝度は、信号ＤＤに応じて設定された第１の電流端子の電圧、及び電圧Ｖｂに応じた値になる。
【００８２】
さらに、信号ＤＳＥＬのパルスの入力が終わるとトランジスタ３６１ｂがオフ状態になる。その後期間Ｔ２２において、画素回路は、電圧Ｄ２１に応じた表示状態が維持される。以上が図６（Ｂ）に示す画素回路の駆動方法例である。
【００８３】
さらに、本実施の形態における表示装置の構造例について説明する。なお、ここでは一例として画素回路の構成が図６（Ｂ）に示す回路構成であるとする。
【００８４】
本実施の形態における表示装置は、トランジスタなどの半導体素子が設けられた第１の基板（アクティブマトリクス基板ともいう）と、第２の基板と、第１の基板及び第２の基板の間に設けられた発光素子と、を含む。
【００８５】
まず、本実施の形態の表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例について、図７を用いて説明する。図７は、本実施の形態の表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を示す図であり、図７（Ａ）は、平面模式図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）における線分Ａ−Ｂの断面模式図である。なお、図７では、実際の寸法と異なる構成要素を含む。また、便宜のため、図７（Ｂ）では、図７（Ａ）における線分Ａ−Ｂの断面の一部を省略している。
【００８６】
図７に示すアクティブマトリクス基板は、基板５００と、絶縁層５０１と、半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂと、絶縁層５１３と、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄと、絶縁層５１５と、導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆと、を含む。
【００８７】
半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂのそれぞれは、絶縁層５０１を介して基板５００の一平面に設けられる。
【００８８】
半導体層５１１ａは、Ｐ型又はＮ型の導電型を付与する不純物元素を含有する不純物領域５１２ａ乃至不純物領域５１２ｄを有する。半導体層５１１ａは、画素回路における信号入力選択トランジスタのチャネルが形成される層（チャネル形成層ともいう）及び画素回路における保持容量の第２の容量電極としての機能を有する。
【００８９】
なお、半導体層５１１ａにおいて、不純物領域５１２ａと不純物領域５１２ｂとの間、及び不純物領域５１２ｂと不純物領域５１２ｃとの間には画素回路における信号入力選択トランジスタのチャネル形成領域が存在する。
【００９０】
半導体層５１１ｂは、Ｐ型又はＮ型の導電型を付与する不純物元素を含有する不純物領域５１２ｅ及び不純物領域５１２ｆを有する。半導体層５１１ｂは、画素回路における駆動トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。
【００９１】
なお、半導体層５１１ｂにおいて、不純物領域５１２ｅと、不純物領域５１２ｆとの間には画素回路における駆動トランジスタのチャネル形成領域が存在する。
【００９２】
絶縁層５１３は、半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂの上に設けられる。絶縁層５１３は、画素回路における信号入力選択トランジスタ及び駆動トランジスタのゲート絶縁層、画素回路における保持容量の誘電体層としての機能を有する。
【００９３】
導電層５１４ａは、絶縁層５１３を介して半導体層５１１ａの一部に重畳する。なお、導電層５１４ａと重畳する半導体層５１１ａの領域が画素回路における信号入力選択トランジスタのチャネル形成領域になる。導電層５１４ａは、画素回路における信号入力選択トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、図７において、導電層５１４ａは、複数の箇所で半導体層５１１ａの一部に重畳している。必ずしも導電層５１４ａが複数の箇所で半導体層５１１ａの一部に重畳していなくてもよいが、導電層５１４ａが複数の箇所で半導体層５１１ａの一部に重畳することにより、画素回路における信号入力選択トランジスタのスイッチング特性を向上させることができる。なお、導電層５１４ａと重畳する半導体層５１１ａの領域が半導体層５１１ａに設けられた不純物領域５１２ａ乃至不純物領域５１２ｄの不純物元素の濃度より低い濃度でＰ型又はＮ型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。
【００９４】
導電層５１４ｂは、絶縁層５１３を介して半導体層５１１ａの一部の上に重畳する。導電層５１４ｂは、画素回路における保持容量の第１の容量電極としての機能を有する。なお、導電層５１４ｂと重畳する半導体層５１１ａの領域が不純物領域５１２ａ乃至不純物領域５１２ｄの不純物元素の濃度より低い濃度でＰ型又はＮ型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。
【００９５】
導電層５１４ｃは、絶縁層５１３を介して半導体層５１１ｂの一部の上に設けられる。導電層５１４ｃは、画素回路における駆動トランジスタのゲートとしての機能を有する。
【００９６】
導電層５１４ｄは、行方向の複数の画素回路に延在する。導電層５１４ｄは、電圧Ｖｂが入力される電源線としての機能を有する。
【００９７】
絶縁層５１５は、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄの上及び絶縁層５１３の上に設けられる。
【００９８】
導電層５１６ａは、絶縁層５１３及び絶縁層５１５を貫通する第１の開口部を介して、不純物領域５１２ａに電気的に接続される。導電層５１６ａは、画素回路における信号入力選択トランジスタのソース及びドレインの一方、並びに表示データ信号が入力される配線としての機能を有する。
【００９９】
導電層５１６ｂは、絶縁層５１３及び絶縁層５１５を貫通する第２の開口部を介して、不純物領域５１２ｄに電気的に接続され、絶縁層５１５を貫通する第３の開口部を介して導電層５１４ｃに電気的に接続される。導電層５１６ｂは、画素回路における信号入力選択トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。
【０１００】
導電層５１６ｃは、絶縁層５１３及び絶縁層５１５を貫通する第４の開口部を介して不純物領域５１２ｅに電気的に接続され、絶縁層５１５を貫通する第５の開口部を介して導電層５１４ｄに電気的に接続される。導電層５１６ｃは、画素回路における駆動トランジスタのソース及びドレインの一方、及び電圧Ｖａが入力される電源線としての機能を有する。
【０１０１】
導電層５１６ｄは、絶縁層５１３及び絶縁層５１５を貫通する第６の開口部を介して不純物領域５１２ｆに電気的に接続される。導電層５１６ｄは、画素回路における駆動トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。
【０１０２】
導電層５１６ｅは、絶縁層５１５を貫通する第７の開口部を介して導電層５１４ｂに電気的に接続される。導電層５１６ｅは、画素回路における保持容量の容量線としての機能を有する。
【０１０３】
導電層５１６ｆは、絶縁層５１５を貫通する第８の開口部及び第９の開口部を介して導電層５１４ａに電気的に接続される。導電層５１６ｆを設けることにより、配線抵抗を小さくすることができる。
【０１０４】
さらに、本実施の形態における表示装置の構造例について、図８を用いて説明する。図８は、本実施の形態における表示装置の構造例を示す断面模式図である。なお、本実施の形態では、表示装置における発光素子が上面方向に光を射出する構造であるが、これに限定されず、下面方向に光を射出する構造でもよい。
【０１０５】
図８に示す表示装置は、図７に示すアクティブマトリクス基板に加え、絶縁層５１７と、導電層５１８と、絶縁層５２１と、発光層５２２と、導電層５２３と、基板５２４と、着色層５２５と、絶縁層５２６と、絶縁層５２７と、遮光層５２８ａと、遮光層５２８ｂと、を含む。
【０１０６】
絶縁層５１７は、導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆの上及び絶縁層５１５の上に設けられる。
【０１０７】
導電層５１８は、絶縁層５１７の上に設けられ、絶縁層５１７を貫通して設けられた第１０の開口部を介して導電層５１６ｄに電気的に接続される。導電層５１８は、画素回路における発光素子の第１の電極（第１の電流端子）としての機能を有する。
【０１０８】
絶縁層５２１は、導電層５１８の上に設けられる。
【０１０９】
発光層５２２は、絶縁層５２１の上に設けられ、絶縁層５２１を貫通して設けられた第１１の開口部を介して導電層５１８に電気的に接続される。発光層５２２は、画素回路における発光素子の発光層としての機能を有する。
【０１１０】
導電層５２３は、発光層５２２の上に設けられ、発光層５２２に電気的に接続される。導電層５２３は、画素回路における発光素子の第２の電極（第２の電流端子）としての機能を有する。
【０１１１】
着色層５２５は、発光層５２２からの光のうち、特定の波長の光を透過するように、基板５２４の一平面に設けられる。
【０１１２】
遮光層５２８ａ及び遮光層５２８ｂは、基板５２４の一平面に設けられる。遮光層５２８ａ及び遮光層５２８ｂは、上記実施の形態の表示装置における非発光領域の一部又は全部となる。なお、必ずしも遮光層５２８ａ及び遮光層５２８ｂを設けなくてもよい。
【０１１３】
絶縁層５２６は、着色層５２５、遮光層５２８ａ、及び遮光層５２８ｂを介して基板５２４の一平面に設けられる。
【０１１４】
絶縁層５２７は、絶縁層５２６と導電層５２３の間に設けられる。
【０１１５】
さらに、図７及び図８を用いて説明した表示装置の各構成要素について説明する。
【０１１６】
基板５００及び基板５２４としては、例えばガラス基板又はプラスチック基板を用いることができる。なお、必ずしも基板５００及び基板５２４を設けなくてもよい。
【０１１７】
絶縁層５０１としては、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を用いることができる。例えば、絶縁層５０１としては、酸化シリコン層又は酸化窒化シリコン層などを用いることができる。また、上記酸化絶縁層がハロゲンを含んでいてもよい。また、絶縁層５０１に適用可能な材料の積層により絶縁層５０１を構成することもできる。また、必ずしも絶縁層５０１を設けなくてもよい。
【０１１８】
半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂとしては、例えば非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、又は単結晶半導体を含む層を用いることができる。また、半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂとしては、例えば元素周期表における第１４族の半導体（例えばシリコンなど）を含有する半導体層を用いることができる。また、これに限定されず、半導体層５１１ａ及び半導体層５１１ｂとしては、例えば酸化物半導体層を用いることができる。
【０１１９】
絶縁層５１３としては、例えば絶縁層５０１に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層５１３に適用可能な材料の積層により絶縁層５１３を構成してもよい。
【０１２０】
導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、マグネシウム、銀、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカンジウムなどの金属材料を含む材料の層を用いることができる。また、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄとしては、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する場合がある）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）などの金属酸化物、又はシリコン、酸化シリコン、窒素を含む該金属酸化物を用いることができる。また、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄに適用可能な材料の積層により、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄを構成することもできる。例えば、窒化タンタル層及びタングステン層の積層により導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄを構成することもできる。
【０１２１】
絶縁層５１５としては、例えば絶縁層５０１に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層５１５に適用可能な材料の積層により絶縁層５１５を構成してもよい。例えば、窒化酸化シリコン層及び酸化窒化シリコン層の積層により絶縁層５１５を構成することもできる。
【０１２２】
導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆとしては、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆに適用可能な材料の積層により導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆを構成することもできる。例えば、チタン層、アルミニウム層、及びチタン層の積層により導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆを構成することもできる。なお、導電層５１６ａ乃至導電層５１６ｆの側面は、テーパ状でもよい。
【０１２３】
絶縁層５１７としては、例えば絶縁層５１３に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層５１７に適用可能な材料の積層により絶縁層５１７を構成してもよい。
【０１２４】
導電層５１８としては、例えば導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層５１８に適用可能な材料の積層により導電層５１８を構成することもできる。
【０１２５】
絶縁層５２１としては、例えば有機絶縁層又は無機絶縁層を用いることができる。なお、絶縁層５２１は、隔壁ともいう。
【０１２６】
発光層５２２は、特定の色の光を呈する単色光を射出する層である。発光層５２２としては、例えば特定の色を呈する光を射出する発光材料を用いた発光層を用いることができる。なお、互いに異なる特性の色を呈する光を射出する発光層の積層を用いて発光層５２２を構成してもよい。発光材料としては、蛍光材料又は燐光材料などのエレクトロルミネセンス材料を用いることができる。また、複数のエレクトロルミネセンス材料を含む材料を用いて発光材料を構成してもよい。例えば青色を呈する光を射出する蛍光材料の層、橙色を呈する光を射出する第１の燐光材料の層、及び橙色を呈する光を射出する第２の燐光材料の層の積層により、白色を呈する光を射出する発光層を構成してもよい。また、エレクトロルミネセンス材料としては、有機エレクトロルミネセンス材料又は無機エレクトロルミネセンス材料を用いることができる。また、上記発光層に加え、例えばホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の一つ又は複数を設けて発光層を構成してもよい。
【０１２７】
導電層５２３としては、導電層５１４ａ乃至導電層５１４ｄに適用可能な材料の層のうち、光を透過する材料の層を用いることができる。また、導電層５２３に適用可能な材料の積層により導電層５２３を構成することもできる。
【０１２８】
着色層５２５としては、例えば赤色を呈する波長の光、緑色を呈する波長の光、又は青色を呈する波長の光を透過し、染料又は顔料を含む層を用いることができる。また、着色層５２５として、シアン、マゼンタ、又はイエローの色を呈する光を透過し、染料又は顔料を含む層を用いてもよい。例えば、染料を含む場合、着色層５２５は、例えばフォトリソグラフィ法、印刷法、又はインクジェット法を用いて形成され、顔料を含む場合、着色層５２５は、フォトリソグラフィ法、印刷法、電着法、又は電子写真法などを用いて形成される。例えばインクジェット法を用いることにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができる。また、レジストマスクを用いなくても製造することができるため、製造コスト及び製造工程数を低減することができる。
【０１２９】
絶縁層５２６としては、例えば絶縁層５０１に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層５２６に適用可能な材料の積層により絶縁層５２６を構成してもよい。なお、絶縁層５２６を必ずしも設けなくてもよいが、絶縁層５２６を設けることにより、着色層５２５からの発光素子への不純物の侵入を抑制することができる。
【０１３０】
絶縁層５２７としては、例えば絶縁層５０１に適用可能な材料の層又は樹脂材料の層を用いることができる。また、絶縁層５２７に適用可能な材料の積層により絶縁層５２７を構成してもよい。
【０１３１】
遮光層５２８ａ及び遮光層５２８ｂとしては、例えば遮光性を有する無機材料などの層を用いることができる。
【０１３２】
図５乃至図８を用いて説明したように、本実施の形態の表示装置における画素部の一例では、行方向に同じ色の画素を配置し、列方向に異なる色の画素を配置し、視差バリアにおける光制御領域を画素と直交する構造にすることにより、視認位置による画像の色ずれを抑制することができる。
【０１３３】
また、本実施の形態における表示装置の一例は、発光素子として特定の色の光を呈する単色光を射出する発光素子と、発光素子が射出する光のうち、特定の波長を有する光を透過する着色層を含む構造である。上記構造にすることにより、互いに異なる色を呈する光を射出する複数の発光素子を形成せずにカラー画像を表示することができるため、作製工程を容易にし、歩留まりを向上させることができる。例えば、メタルマスクを用いなくても表示素子を作製することができるため、作製工程が容易になる。また、画像のコントラストを向上させることができる。
【０１３４】
また、本実施の形態における表示装置の一例では、画素回路と同一基板上に駆動回路を設けてもよい。このとき、駆動回路などの回路におけるトランジスタの構造を、画素回路におけるトランジスタの構造と同じにしてもよい。画素回路と同一基板上に駆動回路などの回路を設けることにより、画素回路及び駆動回路の接続配線の数を低減することができる。
【０１３５】
また、本実施の形態における表示装置の一例では、ＥＬ表示装置にすることにより、非発光領域の面積を大きくした場合であっても、消費電力の増大を抑制することができる。なぜならば、ＥＬ表示装置では、非発光領域により表示領域の面積が小さくなった場合であっても、単位面積あたりの電流密度が増大するため、発光輝度の低下が少ないためである。よって、例えば透光領域の幅の中央を非発光領域（好ましくは非発光領域の中央部）に重畳させ、非発光領域の幅を上記範囲内にすることにより、消費電力の増大を抑制しつつ、クロストークを低減することができる。
【０１３６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態における表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
【０１３７】
本実施の形態における電子機器の構成例について、図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）を用いて説明する。図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）は、本実施の形態における電子機器の構成例を説明するための模式図である。
【０１３８】
図９（Ａ）に示す電子機器は、携帯型情報端末の例である。図９（Ａ）に示す携帯情報端末は、筐体１００１ａと、筐体１００１ａに設けられた表示部１００２ａと、を具備する。
【０１３９】
なお、筐体１００１ａの側面１００３ａに外部機器に接続させるための接続端子、図９（Ａ）に示す携帯型情報端末を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよい。
【０１４０】
図９（Ａ）に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ａの中に、ＣＰＵと、メインメモリと、外部機器とＣＰＵ及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、外部機器との信号の送受信を行うアンテナと、を備える。なお、筐体１００１ａの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。
【０１４１】
また、本発明の一態様である表示装置を表示部１００２ａに用いることにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。
【０１４２】
図９（Ａ）に示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
【０１４３】
図９（Ｂ）に示す電子機器は、折り畳み式の携帯型情報端末の例である。図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ｂと、筐体１００１ｂに設けられた表示部１００２ｂと、筐体１００４と、筐体１００４に設けられた表示部１００５と、筐体１００１ｂ及び筐体１００４を接続する軸部１００６と、を具備する。
【０１４４】
また、図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末では、軸部１００６により筐体１００１ｂ又は筐体１００４を動かすことにより、筐体１００１ｂを筐体１００４に重畳させることができる。
【０１４５】
なお、筐体１００１ｂの側面１００３ｂ又は筐体１００４の側面１００７に外部機器に接続させるための接続端子、図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよい。
【０１４６】
また、表示部１００２ｂ及び表示部１００５に、互いに異なる画像又は一続きの画像を表示させてもよい。なお、表示部１００５を必ずしも設けなくてもよく、表示部１００５の代わりに、入力装置であるキーボードを設けてもよい。
【０１４７】
図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ｂ又は筐体１００４の中に、ＣＰＵと、メインメモリと、外部機器とＣＰＵ及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。また、筐体１００１ｂ又は筐体１００４の中に、特定の機能を有する集積回路を１つ又は複数設けてもよい。また、図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。
【０１４８】
また、本発明の一態様である表示装置を表示部１００２ｂ及び表示部１００５の少なくとも一つに用いることにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。
【０１４９】
図９（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
【０１５０】
図９（Ｃ）に示す電子機器は、設置型情報端末の例である。図９（Ｃ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｃと、筐体１００１ｃに設けられた表示部１００２ｃと、を具備する。
【０１５１】
なお、表示部１００２ｃを、筐体１００１ｃにおける甲板部１００８に設けることもできる。
【０１５２】
また、図９（Ｃ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｃの中に、ＣＰＵと、メインメモリと、外部機器とＣＰＵ及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。なお、筐体１００１ｃの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図９（Ｃ）に示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。
【０１５３】
さらに、図９（Ｃ）に示す設置型情報端末における筐体１００１ｃの側面１００３ｃに券などを出力する券出力部、硬貨投入部、及び紙幣挿入部の一つ又は複数を設けてもよい。
【０１５４】
また、本発明の一態様である表示装置を表示部１００２ｃに用いることにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。
【０１５５】
図９（Ｃ）に示す設置型情報端末は、例えば現金自動預け払い機、券などの注文をするための情報通信端末（マルチメディアステーションともいう）、又は遊技機としての機能を有する。
【０１５６】
図９（Ｄ）は、設置型情報端末の例である。図９（Ｄ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｄと、筐体１００１ｄに設けられた表示部１００２ｄと、を具備する。なお、筐体１００１ｄを支持する支持台を設けてもよい。
【０１５７】
なお、筐体１００１ｄの側面１００３ｄに外部機器に接続させるための接続端子、図９（Ｄ）に示す設置型情報端末を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよい。
【０１５８】
また、図９（Ｄ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｄの中に、ＣＰＵと、メインメモリと、外部機器とＣＰＵ及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備えてもよい。また、筐体１００１ｄの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図９（Ｄ）に示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。
【０１５９】
また、本発明の一態様である表示装置を表示部１００２ｄに用いることにより、擬似的に三次元の画像を視認することができる。
【０１６０】
図９（Ｄ）に示す設置型情報端末は、例えばデジタルフォトフレーム、出力モニタ、又はテレビジョン装置としての機能を有する。
【０１６１】
上記実施の形態の表示装置は、例えば電子機器の表示部として用いられ、例えば図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）に示す表示部１００２ａ乃至表示部１００２ｄとして用いられる。また、図９（Ｂ）に示す表示部１００５として上記実施の形態の表示装置を用いてもよい。
【０１６２】
図９を用いて説明したように、本実施の形態における電子機器の一例は、上記実施の形態における表示装置が用いられた表示部を具備する構成である。上記構成にすることにより、表示部の画像を、擬似的に三次元の画像として視認することができる。
【０１６３】
また、本実施の形態における電子機器の一例では、筐体に、入射する光の照度に応じて電源電圧を生成する光電変換部、表示装置を操作する操作部のうち、一つ又は複数を設けてもよい。例えば光電変換部を設けることにより、外部電源が不要となるため、外部電源が無い場所であっても、該電子機器を長時間使用することができる。
【符号の説明】
【０１６４】
１００ 表示装置
１０１ 画素部
１０２ 視差バリア
１１１ａ 表示領域
１１１ｂ 表示領域
１１２ 非発光領域
１２１ａ 光制御領域
１２１ｂ 光制御領域
１２２ 透光領域
３１１ 画素
３１２ 表示電極
３２１ 表示領域
３２２ 非発光領域
３３１ 光制御領域
３６１ａ トランジスタ
３６１ｂ トランジスタ
３６２ａ 容量素子
３６２ｂ 容量素子
３６３ 液晶素子
３６４ トランジスタ
３６５ 発光素子
５００ 基板
５０１ 絶縁層
５１１ａ 半導体層
５１１ｂ 半導体層
５１２ａ 不純物領域
５１２ｂ 不純物領域
５１２ｃ 不純物領域
５１２ｄ 不純物領域
５１２ｅ 不純物領域
５１２ｆ 不純物領域
５１３ 絶縁層
５１４ａ 導電層
５１４ｂ 導電層
５１４ｃ 導電層
５１４ｄ 導電層
５１５ 絶縁層
５１６ａ 導電層
５１６ｂ 導電層
５１６ｃ 導電層
５１６ｄ 導電層
５１６ｅ 導電層
５１６ｆ 導電層
５１７ 絶縁層
５１８ 導電層
５２１ 絶縁層
５２２ 発光層
５２３ 導電層
５２４ 基板
５２５ 着色層
５２６ 絶縁層
５２７ 絶縁層
５２８ａ 遮光層
５２８ｂ 遮光層
１００１ａ 筐体
１００１ｂ 筐体
１００１ｃ 筐体
１００１ｄ 筐体
１００２ａ 表示部
１００２ｂ 表示部
１００２ｃ 表示部
１００２ｄ 表示部
１００３ａ 側面
１００３ｂ 側面
１００３ｃ 側面
１００３ｄ 側面
１００４ 筐体
１００５ 表示部
１００６ 軸部
１００７ 側面
１００８ 甲板部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表示領域、第２の表示領域、及び非発光領域を有し、前記非発光領域が前記第１の表示領域及び前記第２の表示領域の間に設けられ、前記非発光領域の幅が前記非発光領域の幅方向と平行な方向における画素の幅の３０％以上７０％以下である画素部と、
第１の光制御領域、第２の光制御領域、及び透光領域を有し、前記第１の光制御領域が前記第１の表示領域に重畳し、前記第２の光制御領域が前記第２の表示領域に重畳し、前記透光領域が前記第１の光制御領域及び前記第２の光制御領域の間に設けられ、前記透光領域の幅の中央が前記非発光領域に重畳する視差バリアと、を含む表示装置。
【請求項２】
請求項１の表示装置において、
前記非発光領域の幅が前記非発光領域の幅方向と平行な方向における画素の幅の５０％である表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２の表示装置において、
前記透光領域の幅の中央が前記非発光領域の幅の中央に重畳する表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項の表示装置において、
前記表示装置がエレクトロルミネセンス表示装置である表示装置。
【請求項１】
第１の表示領域、第２の表示領域、及び非発光領域を有し、前記非発光領域が前記第１の表示領域及び前記第２の表示領域の間に設けられ、前記非発光領域の幅が前記非発光領域の幅方向と平行な方向における画素の幅の３０％以上７０％以下である画素部と、
第１の光制御領域、第２の光制御領域、及び透光領域を有し、前記第１の光制御領域が前記第１の表示領域に重畳し、前記第２の光制御領域が前記第２の表示領域に重畳し、前記透光領域が前記第１の光制御領域及び前記第２の光制御領域の間に設けられ、前記透光領域の幅の中央が前記非発光領域に重畳する視差バリアと、を含む表示装置。
【請求項２】
請求項１の表示装置において、
前記非発光領域の幅が前記非発光領域の幅方向と平行な方向における画素の幅の５０％である表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２の表示装置において、
前記透光領域の幅の中央が前記非発光領域の幅の中央に重畳する表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項の表示装置において、
前記表示装置がエレクトロルミネセンス表示装置である表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−４１２６０（Ｐ２０１３−４１２６０Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１５４３７５（Ｐ２０１２−１５４３７５）
【出願日】平成２４年７月１０日（２０１２．７．１０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年７月１０日（２０１２．７．１０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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