株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許
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レンズシートおよび光電変換モジュール
【課題】レンズシートの上から光が入射したとき、下部に光が照射されない領域を生じさせるレンズシートを提供すること。また、レンズシートに入った光をより効率よく光電変換素子に照射させること。また、高効率の光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】両面にレンズアレイを有する透光性の基材からなるレンズシートであって、レンズアレイは、レンズ領域と非レンズ領域を交互(縞状)に有し、表面のレンズ領域の端部と、裏面のレンズ領域の端部が重畳するレンズシート。
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半導体装置
【課題】記憶内容に対する保持特性の改善を図ることが可能な半導体装置を提供する。また、半導体装置における消費電力の低減を図る。
【解決手段】チャネル形成領域に、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができるワイドギャップ半導体材料(例えば、酸化物半導体材料)を用い、且つ、ゲート電極用のトレンチと、素子分離用のトレンチを有するトレンチ構造のトランジスタとする。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能となる。また、ゲート電極用のトレンチを有することで、ソース電極とドレイン電極との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果の発現を抑制することができる。
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液晶表示装置
【課題】横電界モードを用いた液晶表示装置において、配線の抵抗の抑制を図り、画素数を増加させても液晶表示装置の駆動速度の低下を抑えることができる、液晶表示装置とその作製方法を提案する。
【解決手段】第1の配線と第2の配線の交差部において、一方の配線を分断し、分断した配線を絶縁膜上の接続電極で架橋し、寄生容量を低減することができる。また、画素電極である第1の電極層、共通電極である第2の電極層と同時に接続電極を形成し、これらの膜厚を厚くし、配線抵抗の小さい金属を用いることで配線による抵抗を小さくすることができ、液晶表示装置の駆動速度の低下を抑制することができる液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法を提供することができる。
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半導体装置の作製方法
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。
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発光材料、膜、発光素子および電子機器
【課題】燐光を発光することのできる有機金属錯体を提供することを課題とする。
【解決手段】下記一般式(G1)において、Xは、−O−又は−N(R10)−を表す。
R1〜R9は、それぞれ、水素、炭素数1〜6のアルキル基又はシクロアルキル基、炭素
数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のアルコキシカルボニル基、炭素数1〜6のアシ
ル基、炭素数1〜6のアシロキシ基、ハロゲン基、ハロアルキル基、炭素数6〜12のア
リール基、のいずれかを表す。また、R10は、炭素数1〜6のアルキル基又はシクロア
ルキル基、炭素数1〜6のアシル基、炭素数6〜12のアリール基、または炭素数4〜1
0のヘテロアリール基、のいずれかを表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を
表す。
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半導体装置の駆動方法
【課題】グローバルシャッタ方式で電荷の蓄積を行うイメージセンサにおいて、蓄積期間
終了時から最後の行を読み出すまでの期間、蓄積電荷保持部からの電荷の流出を極力抑制
することのできる半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】画素がマトリクス状に複数配置されたCMOSセンサ型のイメージセンサに
おいて、画素部の電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタにチャネル形成領
域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを使用し、マトリクス状に配置された全ての
画素で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての画素でフォトダイオードによる
電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行うことで歪みの無い撮像
を可能とする。
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EL表示装置
【課題】電極ホール46における有機EL材料の成膜不良によるEL素子の発光不良を改
善することを課題とする。
【解決手段】上記課題を達成するために、本発明では画素電極上の電極ホール46に絶縁
体を埋め込み、保護部41bを形成させた後、有機EL材料を成膜することで、電極ホー
ル46における成膜不良を防ぐことができる。これにより、EL素子の陰極、陽極間の短
絡により電流集中が生じるのを防ぎ、EL層の発光不良を防ぐことができる。
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電子装置
【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板11上にスイッチング用FET201及び電流制御用FET202を形成し、電流制御用FET202にEL素子203が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用FET202は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用FET202にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。
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給電システムの動作方法
【課題】送電装置が受電装置に対して給電を行うシステム(給電システム)における適切な給電を可能とする給電システムの動作方法を提供する。
【解決手段】受電装置が受電する電力値に応じて、送電装置が有する可変高周波電源が出力する高周波電圧の周波数を制御する。すなわち、給電に直結する情報に基づいて当該高周波電圧の周波数を制御する。これにより、給電システムにおける伝送効率の高い給電を正確に行うことが可能となる。
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半導体装置
【課題】しきい値電圧の制御が困難な半導体膜を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの活性層と接する膜または活性層近傍の膜に負の固定電荷を有する酸化シリコン膜を用いることで、負の固定電荷により活性層に負の電界が常に重畳していることになり、しきい値電圧をプラスシフトさせることができる。そのため、トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
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