【課題】時間階調方式で表示するときに発生する擬似輪郭の低減を課題とする。
【解決手段】１つの画素をｍ個（ｍはｍ≧２の整数）のサブ画素に分割し、ｓ番目（ｓは１〜ｍの整数）のサブ画素の面積比を２^ｓ−１とする。また、１フレームに、複数のサブフレームから構成されるｋ個（ｋはｋ≧２の整数）のサブフレーム群を設けるとともに、１フレームをｎ個（ｎはｎ≧２の整数）のサブフレームに分割し、ｔ番目（ｔは１〜ｎの整数）のサブフレームの点灯期間の長さの比率を２^{（ｔ−１）ｍ}とする。そしてさらに、ｎ個の各サブフレームを、概ね１／ｋの長さの点灯期間を有するｋ個のサブフレームに分割し、ｋ個の各サブフレーム群に１個ずつ配置する。このとき、ｋ個のサブフレーム群で、サブフレームの出現順序が概ね同じになるように、サブフレームを配置する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ個（ｍはｍ≧２の整数）のサブ画素を含む画素を複数有し、
前記ｍ個の前記サブ画素は、それぞれ、薄膜トランジスタと表示素子とを有し、
前記ｍ個の前記サブ画素の前記表示素子は、それぞれ、２のべき乗で異なる表示面積を有し、
１フレーム期間は、ｋ個（ｋはｋ≧２の整数）のサブフレーム群を有し、
前記ｋ個の前記サブフレーム群は、それぞれ、ｎ個（ｎはｎ≧２の整数）のサブフレームを有し、
前記ｎ個の前記サブフレームは、それぞれ、２^ｍ×ｐで異なる長さを有し（ｐは０≦ｐ≦ｎ―１の整数）、
前記ｋ個の前記サブフレーム群において、前記ｎ個の前記サブフレームの出現順序は同じであり、
前記１フレーム期間において、前記ｍ個の前記サブ画素にＨｉｇｈ信号またはＬｏｗ信号が複数回入力されることによって、前記画素の階調が表現され、
前記ｍ個の前記サブ画素の前記薄膜トランジスタは、ａ−ＩｎＧａＺｎＯを有し、
前記表示素子は、電子インクを有し、
プラスチック基板の上方に前記複数の前記画素を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
ｍ個（ｍはｍ≧２の整数）のサブ画素を含む画素を複数有し、
前記ｍ個の前記サブ画素は、それぞれ、薄膜トランジスタと表示素子とを有し、
前記ｍ個の前記サブ画素の前記表示素子は、それぞれ、２のべき乗で異なる表示面積を有し、
１フレーム期間は、ｋ個（ｋはｋ≧２の整数）のサブフレーム群を有し、
前記ｋ個の前記サブフレーム群は、それぞれ、ｎ個（ｎはｎ≧２の整数）のサブフレームを有し、
前記ｎ個の前記サブフレームは、それぞれ、２^ｍ×ｐで異なる長さを有し（ｐは０≦ｐ≦ｎ―１の整数）、
前記ｋ個の前記サブフレーム群において、前記ｎ個の前記サブフレームの出現順序は同じであり、
前記１フレーム期間において、前記ｍ個の前記サブ画素にＨｉｇｈ信号またはＬｏｗ信号が複数回入力されることによって、前記画素の階調が表現され、
前記ｍ個の前記サブ画素の前記薄膜トランジスタは、ａ−ＩｎＧａＺｎＯを有し、
前記表示素子は、電子インクを有し、
ステンレス・スチル・ホイルを有する基板の上方に前記複数の前記画素を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
ｍ個（ｍはｍ≧２の整数）のサブ画素を含む画素を複数有し、
前記ｍ個の前記サブ画素は、それぞれ、薄膜トランジスタと表示素子とを有し、
前記ｍ個の前記サブ画素の前記表示素子は、それぞれ、２のべき乗で異なる表示面積を有し、
１フレーム期間は、ｋ個（ｋはｋ≧２の整数）のサブフレーム群を有し、
前記ｋ個の前記サブフレーム群は、それぞれ、ｎ個（ｎはｎ≧２の整数）のサブフレームを有し、
前記ｎ個の前記サブフレームは、それぞれ、２^ｍ×ｐで異なる長さを有し（ｐは０≦ｐ≦ｎ―１の整数）、
前記ｋ個の前記サブフレーム群において、前記ｎ個の前記サブフレームの出現順序は同じであり、
前記１フレーム期間において、前記ｍ個の前記サブ画素にＨｉｇｈ信号またはＬｏｗ信号が複数回入力されることによって、前記画素の階調が表現され、
前記ｍ個の前記サブ画素の前記薄膜トランジスタは、ａ−ＩｎＧａＺｎＯを有し、
前記表示素子は、電子インクを有し、
ステンレス・スチル基板の上方に前記複数の前記画素を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
操作キーと、アンテナと、表示装置とを有する電子機器であって、
前記表示装置は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の表示装置であることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
操作キーと、アンテナと、表示装置とを有する電子書籍であって、
前記表示装置は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の表示装置であることを特徴とする電子書籍。
【請求項６】
操作キーと、アンテナと、表示装置とを有する携帯情報端末であって、
前記携帯情報端末は、電子書籍の機能を有し、
前記表示装置は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の表示装置であることを特徴とする携帯情報端末。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【図６３】

【図６４】

【図６５】

【図６６】

【図６７】

【図６８】

【公開番号】特開２０１３−４１２８５（Ｐ２０１３−４１２８５Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２０４２８１（Ｐ２０１２−２０４２８１）
【出願日】平成２４年９月１８日（２０１２．９．１８）
【分割の表示】特願２００６−２２６４１５（Ｐ２００６−２２６４１５）の分割
【原出願日】平成１８年８月２３日（２００６．８．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】