【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置の提供。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いたトランジスタ１６２と、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ１６０を組み合わせて用いることにより、書き込み回数にも制限が無く、長期間にわたる情報の保持ができる、新たな構造の半導体装置を実現することができる。さらに、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタと酸化物半導体材料を用いたトランジスタとを接続する接続電極１３０ｂを、当該接続電極と接続する酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタの電極１２９より小さくすることにより、新たな構造の半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用ＦＥＴ２０２は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用ＦＥＴ２０２にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】送電装置が受電装置に対して給電を行うシステム（給電システム）における適切な給電を可能とする給電システムの動作方法を提供する。
【解決手段】受電装置が受電する電力値に応じて、送電装置が有する可変高周波電源が出力する高周波電圧の周波数を制御する。すなわち、給電に直結する情報に基づいて当該高周波電圧の周波数を制御する。これにより、給電システムにおける伝送効率の高い給電を正確に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が困難な半導体膜を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの活性層と接する膜または活性層近傍の膜に負の固定電荷を有する酸化シリコン膜を用いることで、負の固定電荷により活性層に負の電界が常に重畳していることになり、しきい値電圧をプラスシフトさせることができる。そのため、トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】青色として優れた色純度を与える新規材料、ならびにこれを用いた発光素子、並
びに発光装置を提供することを課題とする。また、信頼性の高い新規材料、ならびにこれ
を用いた発光素子、並びに発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決することが可能な本発明の構成は、分子内に下記構造式（１
）で表されるジフェニルアントラセン構造と、カルバゾール骨格を同時に一つずつ有する
アントラセン誘導体である。
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【課題】球状のスペーサを用いずに、セルギャップを保持する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板とを有し、第１の基板は、画素電極１０２と、薄膜トランジスタと、画素電極の上方に設けられた第１の配向膜１１０と、を有し、第２の基板は、選択的に設けられたカラーフィルタと、複数のギャップ保持部材２２０と、複数のギャップ保持部材２２０を覆って設けられた第２の配向膜２３０と、を有し、ギャップ保持部材２２０の材料は感光性樹脂であり、ギャップ保持部材２２０は、カラーフィルタが設けられた領域及びカラーフィルタが設けられていない領域にそれぞれ設けられ、かつカラーフィルタが設けられていない領域に設けられたギャップ保持部材２２０は、カラーフィルタが設けられた領域に設けられたギャップ保持部材よりも高い。 （もっと読む）

【課題】印刷法を用いる際に印刷材料の溶媒が揮発することにより生じる問題を解決することを目的とする。
【解決手段】本発明では、発光装置の画素部に印刷法を用いてＥＬ層を形成するための処理室（または、印刷室と呼ぶ）の圧力を大気圧（常圧）又は大気圧以上の加圧状態にし、さらに印刷室内を不活性気体で充填したり、溶媒雰囲気とすることを特徴とする。これにより、印刷材料の溶媒が揮発して変化するのを防ぐことができるため、成膜の困難性を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】集積度が高く、データ保持時間の長い半導体記憶装置。
【解決手段】基板上の半導体膜と、半導体膜を覆う第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜を介して半導体膜上に設けられた第１のゲート電極と、第１のゲート絶縁膜上にあり、半導体膜と重畳しない、第１のゲート電極と同一層かつ同一材料である第１の導電膜と、第１のゲート絶縁膜上にあり、第１のゲート電極および第１の導電膜の上面を露出し、第１のゲート電極および第１の導電膜の間に溝部を有する絶縁膜と、該絶縁膜上にあり、第１のゲート電極、第１の導電膜および溝部と接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜を覆う第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜および溝部上に設けられた第２のゲート電極と、第２のゲート絶縁膜および酸化物半導体膜を介して第１のゲート電極上に設けられた、第２のゲート電極と同一層かつ同一材料である第２の導電膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料においても、精度の高いＣＰＭ測定が可能となる測定方法を提供する。
【解決手段】ＣＰＭ測定の際、ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料に光を照射することで生成される光励起キャリアを、試料に設けられた測定用の２電極に加えて設けられた第３の電極に正のバイアス電圧を印加することにより瞬時に追い出す。光励起キャリアが追い出されることにより、光電流値の制御性が高まり、光応答性の低い試料においても精度よくＣＰＭ測定を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力な表示装置を提供する。
【解決手段】反射性を有する電極と透光性を有する電極との間で、発光層からの光を共振させる構造を有する発光素子をそれぞれ含む複数の画素を有し、比較的短波長な発光色に対応する画素（例えば青色及び／または緑色の画素）においては、カラーフィルタ層を設けない、又は透過率の高いカラーフィルタ層を設け、長波長の発光色に対応する画素（例えば赤色の画素）において選択的にカラーフィルタ層を設ける構成とすることで、色再現性を保ちつつ低消費電力の表示装置を提供する。 （もっと読む）