【課題】歩留まり良く形成することができ、高い信頼性を保つことができる、高周波特性が優れた窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極上に絶縁膜９を介してゲート電極７を配置する。特に絶縁膜を強誘電体材料とすると好ましい。 （もっと読む）

【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜１３上に、犠牲層１４と固定電極１５を積層形成する。固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起２１として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】温度補償回路に印加される参照電圧の変動や温度変動に対するコレクタ静止電流のさらなる安定化を図る。
【解決手段】エミッタ接地されたパワートランジスタ１のベースに、エミッタフォロワ動作する第１のトランジスタ１０２のエミッタ出力電圧を印加することで、パワートランジスタ１のコレクタ静止電流を制御可能に構成されてなる電力増幅器であって、コレクタに第１の抵抗器３０４が、エミッタに第２の抵抗器３０５が、それぞれ直列接続される一方、ベースに第３の抵抗器３０６がシャント接続されると共に、第１のダイオード２０３のカソードが接続された第２のトランジスタ１０３が設けられ、第１のダイオード２０３のアノードと第１の抵抗器３０４の他端は相互に接続されて参照電圧が印加可能とされ、第２のトランジスタ１０３のコレクタの出力電圧が第１のトランジスタ１０２のベースに印加されるよう構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０１と、その表面に埋設された多孔質シリコン層１０２と、多孔質シリコン層に接続するように設けられた透明電極１０３と、単結晶シリコン基板の裏面に設けられたオーミック性電極１０４とを有し、多孔質シリコン層を発光層あるいは受光層とする半導体光素子の製造方法であって、超音波振動を印加しながら、単結晶シリコン基板表面を陽極酸化し、発光層あるいは受光層となる前記多孔質シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とする。
【解決手段】負電圧レベルシフト回路４ａは、第３のレベルシフタ１３ａと、第４のレベルシフタ１４ａとを具備すると共に、レベルシフト基準電圧回路３からの切替信号に応じて第４のレベルシフタ１４ａを短絡、開放するレベルシフト切替スイッチ８ａとを具備してなり、負電圧ＶＳＳの大きさに応じて、レベルシフト切替スイッチ８ａのオン、オフを選択することで、負電圧ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドの拡張が可能に構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】数十メガヘルツ程度の低い周波数に対応しつつ、低コスト化の要求に応えることができる利得可変型増幅器を提供する。
【解決手段】入力する高周波信号を増幅する電界効果型トランジスタを含む増幅回路１０１と、並列に接続され、入力する高周波信号のバイパス経路となる電界効果型トランジスタを含むバイパス回路１０２とを備え、増幅回路をエンハンスメント型電界効果型トランジスタで構成し、バイパス回路をディプレッション型電界効果型トランジスタで構成すると共に、それぞれの電界効果型トランジスタを、入力側、出力側で直接接続する。 （もっと読む）

【課題】追加のフィルタを設けることなく、２倍以上の高調波成分を良好に抑制できるようにする。
【解決手段】キャビティ５０を形成する金属製ケース１の底面部に、誘電体基板２が配置され、この誘電体基板２に、通過周波数帯域のλの１／２で共振しマイクロストリップ線路からなるλ／２共振器パターン３が６段形成される。この６段のλ／２共振器パターン３の略中心の上方に、金属製円柱からなる抑圧用ポスト５を設け、この抑圧用ポスト５をλ／２共振器パターン３と容量結合させることで、共振周波数の２倍以上の高調波成分を抑圧する。 （もっと読む）

【課題】ラダー抵抗回路の各抵抗の抵抗値を時間的に平均化できるようして、変換特性の劣化を軽減する。
【解決手段】入力ラインが４ビット、出力ラインが６ビットで、入力ラインをシフトせず又はその並びのままでＭＳＢ方向に所定ビット数だけシフトして出力ラインに接続するシフト回路２００と、シフト回路２００のＬＳＢ側の４ビットにバッファ３０１が接続され、ＭＳＢ側の２ビットにトライステートバッファ３０２が接続されたバッファ回路３００と、バッファ回路３００の出力側に接続されたＲ−２Ｒ型のラダー抵抗回路４００と、出力端子６００をと有する。シフト回路２００は、出力ラインのうちの入力ラインが接続されたラインよりもＬＳＢ側のラインを“０”に設定し、且つ出力ラインのうちの入力ラインが接続されたラインよりもＭＳＢ側のラインを任意の値に設定する。バッファ回路３００は、出力ラインのうちの入力ラインが接続されたラインよりもＭＳＢ側のラインに対応するトライステートバッファの出力がハイインピーダンスに設定される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。結晶欠陥１１のある部分は、レジスト膜１２は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜１２を除去することで、半導体装置を形成することができるＳｉＣ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】単位抵抗の数を少なくすることができる可変ゲイン差動入出力アンプを提供する。
【解決手段】第１のオペアンプと、第２のオペアンプと、前記第１のオペアンプの出力と前記第２のオペアンプの出力間に単位抵抗からなる抵抗群を複数直列接続して複数のゲイン設定値に対応する分割比に抵抗分割した第１の抵抗列と、前記抵抗分割により得られる分割電圧を選択して前記第１及び前記第２のオペアンプの反転入力に入力するスイッチ手段とを備える可変ゲイン差動入出力アンプにおいて、単位抵抗からなる抵抗群を複数直列に接続して前記複数のゲイン設定値より高いゲイン設定値に対応する分割比に抵抗分割した第２の抵抗列を前記第１の抵抗列と並列に接続する。 （もっと読む）