【課題】簡便な方法で製造することが可能で、ソース−ドレイン間耐圧や、オン抵抗のバラツキのない高耐圧の半導体装置を提供する。
【解決手段】高濃度Ｎ型の半導体基板１上に積層されたＰ型のエピタキシャル層上に、複数のトレンチ溝１１と、トレンチ溝１１内に充填された誘電体層１２に含まれるＮ型不純物が、Ｐ型のエピタキシャル層中に拡散して形成されたＮ型ピラー領域２と、拡散領域間に残ったＰ型のエピタキシャル層によるＰ型ピラー領域３とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で形成することが可能な高抵抗のバッファ層を備えた窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、原料ガスとして有機金属ガリウムを供給しながら、エピタキシャル成長温度とｎ型不純物のドーピングガスの供給量を制御することにより、有機金属ガリウムに起因する炭素がドーピングされて所望の抵抗率となる窒化ガリウム層をバッファ層としてエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、極めて低い順方向立ち上がり電圧と、高い逆方向耐圧特性を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に、III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層１４とｐ型の導電性を有する第２の窒化物半導体層１５が積層形成されており、第１の窒化物半導体層にオーミック接合する第１のアノード電極１６と、第２の窒化物半導体層にオーミック接合する第２のアノード電極１８と、第１の窒化物半導体層にオーミック接合するカソード電極１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】次数を大きくした場合であっても乗算器の個数の増加を防止しコストの増加を防ぐ。
【解決手段】現在の入力実数値からＮクロック前の入力実数値を減算して第１の実数値を得、該第１の実数値と１クロック前の第２の実数値を加算して第２の実数値を得、該第２の実数値に第１の実係数ｃを乗算して第３の実数値を得、前記第１の実数値と１クロック前の第１の複素数値に複素係数を乗算した値を複素加算して第１の複素数値を得るとともに該第１の複素数値から第４の実数値を抽出し、該第４の実数値に第２の実係数を乗算して第５の実数値を得、前記第３の実数値から前記第５の実数値を減算して出力実数値を得る。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭの生成を確認せずともモータを起動でき、しかもその起動を静かに且つ確実に行えるようにする。
【解決手段】電源投入によりリセットされた後に外部入力するホールパルスの数をカウントするカウンタ３を備え、モータ駆動信号として、前記カウンタ３が、前記ホールパルスを所定数カウントするまではデューティ１００％のＰＷＭ信号を出力し、前記所定数カウントすると制御されたＰＷＭ信号を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ調光制御と定電流制御を１個のトランジスタで行うＬＥＤ駆動回路において、ＬＥＤの消灯状態から点灯状態への切り替わりが高速に行われるようにする。
【解決手段】ＬＥＤに流れる駆動電流Ｉ_LEDを検出して電圧に変換するセンス抵抗Ｒ１と、センス抵抗Ｒ１で得られた電圧Ｖｓと基準電圧Ｖref1との差分を増幅するオペアンプ１と、オペアンプ１で得られた信号Ｖｏに応じて動作してＬＥＤに流れる駆動電流Ｉ_LEDが基準電圧Ｖref1に応じた電流値になるように制御するトランジスタＭＮ１と、トランジスタＭＮ１をＰＷＭ信号に応じてオン／オフ制御してＬＥＤをＰＷＭ調光するスイッチＳＷ１と、駆動電流Ｉ_LEDを検出する電流検出器２と、ＰＷＭ信号がＬＥＤの点灯を開始させるように切り替わったときトランジスタＭＮ１を充電する電流源Ｉ２と、電流検出器２で検出される駆動電流Ｉ_LEDが所定値に達すると電流源Ｉ２による充電を停止させるスイッチＳＷ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】少ない追加素子数で消費電流を増加させることなく出力ソース電流の出力能力の向上を図る共に、特に、出力ソース電流が出力される際の入力オフセット電圧の増加を抑制可能とする。
【解決手段】入力信号に対して差動増幅を行う差動増幅回路１０１と、この差動増幅回路１０１の出力を電圧・電流変換して出力するプリドライバ回路１０３と、このプリドライバ回路１０３の出力により駆動されるプッシュプル出力段１０６とを有してなる演算増幅器であって、プリドライバ回路１０３を構成するプリドライバ用トランジスタ３のベース電流を補償する補償電流供給回路１０４が設けられ、出力ソース電流の最大値の増加と共に、入力オフセット電圧の増加が抑圧されるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】主反射器の開口部の面積が決定されている状況において、アンテナの利得、リターンロス及びサイドローブ比が最適となる特性を容易に得る。
【解決手段】導波管１１、スロット１２から給電されたマイクロ波を放射する主反射器１３と、この主反射器１３の開口部に配置したプリント基板１５とを設け、この基板１５に、六角形金属小体１６をハニカム状に配置した副反射パターンを形成し、この副反射パターンでは、磁界方向中央部の２列の金属小体１６同士を第１間隙Ｇａで配置し、中央部外側の金属小体１６同士を第１間隙Ｇａよりも小さい第２間隙Ｇｂで配置する。この間隙Ｇａによりアンテナ共振周波数を調整し、間隙Ｇｂによりリターンロスを最適に設定する。また、主反射器１３の磁界方向の開口部縁側の金属小体１６を第２間隙Ｇｂよりも大きい第３間隙Ｇｃで開口部縁から配置し、この間隙Ｇｃによりサイドローブ比を設定する。 （もっと読む）

【課題】数十ＭＨｚ程度の低い周波数での雑音指数を改善しつつ、低コスト化の要求に応えることを可能とした利得可変型増幅器を提供する。
【解決手段】増幅回路と、そのバイパス回路とを備えた利得可変型増幅器であって、入力する高周波信号を増幅する増幅回路は、信号増幅動作をする第１のトランジスタと、増幅回路の動作電流を導通または遮断するための第２のトランジスタとを備え、第１のトランジスタのゲートに高周波信号を入力し、第２のトランジスタのドレインから増幅した高周波信号を出力する構成とし、第１のトランジスタのドレインと第２のトランジスタのゲートとの間に、コンデンサ素子を接続する。 （もっと読む）

【課題】 仮想接地ノードの電位に誤差が生じた場合でも制御性良く動作する低消費電力のスイッチトキャパシタ型積分器を提供する。
【解決手段】 入力信号の電荷をサンプリングするサンプリングキャパシタＣ１と、サンプリングキャパシタＣ１の電荷を仮想接地ノード４を介して蓄積する蓄積キャパシタＣ２と、蓄積キャパシタＣ２にサンプルキャパシタＣ１の電荷を供給する主トランジスタＭＰ１、ＭＮ１と、そのゲート端子と仮想接地ノード４との間に挿入された校正キャパシタＣ３，Ｃ４と、校正キャパシタＣ３，Ｃ４に対して、仮想接地ノード４が基準電位Ｖｃｍとなる電位差が生じるように電荷を供給する校正装置１２と、仮想接地ノードの電位を増幅した電位を主トランジスタＭＰ１，ＭＮ１に出力する増幅器とを備える。 （もっと読む）